JP2006262388A - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換により電荷を生成して蓄積するための複数の光電変換部(PD1,PD2)と、少なくとも2つの光電変換部に共通して設けられた、電荷を増幅するための一の増幅部と、第1及び第2の光電変換部に蓄積された電荷を増幅部に転送するための第1及び第2の転送部(Tx−MOS1,Tx−MOS2)と、第1及び第2の固定電位障壁を介して第1及び第2の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第1及び第2の電荷蓄積部(Cs1,Cs2)と、第1及び第2の電荷蓄積部に蓄積された電荷を増幅部に転送するための第3及び第4の転送部(Cs−MOS1,Cs−MOS2)とを有する固体撮像装置が提供される。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態による固体撮像装置の全体構成例を示すレイアウト図であり、図2は図1の固体撮像装置の等価回路図である。以下、nチャネルMOS電界効果トランジスタを単にトランジスタという。
図5は、本発明の第2の実施形態によるスチルビデオカメラの構成例を示すブロック図である。図5に基づいて、第1の実施形態の固体撮像装置をスチルビデオカメラに適用した場合の一例について詳述する。固体撮像素子54及び撮像信号処理回路55は第1の実施形態の固体撮像装置に対応する。
図6は、本発明の第3の実施形態によるビデオカメラの構成例を示すブロック図である。図6に基づいて、第1の実施形態の固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合の一実施例について詳述する。
52 レンズ
53 絞り(シャッタ)
54 固体撮像素子
55 撮像信号処理回路
56 A/D変換部
57 信号処理部
58 タイミング発生部
59 全体制御・演算部
60 メモリ部
61 記録媒体制御インタフェース部
62 記録媒体
63 外部インタフェース部
101,102 固定電位障壁
401 信号配線
402 電流源
411〜413 トランジスタ
421,422 差動アンプ
423,424,426 アンプ
425 加算器
Claims (7)
- 光電変換により電荷を生成して蓄積するための複数の光電変換部と、
少なくとも2つの光電変換部に共通して設けられた、電荷を増幅するための一の増幅部と、
第1の光電変換部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第1の転送部と、
第1の固定電位障壁を介して前記第1の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第1の電荷蓄積部と、
前記第1の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第2の転送部と、
第2の光電変換部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第3の転送部と、
第2の固定電位障壁を介して前記第2の光電変換部からあふれ出る電荷を蓄積するための第2の電荷蓄積部と、
前記第2の電荷蓄積部に蓄積された電荷を前記増幅部に転送するための第4の転送部と
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅部を複数有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記第1及び第2の固定電位障壁は、周囲に対して半導体不純物濃度差が異なる領域として形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
- 前記第1の光電変換部に電荷を蓄積している期間では、前記第1の固定電位障壁は前記第1の転送部の電位障壁よりも低く、
前記第2の光電変換部に電荷を蓄積している期間では、前記第2の固定電位障壁は前記第3の転送部の電位障壁よりも低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - さらに、前記第1〜第4の転送部に接続され、前記第1及び第2の光電変換部並びに前記第1及び第2の電荷蓄積部の蓄積電荷をリセットするための一のリセット部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- さらに、前記第1の光電変換部及び前記第1の電荷蓄積部に蓄積された電荷が前記増幅部により増幅された電荷に応じて第1の画素信号を生成し、前記第2の光電変換部及び前記第2の電荷蓄積部に蓄積された電荷が前記増幅部により増幅された電荷に応じて第2の画素信号を生成するための画素信号生成部を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
光学像を前記固体撮像装置に結像させるためのレンズと、
前記レンズを通る光量を可変するための絞りと
を有することを特徴とするカメラ。
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