JP2006520104A - 二酸化炭素を使用した浸漬リソグラフィ方法 - Google Patents
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Abstract
Description
させるため、浸漬流体を除去するため、および/または浸漬リソグラフィにおける種々の他のステップを実施するために従来使用されてきた一部または全ての溶媒の代わりに使用できることができることが分かった。浸漬フォトリソグラフィにおける有機溶媒の使用は、浸漬リソグラフィ工程に対して環境的および/または経済的に大きな影響を有し得る。対照的に、本発明の実施形態では、このような有機溶媒の必要性を軽減または解消することができる。
Claims (49)
- 基板にパターン形成する方法であって、
二酸化炭素を使用して前記基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する工程を含む、方法。 - 二酸化炭素を使用して前記基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層上に浸漬層を提供するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を現像するステップと、
前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を乾燥させるステップと、
現像された前記フォトレジスト層を使用して前記基板にパターン形成するステップと、
パターン形成された前記基板から前記フォトレジスト層を除去するステップとを含み、
前記浸漬層を提供するステップ、前記浸漬層を除去するステップ、前記フォトレジスト層を現像するステップ、前記フォトレジスト層を乾燥させるステップ、および前記フォトレジスト層を除去するステップの1つ以上のステップが二酸化炭素を使用して実施される、請求項1に記載の方法。 - 二酸化炭素を使用して前記基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に、二酸化炭素と少なくとも1種類の浸漬化合物とを含む流体層を付着させるステップと、
フォトレジスト層の上に浸漬流体層を形成するために、前記二酸化炭素の少なくとも一部を前記流体層から除去するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記流体層が、液体および/または超臨界の二酸化炭素を含む請求項3に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、フッ素および/またはケイ素を含有する化合物を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記フッ素および/またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む、請求項3に記載の方法。
- 流体層を付着させる前記ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項3に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記乾燥ステップが、前記現像ステップの前に実施される請求項2に記載の方法。
- 二酸化炭素を使用して基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
液体および/または超臨界の二酸化炭素を含む浸漬リンス組成物と前記浸漬層を接触させることによって、前記画像形成されたフォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 浸漬層を形成する前記ステップが、
前記フォトレジスト層の上に、二酸化炭素と少なくとも1種類の浸漬化合物とを含む流体層を付着させる段階と、
前記フォトレジスト層の上に前記浸漬層を形成するために、前記二酸化炭素を前記流体層から除去する段階とを含む、請求項11に記載の方法。 - 前記流体層が液体および/または超臨界の二酸化炭素を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、フッ素および/またはケイ素を含有する化合物を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記フッ素および/またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む、請求項12に記載の方法。
- 流体層を付着させる前記段階が、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項12に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項17に記載の方法。
- 二酸化炭素を使用して基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
液体および/または超臨界の二酸化炭素を使用して、前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を乾燥させるステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記乾燥ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項19に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項20に記載の方法。
- 二酸化炭素を使用して基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
液体および/または超臨界の二酸化炭素を使用して、前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を現像するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記現像ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項22に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項23に記載の方法。
- 二酸化炭素を使用して基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
液体および/または超臨界の二酸化炭素を使用して、前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去し、同時に前記フォトレジスト層を現像するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 除去し同時に現像する前記ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される請求項25に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項8に記載の方法。
- 二酸化炭素を使用して基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に浸漬層を形成するステップと、
前記浸漬層を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップと、
前記フォトレジスト層から前記浸漬層を除去するステップと、
前記浸漬層が除去された前記フォトレジスト層を現像するステップと、
現像された前記フォトレジスト層を使用して前記基板にパターン形成するステップと、
液体および/または超臨界の二酸化炭素を使用して、パターン形成された前記基板から前記フォトレジスト層を除去するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記除去ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項28に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項26に記載の方法。
- 二酸化炭素を使用して基板上のフォトレジスト層に対して浸漬リソグラフィを実施する前記工程が、
前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置するステップと
前記固体浸漬膜を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップが、
二酸化炭素と少なくとも1種類の固体浸漬膜化合物とを含む固体浸漬膜を前記フォトレジスト層の上に配置する段階と、
前記固体浸漬膜から前記二酸化炭素を除去する段階とを含む、請求項31に記載の方法。 - 前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップの前に、前記フォトレジスト層の上に浸漬流体層を配置するステップが実施され、前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップが、前記フォトレジスト層とは反対側の前記浸漬流体層の上に固体浸漬膜を配置する段階を含む、請求項31に記載の方法。
- 浸漬流体層を配置する前記ステップが、
前記フォトレジスト層の上に二酸化炭素と少なくとも1種類の浸漬化合物とを含む流体層を付着させる段階と、
前記フォトレジスト層の上に浸漬流体層を形成するために、前記二酸化炭素の少なくとも一部を前記流体層から除去する段階とを含む、請求項33に記載の方法。 - 前記流体層が、液体および/または超臨界の二酸化炭素を含む請求項34に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、フッ素および/またはケイ素を含有する化合物を含む請求項34に記載の方法。
- 前記フッ素および/またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む請求項36に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む請求項34に記載の方法。
- 流体層を付着させる前記段階が、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項34に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項39に記載の方法。
- 基板上のフォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置するステップと、
前記フォトレジスト層の上に配置された前記固体浸漬膜を通して前記フォトレジスト層に画像形成するステップとを含む、基板にパターン形成する方法。 - 前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップの前に、前記フォトレジスト層の上に液浸層を配置するステップが実施され、前記フォトレジスト層の上に固体浸漬膜を配置する前記ステップが、前記フォトレジスト層とは反対側の前記液浸層の上に固体浸漬膜を配置する段階を含む、請求項41に記載の方法。
- 浸漬流体層を配置する前記ステップが、
前記フォトレジスト層の上に、二酸化炭素と少なくとも1種類の浸漬化合物とを含む流体層を配置する段階と、
前記フォトレジスト層の上に浸漬流体層を形成するために、前記二酸化炭素の少なくとも一部を前記流体層から除去する段階とを含む、請求項42に記載の方法。 - 前記流体層が、液体および/または超臨界の二酸化炭素を含む請求項43に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、フッ素および/またはケイ素を含有する化合物を含む請求項43に記載の方法。
- 前記フッ素および/またはケイ素を含有する化合物が、パーフルオロポリエーテル化合物を含む請求項45に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の浸漬流体化合物が、ポリマーを含む請求項43に記載の方法。
- 流体層を付着させる前記ステップが、二酸化炭素チャンバー内で実施される、請求項43に記載の方法。
- 前記二酸化炭素チャンバーが、マイクロエレクトロニクス加工トラックの一部を含む、請求項48に記載の方法。
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