JP3160344B2 - 有機ストリッピング組成物 - Google Patents

有機ストリッピング組成物

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JP3160344B2
JP3160344B2 JP01081292A JP1081292A JP3160344B2 JP 3160344 B2 JP3160344 B2 JP 3160344B2 JP 01081292 A JP01081292 A JP 01081292A JP 1081292 A JP1081292 A JP 1081292A JP 3160344 B2 JP3160344 B2 JP 3160344B2
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    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属製基材からフォト
レジスト等のポリマー系有機物質を除去する際に、スト
リッピング剤（抜染剤 ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ａｇｅｎ
ｔ）として有用な塩基性アミンと、有機極性溶媒とを含
有する改良有機ストリッピング組成物（ｓｔｒｉｐｐｉ
ｎｇ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関わるものである。
更に詳細には、本発明は当該金属表面の腐食及び劣化を
防止する新規な抑制機構（ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ ｓｙ
ｓｔｅｍ）を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体及び半導体マイクロ回路の製造中
においては、通常、フォトレジスト、すなわち露光の際
にエッチングレジストを形成するポリマー系有機物質を
使用して、半導体及びマイクロ回路の製造材料をコーテ
ィングすることが必要となる。その結果、主に二酸化シ
リコンによってコーティングされているシリコンウエハ
ーの表面に、アルミニウム等の金属製マイクロ回路構成
部材を有することもある有機基材の表面から、ポリマー
系有機物質を除去することが必要となる。よって、金属
製回路部材の表面を腐食、溶解あるいは劣化させたり、
無機基材を化学変化させたりすることがなく、コーティ
ングされた無機基材からポリマー系有機物質を除去する
ことができる改良ストリッピング組成物に対する需要が
高まっている。
【０００３】一方、芳香性溶剤及び塩基性アミンからな
る有機ストリッピング剤が、金属製の無機基材から有機
物質を除去することは、周知のことであるが、これらの
ストリッピング剤はポリマー系物質を除去するのには有
効であるが、水分の存在下においては、金属、特に銅、
アルミニウム、及びチタン等を腐食するという欠点を有
している。また、金属腐食度を減じるために有機ストリ
ッピング剤中にフッ化水素を使用することも提案されて
いるが、フッ化水素は環境に有害であり、チタンを劣化
させる廃棄物問題を起こすという欠点を有している。
【０００４】β−ナフトール、グルコース、レソルシノ
ール、ピロガロール、及びベンゾチアゾール等の周知の
抑制剤（ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ）は、有機極性溶媒及び塩
基アミンからなるストリッピング組成物と共に使用され
るとき、銅のピッティング（ｐｉｔｔｉｎｇ）を防止す
るのに効果がないことが知られている。
【０００５】参考として、本明細書に記載するところの
シゼンスキーに付与された米国特許第４，６１７，２５
１号には、本発明の抑制剤を利用することができるスト
リッピング組成物を開示している。
【０００６】英国特許出願第８４２８５８７号は本発明
の抑制剤と共に使用可能なアミド及びアミンからなるス
トリッピング組成物を開示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明の目的
は、アルミ化無機基材、特にアルミ化二酸化ケイ素か
ら、上昇温度下での繰り返し使用後であっても、無機基
材に実質的なエッチングを起こすことなく、当該無機基
材の表面上の金属回路部材の腐食及び劣化を生じること
もなく、有機フォトレジスト物質をきれいに、しかも効
果的に除去する改良有機ストリッピング組成物を提供す
ることである。
【０００８】本発明の他の目的は、無機基材のエッチン
グを起こすことも、当該無機基材の表面上の金属回路部
材の腐食及び劣化を生じることもなく、アルミ化無機基
材、特にアルミ化二酸化ケイ素の表面から、ポリマー系
有機物質を除去する方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、水性
（ａｑｕｅｏｕｓ）あるいは非水溶性（ｎｏｎ−ａｑｕ
ｅｏｕｓ）ストリッピング組成物において効果を発する
抑制機構（ｉｎｈｉｂｉｔｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ）との
組合せによる有機極性溶媒及び塩基性アミンを含むスト
リッピング組成物が提供される。本発明との関連におい
て使用される抑制剤は以下記載の化学式を有し、当該化
学式とは、
【００１０】
【化２】
【００１１】であり、ここにおいて、ＸはＣ、Ｏ、Ｎ、
あるいはＳであり、ＹはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであ
り、Ｒは−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、Ｎ
Ｏ2、あるいは ｚは０または１であり、Ｒ′は−ＯＨ、−ＮＲ″
Ｒ、″−ＳＲ″、−ＮＯ、ＮＯ2、あるいは 更にここにおいて、Ｒ″はＨ、あるいは低級アルキルで
あり、Ｒ″′は低級アルキルあるいは低級アルコキシで
あり、ＡとＢは各々、−ＯＨ；−ＣＯＯＲ″；−ＳＯ2
ＮＨ2あるいは−ＮＨ2；であり、ＧはＨ、あるいは低級
アルキル、あるいはハロゲンである。
【００１２】本発明に利用可能な好適抑制剤は、８−ア
ミノ−４Ｈ−クロメン、８−ヒドロキシキノリン、８−
アミノ−４Ｈ−１−ベンゾフラン、１−ヒドロキシ−８
−ジアルキルアミノナフタレン、１−ヒドロキシ−８−
ジメチルアミノナフタレン、８−ヒドロキシ−４Ｈ−１
−ベンゾチオピラン、８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベン
ゾチオフラン、８−メチルチオクロマン、８−ｄｉｔｅ
ｒｔブチルアミノ クロメン、１−ｔｅｒｔブトキシ−
８−ニトロナフタレン、８−アルキルケトキノリン、８
−スルフヒドリルキノリン、アンスラニル酸、８−ニト
ロソキノリン、及び２−ヒドロキシ ベンゼン スルフ
ォンアミドである。
【００１３】本発明の抑制機構（ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ
ｓｙｓｔｅｍ）は、金属との配位複合体（ｃｏｏｒｄｉ
ｎａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｌｅｘ）の形成により作用す
る。基材と金属との複合（ｃｏｍｐｌｅｘａｔｉｏｎ）
は、一般的に、抑制剤のヘテロ原子上に存在する非結合
電子対と、該金属との配位により発生し、前記抑制剤
は、例えば以下の化学式に示す様な安定した５員環ある
いは６員環の配位環を形成する化合物
【００１４】
【化３】
【００１５】であり、ここにおいて、Ｘ、Ｙ、Ｒ、
Ｒ′、Ａ、Ｂ、及びＧは以下に記載されているごとくで
あり、ＭはＣｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、Ａｓ、及びそれらの合金からなるグループよ
り選択された金属である。
【００１６】次に、本発明のストリッピング組成物を構
成する成分について述べる。本発明のストリッピング組
成物は以下の化合物（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の混合体
からなり、当該化合物とは、すなわち、 （ａ）以下記載の化学式を有するアミド化合物、及びそ
の混合体であり、当該化学式は、
【００１７】であり、ここにおいてＲは水素、低級アル
キル及びフェニールからなるグループより選択されたも
のであり、Ｒ1及びＲ2は水素及び低級アルキルからなる
グループより選択されたものであり、Ｒ及びＲ1はそれ
らが結合しているケトと窒素のグループと共に５員環あ
るいは６員環を形成し、
【００１８】（ｂ）以下記載の化学式を有するアミン化
合物、及びその混合体であり、当該化学式は、
【００１９】であり、ここにおいて、Ｒ3は−Ｃ2Ｈ5、
−Ｃ2Ｈ4ＯＨ、フェニール、及び−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）
ＣＨ3からなるグループより選択されたものであり、Ｒ4
は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニール
からなるグループより選択されたものであり、Ｒ5は水
素、低級アルキル、及び−Ｃ2Ｈ4ＯＨからなるグループ
より選択されたものであり、Ｒ3とＲ4はそれらが結合し
ている窒素グループと共に５員環ないしは６員環を形成
し、
【００２０】（ｃ）重量比約０．５から約２０％の抑制
剤である。
【００２１】本発明のストリッピング組成物は、重量比
５０％までの水分を含むのが好ましく、約２０％の水分
を含有することが更に好ましい。
【００２２】また、本発明によれば、セ氏約２０度から
約１８０度の温度域において、本発明の有機ストリッピ
ング組成物とポリマー系有機物質を接触させることによ
り、金属無機基材から当該ポリマー系有機物質をストリ
ッピングする方法を提供することができる。
【００２３】次に、本発明のストリッピング組成物につ
いて、詳細に説明する。まず第１に、本発明のストリッ
ピング組成物を構成する成分としては、重量比約５０か
ら約９８％、好ましくは約９２から約９８％のアミドあ
るいは化学式（III）のアミドの混合体と、重量比約１
から約４９％、好ましくは約１から約８％のアミン化合
物あるいは化学式（IV）のアミンの混合体と、重量比約
０．５から約２０％、好ましくは約１から約１３％の抑
制剤とを含むことが可能である。
【００２４】第２に、本発明の組成物内において有用な
化学式（III）の好適なアミド化合物の例として、例え
ば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジプ
ロピルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルブチルアミド、Ｎ−メチルピロリ
ジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン、及びＮ−メチ
ル−Ｎ−エチルアセトアミド等が挙げられる。
【００２５】第３に、本発明の組成物内において有用な
化学式（IV）のアミン化合物の例として、例えば、モル
フォリン、２−アミノ−ピコリン、ビス（２−エチルヘ
キシル）アミン、モノエタノールアミン、モノプロパノ
ールアミン、メチルアミノエタノール等が挙げられる。
【００２６】第４に、本発明の好ましいストリッピング
組成物を構成する成分としては、重量比約９４から約９
８％のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドあるいはＮ−メチ
ル−Ｎ−エチルアセトアミドと、重量比約１から約８％
のモノエタノールアミンあるいはモノプロパノールアミ
ンと、重量比約１から約１３％の抑制剤とを含む。
【００２７】本発明の更に好ましいストリッピング組成
物は、重量比約９３％のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
あるいはＮ−メチル−Ｎ−エチルアセトアミドからなる
混合体と、重量比約５％のモノエタノールアミンと、重
量比約２％の８−ヒドロキシキノリンとからなる混合体
を含む。次に本発明のストリッピング組成物を構成する
各成分の重量比を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】本発明のストリッピング組成物は、好まし
くは、当該組成物のストリッピング作用に悪影響を及ぼ
さない限り、水と混合可能ないかなる非イオン系洗剤を
も含有可能であり、一般的にその含有量は全組成物に対
する重量比で約０．１から約２％の範囲である。
【００３０】また、使用可能な非イオン系洗剤は、以下
記載の３基本タイプでよい。すなわち、アルキレンオキ
シド凝縮物、アミド、及び半極性非イオン系洗剤の３タ
イプである。好ましくは、当該非イオン系洗剤はエトオ
キシレートされたアルキルフェノールあるいはアルキル
フェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、エトキ
シレートされた鎖式アルコール、ポリオキシエチレン、
グリセロールエステル（モノ−あるいはジ−）カルボキ
シリックエステル、及び他の同様な非イオン系界面活性
剤である。典型的な好ましいエトオキシレートされたア
ルキルフェノールはＣ８からＣ１２までのアルキルフェ
ノールである。それらは、水溶性で、少なくとも重量比
６０％のポリオキシエチレンのグループを有しているも
のが最適である。そのようなエトオキシレートされたア
ルキルフェノールは数例を挙げれば、ＧＡＦコーポレー
ションの商品名イゲパル（Ｉｇｅｐａｌ）、及びローム
アンドハース社（Ｒｏｈｍ ａｎｄ Ｈａｓｓ Ｃ
ｏ．）のそれぞれ商品名レベレン（Ｌｅｖｅｌｅｎ）、
ニュートロニクス（Ｎｅｕｔｒｏｎｙｘ）、ソーラー
（Ｓｏｌａｒ）ＮＰ、スルフォニックシリーズ（Ｓｕｒ
ｆｏｎｉｃ ｓｅｒｉｅｓ）、及びトリトンＮとＸシリ
ーズ（ｔｈｅ Ｔｒｉｔｏｎ Ｎ ａｎｄ Ｘ ｓｅｒ
ｉｅｓ）のごときものである。
【００３１】本発明の使用に適するポリオキシエチレン
の中には、エチレングリコールのモノ−及びジアルキル
エーテル、及びそれらの誘導体がある。典型的な他の非
イオン系剤には、モノブチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコール
ジブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエ
ーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールモノフェニールエーテル、及び他の同様な
エチレングリコールのエーテルがある。別な非イオン系
剤のグループには、ポリエチレングリコール及びアルコ
キシの誘導体、特にメトキシポリエチレングリコールの
ごとき低級アルコキシ、並びにジエチレングリコール、
プロピレングリコール及び他の同様なグリコールがあ
る。
【００３２】好ましい非イオン系剤には、例えば、ＧＡ
ＦコーポレーションのイゲパルＤＭ７１０及びＣＯ−６
１０、ＢＡＳＦワイアンドット社（Ｗｙａｎｄｏｔｔｅ
ＣＯ．）のプルラドット（Ｐｌｕｒａｄｏｔ）ＨＡ４
３０、プルラファック（Ｐｌｕｒａｆａｃ）ＲＡ−３０
及び−４３、プルロニック（Ｐｌｕｒｏｎｉｃ）Ｌ−６
２及びＬ−１０、オリン社（Ｏｌｉｎ Ｃｏ．）のポリ
−タージェント（Ｐｏｌｙ−Ｔｅｒｇｅｎｔ）ＬＦ−４
０５及びＳＬＦ−１８及びＳＬＦ−４５、サンドス社
（Ｓａｎｄｏｚ Ｃｏ．）のサンドキシレートＳＸシリ
ーズ（Ｓａｎｄｏｘｙｌａｔｅ ＳＸ ｓｅｒｉｅ
ｓ）、ＧＡＦコーポレーションのエマルフォジーンＢＣ
シリーズ（Ｅｍｕｌｐｈｏｇｅｎｅ ＢＣ ｓｅｒｉｅ
ｓ）がある。
【００３３】本発明に使用する他の適した非イオン系界
面活性剤は、本願に参考として記載する、カークとオス
マー（Ｋｉｒｋ＆Ｏｔｈｍｅｒ）による「化学技術百科
辞典」（Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１９巻の５３１頁か
ら５５４頁の表題『非イオン系界面活性剤』中にて開示
されている。
【００３４】
【作用】本発明の非水性ストリッピング組成物に含まれ
る抑制剤は、塩素あるいはフッ素プラズマにさらされて
腐食しやすく、増感処理された基材を保護する様に作用
する。また、水性ストリッピング組成物においては、水
酸化イオンにより生じる腐食を防止するように、前記金
属基材の保護が行われる。
【００３５】
【実施例】まず、以下記載の２枚の異なる金属基材を対
象にして、腐食防止用の種々な抑制剤を試験するために
標準的腐食溶剤システムを使用した。 １）１００％純銅ホイル。 ２）シリコン基材の表面にスパッター積層（ｄｅｐｏｓ
ｉｔ）された、Ａｌ／Ｃｕ（２％）の金属合金。 使用された標準腐食溶剤は以下の構成であった。 ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）−９４ ％（ｗ／
ｗ） モノエタノールアミン（ＭＥＡ）− ６ ％（ｗ／
ｗ） 界面活性剤− ０．２％（ｗ／ｗ）添加
【００３６】純銅基材上における腐食度を評価するため
に、以下記載の溶剤を使用した試験を事前に実施した。
浸食度は、酸化（すなわち腐食）銅の安定化合物（ｓｔ
ａｂｌｅ ｃｏｍｐｌｅｘ）の生成を示す青あるいは青
緑への溶剤の色変化により評価された。前記溶剤とは、 １）ＤＭＡ ２）ＤＭＦ ３）テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ） ４）プロピレンカーボネィト ５）Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） を含んだものである。これらの溶剤は、何れも、前記銅
には全く化学変化を及ぼさなかった。
【００３７】数種類のアミン（すなわち、銅と安定化合
物を形成すると知られており、強力な腐食剤であり得る
もの）について、上記と同様な色変化指示剤を使用し
て、腐食試験を行った。２２時間接触後の試験結果は以
下の通りであった。
【００３８】
【表２】
【００３９】これらの試験により、各組織中の（ｉｎ
ａ ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）アミンは銅ばかりではな
く、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕ、Ｗ等を含む
多くの異なる金属の腐食にも係わりを有することが知ら
れる。この事実は、これら金属の標準電気化学電位下に
おいても証明されており、ＮＨ3あるいはＲ−ＮＨ2環境
下における金属酸化（すなわち腐食）に対して、より大
きな影響を及ぼすものであることを示す。
【００４０】よって、「抑制剤」の効果を適正に試験す
るために腐食性アミン及び不活性溶剤双方を含有する参
照用溶液の組成（ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）が使用され
た。前記組成は、 ＤＭＡ − ９４ ％ ＭＥＡ − ６ ％ 界面活性剤− ０．２％（付与） であり、以下記載の３つの異なる測定方法を使用して試
験された幅広い抑制剤の選択がなされた。
【００４１】１）銅基材に対し、腐食性溶剤中に抽出さ
れた銅の実際のＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏ
ｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）測定。 ２）試験用溶剤（すなわち、参照組成＋抑制剤）に対す
る露出前後の銅表面微細検査。 ３）試験用溶剤に対する露出前後のＡｌ／Ｃｕ合金基材
上の「ピッティング」腐食のＤＦ／ＢＦ微細検査。
【００４２】 表３ 各種抑制剤による腐食試験結果 抑制剤 基 材 試験方法 結 果 比較例 ブランク １００％Ｃｕ （１） １２４ｐｐｍ （２） ピッティング激 半光沢艶消し仕上げ Ａｌ／Ｃｕ（２％）（３） ブラックスポット 大増加 非露出パッド上の ピッティング （１００％パッド上にピッ ティング有り） ベンゾトリアゾール １００％Ｃｕ （１） ８６ ｐｐｍ ピロガロール １００％Ｃｕ （１） １０．４ｐｐｍ （２） 高光沢、ピット無し ヒドロキノン １００％Ｃｕ （１） ５．８ｐｐｍ （２） 高光沢、ピッティング多少 （パッド上の２５％に班点 高密度ピッティング） Ａｌ／Ｃｕ（２％） （３） パッド上の８０％に可視 ピッティング増加 レソルシノール Ａｌ／Ｃｕ（２％） （３） パッド上の３０％に可視 ピッティング増加 Ｂ−ナプトール Ａｌ／Ｃｕ（２％） （３） パッド上の８０％以上 に、大きいピッティング 有り グルコース Ａｌ／Ｃｕ（２％） 参照ブランク中にて非溶解 ８−ハイフォキシ １００％Ｃｕ （２） 高光沢 キノリン ピッティング無し Ａｌ／Ｃｕ（２％） （３） 観察可能ピット無し （１％以下のパッドが「前」 基材上にピッティング増 加を示す） （ＢＨＴ） １００％Ｃｕ （１） ５７ｐｐｍ ジ−ｔ−ブチル （参照 ブランク＝ ヒドロキシトルエン １７４ｐｐｍ） （２） 中〜激 班点及び基材腐食
【００４３】
【発明の効果】本発明のストリッピング組成物は、その
一部が以下において紹介してあるように多くの理由にも
とづき、特に有用で利点に富んだものである。まず、第
１に本発明のストリッピング組成物は水混合性、非浸食
性、不燃性であり、しかも、当該組成物の低発散圧によ
り、通常の組成物に比して実質的に蒸発が少なく非化学
反応性であり環境的に受け入れられるものであるので、
人及び環境に対して低毒性である。
【００４４】第２に、本発明のストリッピング組成物は
多目的に再使用するか、あるいは多額な費用をかけた安
全対策を必要とせず、環境的に安全な方法で容易に廃棄
が可能である。同様に、ストリップされたコーティング
部分は固体として容易に剥ぎ取り可能であり、回収廃棄
が楽である。
【００４５】第３に、本発明のストリッピング組成物は
幅広いタイプのコーティング及び基材に対して、低温で
他よりも一層効果的な特性を示す。更に、当該ストリッ
ピング組成物は室温でその成分を混合するだけで容易に
製造可能であり、人及び環境に対する特別な安全措置を
要しない。
【００４６】第４に、本発明のストリッピング組成物の
成分は協力増幅的なストリッピング作用を提供し、基材
からそのコーティングを容易に、しかもほぼ完璧に除去
することができるという優れた効果を奏する。 以 上
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−231343（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−35357（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/42 C09D 9/00 C09K 15/04 H01L 21/027

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 本質的に、有機極性溶媒及び塩基性アミ
    ンから成るフォトレジスト用ストリッピング組成物にお
    いて、当該組成物が重量比約０．５から２０％の抑制剤
    を含有することを特徴とする改良ストリッピング組成物
    であり、当該抑制剤は以下記載の構造を有するグループ
    から選択されており、当該構造とは、 【化１】 であり、ここにおいて、 ＸはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、 ＹはＣ、Ｏ、Ｎ、あるいはＳであり、 Ｒは−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、−ＮＯ
    ２、あるいは ｚは０または１であり、 Ｒ′は−ＯＨ、−ＮＲ″Ｒ″、−ＳＲ″、−ＮＯ、ＮＯ
    ２、あるいは であり、 Ａ及びＢは各々−ＯＨ；ＣＯＯＲ″；−ＳＯ２ＮＨ２あ
    るいは＝ＮＨ２であり、ＧはＨ、低級アルキル、あるい
    はハロゲン（ｈａｌｏ）であり、 Ｒ″はＨあるいは低級アルキルであり、 Ｒ′′′は低級アルキル及び低級アルコキシであること
    を特徴とする改良ストリッピング組成物。
  2. 【請求項２】 前記抑制剤は以下記載の成分を有するグ
    ループから選択されており、当該成分とは、 ８−アミノ−４Ｈ−クロメン、 ８−ヒドロキシキノリン、 ８−アミノ−４Ｈ−１−ベンゾフラン、 １−ヒドロキシ−８−ジアルキルアミノナフタレンアン
    トラル酸、及び１−ヒドロキシ−８−ジメチルアミノナ
    フタレン であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング
    組成物。
  3. 【請求項３】 前記抑制剤は以下記載の成分を有するグ
    ループから選択されており、当該成分とは、 ８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオピラン、 ８−ヒドロキシ−４Ｈ−１−ベンゾチオフラン、 ８−メチルチオクロマン、 ８−ｄｉｔｅｒｔブチルアミノクロメン １−ｔｅｒｔブトキシ−８−ニトロナフタレン、 ８−アルキルケトキノリン、 ２−ヒドロキシベンゼンスルフォンアミド、 ８−スルフヒドリルキノリン、及び８−ニトロソキノリ
    ン であることを特徴とする請求項１記載のストリッピング
    組成物。
  4. 【請求項４】 水分を含有することを特徴とする請求項
    １記載のストリッピング組成物。
  5. 【請求項５】 非水溶性であることを特徴とする請求項
    １記載のストリッピング組成物。
  6. 【請求項６】 重量比約５０から約９８％の前記極性溶
    剤を含有することを特徴とする請求項１記載のストリッ
    ピング組成物。
  7. 【請求項７】 重量比約１から約４９％の前記アミンを
    含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピン
    グ組成物。
  8. 【請求項８】 前記有機極性溶媒は以下記載の化学式を
    有するアミド化合物、及びその混合物からなることを特
    徴とする請求項１記載のストリッピング組成物であっ
    て、 当該化学式とは、 であり、ここにおいて、 Ｒは水素、低級アルキル及びフェニールからなるグルー
    プより選択されたものであり、 Ｒ１及びＲ２は水素及び低級アルキルからなるグループ
    より選択されたものであり、 Ｒ及びＲ１はそれらが結合しているケトと窒素のグルー
    プと共に５員環ないしは６員環を形成していることを特
    徴とするストリッピング組成物。
  9. 【請求項９】 前記アミドは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
    アミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
    セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロプロンアミド、Ｎ−
    メチルピロリジノン、及びＮ−エチル−２−ピロリジノ
    ンからなるグループより選択されたものであることを特
    徴とする請求項８記載のストリッピング組成物。
  10. 【請求項１０】 前記アミンは以下記載の化学式を有す
    る化合物からなることを特徴とする請求項１記載のスト
    リッピング組成物であって、 当該化学式とは、 であり、ここにおいて、 Ｒ３は、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ２Ｈ４ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ
    （ＯＨ）ＣＨ３及びフェニールからなるグループより選
    択されたものであり、 Ｒ４は水素、低級アルキル、アルカノール、及びフェニ
    ールからなるグループより選択されたものであり、 Ｒ５は水素、低級アルキル、及び−Ｃ２Ｈ４ＯＨからな
    るグループより選択されたものであり、 Ｒ３とＲ４はそれらが結合している窒素グループと共に
    ５員環ないしは６員環を形成していることを特徴とする
    ストリッピング組成物。
  11. 【請求項１１】 前記アミンはモノエタノールアミン、
    Ｎ−メチルアミノエタノール、メチルエチルアミン、モ
    ルフォリン、１−アミノ−２−プロパノール、２−（２
    −アミノエトキシエタノール）、３−メトキシプロピル
    アミン、２−アミノ−ピコリン、及びビス（２−エチル
    ヘキシル）アミンからなるグループより選択されたもの
    であることを特徴とする請求項１０記載のストリッピン
    ク組成物。
  12. 【請求項１２】 重量比約２％までの非イオン系洗剤を
    含有することを特徴とする請求項１記載のストリッピン
    グ組成物。
  13. 【請求項１３】 前記極性溶媒はジメチルアセトアミド
    であり、 前記アミン成分はＮ−メチルアミノエタノール、モノプ
    ロパノールアミン、及びモノエタノールアミンからなる
    グループより選択されたものであり、 前記抑制剤は８−ヒドロキシキノリンであることを特徴
    とする請求項１記載のストリッピング組成物。
  14. 【請求項１４】 重量比約９７％のジメチルアセトアミ
    トと、重量比約１％のジエタノールアミンと、重量比約
    ２％の８−ヒドロキシキノリンとからなることを特徴と
    する請求項１３記載のストリッピング組成物。
  15. 【請求項１５】 コーティングされた基材からコーティ
    ング物質を除去する方法であって、 当該コーティングされた基材に、ストリッピングに有効
    な量の請求項１記載のストリッピング組成物を、ストリ
    ッピングに有効な時間作用させ、当該基材から当該コー
    ティング物質を除去することを特徴とする方法。
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