JP2006319105A - 半導体加工方法および加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】集束イオンビーム6aにより半導体チップ裏面からシリコン基板1をエッチングしつつ、電子ビーム8aにより得られる2次電子像を2次電子・2次イオン検出器9で検出し、電子ビーム8aがシリコン基板1を透過し分離層5、ポリシリコン層2等の2次電子像のコントラストを画像処理装置10により検出した時点を加工終点とする。このとき、電子ビーム8aの加速度電圧の設定を変更することにより任意のシリコン残膜厚を得る。
【選択図】 図1
Description
J.Vac.Sci.Technol.B20(6),Nov/Dec 2002
先ず、図1を用いて本発明の第1の実施の形態における半導体加工を説明する。
本実施の形態では、シリコン残膜厚を任意の設定値に制御する装置および方法について説明する。
上記第1及び第2の実施の形態ではシリコン基板1の残膜厚を任意の膜厚になるように加工する方法を示した。しかし、実際の半導体チップの場合は、加工前のシリコン基板1の膜厚がどの位置においても一定であるとは限らないし、表面が平坦であるとも限らない。本実施の形態では、このような場合においてもシリコン基板1の残膜厚を、残膜制御性、面内均一性において精度よく加工することを可能にする半導体加工装置及び加工方法について説明する。
次に、第4の実施の形態における半導体加工装置及び加工方法について、図3を用いて説明する。
次に、第5の実施の形態について説明を行う。
次に、本発明の第6の実施の形態における半導体加工装置及び加工方法について図7を用いて説明する。
次に、本発明の第7の実施の形態では、異常箇所について短時間で効率良く解析を実施する半導体加工装置及び加工方法について、図8を用いて説明する。
2 ポリシリコン層(所定の対象)
3 メタル配線層
4 層間絶縁膜
5 分離層(所定の対象)
6 集束イオンビーム照射装置(集束イオンビーム照射手段)
6a 集束イオンビーム
8 電子ビーム照射装置(電子ビーム照射手段)
8a 電子ビーム
9 2次電子・2次イオン検出器
10 画像処理装置(加工制御手段)
11 アシストガス
12 アシストガス供給装置(アシストガス供給手段)
13 微細な構造体(所定の対象)
20 シリコン膜厚(所定距離)
21 微細な構造体までの距離(所定距離)
A 画像情報
B フィードバック信号(制御信号)
Claims (16)
- 集束イオンビームの走査により半導体基板面を加工する半導体加工方法において、
前記集束イオンビームを照射して前記半導体基板面を加工する集束イオンビーム照射工程と、
所定の透過性を有する電子ビームを、前記半導体基板面の前記集束イオンビームによる加工箇所に照射する電子ビーム照射工程と、
前記電子ビームの照射により得られる第1の2次電子像と、前記集束イオンビームの照射により得られる2次イオン像及び第2の2次電子像とを検出し、観察する観察工程と、
前記観察工程により検出された前記第1の2次電子像、2次イオン像、又は第2の2次電子像のうち、前記半導体基板内部に存在する所定の対象の前記第1の2次電子像、2次イオン像、又は第2の2次電子像のコントラスト強度に基づいて、前記加工箇所から前記所定の対象までの距離を判断し、この判断結果に応じた前記集束イオンビームの出力制御により加工進度を制御する加工制御工程とを含む
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記電子ビーム照射工程では、前記半導体基板における目標の加工終点から前記所定の対象までの所定距離と、前記電子ビームの電子の平均自由行程とが同程度となるように前記電子ビームの加速電圧を調節することにより、前記所定の透過性が設定される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記加工制御工程では、前記コントラストの強度が所定強度に達した前記半導体基板上の領域のみ、前記集束イオンビームの出力を停止して走査することにより、前記加工進度が制御される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記加工制御工程では、前記コントラストの強度が所定強度に達した前記半導体基板上の領域のみ、前記集束イオンビームの出力を弱めて走査することにより、前記加工進度が制御される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記集束イオンビームの走査中に、少なくとも前記集束イオンビームの照射箇所へアシストガスが供給される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記電子ビーム照射工程では、前記電子ビームは前記集束イオンビームの走査箇所とほぼ同じ箇所を同時に走査される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項2記載の半導体加工方法において、
前記集束イオンビーム照射工程と、前記電子ビーム照射工程と、前記観察工程とからなる一連の工程が繰り返され、
前記加工制御工程では、前記一連の工程の繰り返しにより、前記コントラストの強度が所定強度に達したとき、前記集束イオンビームの出力が停止される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記電子ビーム照射工程では、前記半導体基板面に対して前記電子ビームの照射角度が任意に変更される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記電子ビーム照射工程では、前記半導体基板面に対して複数の前記電子ビームが複数の角度から照射される
ことを特徴とする半導体加工方法。 - 集束イオンビームを照射して半導体基板面を加工する半導体加工装置において、
前記集束イオンビームを半導体基板面に照射する集束イオンビーム照射手段と、
所定の透過性を有する電子ビームを、前記半導体基板面の前記集束イオンビームによる加工箇所に照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射により得られる第1の2次電子像と、前記集束イオンビームの照射により得られる2次イオン像及び第2の2次電子像とを検出し、観察する観察手段と、
前記観察手段により検出される第1の2次電子像、2次イオン像、又は前記第2の2次電子像のうち、前記半導体基板内部に存在する所定の対象の前記第1の2次電子像、2次イオン像、又は第2の2次電子像のコントラスト強度に基づいて、前記加工箇所から前記所定の対象までの距離を判断し、この判断結果に応じて前記集束イオンビームによる加工進度を制御する制御信号を前記集束イオンビーム照射手段に送信する加工制御手段とを備える
ことを特徴とする半導体加工装置。 - 請求項10記載の半導体加工装置において、
前記電子ビーム照射手段は、加速電圧の設定値を変更することにより前記電子ビームの透過性を変更する
ことを特徴とする半導体加工装置。 - 請求項10記載の半導体加工装置において、
前記加工制御手段は、前記観察手段から得られた前記コントラストの強度が所定の強度に達しているとき、前記集束イオンビームの出力を停止させる制御信号を前記集束イオンビーム照射手段に送信する
ことを特徴とする半導体加工装置。 - 請求項10記載の半導体加工装置において、
前記加工制御手段は、前記観察手段から得られた前記コントラストの強度が所定の強度に達しているとき、前記集束イオンビームの出力を弱める制御信号を前記集束イオンビーム照射手段に送信する
ことを特徴とする半導体加工装置。 - 請求項10記載の半導体加工装置において、
前記集束イオンビーム照射手段による前記集束イオンビームの走査中において、少なくとも、前記集束イオンビームの照射箇所にアシストガスを供給するアシストガス供給手段を備える
ことを特徴とする半導体加工装置。 - 請求項10記載の半導体加工装置において、
前記電子ビーム照射手段は、前記基板面に対する前記電子ビームの照射角度を変更可能である
ことを特徴とする半導体加工装置。 - 請求項10記載の半導体加工装置において、
前記電子ビーム照射手段は、前記基板面に対して異なる角度から前記電子ビームを照射する複数の電子ビーム照射部を備える
ことを特徴とする半導体加工装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011530821A (ja) * | 2008-08-14 | 2011-12-22 | カールツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | ガリウムで汚染された層の電子ビーム誘起エッチング方法 |
US9023666B2 (en) | 2008-08-14 | 2015-05-05 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for electron beam induced etching |
JP2015096817A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 富士通株式会社 | 二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置 |
WO2016099772A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dynamic heating method and system for wafer processing |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4181561B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2008-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体加工方法および加工装置 |
EP2149897A1 (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-03 | FEI Company | Method for milling and end-pointing a sample |
EP2367195B1 (en) | 2008-10-31 | 2014-03-12 | FEI Company | Measurement and endpointing of sample thickness |
EP2233907A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | FEI Company | Forming an image while milling a work piece |
JP2011154920A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンミリング装置,試料加工方法,加工装置、および試料駆動機構 |
KR20110114026A (ko) * | 2010-04-12 | 2011-10-19 | 삼성전자주식회사 | 시편 제조 장치 및 방법 |
CN101947688B (zh) * | 2010-08-17 | 2012-06-20 | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 | 一种基于图像处理的电子束表面加工方法 |
GB201119598D0 (en) * | 2011-11-14 | 2011-12-28 | Spts Technologies Ltd | Etching apparatus and methods |
JP6218656B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2017-10-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
US20190287762A1 (en) * | 2018-01-25 | 2019-09-19 | Fei Company | System and method of preparing integrated circuits for backside probing using charged particle beams |
DE102018120630B3 (de) * | 2018-08-23 | 2019-10-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts und Programm zur Steuerung eines Partikelstrahlsystems |
JP7292868B2 (ja) * | 2018-12-18 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | 検出器 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4576884A (en) * | 1984-06-14 | 1986-03-18 | Microelectronics Center Of North Carolina | Method and apparatus for exposing photoresist by using an electron beam and controlling its voltage and charge |
JP2641437B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1997-08-13 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
JP2569057B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | X線マスクの欠陥修正方法 |
JP2650930B2 (ja) * | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 超格子構作の素子製作方法 |
JP2714009B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | 荷電ビーム装置 |
US5229607A (en) * | 1990-04-19 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Combination apparatus having a scanning electron microscope therein |
US5866904A (en) * | 1990-10-12 | 1999-02-02 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and method for dimension measuring by using the same |
US5594245A (en) * | 1990-10-12 | 1997-01-14 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and method for dimension measuring by using the same |
JPH05290786A (ja) | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 走査試料像表示方法および装置ならびにそれに供される試料 |
JP3119959B2 (ja) * | 1993-02-05 | 2000-12-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム装置および加工観察装置 |
JP3221797B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 試料作成方法及びその装置 |
US5578823A (en) * | 1994-12-16 | 1996-11-26 | Hitachi, Ltd. | Transmission electron microscope and method of observing element distribution by using the same |
US20060060781A1 (en) * | 1997-08-11 | 2006-03-23 | Masahiro Watanabe | Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection |
JPH11154479A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Hitachi Ltd | 2次電子画像検出方法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置 |
JP2001050919A (ja) | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 内部構造観察方法 |
JP2002298774A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 電子顕微鏡 |
JP3698075B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2005-09-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体基板の検査方法およびその装置 |
US6548810B2 (en) * | 2001-08-01 | 2003-04-15 | The University Of Chicago | Scanning confocal electron microscope |
US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US6881955B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-04-19 | International Business Machines Corporation | Metrology process for enhancing image contrast |
US7018683B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-03-28 | Sii Nanotechnology Inc. | Electron beam processing method |
JP4695857B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2011-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査方法および半導体検査装置 |
JP4664041B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-04-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置及び試料作製方法 |
JP4181561B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2008-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体加工方法および加工装置 |
-
2005
- 2005-05-12 JP JP2005139725A patent/JP4181561B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-10 US US11/371,935 patent/US7391039B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011530821A (ja) * | 2008-08-14 | 2011-12-22 | カールツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | ガリウムで汚染された層の電子ビーム誘起エッチング方法 |
US8632687B2 (en) | 2008-08-14 | 2014-01-21 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for electron beam induced etching of layers contaminated with gallium |
US9023666B2 (en) | 2008-08-14 | 2015-05-05 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for electron beam induced etching |
JP2015096817A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 富士通株式会社 | 二次イオン質量分析方法及び二次イオン質量分析装置 |
WO2016099772A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dynamic heating method and system for wafer processing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7391039B2 (en) | 2008-06-24 |
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US20060255270A1 (en) | 2006-11-16 |
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