JP2006262388A - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 85
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 73
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】 回路素子数を減らし、ノイズが少ない画素信号を生成することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 光電変換により電荷を生成して蓄積するための複数の光電変換部（ＰＤ１，ＰＤ２）と、少なくとも２つの光電変換部に共通して設けられた、電荷を増幅するための一の増幅部と、第１及び第２の光電変換部に蓄積された電荷を増幅部に転送するための第１及び第２の転送部（Ｔｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２）と、第１及び第２の固定電位障壁を介して第１及び第２の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第１及び第２の電荷蓄積部（Ｃｓ１，Ｃｓ２）と、第１及び第２の電荷蓄積部に蓄積された電荷を増幅部に転送するための第３及び第４の転送部（Ｃｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２）とを有する固体撮像装置が提供される。
【選択図】 図１
【解決手段】 光電変換により電荷を生成して蓄積するための複数の光電変換部（ＰＤ１，ＰＤ２）と、少なくとも２つの光電変換部に共通して設けられた、電荷を増幅するための一の増幅部と、第１及び第２の光電変換部に蓄積された電荷を増幅部に転送するための第１及び第２の転送部（Ｔｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２）と、第１及び第２の固定電位障壁を介して第１及び第２の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第１及び第２の電荷蓄積部（Ｃｓ１，Ｃｓ２）と、第１及び第２の電荷蓄積部に蓄積された電荷を増幅部に転送するための第３及び第４の転送部（Ｃｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２）とを有する固体撮像装置が提供される。
【選択図】 図１
Description
本発明は、固体撮像装置及びカメラに関する。
図７は下記の非特許文献１の固体撮像装置の回路図、図８はその動作を示すタイミングチャートである。以下、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタを単にトランジスタという。
まず、図９（Ａ）に示すように、タイミングｔ２では、トランジスタＭ３がオンし、フローティングディフュージョン（浮遊拡散部）ＦＤ及び付加容量ＣＳにはリセット後のノイズＮ２が蓄積され、そのノイズＮ２が読み出される。
次に、図９（Ｂ）に示すように、タイミングｔ３では、フォトダイオードＰＤに光が照射され、フォトダイオードＰＤに電荷が蓄積される。フォトダイオードＰＤの蓄積電荷が一杯になった後は、フォトダイオードＰＤからあふれ出た電荷がフローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量ＣＳに流入する。
次に、電荷蓄積終了後、図９（Ｃ）に示すように、タイミングｔ４では、トランジスタＭ３がオフになり、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量ＣＳに電荷が所定の比率で分配される。付加容量ＣＳには、画素信号Ｓ２及びノイズＮ２’が蓄積される。フォトダイオードＰＤには、画素信号Ｓ１が蓄積される。
次に、図９（Ｄ）に示すように、タイミングｔ５では、フローティングディフュージョンＦＤをリセットする。フローティングディフュージョンＦＤには、ノイズＮ１のみが残る。その後、フローティングディフュージョンＦＤからノイズＮ１が読み出される。
次に、図９（Ｅ）では、トランジスタＭ１をオンし、フォトダイオードＰＤの画素信号Ｓ１の電荷をフローティングディフュージョンＦＤに転送する。フローティングディフュージョンＦＤには、ノイズＮ１及び画素信号Ｓ１が蓄積される。
次に、図９（Ｆ）では、トランジスタＭ３をオンする。フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量ＣＳには、画素信号Ｓ１，Ｓ２及びノイズＮ１及びＮ２’の電荷が蓄積され、この電荷が読み出される。
また、下記の特許文献１及び２には、ダイナミックレンジを拡大するための固体撮像装置が記載されている。
Shigetoshi Sugawa, 外５名, "A 100dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor", ISSCC 2005/SESSION 19/IMAGERS/19.4, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 2005 IEEE International Solid-State Circuit Conference, February 8, 2005, P.352-353,603.
特開２００１−１８６４１４号公報
特開２００４−３３５８０２号公報
図７の回路は、１画素の回路であり、トランジスタＭ２，Ｍ４及びＭ５を複数画素に対して共通で使用し、トランジスタ数を減らすことが困難である。図７の回路では、フォトダイオードＰＤからあふれ出た電荷は、フローティングディフュージョンＦＤを介して付加容量ＣＳに流入される。そのため、トランジスタＭ２，Ｍ４及びＭ５を共用しようとすると、複数の画素のフローティングディフュージョンＦＤが相互に接続され、複数画素の画素信号が混ざってしまい、各画素の信号を読み出すことができなくなってしまう。そのため、トランジスタＭ２，Ｍ４及びＭ５を共用し、トランジスタ数を減らすことができない。
また、フォトダイオードＰＤからあふれ出た電荷は、フローティングディフュージョンＦＤを介して付加容量ＣＳに流入されるので、フローティングディフュージョンＦＤの欠陥（傷）の影響でノイズが発生しやすい。フローティングディフュージョンＦＤは、フォトダイオードＰＤに比べて欠陥が多数存在する。そのため、フローティングディフュージョンＦＤでは蓄積した電荷がその欠陥により消滅し、多大な固定パターンノイズが発生する。
本発明の目的は、回路素子数を減らし、ノイズが少ない画素信号を生成することができる固体撮像装置及びカメラを提供することである。
本発明の固体撮像装置は、光電変換により電荷を生成して蓄積するための複数の光電変換部と、少なくとも２つの光電変換部に共通して設けられた、電荷を増幅するための一の増幅部と、第１の光電変換部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第１の転送部と、第１の固定電位障壁を介して前記第１の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第１の電荷蓄積部と、前記第１の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第２の転送部と、第２の光電変換部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第３の転送部と、第２の固定電位障壁を介して前記第２の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第２の電荷蓄積部と、前記第２の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第４の転送部とを有することを特徴とする。
第１の光電変換部及び第１の電荷蓄積部が１画素を構成し、第２の光電変換部及び第２の電荷蓄積部が他の１画素を構成する。増幅部は、それらの２画素に対して共用することができるので、使用する素子数を減らし、コストを低減することができる。また、第１及び第２の光電変換部からあふれ出る電荷は、それぞれ第１及び第２の固定電位障壁を介して第１及び第２の電荷蓄積部に流入するので、フローティングディフュージョンの欠陥の影響を受けず、画素信号のノイズを低減することができる。
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態による固体撮像装置の全体構成例を示すレイアウト図であり、図２は図１の固体撮像装置の等価回路図である。以下、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタを単にトランジスタという。
図１は本発明の第１の実施形態による固体撮像装置の全体構成例を示すレイアウト図であり、図２は図１の固体撮像装置の等価回路図である。以下、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタを単にトランジスタという。
図１において、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２等を示すハッチは、半導体不純物拡散領域（アクティブ領域）ＡＣＴを示す。付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２等を示すハッチは、ポリシリコンＰＯＬを示す。配線４０１等を示すハッチは、アルミニウム配線ＡＬを示す。配線４０１と不純物拡散領域ＡＣＴ等を接続する部分のハッチはコンタクト部ＣＮＴを示す。
図２の構成を説明する。まず、第１の画素構造を説明する。フォトダイオード（第１の光電変換部）ＰＤ１は、光電変換により電荷を生成して蓄積する。転送トランジスタ（第１の転送部）Ｔｘ−ＭＯＳ１は、フォトダイオードＰＤ１に蓄積された電荷をソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳに転送するための転送ゲートである。付加容量（第１の電荷蓄積部）Ｃｓ１は、第１の固定電位障壁１０１を介してフォトダイオードＰＤ１からあふれ出る電荷を蓄積するための電荷蓄積部である。転送トランジスタ（第２の転送部）Ｃｓ−ＭＯＳ１は、付加容量Ｃｓ１に蓄積された電荷をソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳに転送するための転送ゲートである。トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１は、ゲートが電位φｔｘ１に接続され、ソースがフォトダイオードＰＤ１のカソードに接続され、ドレインがトランジスタＳＦ−ＭＯＳのゲートに接続される。トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１のドレインは、浮遊拡散部（フローティングディフュージョン）ＦＤに相当し、電荷を蓄積可能である。フォトダイオードＰＤ１のアノードはグランドＧＮＤに接続される。トランジスタＣｓ−ＭＯＳ１は、ゲートが電位φｃｓ１に接続され、ソースが付加容量Ｃｓ１の一端の電極に接続され、ドレインがトランジスタＳＦ−ＭＯＳのゲートに接続される。付加容量Ｃｓ１の他端の電極は、グランドＧＮＤに接続される。
次に、第２の画素構造を説明する。フォトダイオード（第２の光電変換部）ＰＤ２は、光電変換により電荷を生成して蓄積する。転送トランジスタ（第３の転送部）Ｔｘ−ＭＯＳ２は、フォトダイオードＰＤ２に蓄積された電荷をソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳに転送するための転送ゲートである。付加容量（第２の電荷蓄積部）Ｃｓ２は、第２の固定電位障壁１０２を介してフォトダイオードＰＤ２からあふれ出る電荷を蓄積するための電荷蓄積部である。転送トランジスタ（第４の転送部）Ｃｓ−ＭＯＳ２は、付加容量Ｃｓ２に蓄積された電荷をソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳに転送するための転送ゲートである。トランジスタＴｘ−ＭＯＳ２は、ゲートが電位φｔｘ２に接続され、ソースがフォトダイオードＰＤ２のカソードに接続され、ドレインがトランジスタＳＦ−ＭＯＳのゲートに接続される。トランジスタＴｘ−ＭＯＳ２のドレインは、フローティングディフュージョンＦＤに相当し、電荷を蓄積可能である。フォトダイオードＰＤ２のアノードはグランドＧＮＤに接続される。トランジスタＣｓ−ＭＯＳ２は、ゲートが電位φｃｓ２に接続され、ソースが付加容量Ｃｓ２の一端の電極に接続され、ドレインがトランジスタＳＦ−ＭＯＳのゲートに接続される。付加容量Ｃｓ２の他端の電極は、グランドＧＮＤに接続される。
トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１及びＴｘ−ＭＯＳ２のフローティングディフュージョンＦＤは、相互に接続され、フローティングディフュージョンＦＤを共有する。ソースフォロアトランジスタ（増幅部）ＳＦ−ＭＯＳは、ドレインが電源電位ＶＤＤに接続され、ソースがトランジスタＳＥＬ−ＭＯＳのドレインに接続され、ゲートに供給される電荷を増幅して出力する。選択トランジスタＳＥＬ−ＭＯＳは、ゲートが電位φｓｅｌに接続され、ソースが信号配線４０１に接続される。リセットトランジスタ（リセット部）ＲＥＳ−ＭＯＳは、ゲートが電位φｒｅｓに接続され、ソースがフローティングディフュージョンＦＤに接続され、ドレインが電源電位ＶＤＤに接続される。電流源４０２は、信号配線４０１及びグランドＧＮＤ間に接続される。
固体撮像装置は、複数の画素が２次元配列される。図２では、第１の画素及び第２の画素の２画素のみを例に示す。付加容量Ｃｓ１及びＣｓ２は、それぞれフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に隣接する。第１の画素（フォトダイオードＰＤ１及び付加容量Ｃｓ１）は、例えば奇数ラインの画素を示す。第２の画素（フォトダイオードＰＤ２及び付加容量Ｃｓ２）は、例えば偶数ラインの画素を示す。すなわち、ライン毎に第１の画素及び第２の画素が順番に並ぶ。トランジスタＳＦ−ＭＯＳ，ＳＥＬ−ＭＯＳ及びＲＥＳ−ＭＯＳは、２画素に対して共通で使用されるので、使用する素子数を減らし、コストを低減することができる。本実施形態は、２画素を１単位として、多数の画素が２次元配列される。
図３は、図１中のＯ−Ａ、Ｏ−Ｂ、Ｏ−Ｃ線に沿った断面の電荷蓄積期間（図４のタイミングＴ２〜Ｔ３）中のポテンシャル図である。
Ｏ−Ａ線で示すポテンシャルバリア（電位障壁）ａは、固定電位障壁領域１０１及び１０２の固定電位障壁の高さを示す。領域１０１は、フォトダイオードＰＤ１及び付加容量Ｃｓ１の間の領域である。領域１０２は、フォトダイオードＰＤ２及び付加容量Ｃｓ２の間の領域である。領域１０１及び１０２は、周囲に対して半導体不純物濃度差が異なる領域として形成される。ポイントＯは、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の電位障壁の高さを示す。ポイントＡは、付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の電位障壁の高さを示す。
Ｏ−Ｂ線で示すポテンシャルバリアｂは、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２及びフローティングディフュージョンＦＤ間の転送ゲート下の電位障壁の高さを示す。すなわち、転送トランジスタＴｘ―ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２のチャネル領域の電位障壁の高さを示す。ポイントＢは、フローティングディフュージョンＦＤの電位障壁の高さを示す。
Ｏ−Ｃ線で示すポテンシャルバリアｃは、ある画素のフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２とそれに隣接する他の画素との間の素子分離障壁の高さを示す。この部分の電位障壁ｃを形成する領域は電位障壁ａ及びｂに比べ、高い電位障壁を必要とする。そのようにすることにより隣接画素領域への電荷のもれこみを抑制することができる。
電位障壁ｃは、電位障壁ｂ及びｃよりも高い。電位障壁ａは、電位障壁ｂよりも低い。これにより、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の蓄積電荷が一杯になった場合に、あふれ出る電荷は転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２の電位障壁ｂではなく、最も電位障壁が低い領域１０１及び１０２の電位障壁ａを介して付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に流入する。
フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２は、ｎ型領域である。電位障壁ｃの素子分離領域、電位障壁ｂの領域、電位障壁ａの領域１０１，１０２のそれぞれはｐ型領域であり、蓄積期間中の実効的なキャリア濃度はａ＜ｂ＜ｃであることが望ましい。その半導体不純物濃度を調整すること、および電位障壁ｂをコントロールするゲート電圧φｔｘ１，φｔｘ２の蓄積期間中の電位により、電位障壁ａ，ｂ，ｃの高さを制御する。
電位障壁は a＜ｂ＜ｃの関係になるようにすることにより、さらに以下のような利点が生じる。すなわちフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２があふれ、付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に電荷が流入するような強い光をさらに上回る、もしくはその強い光を長時間蓄積する場合、付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２が溢れるほど電荷が流入してくる場合が想定される。その際に、a＜ｂ＝ｃのような関係、あるいはａ＜ｃ＜ｂの場合、隣接画素に電荷が流入してしまい混色が生じ著しく画質を劣化させてしまう。そこでa＜ｂ＜ｃの関係になるように電位障壁をつくると付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２から溢れ出た電荷は、蓄積期間中に電圧ＶＤＤ付近にリセットされているフローティングディフュージョンＦＤ側に流出し速やかに過剰な電荷を捨てることができる。そのため混色が生じることはなく高画質な画像が得られる。
フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２は、蓄積できる電荷の量が決まっている。したがって、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に強い光が照射されると、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２から電荷があふれ出る。フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２からあふれ出る電荷が付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に流入する。
フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２からあふれた電荷は、それぞれ最も低い電位障壁aを通り付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に流入する。電荷蓄積期間中に転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２を介してフローティングディフュージョンＦＤに電荷が流入しないようにする必要がある。なぜならば、フローティングディフュージョンＦＤはリセット状態にあるため、転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２を介して流入した電荷はリセットにより速やかに捨てられてしまうからである。
上記の本実施形態の特徴が図７及び図８の固体撮像装置と異なる。図７及び図８の固体撮像装置では、フォトダイオードＰＤからあふれ出た電荷は、転送トランジスタＭ１を介して、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量ＣＳに蓄積される。したがって、フォトダイオードＰＤに比べて欠陥が多数存在するフローティングディフュージョンＦＤでは蓄積した電荷が欠陥により消滅し、多大な固定パターンノイズが発生する。
これに対し、本実施形態では、転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２及びフローティングディフュージョンＦＤを介さず、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２から直接付加容量Ｃｓに電荷を流入させることができる。したがって、電荷蓄積期間中にフローティングディフュージョンＦＤの欠陥に起因する電荷の消失が発生することがなく、固定パターンノイズの小さな固体撮像装置が得られる。
図４は、図２の回路の動作例を示すタイミングチャートである。メカシャッタ５３（図５）は、ハイレベルが開いていることを示し、ローレベルが閉じていることを示す。電位φｒｅｓはリセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳのゲート電位、電位φｔｘ１は転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１のゲート電位、電位φｔｘ２は転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ２のゲート電位、電位φｓｅｌは選択トランジスタＳＥＬ−ＭＯＳのゲート電位、電位φｃｓ１は転送トランジスタＣｓ−ＭＯＳ１のゲート電位、電位φｃｓ２は転送トランジスタＣｓ−ＭＯＳ２のゲート電位、電位φＣｔｎ１はトランジスタ４１３のゲート電位、電位φＣｔｓ１はトランジスタ４１１のゲート電位、電位φＣｔｓ２はトランジスタ４１２のゲート電位、電位φＣｔｎ２はトランジスタ４１４のゲート電位を示す。
タイミングＴ１より前では、メカシャッタ５３は閉じ、電位φｒｅｓ，φｔｘ１，φｔｘ２，φｃｓ１，φｃｓ２はハイレベルであり、φｓｅｌ，φｃｔｎ１，φｃｔｓ１，φｃｔｓ２，φｃｔｎ２はローレベルである。リセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳがオンし、転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２，Ｃｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２がオンする。これにより、フローティングディフュージョンＦＤ、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２及び付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に電源電位ＶＤＤが供給され、その蓄積電荷が電源電位ＶＤＤにリセットされる。
次に、タイミングＴ１では、電位φｔｘ１，φｔｘ２，φｃｓ１，φｃｓ２をローレベルにする。すると、転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１，Ｔｘ−ＭＯＳ２，Ｃｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２がオフし、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２及び付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２が電荷蓄積可能になる。
次に、タイミングＴ２では、メカシャッタ５３を開く。フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に光が照射され、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２は負電荷の生成及び蓄積を開始する。フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に強い光が照射されると、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２が飽和し、負電荷がフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２から付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に流入する。付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２は、あふれ出た電荷を蓄積する。
次に、タイミングＴ３では、メカシャッタ５３が閉じ、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２は遮光され、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の電荷生成が終了する。したがって、電荷蓄積期間は、タイミングＴ２〜Ｔ３の期間である。
次に、タイミングＴ４では、φｒｅｓをローレベルにし、電位φｓｅｌをハイレベルにする。リセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳはオフし、選択トランジスタＳＥＬ−ＭＯＳはオンし、信号配線４０１をアクティブ状態にする。ソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳは、ソースフォロアアンプを構成し、フローティングディフュージョンＦＤの電位に応じて、信号配線４０１に出力電圧を出力する。このフローティングディフュージョンＦＤには、リセット後のノイズ電荷が蓄積されている。
次に、タイミングＴ５では、電位φｃｔｎ１として正パルスを印加する。トランジスタ４１３がオンし、容量Ｃｔｎ１にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、フローティングディフュージョンＦＤのノイズ電荷に対応する。
次に、タイミングＴ６では、電位φｔｘ１をハイレベルにし、電位φｃｔｓ１として正パルスを印加する。転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ１がオンし、フォトダイオードＰＤ１の蓄積電荷がフローティングディフュージョンＦＤに転送される。ソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳは、フローティングディフュージョンＦＤの電位に応じて、信号配線４０１に出力電圧を出力する。このフローティングディフュージョンＦＤには、フォトダイオードＰＤ１の画素信号電荷が蓄積されている。その後、トランジスタ４１１がオンし、容量Ｃｔｓ１にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、フォトダイオードＰＤ１の画素信号電荷に対応する。その後、電位φｔｘ１は、ローレベルに戻される。
次に、タイミングＴ７では、電位φｃｓ１をハイレベルにし、電位φｃｔｓ２として正パルスを印加する。転送トランジスタＣｓ−ＭＯＳ１はオンし、付加容量Ｃｓ１の蓄積電荷がフローティングディフュージョンＦＤに転送される。ソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳは、フローティングディフュージョンＦＤの電位に応じて、信号配線４０１に出力電圧を出力する。このフローティングディフュージョンＦＤには、付加容量Ｃｓ１の画素信号電荷が蓄積されている。トランジスタ４１２がオンし、容量Ｃｔｓ２にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、付加容量Ｃｓ１の画素信号電荷に対応する。
次に、タイミングＴ８では、電位φｒｅｓとして正パルスを印加する。リセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳはオンし、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ１が電源電位ＶＤＤにリセットされる。フローティングディフュージョンＦＤには、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ１のリセット後のノイズが蓄積される。ソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳは、フローティングディフュージョンＦＤの電位に応じて、信号配線４０１に出力電圧を出力する。このフローティングディフュージョンＦＤには、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ１のノイズ電荷が蓄積されている。
次に、タイミングＴ９では、電位φｃｔｎ２として正パルスを印加する。トランジスタ４１４がオンし、容量Ｃｔｎ２にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ１のノイズ電荷に対応する。
以上の処理により、容量Ｃｔｓ１にはフォトダイオードＰＤ１の画素信号が蓄積され、容量Ｃｔｎ１にはフローティングディフュージョンＦＤのノイズが蓄積され、容量Ｃｔｓ２には付加容量Ｃｓ１の画素信号が蓄積され、容量Ｃｔｎ２にはフローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ１のノイズが蓄積される。
また、本実施形態では電位φＣｓ１，φＣｓ２によるトランジスタＣｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２の駆動は、タイミングＴ１で全付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２を蓄積開始するために一斉に閉じた後、水平ブランキング期間中（例えば図４のタイミングＴ１１〜Ｔ１８の期間）に電位φＣｓ１，φＣｓ２によるトランジスタＣｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２は一度だけ開けば良い。
一方、従来例となる図８ではφＳは水平ブランキング期間中に一度トランジスタＭ３により付加容量Ｃｓを閉じ、再度開く動作が必要になる。なぜならば本実施形態では付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に蓄積される電荷はフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２から直接付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に流入するのに対し、図７ではフローティングディフュージョンＦＤを経由する為に蓄積時間中はトランジスタＭ３を開いておかねばならない。したがって先にフォトダイオードＰＤの電荷を読み出す為には一度トランジスタＭ３を閉じる動作が不可欠になってしまう。
このような開閉動作が多いと水平ブランキング時間が長くなってしまい一定時間に読み出せる画像の枚数が減ってしまうという問題もある。本実施形態では前述したように電位φｃｓ１，φｃｓ２によるトランジスタＣｓ−ＭＯＳ１，Ｃｓ−ＭＯＳ２の動作は少なくて済む為水平ブランキング時間を短くすることが出来、一定時間により多くの画像を読み出すことができる。
次に、図２において、画素信号生成部の動作を説明する。差動アンプ４２１は、容量Ｃｔｓ１の画素信号電圧から容量Ｃｔｎ１のノイズ電圧を引いた電圧を出力する。差動アンプ４２２は、容量Ｃｔｓ２の画素信号電圧から容量Ｃｔｎ２のノイズ電圧を引いた電圧を出力する。アンプ４２３は、差動アンプ４２１の出力信号を増幅する。アンプ４２４は、差動アンプ４２２の出力信号を増幅する。
加算器４２５は、アンプ４２３及び４２４の出力信号を加算して画素信号を出力する。画素信号は、フォトダイオードＰＤ１の蓄積電荷及び付加容量Ｃｓ１にあふれ出た電荷を基に生成されるので、フォトダイオードＰＤの蓄積電荷のみを用いる場合に比べ、画素信号のダイナミックレンジを拡大することができる。
アンプ４２６は、ＩＳＯ感度に応じて、加算器４２５の出力信号を増幅して出力する。ＩＳＯ感度値が小さいときには増幅度が小さく、ＩＳＯ感度値が大きいときには増幅度が大きい。
図４において、タイミングＴ４〜Ｔ１０は、第１の画素（フォトダイオードＰＤ１及び付加容量Ｃｓ１）の読み出し期間である。タイミングＴ１０〜Ｔ１１は、第１の画素の信号を水平方向に転送する期間である。
次に、タイミングＴ１１〜Ｔ１８では、上記のタイミングＴ４〜Ｔ１０と同様に、第２の画素についての読み出しを行う。
タイミングＴ１２では、電位φｒｅｓとして正パルスを印加する。リセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳがオンし、フローティングディフュージョンＦＤが電源電位ＶＤＤにリセットされる。
次に、タイミングＴ１３では、電位φｃｔｎ１として正パルスを印加する。トランジスタ４１３がオンし、容量Ｃｔｎ１にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、フローティングディフュージョンＦＤのノイズ電荷に対応する。
次に、タイミングＴ１４では、電位φｔｘ２をハイレベルにし、電位φｃｔｓ１として正パルスを印加する。転送トランジスタＴｘ−ＭＯＳ２がオンし、フォトダイオードＰＤ２の蓄積電荷がフローティングディフュージョンＦＤに転送される。その後、トランジスタ４１１がオンし、容量Ｃｔｓ１にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、フォトダイオードＰＤ２の画素信号電荷に対応する。その後、電位φｔｘ２は、ローレベルに戻される。
次に、タイミングＴ１５では、電位φｃｓ２をハイレベルにし、電位φｃｔｓ２として正パルスを印加する。転送トランジスタＣｓ−ＭＯＳ２はオンし、付加容量Ｃｓ２の蓄積電荷がフローティングディフュージョンＦＤに転送される。その後、トランジスタ４１２がオンし、容量Ｃｔｓ２にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、付加容量Ｃｓ２の画素信号電荷に対応する。
次に、タイミングＴ１６では、電位φｒｅｓとして正パルスを印加する。リセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳはオンし、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ２が電源電位ＶＤＤにリセットされる。フローティングディフュージョンＦＤには、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ２のリセット後のノイズが蓄積される。
次に、タイミングＴ１７では、電位φｃｔｎ２として正パルスを印加する。トランジスタ４１４がオンし、容量Ｃｔｎ２にフローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号配線４０１の電位が蓄積される。この電位は、フローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ２のノイズ電荷に対応する。
以上の処理により、容量Ｃｔｓ１にはフォトダイオードＰＤ２の画素信号が蓄積され、容量Ｃｔｎ１にはフローティングディフュージョンＦＤのノイズが蓄積され、容量Ｃｔｓ２には付加容量Ｃｓ２の画素信号が蓄積され、容量Ｃｔｎ２にはフローティングディフュージョンＦＤ及び付加容量Ｃｓ２のノイズが蓄積される。
以下、上記と同様に、差動アンプ４２１，４２２、アンプ４２３，４２４，４２６及び加算器４２５が動作し、第２の画素の信号を生成する。すなわち、フォトダイオードＰＤ２及び付加容量Ｃｓ２に蓄積された画素信号を基に、第２の画素の信号を生成する。図４において、タイミングＴ１１〜Ｔ１８は、第２の画素（フォトダイオードＰＤ２及び付加容量Ｃｓ２）の読み出し期間である。タイミングＴ１８〜Ｔ１９は、第２の画素の信号を水平方向に転送する期間である。
また本実施形態においては、２つのフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２が一つの増幅部に接続された構成に関して説明したが、これに限られるものではなく、例えば、図１０に示すような４つのフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４で一つの増幅部を共通にする構成でもよく、共通とするフォトダイオードの数は適宜設定可能である。
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態によるスチルビデオカメラの構成例を示すブロック図である。図５に基づいて、第１の実施形態の固体撮像装置をスチルビデオカメラに適用した場合の一例について詳述する。固体撮像素子５４及び撮像信号処理回路５５は第１の実施形態の固体撮像装置に対応する。
図５は、本発明の第２の実施形態によるスチルビデオカメラの構成例を示すブロック図である。図５に基づいて、第１の実施形態の固体撮像装置をスチルビデオカメラに適用した場合の一例について詳述する。固体撮像素子５４及び撮像信号処理回路５５は第１の実施形態の固体撮像装置に対応する。
５１はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、５２は被写体の光学像を固体撮像素子５４に結像させるレンズ、５３はレンズ５２を通った光量を可変するための絞り及びメカシャッタ、５４はレンズ５２で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子、５５は固体撮像素子５４より出力される撮像信号（画像信号）をアナログ信号処理する撮像信号処理回路、５６は撮像信号処理回路５５より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換部、５７はＡ／Ｄ変換部５６より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、５８は固体撮像素子５４、撮像信号処理回路５５、Ａ／Ｄ変換部５６、信号処理部５７に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、５９は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、６０は画像データを一時的に記憶する為のメモリ部、６１は記録媒体６２に記録又は読み出しを行うためのインタフェース部、６２は画像データの記録又は読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、６３は外部コンピュータ等と通信する為のインタフェース部である。
次に、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について説明する。バリア５１がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にＡ／Ｄ変換部５６などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光量を制御する為に、全体制御・演算部５９は絞り（メカシャッタ）５３を開放にし、固体撮像素子５４から出力された信号は撮像信号処理回路５５を介してＡ／Ｄ変換部５６で変換された後、信号処理部５７に入力される。そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部５９で行う。この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部５９は絞り５３を制御する。
次に、固体撮像素子５４から出力された信号を基に、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部５９で行う。その後、レンズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断した時は、再びレンズを駆動し測距を行う。そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像素子５４から出力された画像信号は撮像信号処理回路５５を介してＡ／Ｄ変換部５６でＡ／Ｄ変換され、信号処理部５７を通り全体制御・演算部５９によりメモリ部６０に書き込まれる。その後、メモリ部６０に蓄積されたデータは、全体制御・演算部５９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部６１を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体６２に記録される。また、外部Ｉ／Ｆ部６３を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。タイミング発生部５８は、図４の電位の信号を制御する。
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態によるビデオカメラの構成例を示すブロック図である。図６に基づいて、第１の実施形態の固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合の一実施例について詳述する。
図６は、本発明の第３の実施形態によるビデオカメラの構成例を示すブロック図である。図６に基づいて、第１の実施形態の固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合の一実施例について詳述する。
１は撮影レンズで焦点調節を行うためのフォーカスレンズ１Ａ、ズーム動作を行うズームレンズ１Ｂ、結像用のレンズ１Ｃを備えている。２は絞り及びメカシャッタ、３は撮像面に結像された被写体像を光電変換して電気的な撮像信号に変換する固体撮像素子、４は固体撮像素子３より出力された撮像信号をサンプルホールドし、さらに、レベルをアンプするサンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ回路）であり、映像信号を出力する。
５はサンプルホールド回路４から出力された映像信号にガンマ補正、色分離、ブランキング処理等の所定の処理を施すプロセス回路で、輝度信号Ｙおよびクロマ信号Ｃを出力する。プロセス回路５から出力されたクロマ信号Ｃは、色信号補正回路２１で、ホワイトバランス及び色バランスの補正がなされ、色差信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙとして出力される。
また、プロセス回路５から出力された輝度信号Ｙと、色信号補正回路２１から出力された色差信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙは、エンコーダ回路（ＥＮＣ回路）２４で変調され、標準テレビジョン信号として出力される。そして、図示しないビデオレコーダ、あるいはモニタ電子ビューファインダ（ＥＶＦ）等の電子ビューファインダへと供給される。
次いで、６はアイリス制御回路で有り、サンプルホールド回路４から供給される映像信号に基づいてアイリス駆動回路７を制御し、映像信号のレベルが所定レベルの一定値となるように、絞り２の開口量を制御すべくｉｇメータ８を自動制御するものである。
１３及び１４は、サンプルホールド回路４から出力された映像信号中より合焦検出を行うために必要な高周波成分を抽出する異なった帯域制限のバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）である。第１のバンドパスフィルタ１３（ＢＰＦ１）、及び第２のバンドパスフィルタ１４（ＢＰＦ２）から出力された信号は、ゲート回路１５及びフォーカスゲート枠信号で各々でゲートされ、ピーク検出回路１６でピーク値が検出されてホールドされると共に、論理制御回路１７に入力される。この信号を焦点電圧と呼び、この焦点電圧によってフォーカスを合わせている。
また、１８はフォーカスレンズ１Ａの移動位置を検出するフォーカスエンコーダ、１９はズームレンズ１Ｂの焦点距離を検出するズームエンコーダ、２０は絞り２の開口量を検出するアイリスエンコーダである。これらのエンコーダの検出値は、システムコントロールを行う論理制御回路１７へと供給される。
論理制御回路１７は、設定された合焦検出領域内に相当する映像信号に基づいて、被写体に対する合焦検出を行い焦点調節を行う。即ち、各々のバンドパスフィルタ１３、１４より供給された高周波成分のピーク値情報を取り込み、高周波成分のピーク値が最大となる位置へとフォーカスレンズ１Ａを駆動すべくフォーカス駆動回路９にフォーカスモーター１０の回転方向、回転速度、回転／停止等の制御信号を供給し、これを制御する。
ズーム駆動回路１１は、ズームが指示されると、ズームモーター１２を回転させる。ズームモーター１２が回転すると、ズームレンズ１Ｂが移動し、ズームが行われる。
以上のように、第１〜第３の実施形態によれば、フォトダイオードＰＤ１及び付加容量Ｃｓ１が１画素を構成し、フォトダイオードＰＤ２及び付加容量Ｃｓ２が他の１画素を構成する。ソースフォロアトランジスタＳＦ−ＭＯＳ、選択トランジスタＳＥＬ−ＭＯＳ及びリセットトランジスタＲＥＳ−ＭＯＳは、それらの２画素に対して共用することができるので、使用する素子数を減らし、コストを低減することができる。
また、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２からあふれ出る電荷は、それぞれ固定電位障壁１０１，１０２を介して付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に流入するので、フローティングディフュージョンＦＤの欠陥の影響を受けず、画素信号のノイズを低減することができる。
また、上記のように、あふれ出る電荷を付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２に蓄積し、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２及び付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の蓄積電荷を基に、画素信号を生成することにより、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の蓄積電荷のみを用いる場合に比べ、画素信号のダイナミックレンジを拡大することができる。
付加容量Ｃｓ１，Ｃｓ２は、ポリシリコン等の電極及び誘電体を用いて構成してもよいし、フォトダイオード構造の表面部を遮光することにより構成してもよく、電荷蓄積可能な電荷蓄積部であればよい。ただし、電極及び誘電体により構成した方が、大きな容量を実現することができるので、好ましい。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
５１ バリア
５２ レンズ
５３ 絞り（シャッタ）
５４ 固体撮像素子
５５ 撮像信号処理回路
５６ Ａ／Ｄ変換部
５７ 信号処理部
５８ タイミング発生部
５９ 全体制御・演算部
６０ メモリ部
６１ 記録媒体制御インタフェース部
６２ 記録媒体
６３ 外部インタフェース部
１０１，１０２ 固定電位障壁
４０１ 信号配線
４０２ 電流源
４１１〜４１３ トランジスタ
４２１，４２２ 差動アンプ
４２３，４２４，４２６ アンプ
４２５ 加算器
５２ レンズ
５３ 絞り（シャッタ）
５４ 固体撮像素子
５５ 撮像信号処理回路
５６ Ａ／Ｄ変換部
５７ 信号処理部
５８ タイミング発生部
５９ 全体制御・演算部
６０ メモリ部
６１ 記録媒体制御インタフェース部
６２ 記録媒体
６３ 外部インタフェース部
１０１，１０２ 固定電位障壁
４０１ 信号配線
４０２ 電流源
４１１〜４１３ トランジスタ
４２１，４２２ 差動アンプ
４２３，４２４，４２６ アンプ
４２５ 加算器
Claims (7)
- 光電変換により電荷を生成して蓄積するための複数の光電変換部と、
少なくとも２つの光電変換部に共通して設けられた、電荷を増幅するための一の増幅部と、
第１の光電変換部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第１の転送部と、
第１の固定電位障壁を介して前記第１の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第１の電荷蓄積部と、
前記第１の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第２の転送部と、
第２の光電変換部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第３の転送部と、
第２の固定電位障壁を介して前記第２の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第２の電荷蓄積部と、
前記第２の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第４の転送部と
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅部を複数有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記第１及び第２の固定電位障壁は、周囲に対して半導体不純物濃度差が異なる領域として形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
- 前記第１の光電変換部に電荷を蓄積している期間では、前記第１の固定電位障壁は前記第１の転送部の電位障壁よりも低く、
前記第２の光電変換部に電荷を蓄積している期間では、前記第２の固定電位障壁は前記第３の転送部の電位障壁よりも低いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - さらに、前記第１〜第４の転送部に接続され、前記第１及び第２の光電変換部並びに前記第１及び第２の電荷蓄積部の蓄積電荷をリセットするための一のリセット部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
- さらに、前記第１の光電変換部及び前記第１の電荷蓄積部に蓄積された電荷が前記増幅部により増幅された電荷に応じて第１の画素信号を生成し、前記第２の光電変換部及び前記第２の電荷蓄積部に蓄積された電荷が前記増幅部により増幅された電荷に応じて第２の画素信号を生成するための画素信号生成部を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
- 請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
光学像を前記固体撮像装置に結像させるためのレンズと、
前記レンズを通る光量を可変するための絞りと
を有することを特徴とするカメラ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US11/373,195 US7321110B2 (en) | 2005-03-18 | 2006-03-13 | Solid state image pickup device and camera |
| US11/944,859 US8063958B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-11-26 | Solid state image pickup device with first and second photoelectric conversion regions and carrier accumulating units connected in parallel to each input portion of plural amplifying units |
| US13/044,616 US8441558B2 (en) | 2005-03-18 | 2011-03-10 | Solid state image pickup device and camera having arrayed pixels including amplifying units |
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Applications Claiming Priority (1)
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006262388A true JP2006262388A (ja) | 2006-09-28 |
| JP2006262388A5 JP2006262388A5 (ja) | 2008-05-01 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009017218A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Canon Inc | 撮像装置及びその処理方法 |
| JP2009017219A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Canon Inc | 撮像装置及びその処理方法 |
| JP2009016972A (ja) * | 2007-06-30 | 2009-01-22 | Nikon Corp | 固体撮像素子及び電子カメラ |
| JP2010093644A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JP2010183297A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Canon Inc | 撮像センサ及び撮像装置 |
| JP2012130049A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-07-05 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の制御方法 |
| JP2016115815A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| JP2017108176A (ja) * | 2017-03-08 | 2017-06-15 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム |
| WO2017130728A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
| JP2022033158A (ja) * | 2009-11-06 | 2022-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101105617B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2012-01-18 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 고체 촬상 장치, 라인 센서, 광 센서 및 고체 촬상 장치의동작 방법 |
| US7294818B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup device and image pickup system comprising it |
| JP5089017B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
| JP4916101B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
| JP4756839B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4971586B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2006197392A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法 |
| JP4416668B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ |
| JP4459064B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ |
| JP4459098B2 (ja) | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4459099B2 (ja) | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4794877B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4677258B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4827508B2 (ja) | 2005-12-02 | 2011-11-30 | キヤノン株式会社 | 撮像システム |
| US7700471B2 (en) * | 2005-12-13 | 2010-04-20 | Versatilis | Methods of making semiconductor-based electronic devices on a wire and articles that can be made thereby |
| JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
| KR101255334B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2013-04-16 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 저 열저항 파워 모듈 및 그 제조방법 |
| JP4804254B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-11-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
| JP4956084B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP4818018B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-11-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP5110820B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
| JP4185949B2 (ja) | 2006-08-08 | 2008-11-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
| JP4928199B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-05-09 | キヤノン株式会社 | 信号検出装置、信号検出装置の信号読み出し方法及び信号検出装置を用いた撮像システム |
| JP5043388B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5173171B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像装置及び信号読出方法 |
| JP2008205639A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置及びその動作方法 |
| JP4054839B1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-03-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
| JP5167677B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2013-03-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
| JP4110193B1 (ja) | 2007-05-02 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP2009021809A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Canon Inc | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム |
| JP4991436B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2012-08-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| EP2037667B1 (en) * | 2007-09-14 | 2017-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus and imaging system |
| JP2009141631A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像装置 |
| JP5142696B2 (ja) | 2007-12-20 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置を用いた撮像システム |
| JP5366396B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-12-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法、半導体装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム |
| JP5014114B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP4685120B2 (ja) | 2008-02-13 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP5142749B2 (ja) | 2008-02-14 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法及び撮像システム |
| JP5371463B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法 |
| JP5268389B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-08-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム |
| JP5156434B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| JP5328207B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2013-10-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5102115B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-12-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像システム |
| JP5279352B2 (ja) | 2008-06-06 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5161676B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-03-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP5089514B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像システム |
| JP4617372B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JP5264379B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の動作方法 |
| JP5029624B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| US8913166B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
| JP5478905B2 (ja) | 2009-01-30 | 2014-04-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US8149310B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-04-03 | Himax Imaging, Inc. | Readout system and method for an image sensor |
| JP5529613B2 (ja) | 2009-04-17 | 2014-06-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP2011004390A (ja) | 2009-05-18 | 2011-01-06 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法 |
| JP5235814B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5679653B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2015-03-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
| JP5538876B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| FR2957475B1 (fr) * | 2010-03-11 | 2012-04-27 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image de type cmos ayant une dynamique lineaire etendue |
| JP5780711B2 (ja) | 2010-04-06 | 2015-09-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5885401B2 (ja) | 2010-07-07 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5751766B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5643555B2 (ja) | 2010-07-07 | 2014-12-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP5645513B2 (ja) | 2010-07-07 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP5697371B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5656484B2 (ja) | 2010-07-07 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| US9013020B2 (en) * | 2011-03-10 | 2015-04-21 | Nec Corporation | Photodiode carrier and photo sensor using the same |
| JP5762199B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-08-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5901186B2 (ja) | 2011-09-05 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP5858695B2 (ja) | 2011-09-08 | 2016-02-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
| JP5806566B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-11-10 | キヤノン株式会社 | Ａ／ｄ変換器および固体撮像装置 |
| JP5801665B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-10-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、ａ／ｄ変換器およびその制御方法 |
| JP5864990B2 (ja) | 2011-10-03 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP5484422B2 (ja) | 2011-10-07 | 2014-05-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5930651B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5901212B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換システム |
| JP5967912B2 (ja) | 2011-12-02 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5967915B2 (ja) | 2011-12-09 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JP5967944B2 (ja) | 2012-01-18 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP2013172210A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JP6023437B2 (ja) | 2012-02-29 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP5956840B2 (ja) | 2012-06-20 | 2016-07-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP6108884B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP2014175553A (ja) | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Canon Inc | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP6174901B2 (ja) | 2013-05-10 | 2017-08-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP5886806B2 (ja) | 2013-09-17 | 2016-03-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6245997B2 (ja) | 2014-01-16 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP6057931B2 (ja) | 2014-02-10 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP6541347B2 (ja) | 2014-03-27 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP6548391B2 (ja) | 2014-03-31 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP6482186B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2019-03-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
| JP6385192B2 (ja) | 2014-08-14 | 2018-09-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像システムの駆動方法 |
| JP6109125B2 (ja) * | 2014-08-20 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム |
| WO2016080337A1 (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 国立大学法人東北大学 | 光センサ及びその信号読み出し方法並びに固体撮像装置及びその信号読み出し方法 |
| JP2016139660A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US10341592B2 (en) * | 2015-06-09 | 2019-07-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element, driving method, and electronic device |
| US9900539B2 (en) | 2015-09-10 | 2018-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup element, and image pickup system |
| FR3046679B1 (fr) * | 2016-01-12 | 2019-12-27 | Teledyne E2V Semiconductors Sas | Circuit de detection de rayons x pour capteur radiologique dentaire |
| JP6732468B2 (ja) | 2016-02-16 | 2020-07-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
| JP6664259B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-03-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
| JP6738200B2 (ja) | 2016-05-26 | 2020-08-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US10319765B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter |
| DE102016212784A1 (de) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Robert Bosch Gmbh | CMOS Pixel, Bildsensor und Kamera sowie Verfahren zum Auslesen eienes CMOS Pixels |
| JP6740067B2 (ja) | 2016-09-16 | 2020-08-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP6436953B2 (ja) | 2016-09-30 | 2018-12-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びに撮像システム |
| JP6750876B2 (ja) | 2016-10-07 | 2020-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP6552478B2 (ja) | 2016-12-28 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US10652531B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device, imaging system, and movable object |
| JP2019087939A (ja) | 2017-11-09 | 2019-06-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、電子機器、輸送機器および光電変換装置の駆動方法 |
| JP6704893B2 (ja) | 2017-11-30 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法 |
| US10536652B2 (en) * | 2018-01-08 | 2020-01-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with split photodiodes |
| CN110392184B (zh) * | 2018-04-16 | 2020-09-29 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 基于静态门限电压的像素单元与光电调制方法及其应用 |
| JP7214454B2 (ja) | 2018-12-06 | 2023-01-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子及び撮像装置 |
| JP7336206B2 (ja) | 2019-02-27 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP7374639B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-11-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP7303682B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP7504623B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-06-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| US20230178571A1 (en) * | 2021-12-06 | 2023-06-08 | ams Sensors USA Inc. | Pixel arrangement, pixel matrix, image sensor and method of operating a pixel arrangement |
| US11696048B1 (en) | 2022-03-31 | 2023-07-04 | ams Sensors USA Inc. | Pixel arrangement and method for operating a pixel arrangement |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115475A (ja) * | 1984-07-01 | 1986-01-23 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
| JPS62291059A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−固体撮像装置 |
| JPH11331713A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP2003134396A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Canon Inc | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、その撮像素子を用いた放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| WO2005083790A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Texas Instruments Japan Limited | 固体撮像装置、ラインセンサ、光センサおよび固体撮像装置の動作方法 |
| JP2006217410A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Tohoku Univ | 光センサおよび固体撮像装置 |
Family Cites Families (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4611140A (en) * | 1985-08-26 | 1986-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Saw-CTD parallel to serial imager |
| US5245203A (en) * | 1988-06-06 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter with plural regions |
| US5352920A (en) * | 1988-06-06 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter with light shielding sections |
| GB2262658B (en) * | 1989-02-21 | 1993-09-29 | Canon Kk | Photoelectric converter |
| US5261013A (en) * | 1989-02-21 | 1993-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
| JP2953265B2 (ja) * | 1992-09-29 | 1999-09-27 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子用信号処理装置 |
| JP3067435B2 (ja) * | 1992-12-24 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 画像読取用光電変換装置及び該装置を有する画像処理装置 |
| JPH08186241A (ja) * | 1995-01-06 | 1996-07-16 | Canon Inc | 撮像素子と固体撮像装置 |
| US5563405A (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-08 | Santa Barbara Research Center | Staring IR-FPA with on-FPA adaptive dynamic range control electronics |
| KR100230492B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-11-15 | 오우라 히로시 | 입/출력 핀 전자 회로 |
| US5736886A (en) * | 1996-02-06 | 1998-04-07 | Analog Devices, Inc. | Input clamping method and apparatus with a correlated double-sampling circuit |
| US5767698A (en) * | 1996-06-06 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | High speed differential output driver with common reference |
| US5663689A (en) * | 1996-06-26 | 1997-09-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for providing a high speed charge pump with low static error |
| KR100281266B1 (ko) * | 1997-06-20 | 2001-03-02 | 김영환 | 고속 버스 인터페이스 회로 |
| TW421962B (en) * | 1997-09-29 | 2001-02-11 | Canon Kk | Image sensing device using mos type image sensing elements |
| US6198320B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Differential charge pump and filter with common-mode voltage control |
| US5973631A (en) * | 1998-01-20 | 1999-10-26 | Raytheon Company | Test circuit and method of trimming a unary digital-to-analog converter (DAC) in a subranging analog-to-digital converter (ADC) |
| JP4006075B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | Ｃｍｏｓセンサ及び撮像システム |
| JPH11234575A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH11261046A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| JP3571909B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US6657665B1 (en) * | 1998-12-31 | 2003-12-02 | Eastman Kodak Company | Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier |
| FR2792474B1 (fr) * | 1999-04-13 | 2001-06-29 | St Microelectronics Sa | Circuit de sortie de signal numerique |
| JP3886297B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2007-02-28 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
| US7324144B1 (en) * | 1999-10-05 | 2008-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid image pickup device, image pickup system and method of driving solid image pickup device |
| US6218901B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | High speed differential output driver with increased voltage swing and predrive common mode adjustment |
| US6307195B1 (en) | 1999-10-26 | 2001-10-23 | Eastman Kodak Company | Variable collection of blooming charge to extend dynamic range |
| JP3467013B2 (ja) * | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2001195237A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | コンピュータ及びコンピュータの表示方法及びコンピュータの表示プログラムを記録した記録媒体 |
| US6804305B1 (en) * | 2000-08-09 | 2004-10-12 | International Business Machines Corporation | Wide common mode range differential receiver |
| JP3728260B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
| EP1341377B1 (en) * | 2002-02-27 | 2018-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processing device for image pickup apparatus |
| US6563352B1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-05-13 | Teradyne, Inc. | Driver circuit employing high-speed tri-state for automatic test equipment |
| JP4208559B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3840214B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法及び同光電変換装置を用いたカメラ |
| US7301571B2 (en) * | 2003-01-17 | 2007-11-27 | Fujifilm Corporation | Method and imaging apparatus for correcting defective pixel of solid-state image sensor, and method for creating pixel information |
| JP4484449B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2010-06-16 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4514188B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2010-07-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
| US7542085B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-06-02 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with a capacitive storage node linked to transfer gate |
| JP4508619B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2005197379A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および信号処理回路 |
| JP3793202B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2006-07-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3890333B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4067054B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2008-03-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| US7605415B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device comprising photoelectric conversation unit, floating diffusion region and guard ring |
| JP4455435B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ |
| US7294818B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup device and image pickup system comprising it |
| JP4971586B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4756839B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4916101B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
| JP2006073736A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
| JP5089017B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
| JP4416668B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ |
| JP4459064B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ |
| JP2006197392A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法 |
| US7847847B2 (en) * | 2005-01-27 | 2010-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure for CMOS image sensor with a plurality of capacitors |
| US7202543B2 (en) * | 2005-03-07 | 2007-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method and structure to reduce optical crosstalk in a solid state imager |
| JP4794877B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4459098B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4459099B2 (ja) | 2005-03-18 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4677258B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| US7180338B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-02-20 | Uniram Technology Inc. | High performance low power multiple-level-switching output drivers |
| JP4827508B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-11-30 | キヤノン株式会社 | 撮像システム |
| JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005080347A patent/JP4459099B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-13 US US11/373,195 patent/US7321110B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-26 US US11/944,859 patent/US8063958B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-10 US US13/044,616 patent/US8441558B2/en active Active
-
2013
- 2013-04-10 US US13/860,352 patent/US8698935B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115475A (ja) * | 1984-07-01 | 1986-01-23 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
| JPS62291059A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−固体撮像装置 |
| JPH11331713A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP2003134396A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Canon Inc | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、その撮像素子を用いた放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| WO2005083790A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Texas Instruments Japan Limited | 固体撮像装置、ラインセンサ、光センサおよび固体撮像装置の動作方法 |
| JP2006217410A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Tohoku Univ | 光センサおよび固体撮像装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| SHIGETOSHI SUGAWA, ET AL: ""A 100dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor"", ISSCC 2005/SESSION 19/IMAGERS/19.4, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, JPN6009058741, 8 February 2005 (2005-02-08), US, pages 352 - 353, ISSN: 0001527510 * |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016972A (ja) * | 2007-06-30 | 2009-01-22 | Nikon Corp | 固体撮像素子及び電子カメラ |
| JP2009017218A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Canon Inc | 撮像装置及びその処理方法 |
| JP2009017219A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Canon Inc | 撮像装置及びその処理方法 |
| US8830366B2 (en) | 2008-10-09 | 2014-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| JP2010093644A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JP2010183297A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Canon Inc | 撮像センサ及び撮像装置 |
| JP2022033158A (ja) * | 2009-11-06 | 2022-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
| JP7349485B2 (ja) | 2009-11-06 | 2023-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ |
| JP2012130049A (ja) * | 2012-02-08 | 2012-07-05 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の制御方法 |
| JP2016115815A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| WO2017130728A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
| US10872919B2 (en) | 2016-01-29 | 2020-12-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
| US11322534B2 (en) | 2016-01-29 | 2022-05-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
| JP2017108176A (ja) * | 2017-03-08 | 2017-06-15 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060208161A1 (en) | 2006-09-21 |
| US8063958B2 (en) | 2011-11-22 |
| US8698935B2 (en) | 2014-04-15 |
| JP4459099B2 (ja) | 2010-04-28 |
| US8441558B2 (en) | 2013-05-14 |
| US20080068480A1 (en) | 2008-03-20 |
| US7321110B2 (en) | 2008-01-22 |
| US20110157441A1 (en) | 2011-06-30 |
| US20130222659A1 (en) | 2013-08-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |