JP2006260954A - 配線及びそのパターニング方法並びにディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁膜34に密着層35をパターニングし、フォトリソグラフィー法によりレジスト52をパターニングし、インクジェットヘッドからレジスト52の開口にむけて金属ナノインクを吐出する。その後、除去液によってレジスト52を除去する。次に、配線である金属隔壁Wを焼成により完全に固化させる。そして、トリアジンチオール水溶液によって金属隔壁Wの表面に撥液性導通膜36を形成する。その後、絶縁膜34をパターニングし、サブピクセル電極20aを露出させる。次に、インクジェット法により正孔輸送層20d、発光層20eを順次積層する。その後、対向電極20cを成膜する。
【選択図】図8
Description
特許文献2に記載された方法では、基板が軟らかければ、加工された金型を転写することによって基板面に溝を形成することができるが、柔軟性がないために変形させにくい基板では溝を形成することができない。
前記金属ナノインクとして銀ナノインクを用いることが好ましい。
前記金属ナノインクの塗布後に乾燥してから前記レジストを除去することが好ましい。
前記レジストの前記開口部には前記基板に設けられた密着層が露出され、前記金属ナノインクを前記密着層上に塗布することが好ましい。
前記密着層の線膨張係数は、前記配線の線膨張係数と前記密着層の直下の部材の線膨張係数との間であることが好ましい。
上記ディスプレイパネルの製造方法において、ピクセルを仕切る隔壁として前記配線を用いることが好ましく、またこの隔壁の間に形成された電極に向けて有機化合物含有液を塗布することが好ましい。
図1は、配線のパターニング方法の工程順序を示した図面である。
第2実施形態におけるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルについて説明する。以下の説明において、エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence)という用語をELと略称する。
これらのことを考慮して、32インチのディスプレイパネルでは、全点灯状態で10000時間に金属隔壁Wが故障しないようなAl系の金属隔壁Wのそれぞれの断面積Sは、図10から、57μm2以上必要になり、同様にCuの金属隔壁Wのそれぞれの断面積Sは、図11から、0.43μm2以上必要になる。
同様に、金属隔壁WがCuの32インチのパネルでは、膜厚Hが1.31μm〜6μm、幅WLが7.45μm〜34μm、抵抗率が2.1μΩcm〜9.6μΩcmとなり、金属隔壁WがCuの40インチのパネルでは、金属隔壁WがCu系の場合、膜厚Hが1.99μm〜6μm、幅WLが14.6μm〜44.0μm、抵抗率が2.1μΩcm〜9.6μΩcmとなる。
したがって、金属隔壁WとしてAl系材料又はCuを適用した場合、ディスプレイパネルの金属隔壁Wは、膜厚Hが1.31μm〜6μm、幅WLが7.45μm〜44μm、抵抗率が2.1μΩcm〜9.6μΩcmとなる。
次に、図14を用いて第3実施形態におけるELディスプレイパネルについて説明する。なお、第3実施形態におけるELディスプレイパネルと第2実施形態におけるELディスプレイパネルとの間で互いに対応する部分に同一の符号を付す。以下では、第3実施形態におけるELディスプレイパネルと第2実施形態におけるELディスプレイパネルとの間で互いに対応する部分が異なる場合に、その相違する部分について説明する。
配線をパターニングする基板には、表面に窒化シリコン(SiN)が成膜された基板を用いた。また、金属ナノインクとして、真空冶金株式会社製のAgナノメタルインク(型式Agl TeH)を用いた。また、レジストとして、ナガセケムテックス株式会社製のノボラック系のポジ型レジスト(型式NPR3510PG)を用いた。
その後、フォトリソグラフィー法により、クロム膜を露出させるようにポジ型レジストをパターニングした。ここで、ポジ型レジストの膜厚を1.5μmとし、その開口幅を30μmとし、開口ピッチを169μmとした。
次に、インクジェット法によりレジストの開口部に金属ナノインクを吐出した。このとき、インクジェット装置の基板ステージを加熱し、基板の表面温度を50℃に加熱した状態で金属ナノインクの吐出を行った。また、金属ナノインクの液滴量は30plとし、着弾ピッチ85μmとし、二回重ね塗りを行った。
次に、塗布した金属ナノインクが乾くまで基板を基板ステージ上にて放置した。インクが乾いたら、基板を取り出し、除去液である水酸化カリウム水溶液にその基板を浸漬し、レジストを除去した。水酸化カリウムの濃度は5〜10wt%が好適である。このとき、塗布された金属ナノインクは基板上で仮乾燥しているため、水酸化カリウム水溶液に基板を浸漬してもその金属ナノインクが剥離することはなかった。
レジストの除去後、大気中において金属ナノインクに対して焼成を行った。焼成条件温度を180〜220℃とし、焼成時間を30〜60分とした。
出来上がった配線の幅は30μmであり、その膜厚は1.5μmであった。
50 トランジスタアレイパネル
52 レジスト
133a 上層(レジスト)
W 金属隔壁(配線)
550 トランジスタアレイパネル
551 薄膜
552 レジスト
553 金属ナノインク
554 配線
Claims (11)
- 基板上に設けられたレジストの開口部に金属ナノインク又は金属微粒子を塗布することによって配線をパターニングすることを特徴とする配線のパターニング方法。
- 前記金属ナノインクとして銀ナノインクを用いることを特徴とする請求項1に記載の配線のパターニング方法。
- 前記金属ナノインクの塗布後に乾燥してから前記レジストを除去することを特徴とする請求項1又は2に記載の配線のパターニング方法。
- 前記レジストの前記開口部には前記基板に設けられた密着層が露出され、前記金属ナノインクを前記密着層上に塗布することを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の配線のパターニング方法。
- 基板上に設けられた密着層上に金属ナノインク又は金属微粒子を塗布することによって配線をパターニングすることを特徴とする配線のパターニング方法。
- 前記密着層の線膨張係数は、前記配線の線膨張係数と前記密着層の直下の部材の線膨張係数との間であることを特徴とする請求項5記載の配線のパターニング方法。
- 請求項1から6の何れか一項に記載の配線のパターニング方法を用いてディスプレイパネルの表示領域内に配線を形成することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
- ピクセルを仕切る隔壁として前記配線を用いることを特徴とする請求項7に記載のディスプレイパネルの製造方法。
- 前記隔壁の間に形成された電極に向けて有機化合物含有液を塗布することを特徴とする請求項8に記載のディスプレイパネルの製造方法。
- 請求項1から4の何れか一項に記載の配線のパターニング方法によってパターニングされたことを特徴とする配線。
- 請求項7から9の何れか一項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするディスプレイパネル。
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