JP2006295020A - 酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 - Google Patents
酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006295020A JP2006295020A JP2005116529A JP2005116529A JP2006295020A JP 2006295020 A JP2006295020 A JP 2006295020A JP 2005116529 A JP2005116529 A JP 2005116529A JP 2005116529 A JP2005116529 A JP 2005116529A JP 2006295020 A JP2006295020 A JP 2006295020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- pressure vessel
- water vapor
- pressure
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【課題】 高品位の酸化膜を形成することができ、かつ、管理が容易な酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法を提供する。
【解決手段】 耐圧容器13の外部に設けられた気化器21が水蒸気を生成し、この水蒸気は加温及び加圧された状態の耐圧容器13内に供給される。したがって、シリコンウエハAの周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定し、シリコンウエハAに形成される酸化膜は高品位なものとなる。また、使用するのが水であり、使用量の管理及び安全管理が容易である。
【選択図】 図1
【解決手段】 耐圧容器13の外部に設けられた気化器21が水蒸気を生成し、この水蒸気は加温及び加圧された状態の耐圧容器13内に供給される。したがって、シリコンウエハAの周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定し、シリコンウエハAに形成される酸化膜は高品位なものとなる。また、使用するのが水であり、使用量の管理及び安全管理が容易である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体基板等の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法に関するものである。
半導体基板の製造プロセスにおいて、例えば、シリコン等の基板原料は酸化膜形成装置によってその表面に酸化膜が形成される。酸化膜形成装置では、シリコンウエハは耐圧容器に収容され、この耐圧容器の内部は、湿式の酸化方式の場合、例えば、0.65MPa、950℃といった高圧かつ高温とされる。シリコンウエハは、このような状態の耐圧容器内で水蒸気と反応する。これにより、酸化膜がシリコンウエハの表面に形成される。
図2は、従来の酸化膜形成装置の一例の構成を示す概略図である。
図2に示すように、酸化膜形成装置200は耐圧容器203を有し、この耐圧容器203は外殻部201と床部202によって覆われている。耐圧容器203の内側には、反応室201aが形成されている。
この酸化膜形成装置200では、シリコンウエハAは純水の入った複数の蒸発皿205a、205bにセットされ、耐圧容器203に収容される。また、耐圧容器203の外周に設けられたヒータ群204a、204b、204cは、反応室201aを所定の温度まで加温すると共に、図示しないコンプレッサは反応室201aを所定圧力まで加圧する。これにより、純水が蒸発して水蒸気となり、この水蒸気とシリコンウエハAとが反応して酸化膜がシリコンウエハAの表面に形成される。
図2に示すように、酸化膜形成装置200は耐圧容器203を有し、この耐圧容器203は外殻部201と床部202によって覆われている。耐圧容器203の内側には、反応室201aが形成されている。
この酸化膜形成装置200では、シリコンウエハAは純水の入った複数の蒸発皿205a、205bにセットされ、耐圧容器203に収容される。また、耐圧容器203の外周に設けられたヒータ群204a、204b、204cは、反応室201aを所定の温度まで加温すると共に、図示しないコンプレッサは反応室201aを所定圧力まで加圧する。これにより、純水が蒸発して水蒸気となり、この水蒸気とシリコンウエハAとが反応して酸化膜がシリコンウエハAの表面に形成される。
しかし、上記の酸化膜形成装置200では反応室201aを加温及び加圧し始めた初期の段階から純水が気化し、シリコンウエハAに酸化膜が形成されるため、酸化膜を形成する全工程においてシリコンウエハAの周囲の雰囲気が一定していないことになる。また、蒸発皿205a、205bも同時に加温されるので、これらの素材がイオン化して純水中に溶け込む可能性がある。したがって、シリコンウエハAに高品位の酸化膜を形成することが困難である。
さらに、シリコンウエハAを交換する際には、蒸発皿205a、205b内の純水は交換されなければならないが、蒸発皿205a、205bの付近の温度が十分に下がらないうちは、この交換作業は困難である。よって、装置の稼働率が低下する。
さらに、シリコンウエハAを交換する際には、蒸発皿205a、205b内の純水は交換されなければならないが、蒸発皿205a、205bの付近の温度が十分に下がらないうちは、この交換作業は困難である。よって、装置の稼働率が低下する。
また、上記のような諸問題点を解決した酸化膜形成装置の一例が、特許文献1に示されている。
図3は、そのような酸化膜形成装置300の構成を示す概略図である。
図3に示すように、酸化膜形成装置300は耐圧容器303を有し、この耐圧容器303は外殻部301と側蓋部302によって覆われている。耐圧容器303の内側には、反応室301aが形成されている。
また、酸化膜形成装置300はガス制御部306を備えている。ガス制御部306は水素ガス取得口306b、及び、酸素ガス取得口306cから、それぞれ水素ガス及び酸素ガスの供給を受け、これらのガスを適正な比率で調整してガス吐出口306aからそれぞれ反応室301aに供給する。
図3は、そのような酸化膜形成装置300の構成を示す概略図である。
図3に示すように、酸化膜形成装置300は耐圧容器303を有し、この耐圧容器303は外殻部301と側蓋部302によって覆われている。耐圧容器303の内側には、反応室301aが形成されている。
また、酸化膜形成装置300はガス制御部306を備えている。ガス制御部306は水素ガス取得口306b、及び、酸素ガス取得口306cから、それぞれ水素ガス及び酸素ガスの供給を受け、これらのガスを適正な比率で調整してガス吐出口306aからそれぞれ反応室301aに供給する。
この酸化膜形成装置300では、シリコンウエハAは反応室301aに設けられた試料皿305にセットされる。次いで、耐圧容器303の外部に設けられたヒータ群304a、304bが、反応室301aを所定の温度まで加温すると共に、図示しないコンプレッサが反応室301aを所定圧力まで加圧する。
この後、水素ガス及び酸素ガスがガス制御部306から反応室301aに送り込まれ、反応室301aで水素ガスと酸素ガスとが反応し、水蒸気が発生する。これにより、水蒸気とシリコンウエハAとが反応して酸化膜がシリコンウエハAの表面に形成される。
この後、水素ガス及び酸素ガスがガス制御部306から反応室301aに送り込まれ、反応室301aで水素ガスと酸素ガスとが反応し、水蒸気が発生する。これにより、水蒸気とシリコンウエハAとが反応して酸化膜がシリコンウエハAの表面に形成される。
この場合、反応室301aへ送り込まれる水素ガス及び酸素ガスの量は、理論式に基づいて算出される。しかし、ガスを理論通りの正確な比率で管理することは困難である。また、可燃性ガスを使用するため、安全面での管理が煩雑となる。さらに、警報機等の設置が必要になり、装置が大型化するという問題があった。
特開平6−204210号公報
本発明の課題は、高品位の酸化膜を形成することができ、かつ、管理が容易な酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。
請求項1の発明は、被処理体を収容する耐圧容器と、前記耐圧容器内を加温する加温部と、前記耐圧容器内を加圧する加圧部と、前記耐圧容器の外部に設けられ、水を気化して水蒸気を生成すると共に前記水蒸気を前記耐圧容器内に供給する水蒸気供給部と、前記水蒸気供給部へ水を供給する水供給部とを備える酸化膜形成装置である。
請求項2の発明は、耐圧容器内に被処理体を収容し、前記耐圧容器内を加温すると共に加圧し、前記耐圧容器の外部で水を気化して水蒸気を生成し、前記水蒸気を前記耐圧容器内に供給し、前記水蒸気と前記被処理体とを反応させ、前記被処理体の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。
請求項1の発明は、被処理体を収容する耐圧容器と、前記耐圧容器内を加温する加温部と、前記耐圧容器内を加圧する加圧部と、前記耐圧容器の外部に設けられ、水を気化して水蒸気を生成すると共に前記水蒸気を前記耐圧容器内に供給する水蒸気供給部と、前記水蒸気供給部へ水を供給する水供給部とを備える酸化膜形成装置である。
請求項2の発明は、耐圧容器内に被処理体を収容し、前記耐圧容器内を加温すると共に加圧し、前記耐圧容器の外部で水を気化して水蒸気を生成し、前記水蒸気を前記耐圧容器内に供給し、前記水蒸気と前記被処理体とを反応させ、前記被処理体の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。
以上説明したように、本発明によれば以下のような効果がある。
請求項1及び請求項2の発明によれば、水蒸気は耐圧容器の外部で生成されて加温及び加圧された状態の耐圧容器内に供給されるため、被処理体の周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定する。したがって、被処理体に形成される酸化膜は高品位なものとなる。
また、水は使用量の管理が容易であるので装置の構造が簡単である。さらに、可燃性ガスを使用せず水を使用する構成なので、安全面の管理も容易であり、かつ、環境に優しい。また、ガスを使用する場合に比べ、警報機等も不要であるので装置が大型化しない。しかも、水の取り扱いはガスボンベ等の取り扱いに比べ容易であるから作業が省力化される。
請求項1及び請求項2の発明によれば、水蒸気は耐圧容器の外部で生成されて加温及び加圧された状態の耐圧容器内に供給されるため、被処理体の周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定する。したがって、被処理体に形成される酸化膜は高品位なものとなる。
また、水は使用量の管理が容易であるので装置の構造が簡単である。さらに、可燃性ガスを使用せず水を使用する構成なので、安全面の管理も容易であり、かつ、環境に優しい。また、ガスを使用する場合に比べ、警報機等も不要であるので装置が大型化しない。しかも、水の取り扱いはガスボンベ等の取り扱いに比べ容易であるから作業が省力化される。
本発明は、高品位の酸化膜を形成することができ、かつ、管理が容易な酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法を、水蒸気を耐圧容器の外部で生成し、この水蒸気を加温及び加圧された状態の耐圧容器内に供給することによって実現した。
以下、図面を参照して、本発明の実施例についてさらに詳しく説明する。
図1は、本発明の実施例に係る酸化膜形成装置100の構成を示す概略図である。
図1は、本発明の実施例に係る酸化膜形成装置100の構成を示す概略図である。
酸化膜形成装置100は、酸化膜形成部10を有している。
酸化膜形成部10は、外殻部11、床部12、反応室11aを備える耐圧容器13、石英テーブル14、複数のヒータ(加温部)15a、15b、及び、コンプレッサ(加圧部)16等を有している。
外殻部11は、軸方向が略鉛直方向とされた略円筒形状の胴部と、その上側開口部に設けられたドーム状の屋根部とで構成されている。床部12は、略円形の板状をしており、外殻部11の下側の開口部を閉じるように外殻部11に取り付けられている。また、この床部12は、その中央部分に略円形状の孔部12aを有している。
酸化膜形成部10は、外殻部11、床部12、反応室11aを備える耐圧容器13、石英テーブル14、複数のヒータ(加温部)15a、15b、及び、コンプレッサ(加圧部)16等を有している。
外殻部11は、軸方向が略鉛直方向とされた略円筒形状の胴部と、その上側開口部に設けられたドーム状の屋根部とで構成されている。床部12は、略円形の板状をしており、外殻部11の下側の開口部を閉じるように外殻部11に取り付けられている。また、この床部12は、その中央部分に略円形状の孔部12aを有している。
耐圧容器13は、外殻部11及び床部12の内側に設けられている。耐圧容器13は外殻部11と略同軸とされた略円筒状の胴部と、その上部開口部に設けられたドーム状の屋根部とで構成されている。この耐圧容器13は、例えば、1.5MPaの耐圧力性能を有している。また、耐圧容器13の内側には反応室11aが形成されている。
ヒータ15a、15b(以下、「ヒータ群15」という)は、外殻部11と耐圧容器13との間に配置され、耐圧容器13の胴部の外周を囲んでいる。これらのヒータ群15は、耐圧容器13内の温度を、例えば、1000℃程度の高温まで加温することができるようになっている。なお、本実施例の酸化膜形成装置100においては、シリコンウエハAに酸化膜を形成する際の処理温度範囲は、例えば、700〜950℃に設定されている。
コンプレッサ16は、外殻部11の外部に設けられている。このコンプレッサ16は、配管16aを介して耐圧容器13内を加圧できるようになっている。なお、本実施例のコンプレッサ16は、耐圧容器13内を、例えば、0.7MPaまで加圧することができる性能を有している。
コンプレッサ16は、外殻部11の外部に設けられている。このコンプレッサ16は、配管16aを介して耐圧容器13内を加圧できるようになっている。なお、本実施例のコンプレッサ16は、耐圧容器13内を、例えば、0.7MPaまで加圧することができる性能を有している。
石英テーブル14は、耐圧容器13の内部に設けられている。この石英テーブル14は、複数の円盤状のテーブルを上下方向に階層状に並べたものであり、円盤状の昇降テーブル17に載置されている。この昇降テーブル17の半径方向寸法は、床部12の孔部12aの半径方向寸法に対応している。図1に示す石英テーブル14が耐圧容器13内にセットされた状態では、床部12の孔部12aは昇降テーブル17により塞がれており、反応室11aは密閉されている。なお、本実施例の石英テーブル14は、例えば、6インチ及び8インチのシリコンウエハA(被処理体)に対応しており、最大処理枚数は、例えば、それぞれ75枚、50枚となっている。
また、この酸化膜形成装置100は、酸化膜形成部10の下方に昇降装置18を有している。この昇降装置18は、昇降テーブル17の下端面に接続されており、石英テーブル14を反応室11aにセットする際は、石英テーブル14を載置した昇降テーブル17を酸化膜形成部10の下方から移動させるようになっている。
なお、この酸化膜形成装置100は、酸化膜形成部10の外部に図示しないシリコンウエハ搬送ロボットを有しており、石英テーブル14にシリコンウエハAをセットする作業はこのシリコンウエハ搬送ロボットが行うようになっている。
なお、この酸化膜形成装置100は、酸化膜形成部10の外部に図示しないシリコンウエハ搬送ロボットを有しており、石英テーブル14にシリコンウエハAをセットする作業はこのシリコンウエハ搬送ロボットが行うようになっている。
さらに、酸化膜形成装置100は、酸化膜形成部10の外部に水蒸気生成部20を有している。
水蒸気生成部20は、気化器21、タンク22、純水供給部26、純水計量部31、昇圧用ガス供給部23、昇圧用ガス計測部30、キャリアガス供給部24、及び、ヒータ25、27等を有している。
水蒸気生成部20は、気化器21、タンク22、純水供給部26、純水計量部31、昇圧用ガス供給部23、昇圧用ガス計測部30、キャリアガス供給部24、及び、ヒータ25、27等を有している。
気化器21は図示しないヒータを有しており、水を気化して水蒸気を生成することが可能になっている。気化器21と反応室11aとは水蒸気供給管21aで接続されており、この水蒸気供給管21aを介して、気化器21で生成された水蒸気は反応室11aに供給されるようになっている。なお、この水蒸気供給管21aは、装置内において気化器21と反応室11aとを最短距離で接続している。
タンク22は気化器21の近傍に設けられ、常に純水を貯蔵している。このタンク22は、耐圧容器13と同等の耐圧力性能を有している。タンク22と気化器21とは配管で接続されており、純水はこの配管を介してタンク22から気化器21へと供給されるようになっている。
タンク22は気化器21の近傍に設けられ、常に純水を貯蔵している。このタンク22は、耐圧容器13と同等の耐圧力性能を有している。タンク22と気化器21とは配管で接続されており、純水はこの配管を介してタンク22から気化器21へと供給されるようになっている。
純水供給部26はタンク22の近傍に設けられ、タンク22に純水を供給する水源となっている。また、純水計量部31は、純水供給部26とタンク22との間に設けられている。この純水計量部31は、重量センサ22bを有している。重量センサ22bは、例えば、ロードセル等を備えており、タンク22内の純水重量を計量することができるようになっている。また、純水計量部31はCPU28を有しており、重量センサ22bはこのCPU28に対して計量した純水量を信号として発するようになっている。また、純水計量部31は、純水供給部26とタンク22とを接続する配管の途中にバルブ26aを有している。CPU28は、重量センサ22bからの信号に基づいてこのバルブ26aに信号を発し、バルブ26aの開度を操作するようになっている。
昇圧用ガス供給部23は、タンク22の近傍に設けられている。この昇圧用ガス供給部23は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスをタンク22に供給するものである。この不活性ガスの吐出圧力は酸化膜生成時の耐圧容器13内の圧力より高く設定されている。
昇圧用ガス計測部30は、昇圧用ガス供給部23とタンク22との間に設けられている。この昇圧用ガス計測部30は、圧力センサ22aを有している。この圧力センサ22aは、タンク22内の圧力を計測することができるようになっている。また、昇圧用ガス計測部30は、CPU29を有しており、圧力センサ22aは、このCPU29に対して計測したタンク内圧力を信号として発するようになっている。また、昇圧用ガス計測部30は、昇圧用ガス供給部23とタンク22とを接続する配管の途中にバルブ23aを有している。CPU29は、圧力センサ22aからの信号に基づいてこのバルブ23aに信号を発し、バルブ23aの開度を操作するようになっている。
昇圧用ガス計測部30は、昇圧用ガス供給部23とタンク22との間に設けられている。この昇圧用ガス計測部30は、圧力センサ22aを有している。この圧力センサ22aは、タンク22内の圧力を計測することができるようになっている。また、昇圧用ガス計測部30は、CPU29を有しており、圧力センサ22aは、このCPU29に対して計測したタンク内圧力を信号として発するようになっている。また、昇圧用ガス計測部30は、昇圧用ガス供給部23とタンク22とを接続する配管の途中にバルブ23aを有している。CPU29は、圧力センサ22aからの信号に基づいてこのバルブ23aに信号を発し、バルブ23aの開度を操作するようになっている。
キャリアガス供給部24は気化器21の近傍に設けられ、気化器21と配管を介して接続されている。このキャリアガス供給部24は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを気化器21に供給するものである。この不活性ガスの吐出圧力も酸化膜生成時の耐圧容器13内の圧力より高く設定されている。
ヒータ27は水蒸気供給管21aに対し設けられている。また、ヒータ25は、キャリアガス供給部24に対して設けられている。これらのヒータ27、25は、加圧されることで通常の沸点(100℃)より高くなっている水蒸気の沸点以上の温度で、気化器21が生成した水蒸気、及び、キャリアガスを加温するようになっている。
ヒータ27は水蒸気供給管21aに対し設けられている。また、ヒータ25は、キャリアガス供給部24に対して設けられている。これらのヒータ27、25は、加圧されることで通常の沸点(100℃)より高くなっている水蒸気の沸点以上の温度で、気化器21が生成した水蒸気、及び、キャリアガスを加温するようになっている。
次に、本実施例の酸化膜形成装置100の動作を酸化膜の形成方法を含めて説明する。
酸化膜形成装置100でシリコンウエハAに酸化膜を形成する際には、シリコンウエハAは酸化膜形成部の外部で、シリコンウエハ搬送ロボットにより石英テーブル14上の所定位置に載置される。その後、石英テーブル14は、昇降装置18により反応室11aにセットされる。このとき、床部12の孔部12aは昇降テーブル17によって塞がれ、反応室11aは密閉される。次いで、ヒータ群15が反応室11aの温度を、例えば、950℃まで加温すると共に、コンプレッサ16が反応室11aの圧力を、例えば、0.65MPaまで加圧する。
酸化膜形成装置100でシリコンウエハAに酸化膜を形成する際には、シリコンウエハAは酸化膜形成部の外部で、シリコンウエハ搬送ロボットにより石英テーブル14上の所定位置に載置される。その後、石英テーブル14は、昇降装置18により反応室11aにセットされる。このとき、床部12の孔部12aは昇降テーブル17によって塞がれ、反応室11aは密閉される。次いで、ヒータ群15が反応室11aの温度を、例えば、950℃まで加温すると共に、コンプレッサ16が反応室11aの圧力を、例えば、0.65MPaまで加圧する。
次いで、水蒸気生成部20が、処理するシリコンウエハAの種類、枚数等に応じた適切な量の水蒸気を生成する。
水蒸気が生成される際には、純水が純水供給部26からタンク22内に供給され、同時に、昇圧用ガスが昇圧用ガス供給部23からタンク22に供給される。
水蒸気が生成される際には、純水が純水供給部26からタンク22内に供給され、同時に、昇圧用ガスが昇圧用ガス供給部23からタンク22に供給される。
ここで、純水の量を決定する際には、重量センサ22bがタンク22内の純水の重量を計量する。なお、タンク22には常に純水が貯蔵されており、重量センサ22bはこの純水の変化量を計量してCPU28に信号を発信する。CPU28は、この信号に基づいてバルブ26aに信号を発信し、バルブ26aの開度を操作して純水の流量を調節する。これにより、タンク22に供給される適切な純水量が自動的に決定される。
また、昇圧用ガスの量を決定する際には、圧力センサ22aがタンク22内の圧力を計測し、CPU29に信号を発信する。CPU29は、この信号に基づいてバルブ23aに信号を発信し、バルブ23aの開度を操作して昇圧用ガスの吐出量を調節する。これにより、タンク22に供給される昇圧用ガスの適切な圧力が自動的に制御される。
この量及び圧力が制御された純水は、昇圧用ガスによりタンク22から気化器に送り込まれ、気化器21によって気化される。これにより、適切な量の水蒸気が生成される。
この量及び圧力が制御された純水は、昇圧用ガスによりタンク22から気化器に送り込まれ、気化器21によって気化される。これにより、適切な量の水蒸気が生成される。
この水蒸気は、昇圧用ガス及びキャリアガスによって反応室11aへ送り込まれる。このとき、昇圧用ガス及びキャリアガスの吐出圧力は反応室11aの圧力より高いので、水蒸気供給管21a内の圧力は反応室11aの圧力より高くなっている。したがって、水蒸気は気化器21へ逆流することがない。また、ヒータ25がキャリアガス供給部24を、ヒータ27が水蒸気供給管21aを、それぞれ水蒸気の沸点以上の温度に加温しているので、水蒸気が凝結することがない。
反応室11aのシリコンウエハAは所定の反応時間、反応室11aに送り込まれた水蒸気と反応する。これにより、酸化膜がシリコンウエハAの表面に形成される。酸化膜の形成が終了した後は、石英テーブル14(シリコンウエハA)は昇降装置18により反応室11aから取り出される。これにより、酸化膜形成のプロセスは終了する。なお、例えば、1μmの酸化膜をシリコンウエハAに形成する場合の処理時間は6時間である。
以上説明したように、本実施例の酸化膜形成装置100及び酸化膜形成方法によれば、水蒸気は耐圧容器13の外部で生成され、加温及び加圧された状態の反応室11aに供給されるため、シリコンウエハAの周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定する。したがって、シリコンウエハAに形成される酸化膜は高品位なものとなる。
また、酸化膜形成装置100は、可燃性ガスを使用せず純水を使用する構成なので、安全面の管理が容易である。さらに、純水は計量が容易であるので装置の構造も簡単である。しかも、純水は半導体工場において広く使用されているので入手が容易であると共に環境に優しい。また、可燃性ガスを用意する場合に比べ、警報機等が不要となるので装置が大型化しない。さらに、純水の取り扱いはガスボンベ等の取り扱いに比べ容易であるから作業が省力化される。
また、酸化膜形成装置100は、可燃性ガスを使用せず純水を使用する構成なので、安全面の管理が容易である。さらに、純水は計量が容易であるので装置の構造も簡単である。しかも、純水は半導体工場において広く使用されているので入手が容易であると共に環境に優しい。また、可燃性ガスを用意する場合に比べ、警報機等が不要となるので装置が大型化しない。さらに、純水の取り扱いはガスボンベ等の取り扱いに比べ容易であるから作業が省力化される。
なお、本実施例では、被処理体はシリコンウエハAであったが、被処理体はこれに限られない。したがって、例えば、被処理体はシリコンカーバイド等の化合物半導体であっても良い。また、その他にも被処理体は液晶基板や有機EL用の基板であっても良い。
また、本実施例の酸化膜形成装置100では、耐圧容器13は軸方向が鉛直方向となるような、いわゆる「縦型」の耐圧容器であったが、耐圧容器の構成はこれに限られず、軸方向が水平方向とされた、いわゆる「横型」の耐圧容器であってもよい。
さらに、本実施例の昇圧用ガス及びキャリアガスは、共に窒素ガスであったが、昇圧用ガス及びキャリアガスはこれに限られず、難燃性で管理が容易であり、かつ、酸化膜の生成に影響を及ぼさなければ、他の種類のガスであってもよい。
さらに、本実施例の昇圧用ガス及びキャリアガスは、共に窒素ガスであったが、昇圧用ガス及びキャリアガスはこれに限られず、難燃性で管理が容易であり、かつ、酸化膜の生成に影響を及ぼさなければ、他の種類のガスであってもよい。
100 酸化膜形成装置
13 耐圧容器
15a、15b ヒータ
16 コンプレッサ
21 気化器
22 タンク
23 昇圧用ガス供給部
25 キャリアガス供給部
26 純水供給部
A シリコンウエハ
13 耐圧容器
15a、15b ヒータ
16 コンプレッサ
21 気化器
22 タンク
23 昇圧用ガス供給部
25 キャリアガス供給部
26 純水供給部
A シリコンウエハ
Claims (2)
- 被処理体を収容する耐圧容器と、
前記耐圧容器内を加温する加温部と、
前記耐圧容器内を加圧する加圧部と、
前記耐圧容器の外部に設けられ、水を気化して水蒸気を生成すると共に前記水蒸気を前記耐圧容器内に供給する水蒸気供給部と、
前記水蒸気供給部へ水を供給する水供給部と、
を備える酸化膜形成装置。 - 耐圧容器内に被処理体を収容し、
前記耐圧容器内を加温すると共に加圧し、
前記耐圧容器の外部で水を気化して水蒸気を生成し、
前記水蒸気を前記耐圧容器内に供給し、
前記水蒸気と前記被処理体とを反応させ、前記被処理体の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116529A JP2006295020A (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116529A JP2006295020A (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295020A true JP2006295020A (ja) | 2006-10-26 |
Family
ID=37415241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005116529A Pending JP2006295020A (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006295020A (ja) |
-
2005
- 2005-04-14 JP JP2005116529A patent/JP2006295020A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104520975B (zh) | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | |
KR101615584B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
TW202113141A (zh) | 成膜材料混合氣體形成裝置及成膜裝置 | |
US20130340678A1 (en) | Gas supply apparatus and film forming apparatus | |
TW201724263A (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體 | |
JP5292667B2 (ja) | 蒸発ガスの発生装置及びそれを用いた燃料電池 | |
TWI722238B (zh) | 用於高深寬比共形自由基氧化的蒸汽氧化反應 | |
TW200830410A (en) | Oxidation method and apparatus for semiconductor process | |
JP4443879B2 (ja) | 高精度高圧アニール装置 | |
RU2352685C2 (ru) | Простая система химического осаждения из паров и способы нанесения многометаллических алюминидных покрытий | |
US6737361B2 (en) | Method for H2 Recycling in semiconductor processing system | |
CN102569030A (zh) | 薄膜形成方法及薄膜形成装置 | |
JP2016521318A (ja) | 液状前駆体供給装置 | |
JP6151943B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2006295020A (ja) | 酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 | |
WO2022004520A1 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2016084507A (ja) | 原料ガス供給装置及び成膜装置 | |
CN110419095A (zh) | 基板处理装置、加热单元以及半导体装置的制造方法 | |
JP2005256107A (ja) | 有機金属化学気相堆積装置用原料気化器 | |
JP5656683B2 (ja) | 成膜方法および記憶媒体 | |
JPH06316765A (ja) | 液体原料用気化器 | |
JP2013089911A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH0574758A (ja) | 化学気相成長装置 | |
KR101375616B1 (ko) | 고온화학기상증착용 버블링 장치 | |
JP2011060812A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060727 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080208 |