JP2006307158A - 残留物除去のための組成物と方法及びパターン画定方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical group S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims description 5
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 4
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 4
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)CCO FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N malic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical group OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 claims description 2
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 claims description 2
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 claims description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N ammonium thiosulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=S XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 2
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YPEWWOUWRRQBAX-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-oxobutanamide Chemical compound CN(C)C(=O)CC(C)=O YPEWWOUWRRQBAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims description 2
- HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N salicylhydroxamic acid Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1O HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](CC)(CC)CC QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940035024 thioglycerol Drugs 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 metals Chemical class 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 3
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 3
- 229920001174 Diethylhydroxylamine Polymers 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N diethylhydroxylamine Chemical compound CCN(O)CC FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical class OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 150000003139 primary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 1-hydroxypropyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC(O)[N+](C)(C)C FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 2,4,7,9-tetramethyldec-5-yne-4,7-diol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#CC(C)(O)CC(C)C LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 2-(piperidin-1-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCCCC1 KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIPUXXIFQQMKN-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-3-(4-cyanophenyl)propanoate Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=C(C#N)C=C1 KWIPUXXIFQQMKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(tripropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCO ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- BWLUMTFWVZZZND-UHFFFAOYSA-N Dibenzylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CNCC1=CC=CC=C1 BWLUMTFWVZZZND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSXCBNDGHHHVKT-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Sr].[Ba] Chemical compound [Ti].[Sr].[Ba] NSXCBNDGHHHVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090948 ammonium benzoate Drugs 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012062 aqueous buffer Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000008366 buffered solution Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000012154 double-distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940099690 malic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- VMESOKCXSYNAKD-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylhydroxylamine Chemical compound CN(C)O VMESOKCXSYNAKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPQCSJYYDADLCZ-UHFFFAOYSA-N n-methylhydroxylamine Chemical compound CNO CPQCSJYYDADLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940031826 phenolate Drugs 0.000 description 1
- 150000007965 phenolic acids Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M triethyl(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CCO GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
【課題】残留物、例えば灰化されたフォトレジスト及び/又は加工処理残留物などを選択的に除去するための組成物及び方法を提供する。
【解決手段】1つの側面においては、残留物を除去する構成ための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、有機酸及び当該有機酸の共役塩基を10:1から1:10までの範囲にわたる酸対塩基のモル比で緩衝溶液、フッ化物、及び水を含むが、添加された有機溶媒は実質的に含まない残留物除去組成物である。別の側面においては、組成物は更に、腐食防止剤及び/又は界面活性剤を含むことができる。
【選択図】なし
【解決手段】1つの側面においては、残留物を除去する構成ための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、有機酸及び当該有機酸の共役塩基を10:1から1:10までの範囲にわたる酸対塩基のモル比で緩衝溶液、フッ化物、及び水を含むが、添加された有機溶媒は実質的に含まない残留物除去組成物である。別の側面においては、組成物は更に、腐食防止剤及び/又は界面活性剤を含むことができる。
【選択図】なし
Description
マイクロエレクトロニクス構造の製作には多くの工程が関係する。集積回路を製作する製造スキームでは、半導体の種々の表面の選択的エッチングが時により必要とされる。歴史的には、材料を選択的に除去するための多数の非常に様々なタイプのエッチングプロセスが、程度の差はあれうまく使用されてきた。更に、マイクロエレクトロニクス構造中の異なる層の選択的エッチングは、集積回路製作プロセスにおける重要な工程であると考えられる。
半導体及び半導体超小型回路の製造においては、ポリマー有機物質で基材材料を被覆することがしばしば必要である。一部の基材材料の例としては、アルミニウム、チタン、銅、二酸化シリコンで被覆したシリコンウエハ(任意的にアルミニウム、チタン又は銅等の金属元素を有する)、などが挙げられる。一般に、ポリマー有機物質はフォトレジスト材料である。これは、光に暴露後現像するとエッチマスクを形成する材料である。その後の加工処理工程において、少なくとも一部のフォトレジストは基材の表面から除去される。基材からフォトレジストを除去する1つの通常の方法は、湿式の化学手段による。基材からフォトレジストを除去するために処方された湿式化学組成物は、いかなる金属回路の表面をも腐食せず、溶解せず及び/又はだれさせずに、無機基材を化学的に変化させずに、及び/又は基材自体を攻撃せずに、そのようにしなければならない。フォトレジストを除去するもう一つの方法は、酸素かあるいは成形用気体、例えば水素などを使用するプラズマアッシングによりフォトレジストを除去するドライアッシュ法による。残留物又は副生物は、フォトレジスト自体であるか、あるいはフォトレジスト、下地基材及び/又はエッチガスの組み合わせであることができる。これらの残留物又は副生物はしばしば、側壁ポリマー、ベール又はフェンスと称される。
多くの場合、プラズマアッシュ法は残留物又は副生物を残す。反応性イオンエッチング(RIE)は、ますます、ビア、金属ライン及びトレンチを形成する際のパターン転写のための最適な方法になっている。例えば、複合半導体デバイス、例として相互連結配線のバックエンドの多重層を必要とする先進型のDRAM及びマイクロプロセッサなどは、ビア、金属ライン及びトレンチ構造を製造するのにRIEを使用する。ビアは、層間絶縁膜を通して、シリコン、シリサイド又は金属配線の1つのレベルと次の配線レベルとを接続するのに用いられる。金属ラインは、デバイスの相互配線として使用される導電性構造体である。トレンチ構造は、金属ライン構造体の形成において使用される。ビア、金属ライン及びトレンチ構造は一般的に、金属や合金、例えばAl、Al及びCu合金、Cu、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、シリコン又はシリサイド、例えばタングステン、チタンもしくはコバルトのシリサイド、などを露出させる。RIE法は一般に、リソグラフィーでビア、金属ライン及び/又はトレンチ構造を画定するのに使用される再スパッタ酸化物材料、フォトレジストからの有機物質、及び/又は反射防止コーティング材料を含むことができる残留物又は複合混合物を残す。
従って、例えば残存するフォトレジスト及び/又は加工処理残留物、例としてプラズマ及び/又はRIEを使用する選択的エッチングから生じる残留物、などの残留物を除去することができる、選択的クリーニング組成物及び方法を提供することが望ましい。更には、クリーニング組成物に暴露されることもあり得る金属、高誘電率材料(ここでは「高−k」と称される)、シリコン、シリサイド及び/又は、被着酸化物などのような低誘電率材料(ここでは「低−k」と称される)を包含する層間絶縁膜材料と比べて、残留物、例えばフォトレジスト及びエッチング残留物などに対して高い選択性を示し、当該残留物を除去することができる、選択的クリーニング組成物及び方法を提供することが望ましい。HSQ、MSQ、FOx、ブラックダイアモンド及びTEOS(テトラエチルシリケート)のような敏感な低−k膜との相性がよく、且つ共に使用することができる組成物を提供することが望ましい。
ここに開示される組成物は、基材から残留物、例えば加工処理残留物などを、当該組成物に暴露されることもある金属、低−k誘電体及び/又は高−k誘電体材料を不所望なほど攻撃することなく、選択的に除去することができる。1つの側面においては、残留物を除去するための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、有機酸及び当該有機酸の共役塩基を10:1〜1:10の範囲にわたる酸対塩基のモル比で含む緩衝溶液と、フッ化物と、そして水とを含み、但し添加された有機溶媒は実質的に含まない組成物が提供される。別の側面においては、組成物は更に、腐食防止剤及び/又は界面活性剤を含むことができる。
同じくここに開示されるのは、パターン化した基材から灰化フォトレジスト及び/又は加工処理残留物を包含する残留物を除去するための方法であって、物品を先に開示された組成物と接触させることを含む方法である。
例えば灰化したフォトレジスト及び/又は加工処理残留物などの残留物を選択的に除去するための組成物と方法がここで開示される。物品、例えばマイクロエレクトロニクスデバイスのために有用な基材などに関係するクリーニング法においては、除去されるべき典型的汚染物質として、例えば有機化合物、例として露光し灰化されたフォトレジスト材料、灰化されたフォトレジスト残留物、紫外線もしくはX線硬化されたフォトレジスト、C−F含有ポリマー、低及び高分子量ポリマー、及び他の有機エッチ残留物や、無機化合物、例として金属酸化物、化学機械的平坦化(CMP)スラリーからのセラミック粒子、及び他の無機エッチ残留物や、金属含有化合物、例として有機金属残留物及び有機金属化合物や、イオン性及び中性の、軽質及び重質無機(金属)種、水分、及び不溶性物質(平坦化及びエッチングプロセスなどのような加工処理により発生する粒子を含む)、を挙げることができる。1つの特定の態様においては、除去される残留物は、例えば反応性イオンエッチングにより作られものなどの、加工処理残留物である。
更には、灰化フォトレジスト及び/又は加工処理残留物は一般に、金属、シリコン、シリケート及び/又は層間絶縁膜材料、例えば堆積させたシリコン酸化物や誘導されたシリコン酸化物、例としてHSQ、MSQ、FOX、TEOS及びスピンオンガラスなど、及び/又は高−k材料、例としてケイ酸ハフニウム、酸化ハフニウム、バリウムストロンチウムチタン(BST)、Ta2O5及びTiO2など、をも含む物品中に存在し、ここではフォトレジスト及び/又は残留物も、金属、シリコン、シリサイド、層間絶縁膜材料及び/又は高−k材料も、クリーニング組成物と接触する。そのほかに、ここに開示される組成物は、酸化シリコンなどの特定の誘電材料の最小のエッチング速度を示すことができる。ここに開示される組成物及び方法は、金属、シリコン、二酸化シリコン、層間絶縁膜材料、及び/又は高−k材料を有意に攻撃することなく残留物を選択的に除去するようにする。1つの態様においては、ここに開示される組成物は、敏感な低k−膜を含む構造に好適であることができる。一部の態様においては、基材は、金属、例えば銅、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン及びチタン/タングステンなどを含むことができるが、金属はこれらに限定されるものではない。
ここに開示される組成物は、緩衝溶液、フッ化物及び水を含む。一部の態様においては、組成物は、添加された溶媒を実質的に含まず、すなわち2重量%以下、又は1重量%以下含有する。一部の態様においては、組成物は、約2〜約9の範囲のpHに調整され、そして腐食防止剤、及び灰化されたフォトレジスト及び/又は加工処理残留物を除去するための組成物において典型的に使用される他の添加剤を任意的に含む。1つの特定の態様においては、組成物は、2〜9の範囲のpHを有する組成物を得るのに必要な量の緩衝溶液、80重量%以上の水、0.001重量%〜10重量%のフッ化物、及び15重量%までの任意的な腐食防止剤から構成される。
前述のように、ここに記載される組成物は緩衝溶液を含む。ここで使用される「緩衝溶液」というのは、少量の酸又は塩基を組成物へ添加した結果としてpHが変化するのに抵抗する溶液である。ここに開示される組成物に添加されると、緩衝溶液は、敏感な金属、例えばタングステン、銅、チタン等の腐食を最小にするように調整されたpHを有する緩衝組成物を提供する。緩衝溶液は、組成物のための所望のpH範囲を得るのに必要な量で添加される。緩衝溶液のここに開示される組成物への添加は、水での希釈又は塩基もしくは酸による汚染に起因するpHの変動を防ぐ。
組成物にそのような緩衝効果をもたらすための緩衝溶液中の酸対その共役塩基のモル比は、10:1から1:10までの範囲にあるか、又は実質的に1:1(すなわち等モル濃度)である。緩衝溶液のモル比は、組成物の所望のpH範囲を得るために必要に応じて調整される。緩衝溶液は一般的には弱酸と考えられ、酸又は塩基に対する最も広い緩衝範囲は、弱酸基のpKaのいずれの側でも約1pH単位である。緩衝液のためのpHの設定は、酸と当該酸についての共役塩基(あるいは一部の態様ではプロトン化された塩基)の酸対塩基モル比を10:1〜1:10の範囲、又は実質的に1:1とし、所望のpH範囲にとって適切なpKaにすることによって行うことができる。
緩衝溶液は、有機酸及びその共役塩基を含む。典型的な有機酸としては、酢酸、リン酸及び安息香酸が挙げられる。一部の態様においては、緩衝溶液中の有機酸は、腐食防止剤及び/又はキレート化剤として組成物中に存在することもできる。典型的な共役塩基としては、アンモニウム塩及びアミン塩が挙げられる。共役塩基の更なる例としては、ヒドロキシルアミン、有機アミン、例えば1級、2級又は3級脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン及び複素環式アミンなど、アンモニア水、及び低級アルキル4級アンモニウム水酸化物が挙げられる。ヒドロキシルアミンの具体的な例としては、ヒドロキシルアミン(NH2OH)、N−メチルヒドロキシルアミン、N,N−ジメチルヒドロキシルアミン及びN,N−ジエチルヒドロキシルアミンが挙げられる。1級脂肪族アミンの具体的な例としては、モノエタノールアミン、エチレンジアミン及び2−(2−アミノエチルアミノ)エタノールが挙げられる。2級脂肪族アミンの具体的な例としては、ジエタノールアミン、N−メチルアミノエタノール、ジプロピルアミン及び2−エチルアミノエタノールが挙げられる。3級脂肪族アミンの具体的な例としては、ジメチルアミノエタノール及びエチルジエタノールアミンが挙げられる。脂環式アミンの具体的な例としては、シクロヘキシルアミン及びジシクロヘキシルアミンが挙げられる。芳香族アミンの具体的な例としては、ベンジルアミン、ジベンジルアミン及びN−メチルベンジルアミンが挙げられる。複素環式アミンの具体的な例としては、ピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、N−ヒドロキシエチルピペリジン、オキサゾール及びチアゾールが挙げられる。低級アルキル4級アンモニウム塩の具体的な例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリエチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリプロピルアンモニウム及び水酸化(1−ヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウムが挙げられる。これらの塩基の中で、アンモニア水、モノエタノールアミン、N−メチルアミノエタノール、水酸化テトラメチルアンモニウム及び水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムが、入手可能性及び安全性の見地から好ましい。共役塩基は、単独で、又は互いに組み合せて使用することができる。
典型的な緩衝溶液としては、酢酸/酢酸塩、安息香酸/安息香酸塩、及びフェノール酸/フェノール酸塩を挙げることができる。1つの態様においては、緩衝溶液は酢酸アンモニウムと酢酸の水性溶液である。この特定の態様では、組成物に添加される酢酸アンモニウムの量は、約1〜約10重量%又は約2〜約8重量%の範囲であることができ、組成物に添加される酢酸の量は、約0.1〜約10重量%又は約0.1〜約5重量%の範囲であることができる。更に別の態様においては、緩衝溶液は安息香酸及び安息鉱酸アンモニウムである。
一部の態様においては、約2〜約9の範囲のpH、又は約3〜約7の範囲のpH、又は約5〜約6の範囲のpHが、最も敏感な金属が最小限の腐食で不活性化するのを可能にする。一部の態様において、無機エッチング残留物及び酸化物スキミングの除去のために使用される組成物は、少し酸性のpH(すなわち5〜6の範囲)を必要とすることがある。別の態様においては、組成物のpHは、エッチング残留物を除きそして金属を不活性化するために約2〜約7に調整することができる。
ここに記載される組成物中にはフッ化物が存在する。フッ素含有化合物としては、一般式R1R2R3R4NF(ここで、R1、R2、R3及びR4は独立して、水素、アルコール基、アルコキシ基、アルキル基又はそれらの混合物である)のものが挙げられる。そのような化合物の例としては、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化コリン、及びそれらの混合物が挙げられる。フッ化物のなお更なる例としては、フルオロホウ酸、フッ化水素酸、及びフッ化コリンが挙げられる。フッ化物は好ましくは、0.001〜10重量%又は0.1〜5重量%の量で存在する。一部の態様においては、フッ化物はフッ化物塩、例えばフッ化アンモニウムなどの形態で組成物に添加される。この態様では、フッ化アンモニウムは40%水性溶液として商業的に入手することができる。
前述のように、ここに開示される組成物には水も存在する。それは、他の構成成分、例えばフッ化アンモニウム水溶液又は水性緩衝溶液の成分として付随的に存在することができ、あるいはそれを別個に添加することができる。水のいくつかの限定されない例としては、脱イオン水、超純水、蒸留水、二度蒸留水、又は低金属含量の脱イオン水が挙げられる。好ましくは、水は約80重量%以上、又は約85重量%以上、又は約90重量%以上の量で存在する。
ここに開示の組成物はまた、約15重量%まで、又は約0.2〜約10重量%の腐食防止剤を任意的に含むこともできる。同様の用途のために当該技術分野で知られた任意の腐食防止剤、例えば米国特許第5417877号明細書(これは参照によりここに組み入れられる)に開示されたものなど、を使用することができる。腐食防止剤は、例えば有機酸、有機酸塩、フェノール、トリアゾール、ヒドロキシルアミン又はその酸塩であることができる。特定の腐食防止剤の例としては、クエン酸、アントラニル酸、没食子酸、安息香酸、イソフタル酸、マレイン酸、フマル酸、D,L−リンゴ酸、マロン酸、フタル酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、ベンゾトリアゾール(BZT)、レソルシノール、カルボキシベンゾトリアゾール、ジエチルヒドロキシルアミン並びにその乳酸塩及びクエン酸塩、等が挙げられる。使用することができる腐食防止剤の更なる例としては、カテコール、ピロガロール、及び没食子酸のエステルが挙げられる。使用することができる特定のヒドロキシルアミンとしては、ジエチルヒドロキシルアミン並びにその乳酸塩及びクエン酸塩が挙げられる。好適な腐食防止剤のなお他の例としては、フルクトース、チオ硫酸アンモニウム、グリシン、乳酸、テトラメチルグアニジン、イミノ二酢酸、及びジメチルアセトアセトアミドが挙げられる。一部の態様においては、腐食防止剤は、約4〜約7の範囲のpHを有する弱酸を含むことができる。弱酸の例としては、トリヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシベンゼン、及び/又はサリチルヒドロキサム酸が挙げられる。腐食防止剤が有機酸である態様においては、有機酸は緩衝溶液において使用されるものと同じでもよい。
組成物はまた、1種以上の次の添加剤、すなわち、界面活性剤、キレート化剤、化学変性剤、染料、殺生物剤及び他の添加剤を含むこともできる。添加剤は、組成物のpH範囲に悪影響を与えない程度まで添加することができる。代表的な添加剤の一部の例としては、アセチレン列アルコールとそれらの誘導体、アセチレン列ジオール(非イオン性アルコキシル化及び/又は自己乳化性のアセチレン列ジオール界面活性剤)とそれらの誘導体、アルコール、4級アミン及びジアミン、アミド(ジメチルホルムアミド及びジメチルアセトアミドなどのような非プロトン性溶媒を含む)、アルキルアルカノールアミン(例えばジエタノールエチルアミンなど)、及びキレート化剤、例えばβ−ジケトン、β−ケトイミン、カルボン酸、リンゴ酸及び酒石酸に基づくエステル及びジエステル及びそれらの誘導体、そして3級アミン、ジアミン及びトリアミンが挙げられる。一部の態様においては、緩衝溶液でもって組成物に添加することができるカルボン酸は、組成物中でキレート化剤として働くこともできる。具体的なアセチレン列ジオールとしては、米国ペンシルバニア州Allentownのエア・プロダクツ・アンド・ケミカルズ・インコーポレイテッドから入手可能なSurfynol 465界面活性剤が挙げられる。Surfynol 465は、10個のエチレンオキシド単位でエトキシル化された2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールである。米国特許第6717019号明細書の9欄46行を参照されたい。
ここに記載される組成物を用いて除去される物質としては、灰化されたフォトレジストと、側壁ポリマー、ベール、フェンスエッチ残留物、アッシュ残留物等のような名称によって当該技術分野で知られる加工処理残留物が挙げられる。一部の好ましい態様においては、フォトレジストは、露光、現像、エッチング、及び灰化されてから、ここに記載される組成物と接触する。ここに開示される組成物は、例えばHSQ(FOx)、MSQ、SiLK等の低−k膜との相性がよい。この配合物はまた、ポジ型及びネガ型フォトレジストを含めて灰化されたフォトレジスト、及びプラズマエッチ残留物、例えば有機残留物、有機金属残留物、無機残留物、金属酸化物、又はフォトレジスト複合体などを、タングステン、銅、チタン含有物質の腐食を非常に少なくして低温で取り除くのにも有効である。更に、組成物は種々の高誘電率物質とも相性がよい。
フォトレジスト層は、製造プロセス中に基材上にコーティングされる。フォトリソグラフィー法を使用して、フォトレジスト層にパターンが画定される。パターン化したフォトレジスト層はこうしてプラズマエッチに供され、それによってパターンが基材に転写される。このエッチ工程においてエッチ残留物が生じる。パターン化した基材は次に灰化されて、残留物を生じさせる。基材が灰化される場合、取り除くべき主な残留物はエッチング剤残留物である。
ここに記載される方法は、膜又は残留物として存在する、有機もしくは金属−有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物又はそれらの複合物もしくは組合せを有する基材を、ここに記載された組成物と接触させることによって実施することができる。実際の条件、例えば温度、時間等は、除去しようとする物質の性質及び厚みに依存する。一般には、基材は、20〜80℃、又は20〜60℃、又は20〜40℃の範囲の温度で、組成物と接触させるか又はそれを入れた容器に浸漬される。基材を組成物にさらす一般的な時間は、例えば0.1〜60分、又は1〜30分、又は1〜15分の範囲でよい。組成物と接触後、基材をすすいでから乾燥させることができる。乾燥は一般に、不活性雰囲気下で行なわれる。一部の態様においては、脱イオン水のリンス液又は他の添加剤を含む脱イオン水含有のリンス液を、基材をここに記載される組成物と接触させる前、接触中及び/又は接触後に使用することができる。
ここに開示される組成物及び方法を更に説明するために、以下の例を提供する。種々の典型的な組成物及び比較の組成物の例と、各組成物のpHレベルを、表Iに示す。表Iにおいて、全ての量は重量%で示され、合計すると100重量%になる。ここに開示される組成物を、全ての固形物が溶けるまで成分を室温の容器中で一緒に混合して調製した。以下の例においては、pHの測定を5%水溶液を用いて周囲温度で行なった。基材にポジ型レジストを塗布し、これを現像し、エッチングし、灰化してから組成物に暴露した。他に記載がなければ、ウエハはパターン化した銅層を有していた。以下の表において、「N.T.」は試験しなかったことを示す。
クリーニングデータの要約を、暴露温度及び時間と一緒に表IIに提示する。この処理においては、1個以上の試験ウエハを、400mlの各典型的組成物が入った600ミリリットル(ml)のビーカーに入れた。この600mlビーカーの中には更に、400rpmで回転する1”撹拌棒が含まれていた。次に、ウエハが入った典型的組成物を、表IIに提示した時間及び温度で加熱した。典型的組成物への暴露後、ウエハを脱イオン水ですすぎ、窒素ガスで乾燥させた。ウエハを割って端面を出し、次いでウエハの種々の所定の位置で走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調査を行い、結果を視覚により判断して、以下のやり方でコード化した。すなわち、「+++」は優れていることを示し、「++」は良好であることを示し、「+」はかなり良好であることを示し、「−」は不良であることを示す。表IIに提示された結果のうちの一部は、パターン化した銅層を示す事前の割る作業を行うのが困難なため得られなかった(N/A)。
エッチング速度(ER)の要約を表IIIに提示する。下記のエッチング速度の全てにおいては、測定は、5分、10分、20分、40分及び60分の暴露で行なった。厚みの測定値を各時間間隔で測定し、各典型的組成物の結果について「最小二乗法」モデルを用いてグラフにした。各組成物の「最小二乗法」モデルの計算された勾配が、オングストローム/分(Å/分)で提示される結果のエッチング速度である。金属のエッチング速度を測定する際には、ウエハはその上に被着した既知の厚みのブランカー層を有していた。ウエハの最初の厚みは、CDE ResMap 273の4点プローブを用いて測定した。最初の厚みを測定後、試験ウエハを典型的組成物中に浸漬した。5分後、試験ウエハを試験溶液から取り出し、脱イオン水で3分間すすぎ、そして窒素下で完全に乾燥させた。各ウエハの厚みを測定し、必要なら試験ウエハについてこの手順を繰り返した。
酸化物のエッチング速度は、二酸化シリコンの層を有する基材から得た。Nanospec AFT 181を用いて酸化物のエッチング速度を測定した。200mlの所定量の試験溶液を撹拌しながら250mlのビーカーに入れ、必要な場合規定の温度に加熱した。試験しようとするウエハのそれぞれに3個の円を刻みつけた。各ウエハのこの印を付けた領域が、測定を行なう領域であった。各ウエハの最初の測定を行なった。最初の測定後、ウエハを試験溶液中に5分間浸漬した。溶液の入ったビーカーにウエハを1枚だけ入れる場合には、ダミーウエハをビーカーに入れた。5分後、試験ウエハを脱イオン水で3分間洗浄し、窒素下で乾燥させた。各ウエハの円を刻みつけた領域の測定を行い、必要ならこの手順を繰り返した。
CORAL(商標)の有機シリケート膜を被着したシリコンウエハを用いて、CORAL(商標)のエッチング速度試験を行った。CORAL(商標)のエッチング速度は、酸化物のエッチング速度を得るための上述のNanospec AFTと同様のやり方で操作される偏光解析器により得られた。
例1の配合物を、腐食防止剤としてクエン酸及び非イオン性アセチレン列ジオール界面活性剤としてSurfynol 465を含むよう変更した。この配合物を、例13として下記の表IVで報告する。例13のエッチング速度を、表Vで報告されるように、種々の金属及び誘電体物質について例1と比較した。例13は、試験したほとんどの基材について同等のエッチング速度を示し、チタンについてエッチング回避の改善を示した。表Vのデータを得るための手法は、上記の表IIIのデータについて説明したものと同様であった。
Claims (15)
- 残留物を除去するための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、
有機酸及び当該有機酸の共役塩基を、10:1から1:10までの範囲にわたる酸対塩基のモル比で含む緩衝溶液、
フッ化物、及び
水、
を含み、但し、添加された有機溶媒は実質的に含まない、残留物除去組成物。 - 腐食防止剤を更に含む、請求項1記載の組成物。
- 腐食防止剤が、クエン酸、アントラニル酸、没食子酸、安息香酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、D,L−リンゴ酸、イソフタル酸、フタル酸、乳酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、カテコール、ピロガロール、没食子酸のエステル、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、フルクトース、チオ硫酸アンモニウム、グリシン、テトラメチルグアニジン、イミノ二酢酸、ジメチルアセトアセトアミド、チオグリセロール、トリヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシベンゼン、サリチルヒドロキサム酸、及びそれらの混合物から選択される少なくとも1種である、請求項2記載の組成物。
- フッ化物が、一般式R1R2R3R4NF(ここで、R1、R2、R3及びR4は独立して、水素、アルコール基、アルコキシ基、アルキル基、及びそれらの混合物である)の組成を有する、請求項1記載の組成物。
- フッ化物が、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化コリン、及びそれらの混合物から選択される、請求項4記載の組成物。
- フッ化物がフルオロホウ酸である、請求項1記載の組成物。
- 緩衝溶液中の有機酸が酢酸を含み、且つ緩衝溶液中の共役塩基が酢酸アンモニウムを含む、請求項1記載の組成物。
- 緩衝溶液中の有機酸がリン酸を含み、且つ緩衝溶液中の共役塩基がリン酸のアンモニウム塩を含む、請求項1記載の組成物。
- 前記モル比が実質的に1:1である、請求項1記載の組成物。
- 基材から残留物を除去する方法であって、請求項1記載の組成物を、20〜80℃の温度で基材から残留物を除去するのに十分な時間、基材に対して用いることを含む、残留物除去方法。
- 温度が20〜60℃である、請求項10記載の方法。
- パターンを画定するための方法であって、
基材の少なくとも一部にフォトレジストを塗布すること、
フォトレジストにリソグラフィーでパターンを画定すること、
このパターンを基材の少なくとも一部へ転写すること、
パターンを基材中にエッチングしてパターン化した基材を形成すること、
このパターン化した基材を、フォトレジストを灰化して残留物を生じさせるのに十分な温度に加熱すること、及び、
パターン化した基材を、有機酸及び当該有機酸の共役塩基を10:1から1:10までの範囲にわたる酸対共役塩基のモル比で含む緩衝溶液、フッ化物、及び水を含む組成物であって、約2〜約9の範囲にわたるpHを有し、添加された有機溶媒を実質的に含まない組成物と接触させることによって、当該残留物を除去すること、
を含むパターン画定方法。 - 残留物を除去するための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、
有機酸及び当該有機酸の共役塩基を10:1から1:10までの範囲にわたる酸対塩基のモル比で含む緩衝溶液、
フッ化物、
水、及び
腐食防止剤、
を含み、但し添加された有機溶媒は実質的に含まない、残留物除去組成物。 - 残留物を除去するための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、
有機酸及び当該有機酸の共役塩基を10:1〜1:10の範囲にわたる酸対塩基のモル比で含む緩衝溶液、
フッ化物、
水、
腐食防止剤、及び
界面活性剤
を含み、但し添加された有機溶媒は実質的に含まない、残留物除去組成物。 - 残留物を除去するための、約2〜約9の範囲にわたるpHを有する組成物であって、
酢酸及び酢酸アンモニウムを10:1から1:10までの範囲にわたる酸対塩基のモル比で含む緩衝溶液、
フッ化アンモニウム、
水、
クエン酸を含む腐食防止剤、及び
エトキシル化アセチレン列ジオール界面活性剤、
を含み、但し添加された有機溶媒は実質的に含まない、残留物除去組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/050,562 US7682458B2 (en) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
US11/313,495 US7888302B2 (en) | 2005-02-03 | 2005-12-19 | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006307158A true JP2006307158A (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=36498780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006027278A Pending JP2006307158A (ja) | 2005-02-03 | 2006-02-03 | 残留物除去のための組成物と方法及びパターン画定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7888302B2 (ja) |
EP (1) | EP1688798B1 (ja) |
JP (1) | JP2006307158A (ja) |
KR (1) | KR100786610B1 (ja) |
TW (1) | TWI377246B (ja) |
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EP3170101B1 (en) | 2014-07-15 | 2020-10-07 | Microsoft Technology Licensing, LLC | Data model indexing for model queries |
WO2016008088A1 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Data retrieval across multiple models |
WO2016008085A1 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Data model change management |
WO2016008087A1 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Managing multiple data models over data storage system |
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TWI812342B (zh) * | 2021-11-22 | 2023-08-11 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | 移除光阻之剝離劑組成物以及使用其之剝離光阻方法 |
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-
2005
- 2005-12-19 US US11/313,495 patent/US7888302B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-27 EP EP06001761.3A patent/EP1688798B1/en not_active Not-in-force
- 2006-01-31 KR KR1020060009456A patent/KR100786610B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-03 JP JP2006027278A patent/JP2006307158A/ja active Pending
- 2006-02-03 TW TW095103784A patent/TWI377246B/zh not_active IP Right Cessation
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JP7330972B2 (ja) | 2017-12-08 | 2023-08-22 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 半導体基板からエッチング後または灰化後の残留物を除去するための洗浄剤組成物、およびそれに対応する製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1688798A2 (en) | 2006-08-09 |
EP1688798A3 (en) | 2009-09-02 |
US20060172906A1 (en) | 2006-08-03 |
US7888302B2 (en) | 2011-02-15 |
EP1688798B1 (en) | 2017-02-22 |
TWI377246B (en) | 2012-11-21 |
KR100786610B1 (ko) | 2007-12-21 |
KR20060089142A (ko) | 2006-08-08 |
TW200630482A (en) | 2006-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091027 |