JP2007003237A - 電流センサ - Google Patents
電流センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007003237A JP2007003237A JP2005181091A JP2005181091A JP2007003237A JP 2007003237 A JP2007003237 A JP 2007003237A JP 2005181091 A JP2005181091 A JP 2005181091A JP 2005181091 A JP2005181091 A JP 2005181091A JP 2007003237 A JP2007003237 A JP 2007003237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- current
- hall element
- current sensor
- hall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 電流経路に被検出電流Iが導通したときに生じる被検出磁界による磁束Bを、半導体基板10に設けたホール素子20により検出する構成の電流センサ100であって、半導体基板10の表面に対して垂直方向に流れる駆動電流がホールプレートHPに供給された状態で、被検出電流Iによって半導体基板10の表面に平行な成分を有する磁束BがホールプレートHPに作用すると、作用磁束Bの大きさに応じたホール電圧を発生するように縦型のホール素子20を構成し、ホール素子20の形成された半導体基板10の一面上に、絶縁膜30を介して電流経路としての配線部40を一体的に設けた。
【選択図】 図1
Description
(第1の実施の形態)
図1は、本実施形態における電流センサの概略構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のL1−L1断面図、(c)は(a)のL2−L2断面図である。尚、図1(a)においては、ホール素子の構成を説明する都合上、半導体基板表面に形成された絶縁膜を省略し、絶縁膜上に形成された配線部(2本の一点鎖線間の領域)を透過させて図示している。
(数1) VH=(RHI0B/d)cosθ
(数2) B=μ0I/2πr
尚、RH:ホール係数、I0:駆動電流、d:ホールプレートHPの厚さ(拡散分離壁22a,22b間の対向距離)、θ:ホール素子20と磁界のなす角、μ0:真空透磁率(4π×10−7N/A2)、I:被検出電流、r:ホールプレートHPと配線部40との間の距離である。
次に、本発明の第2の実施形態を、図4に基づいて説明する。図4は、本実施形態における電流センサ100の概略構成を示す平面図である。尚、図4においても、便宜上、半導体基板10表面に形成された絶縁膜30を省略し、絶縁膜30上に形成された配線部40(2本の一点鎖線間の領域)を透過させて図示している。
次に、本発明の第3の実施形態を、図5に基づいて説明する。図5は、本実施形態における電流センサ100の概略構成を示す断面図であり、図1(c)に対応している。
尚、ホール素子20の構成については、本実施形態に示す例に特に限定されるものではない。縦型のホール素子20であれば良い。
20・・・ホール素子
21・・・半導体領域
21a〜21c・・・素子領域
22,22a,22b・・・拡散分離壁
23a〜23e・・・コンタクト領域
30・・・絶縁膜(絶縁部材)
40・・・配線部(電流経路)
50・・・処理回路部
100・・・電流センサ
HP・・・ホールプレート
Claims (6)
- 電流経路に被検出電流が導通したときに生じる被検出磁界による磁束を、半導体基板に設けたホール素子により検出する構成の電流センサであって、
前記ホール素子は、前記半導体基板の表面に対して垂直方向に流れる駆動電流が供給された状態で、前記被検出電流によって前記半導体基板の表面に水平な成分を有する磁束が作用すると、作用磁束の大きさに応じたホール電圧を発生するように構成されており、
前記電流経路は、前記ホール素子と電気的に絶縁された状態で、前記半導体基板の表面上に配置されていることを特徴とする電流センサ。 - 前記電流経路は、前記半導体基板の表面に固定された絶縁部材を介して、前記半導体基板上に一体的に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
- 前記電流経路は、前記絶縁部材としての絶縁膜を介して、前記半導体基板上に形成された配線部であることを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。
- 前記電流経路は、前記ホール素子が設けられた前記半導体基板の一面上に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電流センサ。
- 前記電流経路は、前記半導体基板の平面方向において、前記駆動電流が供給される前記ホール素子のホールプレートを覆うように配置されていることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載の電流センサ。
- 前記半導体基板には、前記ホール素子の処理回路部が形成されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の電流センサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181091A JP2007003237A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | 電流センサ |
US11/448,810 US7253601B2 (en) | 2005-06-21 | 2006-06-08 | Current sensor having hall element |
DE102006028520A DE102006028520B4 (de) | 2005-06-21 | 2006-06-21 | Stromsensor mit einem Hall-Element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181091A JP2007003237A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | 電流センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007003237A true JP2007003237A (ja) | 2007-01-11 |
Family
ID=37545224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005181091A Pending JP2007003237A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | 電流センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7253601B2 (ja) |
JP (1) | JP2007003237A (ja) |
DE (1) | DE102006028520B4 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11895929B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-02-06 | Rohm Co., Ltd. | Hall element and electronic component |
JP7506526B2 (ja) | 2020-05-22 | 2024-06-26 | ローム株式会社 | ホール素子、および電子部品 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7768083B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
MY160103A (en) * | 2008-10-03 | 2017-02-28 | Access Business Group Int Llc | Power system |
CH699933A1 (de) * | 2008-11-28 | 2010-05-31 | Melexis Technologies Sa | Vertikaler Hallsensor. |
US8704514B2 (en) * | 2010-02-11 | 2014-04-22 | Infineon Technologies Ag | Current sensor including a sintered metal layer |
US8384183B2 (en) * | 2010-02-19 | 2013-02-26 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated hall effect element having a germanium hall plate |
PL217853B1 (pl) | 2010-12-28 | 2014-08-29 | Inst Łączności Państwowy Inst Badawczy | Sposób i układ do pomiaru prądu, zwłaszcza prądu ładowania i wyładowania baterii |
US8722514B2 (en) | 2011-01-17 | 2014-05-13 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof |
CN104081215B (zh) * | 2012-02-13 | 2017-04-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 电流检测器 |
KR102116147B1 (ko) | 2014-03-06 | 2020-05-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 매립형 마그네틱 센서 |
CN104730474B (zh) * | 2015-03-05 | 2018-07-24 | 上海兴工微电子有限公司 | 磁传感器以及电流传感器 |
JP6814035B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2021-01-13 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH669068A5 (de) * | 1986-04-29 | 1989-02-15 | Landis & Gyr Ag | Integrierbares hallelement. |
US5572058A (en) * | 1995-07-17 | 1996-11-05 | Honeywell Inc. | Hall effect device formed in an epitaxial layer of silicon for sensing magnetic fields parallel to the epitaxial layer |
EP0772046B1 (de) * | 1995-10-30 | 2002-04-17 | Sentron Ag | Magnetfeldsensor und Strom- oder Energiesensor |
DE10108640A1 (de) * | 2001-02-22 | 2002-09-19 | Infineon Technologies Ag | Sensoranordnung zur kontaktlosen Strommessung |
EP1267173A3 (en) * | 2001-06-15 | 2005-03-23 | Sanken Electric Co., Ltd. | Hall-effect current detector |
DE02775480T1 (de) * | 2001-11-01 | 2005-08-18 | Sentron Ag | Stromsensor und stromsensor herstellungsverfahren |
JP2003262650A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Asahi Kasei Corp | 電流センサ |
JP2004257953A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Denso Corp | 電流センサ装置 |
JP4247821B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2009-04-02 | キヤノン電子株式会社 | 電流センサ |
US7709754B2 (en) * | 2003-08-26 | 2010-05-04 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
JP2005333103A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-12-02 | Denso Corp | 縦型ホール素子およびその製造方法 |
JP4375550B2 (ja) | 2004-06-28 | 2009-12-02 | 株式会社デンソー | 縦型ホール素子の製造方法 |
-
2005
- 2005-06-21 JP JP2005181091A patent/JP2007003237A/ja active Pending
-
2006
- 2006-06-08 US US11/448,810 patent/US7253601B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-21 DE DE102006028520A patent/DE102006028520B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11895929B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-02-06 | Rohm Co., Ltd. | Hall element and electronic component |
JP7506526B2 (ja) | 2020-05-22 | 2024-06-26 | ローム株式会社 | ホール素子、および電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060284611A1 (en) | 2006-12-21 |
DE102006028520B4 (de) | 2009-04-30 |
US7253601B2 (en) | 2007-08-07 |
DE102006028520A1 (de) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007003237A (ja) | 電流センサ | |
JP4483760B2 (ja) | 電流センサ | |
US9599682B2 (en) | Vertical hall element | |
JP2002071493A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2013183143A (ja) | 半導体装置を製造する方法、及び、半導体装置 | |
US6396114B1 (en) | Magneto-electric device | |
US11320324B2 (en) | Sensor device | |
TWI728196B (zh) | 半導體裝置 | |
JP6695116B2 (ja) | 縦型ホール素子 | |
US10236440B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6636094B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI726164B (zh) | 半導體裝置 | |
US10615333B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5771129B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013187512A (ja) | 半導体装置 | |
EP3570338B1 (en) | Semiconductor device | |
JP4466276B2 (ja) | 縦型ホール素子およびその製造方法 | |
CN111435700B (zh) | 半导体传感器结构 | |
JP4353057B2 (ja) | 縦型ホール素子およびその製造方法 | |
JP2010287755A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007324566A (ja) | 半導体歪みゲージ及びその製造方法 | |
JP2022111675A (ja) | ホール素子 | |
JP2005156179A (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 | |
JP2006184014A (ja) | 加速度センサ | |
JP2008157969A (ja) | 半導体力学量センサおよび半導体力学量センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100106 |