JP2006324346A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LOCOSオフセットドレイン型高耐圧MOSトランジスタの高濃度ドレイン層109Aを、P型電界緩和層104内においてLOCOS酸化膜105の端部から一定の距離をおいて形成し、LOCOS酸化膜105の端部の濃度勾配を緩やかにし、電界集中を防ぎ、耐圧を向上させる。一方、LDMOSトランジスタのボディ層を利用することで、製造工程を追加することなく電界緩和層を形成することができる。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。図1は実施の形態1に係る半導体装置の断面図を示す。
実施の形態1はP型電界緩和層104を形成するために専用工程が必要となり製造コストの上昇につながる。そこで、本発明の実施の形態2では工程数を増やすことなく、P型電界緩和層を形成し耐圧を向上させる方法を提示する。以下、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
102 N+型埋め込み層
103 N−型エピタキシャル層
104 P型電界緩和層
105 LOCOS酸化膜
106 P−型オフセット層
107 ゲート酸化膜
108 ゲート電極
109A P+型高濃度ドレイン層
109B P+型高濃度ソース層
120〜121 フォトレジスト
130 酸化膜
131 窒化膜
201 P型シリコン基板
202 N+型埋め込み層
203 N−型エピタキシャル層
204A LOCOSオフセットドレイン型高耐圧MOSトランジスタのP型電界緩和層
204B LDMOSトランジスタのボディ層
205 LOCOS酸化膜
206 P−型オフセット層
207 ゲート酸化膜
208 ゲート電極
209A LOCOSオフセットドレイン型高耐圧MOSトランジスタのP+型高濃度ドレイン層
209B LOCOSオフセットドレイン型高耐圧MOSトランジスタのP+型高濃度ソース層
210A LDMOSトランジスタのN+型高濃度ドレイン層
210B LDMOSトランジスタのN+型高濃度ソース層
211 P型分離層
212 P型分離埋め込み層
220 フォトレジストマスク
230 酸化膜
231 窒化膜
250 LDMOSトランジスタ領域
260 LOCOSオフセットドレイン型高耐圧MOSトランジスタ領域
270 分離領域
301 P型シリコン基板
302 N+型埋め込み層
303 N−型エピタキシャル層
304 P型電界緩和層
305 LOCOS酸化膜
306 P−型オフセット層
306A 拡散層
307 ゲート酸化膜
308 ゲート電極
309A P+型高濃度ドレイン層
309B P+型高濃度ソース層
320、321、322 フォトレジスト
330 酸化膜
331 窒化膜
Claims (4)
- 半導体基板上に形成された第1導電型のチャネルを有するオフセットドレイン型MOSトランジスタを含む半導体装置であって、
第2導電型の半導体層に形成された第1導電型の電界緩和層および高濃度ドレイン層から成るドレイン領域と、
前記半導体層に形成された第1導電型の高濃度ソース層から成るソース領域と、
前記ドレイン領域と前記ソース領域の間で前記半導体層表面の活性領域に形成されたゲート酸化膜と、
前記ドレイン領域と前記ゲート酸化膜の間の前記半導体層表面に形成されたLOCOS酸化膜と、
前記ゲート酸化膜上に前記LOCOS酸化膜に跨って形成されたゲート電極と、
前記LOCOS酸化膜下に形成された第1導電型のオフセット層とを備え、
前記電界緩和層は前記オフセット層に隣接して形成され、前記電界緩和層の不純物濃度は前記オフセット層より濃く、かつ前記高濃度ドレイン層より薄く、
前記高濃度ドレイン層は前記電界緩和層内に形成され、かつ前記LOCOS酸化膜端より離間して形成されている半導体装置。 - 前記LOCOS酸化膜の端部から前記高濃度ドレイン層までの距離は0.8μm以上である請求項1に記載の半導体装置。
- 第1導電型のチャネルを有するオフセットドレイン型MOSトランジスタを半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、
第2導電型の半導体層上に酸化膜を介して窒化膜を形成する工程と、
前記半導体層上の活性領域に前記窒化膜をパターニングする工程と、
前記窒化膜をマスクとして前記半導体層に第1導電型のオフセット層を形成する工程と、
前記窒化膜をマスクとして前記半導体層表面にLOCOS酸化膜を形成する工程と、
前記LOCOS酸化膜の形成工程の後に前記窒化膜を除去する工程と、
前記半導体層表面の活性領域にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜上に前記LOCOS酸化膜に跨ってゲート電極を形成する工程と、
前記オフセット層に隣接した前記半導体層のドレイン領域に第1導電型の電界緩和層を形成する工程と、
前記電界緩和層内に第1導電型の高濃度ドレイン層を形成し、前記第1導電型の高濃度ドレイン層に対して前記ゲート電極を挟んだ位置で前記半導体層に第1導電型の高濃度ソース層とを形成する工程とを含み、
前記高濃度ドレイン層は前記LOCOS酸化膜の端部から離間して形成されている半導体装置の製造方法。 - 第1導電型のチャネルを有するオフセットドレイン型MOSトランジスタと第2導電型のチャネルを有するラテラル型DMOSトランジスタとを同一半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、
第2導電型の半導体層内にMOSトランジスタ領域とDMOSトランジスタ領域とを分離する素子分離層を形成する工程と、
前記半導体層上に酸化膜を介して窒化膜を形成する工程と、
前記半導体層上の活性領域に前記窒化膜をパターニングする工程と、
前記窒化膜をマスクとして前記MOSトランジスタ領域の前記半導体層に第1導電型のオフセット層を形成する工程と、
前記窒化膜をマスクとして前記半導体層表面にLOCOS酸化膜を形成する工程と、
前記LOCOS酸化膜の形成工程の後に前記窒化膜を除去する工程と、
前記半導体層表面の活性領域にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜上に前記LOCOS酸化膜に跨ってゲート電極を形成する工程と、
前記MOSトランジスタ領域の前記オフセット層に隣接した前記半導体層のドレイン領域に第1導電型の電界緩和層を形成すると同時に、前記DMOSトランジスタ領域の前記ゲート電極に挟まれたソース領域に第1導電型のボディ層を形成する工程と、
前記MOSトランジスタ領域において、前記電界緩和層内に第1導電型の高濃度ドレイン層を形成し、前記第1導電型の高濃度ドレイン層に対して前記ゲート電極を挟んだ位置で前記ゲート電極を挟んだ前記半導体層に第1導電型の高濃度ソース層とを形成する工程と、
前記DMOSトランジスタ領域において、前記ボディ層内に第2導電型の高濃度ソース層を形成し、前記第2導電型の高濃度ソース層に対して前記ゲート電極を挟んだ位置で前記半導体層に第2導電型のドレイン層とを形成する工程とを含み、
前記MOSトランジスタ領域における前記高濃度ドレイン層は前記LOCOS酸化膜の端部から離間して形成されている半導体装置の製造方法。
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