JP3981368B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3981368B2 JP3981368B2 JP2004146219A JP2004146219A JP3981368B2 JP 3981368 B2 JP3981368 B2 JP 3981368B2 JP 2004146219 A JP2004146219 A JP 2004146219A JP 2004146219 A JP2004146219 A JP 2004146219A JP 3981368 B2 JP3981368 B2 JP 3981368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- resist film
- pattern
- resist
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図7(a)に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜2を形成する。
M. Switkes and M. Rothschild, "Immersion lithography at 157 nm", J. Vac. Sci. Technol., Vol.B19, P.2353 (2001)
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図2(a)に示すように、基板20の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜21を形成する。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図4(a)に示すように、基板20の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜21を形成する。
以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムトリフラート(酸発生剤)………………………0.04g
トリエタノールアミン(クエンチャー)………………………………………0.002g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図6(a)に示すように、基板20の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.35μmの厚さを持つレジスト膜21を形成する。
20 ウェハ(基板)
21 レジスト膜
21a レジストパターン
24 液体
25 液体(超純水)
26 不活性ガス
27 液体近傍の大気
30 光学系
32 マスク
34 露光部(投影レンズ)
35 露光光
36 可動ステージ
38 定盤
40 液体供給部脱気部
41 供給路
50 不活性ガス供給部(イオン化防止部)
51 供給口
52 脱炭酸部(イオン化防止部)
53 吸気口
54 排気口
56 超純水生成部(イオン化防止部)
Claims (6)
- レジスト膜が形成された基板を載置するステージと、前記ステージ上で前記レジスト膜と投影レンズとの間に液体を満たした状態で、前記レジスト膜にマスクを介した露光光を照射する前記投影レンズとを備えた半導体製造装置によるパターン形成方法であって、
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
液体が配される領域のうち少なくとも前記レジスト膜の近傍の雰囲気を、液体がイオン化しにくい状態にする工程と、
前記雰囲気下で前記レジスト膜と前記投影レンズとの間に液体を満たした状態で、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記液体がイオン化しにくい状態にする工程は、前記レジスト膜と前記投影レンズとの間に満たされた液体の少なくとも近傍を不活性ガス雰囲気とする工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - レジスト膜が形成された基板を載置するステージと、前記ステージ上で前記レジスト膜と投影レンズとの間に液体を満たした状態で、前記レジスト膜にマスクを介した露光光を照射する前記投影レンズとを備えた半導体製造装置によるパターン形成方法であって、
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
液体が配される領域のうち少なくとも前記レジスト膜の近傍の雰囲気を、液体がイオン化しにくい状態にする工程と、
前記雰囲気下で前記レジスト膜と前記投影レンズとの間に液体を満たした状態で、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記液体がイオン化しにくい状態にする工程は、前記レジスト膜と前記投影レンズとの間に満たされた液体の少なくとも近傍の雰囲気から大気を吸引し、吸引した大気中の炭酸ガスを吸着することで炭酸ガスを除去する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記不活性ガスは、窒素、アルゴン及びネオンのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記炭酸ガスを除去する工程は、ハイドロタルサイトを用いることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記液体は水又はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記露光光は、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、F2レーザ光、Kr2レーザ光、ArKrレーザ光、Ar2レーザ光又はXe2レーザ光であることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか1項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004146219A JP3981368B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | パターン形成方法 |
US11/101,470 US20050255413A1 (en) | 2004-05-17 | 2005-04-08 | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
CNB2005100645430A CN100444316C (zh) | 2004-05-17 | 2005-04-13 | 图样形成方法 |
EP05009722A EP1600815A3 (en) | 2004-05-17 | 2005-05-03 | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004146219A JP3981368B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005327976A JP2005327976A (ja) | 2005-11-24 |
JP3981368B2 true JP3981368B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=34936105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004146219A Expired - Fee Related JP3981368B2 (ja) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | パターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050255413A1 (ja) |
EP (1) | EP1600815A3 (ja) |
JP (1) | JP3981368B2 (ja) |
CN (1) | CN100444316C (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101466533B1 (ko) | 2005-04-25 | 2014-11-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치 및 액체 공급 방법 |
US7291569B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-11-06 | Infineon Technologies Ag | Fluids for immersion lithography systems |
WO2016189722A1 (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び狭帯域化光学系 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2267281A1 (en) * | 1996-10-03 | 1998-04-09 | Ysi Incorporated | Conductivity measuring apparatus and method |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2001104995A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Teeiku Wan Sogo Jimusho:Kk | 電解法によりオゾンを生成する方法、電解式オゾン生成装置、オゾン水製造装置 |
US6692545B2 (en) * | 2001-02-09 | 2004-02-17 | General Motors Corporation | Combined water gas shift reactor/carbon dioxide adsorber for use in a fuel cell system |
WO2002091078A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
TWI232357B (en) * | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
TWI259319B (en) * | 2004-01-23 | 2006-08-01 | Air Prod & Chem | Immersion lithography fluids |
US20050161644A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Peng Zhang | Immersion lithography fluids |
US7378025B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-05-17 JP JP2004146219A patent/JP3981368B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-08 US US11/101,470 patent/US20050255413A1/en not_active Abandoned
- 2005-04-13 CN CNB2005100645430A patent/CN100444316C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-03 EP EP05009722A patent/EP1600815A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050255413A1 (en) | 2005-11-17 |
JP2005327976A (ja) | 2005-11-24 |
CN1700416A (zh) | 2005-11-23 |
EP1600815A2 (en) | 2005-11-30 |
CN100444316C (zh) | 2008-12-17 |
EP1600815A3 (en) | 2007-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4487108B2 (ja) | リソグラフィ投影装置、ガスパージ方法、デバイス製造方法およびパージガス供給システム | |
EP1531362A2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method | |
US9599908B2 (en) | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method | |
JP5741875B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
US9019466B2 (en) | Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system | |
JP4025683B2 (ja) | パターン形成方法及び露光装置 | |
TW200532388A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
KR101213283B1 (ko) | 액침 포토리소그래피 시스템 및 액침 포토리소그래피의 수행 방법 | |
KR100823633B1 (ko) | 노광 방법 및 이머션 리소그래피 장치 | |
JP2005019615A (ja) | 液浸式露光装置 | |
JP2005353763A (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
JP2006194690A (ja) | 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び多層膜反射鏡におけるコンタミネーションの除去方法 | |
JP2005292613A (ja) | レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2005244015A (ja) | 露光装置、露光装置の光学素子の光洗浄方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 | |
JP3981368B2 (ja) | パターン形成方法 | |
TW200908082A (en) | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method | |
TW200844680A (en) | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography | |
JPH09260257A (ja) | レンズ汚染を防止した投影露光装置およびそれを用いた半導体デバイス製造プロセス | |
JPH11238669A (ja) | 露光装置 | |
JP2006173295A (ja) | 液浸型露光装置及び液浸型露光方法 | |
JP2005045082A (ja) | 露光装置 | |
JP3886487B2 (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
WO2002065183A1 (fr) | Barillet de lentille, dispositif d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif | |
JP2005183624A (ja) | 鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP2002093683A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |