JP2006261370A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板1の一つの主面1bに対して交差する半導体基板の側面1aに膜2を設ける成膜工程と、
前記成膜工程の後で半導体基板1を薄く削る削工程
とを具備する。
【選択図】 図1
Description
半導体基板と、
前記半導体基板の一つの主面に対して交差する半導体基板の側面に設けられた膜
とを具備することを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体基板の主面に設けられた膜と、
前記膜が設けられた半導体基板の主面に対して交差する半導体基板の側面に設けられた膜
とを具備することを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体基板の主面に設けられた膜と、
前記膜が設けられた半導体基板の主面に対して交差する半導体基板の側面に設けられた膜
とを具備し、
前記半導体基板の側面に設けられた膜と前記半導体基板の主面に設けられた膜とは繋がっていることを特徴とする半導体装置によって解決される。
半導体基板を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板の一つの主面に対して交差する半導体基板の側面に膜を設ける成膜工程と、
前記成膜工程の後で半導体基板を薄く削る削工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
前記半導体基板の主面、及び該主面に対して交差する半導体基板の側面に膜を設ける成膜工程と、
前記成膜工程の後で半導体基板を薄く削る削工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
研削後のウェハ厚さ 側面1aに保護膜2有 側面1aに保護膜2無
30μm 100% 80%
20μm 100% 70%
10μm 90% 50%
尚、上記実施の形態では、膜としてポリイミド膜の場合で説明したが、その他の有機樹脂(ポリマー)であっても差し支え無い。又、膜の形成のし易さから考えると、有機樹脂製の膜であるが、有機−無機複合膜や無機膜を用いることも出来る。
1a ウェハ側面
1b ウェハ主面(表面)
1c ウェハ裏面
2 保護膜
代 理 人 宇 高 克 己
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一つの主面に対して交差する半導体基板の側面に設けられた膜
とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に設けられた膜と、
前記膜が設けられた半導体基板の主面に対して交差する半導体基板の側面に設けられた膜
とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 膜が設けられる半導体基板の側面は、該側面と半導体基板の主面とによって形成される内角が鈍角であるよう構成されたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2の半導体装置。
- 半導体基板の側面に設けられた膜は保護膜であることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの半導体装置。
- 半導体基板の側面に設けられた膜は有機膜、無機膜、及び有機−無機複合膜の群の中から選ばれる何れかであることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの半導体装置。
- 半導体基板の側面に設けられた膜と半導体基板の主面に設けられた膜とが繋がっていることを特徴とする請求項2〜請求項5いずれかの半導体装置。
- 半導体基板を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板の一つの主面に対して交差する半導体基板の側面に膜を設ける成膜工程と、
前記成膜工程の後で半導体基板を薄く削る削工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板の主面、及び該主面に対して交差する半導体基板の側面に膜を設ける成膜工程と、
前記成膜工程の後で半導体基板を薄く削る削工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 成膜工程は、削工程で半導体基板が削られる箇所には膜が設けられないように該膜が設けられるものであることを特徴とする請求項7又は請求項8の半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜請求項6いずれかの半導体装置を製造することを特徴とする請求項7〜請求項9いずれかの半導体装置の製造方法。
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