JP2005166485A - 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 インクジェット法等の液滴吐出法を用いて発光層等の機能層を形成するに際して画素内での濡れ不良の発生を抑制する。
【解決手段】 有機材料からなる発光層１１０ｂを含む機能層１１０を基板２上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、上記基板２上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより上記発光層１１０ｂを形成する工程を備え、上記有機材料を塗布する際に、相対的に低い分子量を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、上記第１塗布工程の後に相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器に関するものである。

電界発光を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ耐衝撃性に優れるなどの優れた特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。有機エレクトロルミネッセンス素子において発光層を形成する際には、低分子系の有機材料を蒸着法で成膜する方法と、高分子系の有機材料を液状にして塗布する方法が知られている。より具体的には、低分子系材料の場合、所定の画素上に発光材料をマスク越しに蒸着して発光層を形成する方法が知られている。また、高分子系材料の場合、材料の無駄がなく、微細かつ容易にパターニングできることから、インクジェット法を用いて発光材料を塗布して発光層を形成する方法が採用されている。

ところが、インクジェット法を用いて発光材料を含むインクを塗布する場合、上記の利点がある反面、塗布したインクが画素内に均一に濡れ広がらないという問題を抱えている。そこで、この問題を解決する方法が、下記の特許文献１または２に提案されている。
特開２００２−２５０８１１号公報 特開２００１−２９１５８３号公報

インクジェット法を用いて発光材料を含むインクを塗布する場合、基板表面が乾いた状態であるとインクの濡れ性が悪いという根本的な問題があった。例えば画素内で局所的に多量のインクを吐出すると、後から吐出した液滴が最初に吐出した部分に吸い寄せられてしまい、インクが濡れない箇所が発生する（以下、濡れ不良と呼ぶ）。その結果、画素内に発光しない箇所が生じたり、場合によっては陰極と陽極が短絡するといった不具合が発生することになる。

上記の特許文献１では、インクジェットヘッドの走査を一部重ねて複数回繰り返して行うことにより、各画素内のインク濃度を均一化する方法が開示されている。また、上記の特許文献２では、描画、成膜後に再度描画を行い、膜を均一化する方法が開示されている。しかしながら、いずれの特許文献にも上記の濡れ不良を根本的に対策する手法が開示されておらず、特にインクジェットの描画精度が低い場合、画素内で着弾位置がずれて液滴が濡れ広がらない箇所が発生するという問題は依然として残る。

本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、インクジェット法等の液滴吐出法を用いて発光層等の機能層を形成するに際して画素内での濡れ不良の発生を抑制し、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、有機材料からなる発光層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、上記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより上記発光層を形成する工程を備え、上記有機材料を塗布する際に、相対的に低い分子量を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、上記第１塗布工程の後に相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする。

このような特徴を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、発光層の形成工程において、まず第１塗布工程によって相対的に低い分子量を持つ有機材料が塗布され、その後、第２塗布工程によって相対的に高い分子量を持つ有機材料が塗布される。
相対的に低い分子量を持つ液状の有機材料は、相対的に高い分子量を持つ液状の有機材料と比較してその粘度が低い。したがって、相対的に低い分子量を持つ有機材料をまず塗布することによって、画素内における濡れ不良の発生を抑止することができる。そして、さらに優れた発光特性を発揮する相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布し、乾燥させることによって、濡れ不良の発生が抑止されかつ優れた発光特性を有する発光層を形成することが可能となる。

次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、発光層及び有機材料からなる正孔輸送層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、上記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより上記正孔輸送層を形成する工程を備え、上記有機材料を塗布する際に、相対的に低い分子量を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、上記第１塗布工程の後に相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする。

このような特徴を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、正孔輸送層の形成工程において、まず第１塗布工程によって相対的に低い分子量を持つ有機材料が塗布され、その後、第２塗布工程によって相対的に高い分子量を持つ有機材料が塗布される。したがって、濡れ不良の発生が抑止されかつ優れた正孔輸送能力を有する正孔輸送層を形成することが可能となる。

次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、有機材料からなる発光層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、上記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより上記発光層を形成する工程を備え、上記有機材料を塗布する際に、相対的に小さい表面張力を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、上記第１塗布工程の後に相対的に大きい表面張力を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする。

このような特徴を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、発光層の形成工程において、第１の塗布工程によって相対的に小さい表面張力を持つ有機材料が塗布され、その後、相対的に大きい表面張力を持つ有機材料が塗布される。
相対的に小さい表面張力を持つ液状の有機材料は、相対的に大きい表面張力を持つ液状の有機材料と比較してその濡れ性が高い。したがって、相対的に小さい表面張力を持つ有機材料をまず塗布することによって、画素内における濡れ不良の発生を抑止することができる。そして、さらに優れた発光特性を発揮する相対的に大きい表面張力を持つ有機材料を塗布し、乾燥させることによって、濡れ不良の発生が抑止されかつ優れた発光特性を有する発光層を形成することが可能となる。

次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、発光層及び有機材料からなる正孔輸送層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、上記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより上記正孔輸送層を形成する工程を備え、上記有機材料を塗布する際に、相対的に小さい表面張力を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、上記第１塗布工程の後に相対的に大きい表面張力を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする。

このような特徴を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、正孔輸送層の形成工程において、第１の塗布工程によって相対的に小さい表面張力を持つ有機材料が塗布され、その後、相対的に大きい表面張力を持つ有機材料が塗布される。したがって、濡れ不良の発生が抑止されかつ優れた正孔輸送能力を有する正孔輸送層を形成することが可能となる。

また、相対的に表面張力が異なる有機材料を塗布する場合には、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、塗布前に上記有機材料に界面活性剤を添加し、その添加量を調整することによって上記表面張力を調整することが好ましい。
このように、有機材料に界面活性剤を添加し、表面張力を調整することによって、有機材料に所望の表面張力を与えることができる。したがって、有機材料の所望の濡れ性を実現することができるため、より効果的に濡れ不良の発生を抑止することが可能となる。

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記第１塗布工程及び上記第２塗布工程における有機材料の塗布を、液滴吐出法を用いて行うことが好ましい。
このように、有機材料を液滴吐出法を用いて塗布することによって、例えば画素領域にのみ有機材料を塗布することができるため、有機材料を無駄なく効率的に使用することができる。

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、上記第１塗布工程で塗布した有機材料を乾燥させる前に上記第２塗布工程における有機材料の塗布を行い、その後、上記第１塗布工程で塗布した有機材料と上記第２塗布工程で塗布した有機材料とを一括して乾燥させるという構成を採用しても良いし、また、上記第１塗布工程で塗布した有機材料を乾燥させた後に上記第２塗布工程における有機材料の塗布を行い、その後、上記第２塗布工程で塗布した有機材料を乾燥させるという構成を採用しても良い。

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、上記第２塗布工程で塗布する有機材料の量を上記第１塗布工程で塗布する有機材料の量よりも多くすることが好ましい。
第２塗布工程において塗布される有機材料は、第１塗布工程において塗布された有機材料が画素内に均一に濡れ広がっていれば、それに伴い均一に濡れ広がる。したがって、第１塗布工程において塗布される有機材料が少ない場合であっても、その効果は十分に得られる。このため、第２塗布工程で塗布する優れた特性を有する有機材料の量を第１工程で塗布する有機材料の量より多くすることによって、濡れ不良の発生が抑止されかつより発光特性あるいは正孔輸送能力に優れた層を形成することができる。

次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、有機材料からなる発光層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、上記発光層が、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１発光層の上に相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２発光層が積層された構造を有することを特徴とする。

このような特徴を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１発光層によって濡れ不良に起因する不具合が抑止され、相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２発光層によって優れた発光特性が得られる。

また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記第１発光層の層厚よりも上記第２発光層の層厚の方が厚いことが好ましい。
このように、上記第１発光層の層厚よりも上記第２発光層の層厚の方が厚いことによって、より優れた発光特性を有する発光層とすることができる。

次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、発光層及び有機材料からなる正孔輸送層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、上記正孔輸送層が、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１正孔輸送層の上に相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２正孔輸送層が積層された構造を有することを特徴とする。

このような特徴を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１正孔輸送層によって濡れ不良に起因する不具合が抑止され、相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２正孔輸送層によって優れた正孔輸送能力が得られる。

次に、本発明に係る電子機器は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。
このような特徴を有する本発明に係る電子機器によれば、優れた特性を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を備えるため、優れた表示特性を得ることが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下の図面において、各層や各部材を認識可能な大きさとするため、各層や各部材の縮尺を適宜変更している。

図１は本実施形態のエレクトロルミネッセンス（Electro-Luminescence, 以下、ＥＬと略記する）装置の一例である有機ＥＬ装置（表示装置）の配線構造を示す平面模式図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１には、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。

各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、この画素電極１１１と共通電極１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。画素電極１１１と共通電極１２と機能層１１０により発光部Ａが構成され、表示装置１は、この発光部Ａをマトリクス状に複数備えて構成されている。

係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して共通電極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。

図２は本表示装置の平面模式図である。図３に、本表示装置における表示領域２ａの断面構造を拡大した図を示す。
図３に示すように、本実施形態の表示装置１は、基板２上に回路素子部１４と表示素子部１０が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部（図示略）によって封止された構造を有する。表示素子部１０は、発光層１１０ｂを含む発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極（第２の電極）１２とからなる。この共通電極１２及び封止部は透光性を有しており、本表示装置１は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の表示装置として構成されている。

基板２には、透明基板、半透明基板、不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。
また、基板２は、図２に示すように、中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光部Ａによって形成される領域であり、表示領域２ａの外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして、非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域が形成されている。

回路素子部１４には、図２及び図３に示すように、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられており、表示領域２ａに配置された各発光部Ａを駆動するようになっている。
共通電極１２は、その一端が発光素子部１１上から基板２上に形成された陰極用配線１２０に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。

また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域の下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。さらに表示領域２ａの図２中上側には検査回路１０６が配置されている。

より詳細には、この表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、画素電極（第１の電極）１１１と、発光層１１０ｂを含む機能層１１０が形成された発光素子部１１と、共通電極１２とが順次積層されて構成されている。
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。また、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
また、回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆うゲート絶縁膜１４２が形成されている。そして、このゲート絶縁膜１４２上には、半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成されている。そして、半導体膜１４１、ゲート絶縁膜１４２、ゲート電極１４３により薄膜トランジスタ１２３が構成されている。

また、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されており、この第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されている。コンタクトホール１４５は画素電極に接続されており、このコンタクトホール１４５を介して画素電極１１１と半導体のソース領域１４１ａが電気的に接続されている。また、コンタクトホール１４６は電源線１０３に接続されており、このコンタクトホール１４６を介して、電源線１０３から画素信号が供給されるようになっている。
以上により駆動用の回路が構成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。

画素電極１１１は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上に平面視略矩形にパターニングされて形成されており、表示領域２ａ内にマトリクス状に複数配置されている。
この画素電極１１１には、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜や銀（Ａｇ）膜等の高反射率の金属膜が用いられており、基板２側に発した光を上方の封止部側に効率的に出射させるようになっている。
なお、画素電極１１１は、例えばＡｌ膜の層厚が１００ｎｍから５００ｎｍの範囲となるように形成され、Ａｌ膜の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化膜）を層厚が５０ｎｍから２００ｎｍの範囲となるように積層して形成してもよい。

発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を仕切るバンク層１１２とを主体として構成されている。機能層１１０上には共通電極１２が配置されており、これら画素電極１１１、機能層１１０及び共通電極１２によって発光部Ａが構成されている。
なお、バンク層１１２と第２層間絶縁膜１４４ｂとの間に、隣り合う画素電極１１１を絶縁するとともに、これを保護するために、絶縁保護膜を配置してもよい。絶縁保護膜としては、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法によりシリコン酸化膜を１０ｎｍ〜１μｍの厚さに形成することができる。

バンク層１１２は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストからなり、画素電極１１１の形成位置に対応して開口部１１２ｄが形成されている。
なお、バンク層１１２に仕切られた各領域において、画素電極１１１の電極面１１１ａは酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、開口部１１２ｄの壁面及びバンク層１１２の上面１１２ｆは、４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液処理）されており、撥液性を示す。

機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔輸送層１１０ａと、正孔輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂと、この発光層１１０ｂ上に隣接して形成された電子注入層１１０ｃとから構成されている。
正孔輸送層１１０ａは例えば５ｎｍから８０ｎｍの層厚に形成され、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。この正孔輸送層１１０ａは、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１正孔輸送層１１０ａａの上に相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２正孔輸送層１１０ａｂが積層された構造を有している。そして、正孔輸送層１１０ａを形成する材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。
また、電子注入層１１０ｃは例えば５ｎｍから２０ｎｍの層厚に形成され、電子を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、電子を電子注入層１１０ｃ内部において輸送する機能を有する。層厚が５ｎｍよりも小さくなると電子注入効率を向上させる効果がなくなり、層厚が２０ｎｍよりも厚くなると内部抵抗が高くなり発光電圧が高くなってしまう。この電子注入層１１０ｃとしては、例えばバソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜やＭｇとＡｇの共蒸着、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどを好適に用いることができる。

このような正孔輸送層１１０ａ、電子注入層１１０ｃを、それぞれ画素電極１１１と発光層１１０ｂの間、及び、共通電極１２と発光層１１０ｂとの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。なお、正孔輸送層１１０ａを形成する材料は、各色の発光層１１０ｂ毎に異ならせてもよく、また、特定の色の発光層１１０ｂに対して正孔輸送層１１０ａを設けない構成とすることも可能である。

発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ_１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ_２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ_３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ_１から１１０ｂ_３がストライプ配置されている。この発光層１１０ｂは、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１発光層１１０ｂａの上に相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２発光層１１０ｂｂが積層された構造を有している。そして、相対的に高い分子量を持つことで高い発光特性を有する第２発光層１１０ｂｂの層厚が第１発光層１１０ｂａの層厚よりも厚く形成されている。この発光層１１０ｂの材料としては、赤色発光層１１０ｂ_１としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層１１０ｂ_２及びとして青色発光層１１０ｂ_３ポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。なお、上述した有機化合物以外の有機化合物を発光層１１０ｂの材料として用いることができる。

共通電極１２としては、ＩＴＯやＩＺＯ等の透光性を有する金属が採用される。ここで、共通電極１２と電子輸送層１１０ｃとの間には、透明性を有する膜厚でＡｌ薄膜を形成してもよい。透明性を有する膜厚としては、５０ｎｍ以下が好ましい。このようなＡｌ薄膜を形成することによって、電子輸送層１１０ｃへの電子注入性を促進させるだけでなく、ＩＴＯをスパッタで形成する際のプラズマダメージを抑制し、また、共通電極１２を透過・侵入する水分や酸素から有機機能層１１０を保護することができる。

次に、本実施形態の表示装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）回路素子部形成工程、（２）バンク部形成工程、（３）プラズマ処理工程、（４）正孔輸送層形成工程、（５）発光層形成工程、（６）電子注入層形成工程、（７）陰極形成工程を具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく、必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。

（１）回路素子部形成工程
例えばガラス等の基板２上に、図４に示すように、周知の方法によって下地保護膜２ｃを介して薄膜トランジスタ１２３を形成する。次に、薄膜トランジスタ１２３が形成された基板２の上面側を平坦化するために、例えばポリイミド、アクリル等の平坦性に優れた材料をスピンコート法により滴下し、平坦化絶縁膜となる第２層間絶縁膜１４４ｂを形成する。次に、各画素の薄膜トランジスタ１２３と画素電極１１１とを接続するためのスルーホールを第２層間絶縁膜１４４ｂ、第１層間絶縁膜１４４ａに形成する。スルーホールは、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターニングした後、現像処理で露光部分を除去して形成する。その後、本焼成し、第２層間絶縁膜１４４ｂ等を平坦化膜とする。そして、例えばＡｌを膜厚１００〜５００ｎｍとなるようにスパッタ法、蒸着法等により成膜する。さらにＩＴＯを積層して画素電極とする場合には、ＩＴＯを膜厚５０〜２００ｎｍとなるようにスパッタ法、蒸着法等により成膜する。その後、フォトリソグラフィー法によってこれらＩＴＯ、Ａｌ膜をパターニングして、画素電極１１１を形成する。ＩＴＯは例えば王水によるウェットエッチングにより、Ａｌは例えば塩素系ガスを含むガスのプラズマを用いたドライエッチングによりエッチングすることができる。

（２）バンク層形成工程
バンク層形成工程は、基板２の所定の位置に開口部１１２ｄを有するバンク層１１２を形成する工程である。層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂの上に画素電極１１１を形成した後、図５に示すように、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料を塗布し、フォトリソグラフィー技術により、画素電極１１１の配置された領域に開口部１１２ｄを有するバンク層１１２を形成する。なお、バンク層は、以下の正孔輸送層、発光層等をインクジェット等の液滴吐出法で形成する場合に必要となるものであって、蒸着法等により形成する場合には不要である。

（３）プラズマ処理工程
プラズマ処理工程は、画素電極１１１の表面を活性化すること、さらにバンク層１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１上の洗浄、さらに仕事関数の調整を主な目的として行っている。さらに、画素電極１１１の表面の親液化処理、バンク層１１２表面の撥液化処理を行う。

（４）正孔輸送層形成工程
正孔輸送層形成工程では、画素電極１１１上に正孔輸送層を形成する。
正孔輸送層形成工程では、液滴吐出法として、例えばインクジェット装置を用いて、相対的に低い分子量を持つ正孔輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面１１１ａ上に塗布する（第１塗布工程）。そして、その後、乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上に第１正孔輸送層１１０ａａを形成する。この第１正孔輸送層１１０ａａの形成工程において、正孔輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面１１１ａ上に塗布すると、正孔輸送層形成材料の分子量が低いために、第１組成物は電極面１１１ａ上に均一に濡れ広がる。これは、正孔輸送層形成材料の分子量が低いために、第１組成物の粘度が低くなるためである。したがって、この第１組成物に対して乾燥処理及び熱処理を行うことによって、電極面１１１ａの全面を覆う第１正孔輸送層１１０ａａを形成することができる。

続いて、第１正孔輸送層１１０ａａ上に、例えばインクジェット装置を用いて、相対的に高い分子量を持つ正孔輸送層形成材料を含む第２組成物を塗布する（第２塗布工程）。その後、乾燥処理及び熱処理を行い、第１正孔輸送層１１０ａａ上に第２正孔輸送層１１０ａｂを形成する。そして、この第２正孔輸送層１１０ａｂの形成工程において塗布される第２組成物には、相対的に高い分子量を有することによって高い正孔輸送能力を発揮する正孔輸送層形成材料が含まれている。したがって、第２組成物に対して乾燥処理及び熱処理を行うことによって、第１正孔輸送層１１０ａａ上に、高い正孔輸送能力を有する第２正孔輸送層１１０ａｂを形成することができる。また、先に形成された第１正孔輸送層１１０ａａによって、第２組成物の塗布面の親和性が向上するため、第１正孔輸送層１１０ａａを形成することによって第２組成物に対する濡れ性を向上させることができる。
第１組成物と第２組成物とは、基本骨格が同一であり、分子量が異なることが望ましい。このようにすることにより、第１正孔輸送層１１０ａａと第２組成物との親和性が向上して、塗布面での濡れ性を向上させることができる。

このようにして形成される正孔輸送層１１０ａによれば、第１正孔輸送層１１０ａａによって正孔輸送層１１０ａの濡れ不良に起因して生じる不具合を抑止することができると共に、第２正孔輸送層１１０ａｂによって高い正孔輸送能力を有することができる。
なお、この正孔輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
図６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルＨ２から相対的に低い分子量を持つ正孔輸送層形成材料を含む第１組成物１１０ｄを吐出・塗布する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各開口部１１２ｄ内に第１組成物１１０ｄを充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。さらに、インクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対的に移動させることによっても第１組成物１１０ｄを充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドＨ１を用いて行う工程では上記の点は同様である。そして、図７に示すように、乾燥工程を行い、第１組成物１１０ｄに含まれる極性溶媒を蒸発させて正孔輸送層形成材料を析出させることによって第１正孔輸送層１１０ａａが形成される。

続いて、図８に示すように、インクジェットヘッドＨ３に形成された複数のノズルＨ４から相対的に高い分子量を持つ正孔輸送層形成材料を含む第２組成物１１０ｅを吐出・塗布する。そして、図９に示すように、乾燥工程を行い、第２組成物１１０ｅに含まれる極性溶媒を蒸発させて正孔輸送層形成材料を析出させることによって第２正孔輸送層１１０ａｂが形成される。

（５）発光層形成工程
発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
表面改質工程は、正孔輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの密着性や、成膜の均一性を高めるために行っている。発光層形成工程では、例えばインクジェット装置を用いて、相対的に低い分子量を持つ発光層形成材料（有機材料）を含む第３組成物を正孔輸送層１１０ａ上に塗布する（第１塗布工程）。そして、その後、乾燥処理及び熱処理を行い、正孔輸送層１１０ａ上に第１発光層１１０ｂａを形成する。この第１正孔輸送層１１０ｂａの形成工程において、発光層形成材料を含む第３組成物を電極面１１１ａ上に塗布すると、発光層形成材料の分子量が低いために、第３組成物は正孔輸送層１１０ａ上に均一に濡れ広がる。したがって、この第３組成物に対して乾燥処理及び熱処理を行うことによって、正孔輸送層１１０ａの全面を覆う第１正孔輸送層１１０ｂａを形成することができる。

続いて、第１発光層１１０ｂａ上に、例えばインクジェット装置を用いて、相対的に高い分子量を持つ発光層形成材料を含む第４組成物を塗布する（第２塗布工程）。その後、乾燥処理及び熱処理を行い、第１発光層１１０ｂａ上に当該第１発光層１１０ｂａの層厚より厚い第２発光層１１０ｂｂを形成する。そして、この第２発光層１１０ｂｂの形成工程において塗布される第４組成物には、相対的に高い分子量を有することによって高い発光特性を発揮する発光層形成材料が含まれている。したがって、第４組成物に対して乾燥処理及び熱処理を行うことによって、第１発光層１１０ｂａ上に、高い発光特性を有する第２発光層１１０ｂｂを形成することができる。また、先に形成された第１発光層１１０ｂａによって、第４組成物の塗布面の親和性が向上するため、第１発光層１１０ｂａを形成することによって第４組成物に対する濡れ性を向上させることができる。

このようにして形成される発光層１１０ｂによれば、第１発光層１１０ｂａによって発光層１１０ｂの濡れ不良に起因して生じる不具合を抑止することができると共に、第１発光層１１０ｂａよりも層厚の厚い第２発光層１１０ｂｂによって高い発光特性を有することができる。

具体的には、図１０に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドＨ５に形成された吐出ノズルＨ６から低い分子量を持つ（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第３組成物１１０ｆを吐出・塗布する。次に、第３組成物１１０ｆを所定の位置に吐出・塗布し終わったら、塗布後の第３組成物１１０ｆを乾燥処理し、第３組成物１１０ｆに含まれる非極性溶媒を蒸発させる。これにより、発光層形成材料が析出し、図１１に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ_３の第１発光層１１０ｂａが形成される。

その後、インクジェットヘッド（不図示）に形成された複数のノズル（不図示）から相対的に高い分子量を持つ発光層形成材料を含む第４組成物を吐出・塗布する。そして、図１２に示すように、乾燥工程を行い、第４組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させて発光層形成材料が第１発光層１１０ａｂより厚い層厚となるように析出させることによって第２発光層１１０ｂｂが形成される。

そして、図１３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ_３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ_１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ_２を形成する。なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
このようにして、画素電極１１１上に正孔輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。

（６）電子注入層形成工程
電子注入層形成工程では、図１４に示すように、発光層１１０ｂ及びバンク層１１２の全面に、バソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムの共蒸着膜からなる電子注入層１１０ｃを形成する。
電子注入層１１０ｃには、他にも例えばＭｇとＡｇの共蒸着や、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどを用いることができ、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。

（７）陰極形成工程
陰極形成工程では、図１５に示すように、画素電極１１１（陽極）と対をなす共通電極１２を形成する。ここでは、例えば、ＩＴＯを蒸着することによってバンク部１１２及び発光層１１０ｂを含む基板２上の領域全面に共通電極１２を形成する。なお、共通電極１２と電子注入層１１０ｃとの間に透過性を有する膜厚でＡｌ層を形成する場合には、共通電極１２を形成する前に、Ａｌをバンク部１１２及び発光層１１０ｂを含む基板２上の領域全面に蒸着させる。

以下、詳細な説明は省略するが、共通電極１２上、または共通電極１２の上方に空間を隔てて封止樹脂膜、封止基板等からなる封止部材を配置する。さらに、図２に例示した基板２の配線５ａに共通電極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。

ここで、図１６〜図１９を参照して、本発明の実験例について説明する。
図１６は、正孔輸送層上に、相対的に高い分子量（３２０×１０^３Ｍｗ）を持つ発光層材料が含まれた組成物を吐出した場合と相対的に低い分子量（２９０×１０^３Ｍｗ）を持つ発光層材料が含まれた組成物を吐出した場合とにおける各組成物の着弾径を示した表である。なお、相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物の粘度は２７ｍＰａ・ｓであり、相対的に低い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物の粘度は２２ｍＰａ・ｓであり、また、吐出量は共に１０ｐｌである。

そして、この図に示すように、相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物の着弾径は３０μｍであり、相対的に低い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物の着弾径は３５μｍであった。したがって、相対的に低い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物は、相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物よりも濡れ広がり易いことが分かる。

図１７は、正孔注入層上に相対的に高い分子量を持つ発光層材料（３２０×１０^３Ｍｗ）が含まれた組成物を直接吐出した場合と、正孔注入層上に形成された相対的に低い分子量を持つ発光層（２９０×１０^３Ｍｗ）上に相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物を吐出した場合とにおける各組成物の着弾径を示した表である。なお、吐出量は、共に１０ｐｌである。

そして、この図に示すように、正孔注入層上に相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物を直接吐出した場合の着弾径は３０μｍであり、正孔注入層上に形成された相対的に低い分子量を持つ発光層上に相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物を吐出した場合の着弾径は４０μｍであった。したがって、第１発光層によって、相対的に高い分子量を持つ発光層材料が含まれた組成物に対する親和性が向上されることが分かる。

なお、実際に、正孔注入層上に相対的に低い分子量を持つ発光層を形成し、その上に相対的に高い分子量を持つ発光層を形成することによって、発光層における濡れ不良を抑止することができた。

図１８は、相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料（３３０×１０^３Ｍｗ）がドープされた組成物をＩＴＯ電極面に吐出した場合と、相対的に低い分子量を持つ正孔注入層材料（７０×１０^３Ｍｗ）がドープされた組成物をＩＴＯ電極面に吐出した場合とにおける各組成物の着弾径を示した表である。なお、相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料ドープされた組成物の粘度は３８ｍＰａ・ｓであり、相対的に低い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物の粘度は１８ｍＰａ・ｓである。

そして、この図に示すように、相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物の着弾径は３０μｍであり、相対的に低い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物の着弾径は３５μｍであった。したがって、相対的に低い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物は、相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物よりも濡れ広がり易いことが分かる。

図１９は、ＩＴＯ電極上に相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料（３３０×１０^３Ｍｗ）がドープされた組成物を直接吐出した場合と、ＩＴＯ電極上に形成された相対的に低い分子量を持つ正孔注入層（７０×１０^３Ｍｗ）上に相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物を吐出した場合とにおける各組成物の着弾径を示した表である。なお、吐出量は、共に１０ｐｌである。

そして、この図に示すように、ＩＴＯ電極上に相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物を直接吐出した場合の着弾径は３０μｍであり、ＩＴＯ電極上に形成された相対的に低い分子量を持つ正孔注入層上に相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物を吐出した場合の着弾径は４０μｍであった。したがって、第１正孔注入層によって、相対的に高い分子量を持つ正孔注入層材料がドープされた組成物に対する親和性が向上されることが分かる。

なお、実際に、ＩＴＯ電極上に相対的に低い分子量を持つ正孔注入層を形成し、その上に相対的に高い分子量を持つ正孔注入層を形成することによって、正孔注入層における濡れ不良を抑止することができた。

図２０は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を表示手段として備えている。図２０は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように本発明に係る有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器は、優れた表示特性を得ることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態においては、第１正孔注入層１１０ａａあるいは第１発光層１１０ｂａを形成した後に、相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布し乾燥させることによって第２正孔注入層１１０ａｂあるいは第２発光層１１０ｂｂを含む正孔注入層１１０ａあるいは発光層１１０ｂを形成した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、相対的に低い分子量を持つ有機材料上に相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布し、これらの有機材料を一括して乾燥させることによって、正孔注入層１１０ａあるいは発光層１１０ｂを形成しても良い。

また、上記実施形態においては、有機材料が持つ分子量を変化させることによってその濡れ性を変化させた。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、有機材料が持つ表面張力を変化させることによってその濡れ性を変化させても良い。なお、有機材料の表面張力は、有機材料に添加する界面活性剤の量を調整することによって調整することができる。

また、上記実施形態においては、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例にとって説明した。しかしながら、本発明は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に適用することも可能である。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す平面模式図である。 有機ＥＬ装置の平面模式図である。 有機ＥＬ装置における表示領域２ａの断面構造を拡大した図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 有機ＥＬ装置の製造方法について説明するための図である。 本発明の一実験例を示した図である。 本発明の一実験例を示した図である。 本発明の一実験例を示した図である。 本発明の一実験例を示した図である。 本発明の一実施形態に係る電子機器を示した図である。

符号の説明

１……有機ＥＬ装置（表示装置）、２……基板、１１０ａ……正孔注入層、１１０ａａ……第１正孔注入層、１１０ａｂ……第２正孔注入層、１１０ｂ……発光層、１１０ｂａ……第１発光層、１１０ｂｂ……第２発光層

Claims (14)

1. 有機材料からなる発光層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   前記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより前記発光層を形成する工程を備え、
   前記有機材料を塗布する際に、相対的に低い分子量を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、前記第１塗布工程の後に相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
2. 発光層及び有機材料からなる正孔輸送層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   前記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより前記正孔輸送層を形成する工程を備え、
   前記有機材料を塗布する際に、相対的に低い分子量を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、前記第１塗布工程の後に相対的に高い分子量を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
3. 有機材料からなる発光層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   前記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより前記発光層を形成する工程を備え、
   前記有機材料を塗布する際に、相対的に小さい表面張力を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、前記第１塗布工程の後に相対的に大きい表面張力を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
4. 発光層及び有機材料からなる正孔輸送層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   前記基板上に液状の有機材料を塗布し、これを乾燥させることにより前記正孔輸送層を形成する工程を備え、
   前記有機材料を塗布する際に、相対的に小さい表面張力を持つ有機材料を塗布する第１塗布工程と、前記第１塗布工程の後に相対的に大きい表面張力を持つ有機材料を塗布する第２塗布工程とを実施することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
5. 塗布前に前記有機材料に界面活性剤を添加し、その添加量を調整することによって前記表面張力を調整することを特徴とする請求項３または４記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 前記第１塗布工程及び前記第２塗布工程における有機材料の塗布を、液滴吐出法を用いて行うことを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 前記第１塗布工程で塗布した有機材料を乾燥させる前に前記第２塗布工程における有機材料の塗布を行い、その後、前記第１塗布工程で塗布した有機材料と前記第２塗布工程で塗布した有機材料とを一括して乾燥させることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 前記第１塗布工程で塗布した有機材料を乾燥させた後に前記第２塗布工程における有機材料の塗布を行い、その後、前記第２塗布工程で塗布した有機材料を乾燥させることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 前記第２塗布工程で塗布する有機材料の量を前記第１塗布工程で塗布する有機材料の量よりも多くすることを特徴とする請求項１〜８いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
10. 有機材料からなる発光層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
    前記発光層が、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１発光層の上に相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２発光層が積層された構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
11. 前記第１発光層の層厚よりも前記第２発光層の層厚の方が厚いことを特徴とする請求項１０記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
12. 発光層及び有機材料からなる正孔輸送層を含む機能層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
    前記正孔輸送層が、相対的に低い分子量を持つ有機材料からなる第１正孔輸送層の上に相対的に高い分子量を持つ有機材料からなる第２正孔輸送層が積層された構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
13. 請求項１〜９いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
14. 請求項１０〜１３いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
    
    

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