JP2007043095A - アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 - Google Patents
アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007043095A JP2007043095A JP2006153922A JP2006153922A JP2007043095A JP 2007043095 A JP2007043095 A JP 2007043095A JP 2006153922 A JP2006153922 A JP 2006153922A JP 2006153922 A JP2006153922 A JP 2006153922A JP 2007043095 A JP2007043095 A JP 2007043095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- piezoelectric
- actuator device
- crystal
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum;oxonickel Chemical compound [La].[Ni]=O RVLXVXJAKUJOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 14
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 11
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020215 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 etc. Chemical compound 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
- B41J2002/14241—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm having a cover around the piezoelectric thin film element
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14419—Manifold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/20—Modules
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン単結晶基板上に設けられた二酸化シリコンと、二酸化シリコン上に設けられた少なくとも一層のバッファ層56と、該バッファ層56上に設けられた面方位(100)のランタンニッケルオキサイドからなる下地層57とを有し、さらに、この下地層上に設けられた面方位(100)の白金からなる下電極60と、該下電極60上にエピタキシャル成長により形成され結晶系が正方晶系、単斜晶系、及び菱面体晶系からなる群から選択される少なくとも一種の結晶系が他の結晶系に優先している結晶系を有すると共に面方位が(100)配向の強誘電体層からなる圧電体層70と、該圧電体層70上に設けられた上電極80とからなる圧電素子300を具備する。
【選択図】図1
Description
かかる第1の態様では、面方位(100)であるランタンニッケルオキサイド(LNO)からなる下地層上に白金(Pt)からなる下電極を成長させることにより、白金(Pt)からなる下電極の面方位が(100)に制御され、さらにこの面方位が(100)である白金(Pt)からなる下電極上に圧電体層をエピタキシャル成長させることにより、圧電体層を結晶歪みのない面方位(100)に成長させることができ、分極方向の揺らぎを抑えた、歪みのない状態のアクチュエータ装置となる。
かかる第2の態様では、酸化ジルコニウム(ZrO2)からなるバッファ層が、振動板としての剛性を保持すると共に圧電体層から鉛(Pb)が溶出しても、鉛(Pb)が二酸化シリコン(SiO2)まで拡散するのを防ぐことができ、アクチュエータ装置の耐久性がより確実に向上する。
かかる第3の態様では、酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる層を設けることで、振動板としての剛性を保持すると共に圧電体層から鉛(Pb)が溶出しても、鉛(Pb)が二酸化シリコン(SiO2)まで拡散するのを防ぐことができ、さらに密着力を高める層を設けることで酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる層と、結晶性が高いランタンニッケルオキサイド(LNO)からなる下地層との密着力を高めることができる。
かかる第4の態様では、圧電体層から鉛(Pb)が溶出しても、鉛(Pb)が二酸化シリコン(SiO2)まで拡散するのを防ぐことができ、アクチュエータ装置の耐久性がより確実に向上する。
かかる第5の態様では、実用に十分な電界誘起歪みを得ることができる。
かかる第6の態様では、小さな電圧で大きな歪みを得ることができる。
かかる第7の態様では、基板の面方位が(110)であっても、面方位(100)のランタンニッケルオキサイド(LNO)からなる下地層を具備することにより、下電極の面方位が(100)配向となる。
かかる第8の態様では、圧電特性の優れたアクチュエータ装置を圧力発生手段として備えた液体噴射ヘッドとなる。
かかる第9の態様では、圧電特性の優れたアクチュエータ装置を圧力発生手段として備えた液体噴射ヘッドを有する液体噴射装置となる。
図1には、本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びA−A’断面図である。
Claims (9)
- シリコン(Si)単結晶基板上に設けられた二酸化シリコン(SiO2)からなる層と、二酸化シリコン(SiO2)からなる層上に設けられた少なくとも一層のバッファ層と、該バッファ層上に設けられた面方位(100)のランタンニッケルオキサイド(LNO)からなる下地層とを有し、さらに、この下地層上に設けられた面方位(100)の白金(Pt)からなる下電極と、該下電極上にエピタキシャル成長により形成され正方晶系、単斜晶系、及び菱面体晶系からなる群から選択される少なくとも一種の結晶系が他の結晶系に優先している結晶系を有すると共に面方位が(100)配向の強誘電体層からなる圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子を具備することを特徴とするアクチュエータ装置。
- 前記バッファ層が、少なくとも酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる層であることを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ装置。
- 前記バッファ層が、前記酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる層と、前記下地層との密着力を高める層とを具備することを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ装置。
- 前記バッファ層が、前記圧電体層内の鉛(Pb)が前記二酸化シリコン(SiO2)まで拡散するのを防止する層であることを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ装置。
- 前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸バリウムストロンチウム((Ba,Sr)TiO3)、マグネシウム酸ニオブ酸鉛(PMN)とチタン酸鉛(PT)との固溶体及びリラクサ強誘電体から選択される何れか一種からなる単結晶強誘電体薄膜又は、面内無配向で基板方線方向に配向した多結晶強誘電体薄膜であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のアクチュエータ装置。
- 前記単結晶強誘電体薄膜又は、前記多結晶強誘電体薄膜が点欠陥を有して巨大電歪効果を示すことを特徴とする請求項5に記載のアクチュエータ装置。
- 前記シリコン(Si)単結晶基板は、面方位が(110)であるシリコン単結晶基板であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のアクチュエータ装置。
- 請求項1〜7の何れかに記載のアクチュエータ装置を、前記基板に形成された圧力発生室に当該圧力発生室内の液体をノズル開口から吐出させるための圧力を発生させる圧力発生手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
- 請求項8に記載の液体噴射ヘッドを有することを特徴とする液体噴射装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006153922A JP4793568B2 (ja) | 2005-07-08 | 2006-06-01 | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
DE200660003477 DE602006003477D1 (de) | 2005-07-08 | 2006-07-07 | Aktuatorvorrichtung, Flüssigkeitsstrahlkopf und -vorrichtung |
EP20060014159 EP1741557B1 (en) | 2005-07-08 | 2006-07-07 | Actuator device, liquid-jet head and liquid-jet apparatus |
KR20060063880A KR100764355B1 (ko) | 2005-07-08 | 2006-07-07 | 액추에이터 장치, 액체 분사 헤드 및 액체 분사 장치 |
US11/482,689 US7589450B2 (en) | 2005-07-08 | 2006-07-10 | Actuator device, liquid-jet head and liquid-jet apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005200923 | 2005-07-08 | ||
JP2005200923 | 2005-07-08 | ||
JP2006153922A JP4793568B2 (ja) | 2005-07-08 | 2006-06-01 | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007043095A true JP2007043095A (ja) | 2007-02-15 |
JP2007043095A5 JP2007043095A5 (ja) | 2009-06-04 |
JP4793568B2 JP4793568B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=37188952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006153922A Expired - Fee Related JP4793568B2 (ja) | 2005-07-08 | 2006-06-01 | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7589450B2 (ja) |
EP (1) | EP1741557B1 (ja) |
JP (1) | JP4793568B2 (ja) |
KR (1) | KR100764355B1 (ja) |
DE (1) | DE602006003477D1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177353A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Fujifilm Corp | 圧電素子及びインクジェットヘッド |
WO2008111274A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | 半導体基板上の積層構造 |
JP2008306009A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Toyohashi Univ Of Technology | 半導体基板上の積層構造 |
JP2011032111A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Seiko Epson Corp | セラミックス組成物およびその製造方法、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッドならびに液体噴射装置 |
JP2011088369A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2014005197A (ja) * | 2013-08-05 | 2014-01-16 | Seiko Epson Corp | セラミックス組成物およびその製造方法、液体噴射ヘッドならびに液体噴射装置 |
JP2017038082A (ja) * | 2016-11-04 | 2017-02-16 | ローム株式会社 | インクノズルおよびそれを備えたインクジェットプリンタヘッド |
JP2018081975A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社ユーテック | 膜構造体及びその製造方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7235917B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric member element and liquid discharge head comprising element thereof |
JP4314498B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、およびプリンタ |
JP2009064859A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Fujifilm Corp | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
JP2009255530A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
JP2009255532A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
JP2009255529A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
JP5061990B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ |
JP5329863B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-10-30 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子及び圧電素子の製造方法、液体吐出装置 |
JP4636292B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2011-02-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP5471612B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2014-04-16 | 日立金属株式会社 | 圧電性薄膜素子の製造方法及び圧電薄膜デバイスの製造方法 |
JP5540654B2 (ja) * | 2009-11-03 | 2014-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5641185B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5556182B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP5660288B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP5854183B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2016-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外センサー |
JP2011211143A (ja) | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2011255604A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
JP5696424B2 (ja) * | 2010-10-13 | 2015-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP2012139920A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子 |
JP2012253161A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
US8866367B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-10-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making |
US9761785B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing |
CN104772988B (zh) * | 2014-01-10 | 2017-04-05 | 珠海赛纳打印科技股份有限公司 | 液体喷头制造方法、液体喷头及打印设备 |
US9985196B2 (en) * | 2014-06-20 | 2018-05-29 | Ulvac, Inc. | Multi-layered film and method of manufacturing the same |
JP2017092097A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、超音波プローブ、超音波測定装置及び圧電素子の製造方法 |
TWI717498B (zh) * | 2016-06-21 | 2021-02-01 | 日商前進材料科技股份有限公司 | 膜構造體及其製造方法 |
US11121139B2 (en) * | 2017-11-16 | 2021-09-14 | International Business Machines Corporation | Hafnium oxide and zirconium oxide based ferroelectric devices with textured iridium bottom electrodes |
WO2020027138A1 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 株式会社村田製作所 | Memsデバイス |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04259380A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Mitsubishi Materials Corp | Pzt強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法 |
JP3473608B2 (ja) * | 1992-04-23 | 2003-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
JP3890634B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2007-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子及びインクジェット式記録ヘッド |
US5798903A (en) * | 1995-12-26 | 1998-08-25 | Bell Communications Research, Inc. | Electrode structure for ferroelectric capacitor integrated on silicon |
US6327120B1 (en) * | 1997-04-17 | 2001-12-04 | Fujitsu Limited | Actuator using piezoelectric element and head-positioning mechanism using the actuator |
US6307214B1 (en) * | 1997-06-06 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
DE19857247C1 (de) * | 1998-12-11 | 2000-01-27 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Aktor |
JP3127245B1 (ja) * | 1999-09-03 | 2001-01-22 | 工業技術院長 | 多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス |
JP4516166B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
DE19951012A1 (de) * | 1999-10-22 | 2001-04-26 | Bosch Gmbh Robert | Aktor |
JP3401558B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2003-04-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | エピタキシャル複合構造体およびこのものを利用した素子 |
JP3567977B2 (ja) | 2000-03-24 | 2004-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、プリンタ、及び圧電体素子の製造方法 |
US6494567B2 (en) * | 2000-03-24 | 2002-12-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and manufacturing method and manufacturing device thereof |
US6717337B2 (en) * | 2001-05-23 | 2004-04-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Piezoelectric acoustic actuator |
US6707230B2 (en) * | 2001-05-29 | 2004-03-16 | University Of North Carolina At Charlotte | Closed loop control systems employing relaxor ferroelectric actuators |
US20030016895A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing photonic crystals |
US20030026515A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Motorola, Inc. | Monolithic tunable wavelength multiplexers and demultiplexers and methods for fabricating same |
DE10156137B4 (de) * | 2001-11-15 | 2004-08-19 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Kieselglastiegels mit kristallinen Bereichen aus einem porösen Kieselglasgrünkörper |
JP3902023B2 (ja) * | 2002-02-19 | 2007-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエータ、液滴噴射ヘッド、およびそれを用いた液滴噴射装置 |
CN100421275C (zh) * | 2002-05-15 | 2008-09-24 | 精工爱普生株式会社 | 压电致动器及液体喷头 |
US7083270B2 (en) * | 2002-06-20 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus |
JP2004066600A (ja) | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2004107179A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 圧電体前駆体ゾル、圧電体膜の製造方法、圧電体素子およびインクジェット記録ヘッド |
JP4165347B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
JP3965579B2 (ja) * | 2003-07-03 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体層の形成方法 |
JP4776154B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | 圧電体素子、インクジェット記録ヘッド、圧電体素子の製造方法 |
JP4717344B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッド |
JP4471668B2 (ja) | 2004-01-16 | 2010-06-02 | 株式会社アルバック | コンデンサ、そのコンデンサを用いた不揮発性記憶装置 |
-
2006
- 2006-06-01 JP JP2006153922A patent/JP4793568B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-07 KR KR20060063880A patent/KR100764355B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-07-07 EP EP20060014159 patent/EP1741557B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-07 DE DE200660003477 patent/DE602006003477D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-10 US US11/482,689 patent/US7589450B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177353A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Fujifilm Corp | 圧電素子及びインクジェットヘッド |
WO2008111274A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | 半導体基板上の積層構造 |
US8183594B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-05-22 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | Laminar structure on a semiconductor substrate |
JP2008306009A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Toyohashi Univ Of Technology | 半導体基板上の積層構造 |
JP2011032111A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Seiko Epson Corp | セラミックス組成物およびその製造方法、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッドならびに液体噴射装置 |
JP2011088369A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2014005197A (ja) * | 2013-08-05 | 2014-01-16 | Seiko Epson Corp | セラミックス組成物およびその製造方法、液体噴射ヘッドならびに液体噴射装置 |
JP2017038082A (ja) * | 2016-11-04 | 2017-02-16 | ローム株式会社 | インクノズルおよびそれを備えたインクジェットプリンタヘッド |
JP2018081975A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社ユーテック | 膜構造体及びその製造方法 |
JP7011760B2 (ja) | 2016-11-15 | 2022-01-27 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 膜構造体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070007860A1 (en) | 2007-01-11 |
DE602006003477D1 (de) | 2008-12-18 |
JP4793568B2 (ja) | 2011-10-12 |
US7589450B2 (en) | 2009-09-15 |
EP1741557A3 (en) | 2007-07-04 |
EP1741557A2 (en) | 2007-01-10 |
KR20070006605A (ko) | 2007-01-11 |
KR100764355B1 (ko) | 2007-10-08 |
EP1741557B1 (en) | 2008-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4793568B2 (ja) | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
US7562968B2 (en) | Piezoelectric element, liquid-jet head and liquid-jet apparatus | |
US7827658B2 (en) | Method for manufacturing actuator device and liquid ejecting head including actuator device prepared by the method | |
JP5158299B2 (ja) | 圧電素子、アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法 | |
JP4516166B2 (ja) | インクジェット式記録ヘッドの製造方法 | |
JP2004066600A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2006245141A (ja) | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 | |
JP5310969B2 (ja) | 積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法並びにアクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
US8277031B2 (en) | Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, and actuator | |
JP2011046129A (ja) | 液体噴射ヘッド及びそれを用いた液体噴射装置 | |
JP5578311B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5007780B2 (ja) | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射装置の製造方法 | |
US8459767B2 (en) | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and actuator | |
JP2006286911A (ja) | 圧電素子並びにこれを用いた液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2005236269A (ja) | 圧電素子及びその製造方法並びに液体噴射ヘッド | |
JP2006261412A (ja) | 圧電素子及びその製造方法並びに圧電素子を用いた液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2012178506A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
JP2014058169A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター | |
JP2007266275A (ja) | アクチュエータ装置、それを備えた液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ装置の製造方法 | |
JP2006216685A (ja) | 単結晶強誘電体薄膜並びにこれを用いた液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2005260003A (ja) | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射装置 | |
JP2007059817A (ja) | アクチュエータ装置の製造方法及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2011166037A (ja) | 圧電素子の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP2010131920A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2011077197A (ja) | 液体噴射ヘッド、アクチュエーター装置及び液体噴射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090416 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110630 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |