JP6598702B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
12 ウェーハの表面
13 第1改質層(改質層)
14 第2改質層(改質層)
A1 デバイス領域
A2 外周余剰領域
D デバイス
L 分割予定ライン
W ウェーハ
Claims (1)
- 表面に複数のデバイス及び複数の分割予定ラインが形成されたデバイス領域及び該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域を有するウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの内部に位置付けて第1の出力でウェーハの裏面から該分割予定ラインに沿って照射して、ウェーハの内部に改質層を形成する第1改質層形成ステップと、
該第1改質層形成ステップ実施後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの内部に位置付けて第1の出力よりも高出力の第2の出力でウェーハの裏面からウェーハの外周余剰領域の該分割予定ラインに沿って照射して、ウェーハの該外周余剰領域内部に改質層をさらに形成する第2改質層形成ステップと、
該第2改質層形成ステップを実施後、該分割予定ラインに沿って外力を付与し該改質層を起点としてウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、
を備えたウェーハの加工方法。
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