JP2006260857A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006260857A JP2006260857A JP2005074177A JP2005074177A JP2006260857A JP 2006260857 A JP2006260857 A JP 2006260857A JP 2005074177 A JP2005074177 A JP 2005074177A JP 2005074177 A JP2005074177 A JP 2005074177A JP 2006260857 A JP2006260857 A JP 2006260857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electric field
- frequency electric
- processing apparatus
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【課題】
プラズマ処理装置の寿命を延ばし、従来のプラズマ処理装置より高精度にプラズマの電子温度を制御することが実現できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
プラズマの電子温度を制御しつつ、プラズマ発生用電源8の負担を減らすため、(a),(b)に示すように高周波電界の電界強度を連続的に変化させて急激な出力の変化をさせない方法を用いる。
また、(c)に示すように電界強度を多段的に変化させる方法でもよい。また、(d)に示すように電界強度の変調波形を複数組み合わせてもよい。
【選択図】 図1
プラズマ処理装置の寿命を延ばし、従来のプラズマ処理装置より高精度にプラズマの電子温度を制御することが実現できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
プラズマの電子温度を制御しつつ、プラズマ発生用電源8の負担を減らすため、(a),(b)に示すように高周波電界の電界強度を連続的に変化させて急激な出力の変化をさせない方法を用いる。
また、(c)に示すように電界強度を多段的に変化させる方法でもよい。また、(d)に示すように電界強度の変調波形を複数組み合わせてもよい。
【選択図】 図1
Description
本発明は表面処理に関し、特にパルス変調された高周波電界を利用して生成したプラズマを用いて被照射物質の処理を行うプラズマ処理装置に関する。
高速で微細なプラズマ処理を行うプラズマ処理装置として、従来より低圧力下で高密度のプラズマを発生させる技術が知られている。しかし、従来の高密度プラズマを用いる加工処理はそのプラズマの電子温度が高いため、電荷蓄積によるダメージを被照射物質に与えるという問題があった。このような問題点を解決するために、例えば特許第3042450号によればプラズマを生成させる高周波電界をパルス変調にすることにより、プラズマ中の電子温度の低下が報告されており、改善が見られている。
特許第3042450号
しかしながら、従来の高周波電界をパルス変調させる手法は例えば図6に示すように高周波電界をハイパワーでかつ高速にON/OFFを繰り返しているため、急激な出力の変化により電源装置、特に電源装置を構成する半導体素子に負荷がかかり装置の寿命を縮めてしまう問題点があった。また、図5に示すように処理ガスとして用いるガスの条件によっては、従来のパルス変調ではプラズマの電子温度の制御領域が狭く、高精度にプラズマの電子温度制御することが困難な場合があった。
本発明はプラズマの電子温度を制御するプラズマ処理装置において、プラズマ処理装置の寿命を延ばし、従来のプラズマ処理装置より高精度にプラズマの電子温度を制御することが実現できるプラズマ処理装置の提供を目的とする。
上記目的を達成すべく請求項1記載のプラズマ処理装置は、プラズマ生成室内で高周波電界を利用して処理ガスをプラズマ化し、前記プラズマを被照射物質に照射して前記被照射物質の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電界の電界強度を連続的または多段的な変化をさせることにより前記処理ガスのプラズマ電子温度を調整することを特徴とする。
上記目的を達成すべく請求項2記載のプラズマ処理装置は、プラズマ生成室内で高周波電界を利用して処理ガスをプラズマ化し、前記プラズマを被照射物質に照射して前記被照射物質の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電界の電界強度を振幅変調器により変化かつ常に電界強度が一定レベル以上出力されるように制御することにより前記処理ガスのプラズマ電子温度を調整することを特徴とする。
上記目的を達成すべく請求項3記載のプラズマ処理装置は、請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、前記高周波電界の電界強度を一定に制御する制御回路を備えたことを特徴とする。
上記目的を達成すべく請求項4記載のプラズマ処理装置は、請求項1〜3記載のプラズマ処理装置において、前記処理ガスの整合条件を所定条件で保持したまま前記高周波電界を加えたことを特徴とする。
上記目的を達成すべく請求項5記載のプラズマ処理装置は、請求項1〜4記載のプラズマ処理装置において、前記高周波電界を発生させる増幅器を保護するためのアイソレータを備えたことを特徴とする
請求項1記載の発明により、プラズマ発生用電源の出力を急激に変化させることなく、プラズマの電子温度を制御することが可能となるため、プラズマ発生用電源の負荷を減少させ、プラズマ処理装置の寿命を延ばせる。また、プラズマの電子温度の制御性の向上が実現できる。
請求項2記載の発明により、プラズマ発生用電源の出力は常にヒートラン状態となりON/OFFを繰り返すパルス動作に比べプラズマ発生用電源への負担が減少する。このことから、プラズマ処理装置の寿命を延ばせる。
請求項3に記載の発明により、プラズマ処理装置に高周波電界の電界強度制御回路を設け、高周波電界の電界強度を制御回路にフィードバックさせることで高周波電界の電界強度を一定に保つことができる。また、所望の高周波電界強度に変更することができる。また、プラズマの電子温度を制御するため高周波電界を変化させることができる。
請求項4記載の発明により、高周波電界強度を変化させる前にプラズマの着火、高周波電界を処理空間へ照射するためのアンテナと高周波電界を発生させるプラズマ発生用電源との間の整合動作を行うことで、安定してプラズマの着火、アンテナとプラズマ発生用電源との整合動作を行うことができる。
請求項5記載の発明により、上記プラズマ処理装置の高周波電界を増幅する増幅器の後段にアイソレータを設けることにより、高周波電界を変化させた際に発生する反射波による増幅器の破壊から増幅器を保護することができる。
本発明に係る好適な実施例を挙げ図面に基づき詳細に説明する。
まず、本発明の理解を容易にするためプラズマ処理装置の概要について図3および図4を参照して説明する。図3は本実施例で用いたプラズマ処理装置の概略図であり、図4はプラズマ処理装置1に備えられているプラズマ発生用電源8のより詳細な構成を示す説明図である。なお図4中の矢印は高周波電界を一定に保つためのフィードバック信号の向きを示している。ここで、プラズマ処理装置1のプラズマ被照射物質Wの一例として半導体ウエハを用いた。
この被照射物質Wは半導体ウエハに限定されない。例えばLCD基板、ガラス基板、セラミックス基板あるいは官能基を有する有機化合物等プラズマを用いて表面処理される物質であれば何でもよい。
プラズマ処理装置1は被照射物質Wを収容するチャンバ2を有しており、チャンバ2にはプラズマ生成用の処理ガスを導入する不図示のガス系とチャンバ2内部に高周波電界を導入するアンテナ5を有している。
使用する処理ガスは例として、塩素等のハロゲン系ガス、アルゴン等の希ガス、酸素、窒素あるいはそれらの混合ガスを用いるがそれらに限定されない。
使用する処理ガスは例として、塩素等のハロゲン系ガス、アルゴン等の希ガス、酸素、窒素あるいはそれらの混合ガスを用いるがそれらに限定されない。
高周波電界のアンテナ5には所定電力の例えば2.45GHzの高周波電界を発信するプラズマ発生用電源8と、必要に応じプラズマ発生用電源8から放出された高周波電界のうちプラズマ発生用電源8へ戻る反射波を防止するアイソレータ7と、チャンバ2内部に設けられたプラズマ発生用電源8から供給される高周波電界をチャンバ2の処理空間に向けて照射するアンテナ5と、必要に応じアンテナ5からの反射波を低減するようにアンテナ5に対する整合を行うマッチャー6を有している。
マッチャー6にはプラズマ発生用電源8から出力された高周波電界とアンテナ5からの反射波をモニタする検波部を有しており、高周波電界と反射波の電界の比が一定以下にするように制御される。また、プラズマ発生用電源8から制御または情報の伝達が可能であり、高周波電界を変化させる際、整合動作を停止させる等の制御を行うことができる。
プラズマ発生用電源8には導入高周波電界を連続的又は多段的に変化させるための出力制御部13を有している。所望の処理ガス条件、プラズマ条件によってこの出力制御部13の設定を変更することで、電子温度制御、ラジカル制御が可能となる。この出力制御部13には方向性結合器12からの信号を入力することで、出力パワーを一定に保つように制御させることもできる。また、特定の出力パワーに変更させる制御をすることもできる。
プラズマ着火時や高周波出力を変化させる際、アンテナ5からみたチャンバ2のインピーダンスが大きく変化するため、一時的に反射高周波が大きくなる。このため必要に応じプラズマ発生用電源8の後段にハイパワーアンプ11の保護用にアイソレータ7を設ける。また、このアイソレータ7は方向性結合器12の誤差要因である反射波の影響を無くせるため、高周波電界を一定に保つフィードバック信号への誤差がなくなり、高精度に高周波電界の電界強度を制御するためにも有効である。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマの電子温度を制御するために高周波電界の電界強度を連続的又は多段的に変化させる。プラズマは高周波電界の供給がなくなってから数十μsecはプラズマの状態が維持される。しかし、プラズマの電子温度はこの時間でも減少が見られる。このため数〜数十μsecの間、高周波電界をプラズマ維持電力未満の値に下げる変調を繰り返すと、プラズマは維持されたまま高周波電界が下がる際にプラズマの電子温度を下げられる。このようにすることによって、プラズマ密度を維持しながらプラズマの電子温度を一定の高周波電界としたときより下げられる。このようにプラズマ密度を保ったままプラズマの電子温度を下げられるため、電荷堆積によるダメージを減少させながら高速にプラズマ処理を行うことが可能となる。
また、処理ガス条件によって効率よくラジカル化されたガスが発生する電子温度が固有に存在するためプラズマの電子温度を制御することでラジカル化されたガスを効率よく発生させることができる。このことより効率のよいプラズマ処理が可能となる。
以上述べてきた内容の具体例を図1を用いて詳細に説明する。
プラズマの電子温度を制御しつつ、プラズマ発生用電源8の負担を減らすためには、例えば図1.(a),(b)に示すように高周波電界の電界強度を連続的に変化させて急激な出力の変化をさせない方法が有効である。
また、図1.(c)に示すように電界強度を多段的に変化させる方法でもよい。また、図1.(d)に示すように電界強度の変調波形を複数組み合わせてもよい。
また、図1.(c)に示すように電界強度を多段的に変化させる方法でもよい。また、図1.(d)に示すように電界強度の変調波形を複数組み合わせてもよい。
同様にプラズマ発生用電源8の負担を減らす方法として図2のように電界強度を下げる際一定の電界強度より下げず、プラズマ発生用電源8の出力をOFFさせない方法も有効である。
このとき電界強度の下限はプラズマ維持に必要な電界強度未満かつできるだけ大きい電界強度であることが望ましい。これは電子温度を下げるためにプラズマ発生用電源8の出力パワーを下げるとき、下げる出力限界パワーをプラズマに影響しない小パワーとすることで、プラズマ発生用電源8の出力は完全にOFFにせず、プラズマの電子温度は下げられることによる。この手法は電界強度を変化させるどの手法と組み合わせてもよい。
このとき電界強度の下限はプラズマ維持に必要な電界強度未満かつできるだけ大きい電界強度であることが望ましい。これは電子温度を下げるためにプラズマ発生用電源8の出力パワーを下げるとき、下げる出力限界パワーをプラズマに影響しない小パワーとすることで、プラズマ発生用電源8の出力は完全にOFFにせず、プラズマの電子温度は下げられることによる。この手法は電界強度を変化させるどの手法と組み合わせてもよい。
以上、本発明について詳細に説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、細部の構成、形状、数量、素材等において、本発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更、追加、削除することができる。
1 プラズマ処理装置
2 チャンバ
3 プラズマ
4 基板保持ステージ
5 アンテナ
6 マッチャー
7 アイソレータ
8 プラズマ発生用電源
9 高周波発生器
10 ゲインコントロールアンプ
11 ハイパワーアンプ
12 方向性結合器
13 出力制御部
W 被照射物質
2 チャンバ
3 プラズマ
4 基板保持ステージ
5 アンテナ
6 マッチャー
7 アイソレータ
8 プラズマ発生用電源
9 高周波発生器
10 ゲインコントロールアンプ
11 ハイパワーアンプ
12 方向性結合器
13 出力制御部
W 被照射物質
Claims (5)
- プラズマ生成室内で高周波電界を利用して処理ガスをプラズマ化し、前記プラズマを被照射物質に照射して前記被照射物質の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電界の電界強度を連続的または多段的な変化をさせることにより前記処理ガスのプラズマ電子温度を調整することを特徴とするプラズマ処理装置。
- プラズマ生成室内で高周波電界を利用して処理ガスをプラズマ化し、前記プラズマを被照射物質に照射して前記被照射物質の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電界の電界強度を振幅変調器により変化かつ常に電界強度が一定レベル以上出力されるように制御することにより前記処理ガスのプラズマ電子温度を調整することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、前記高周波電界の電界強度を一定に制御する制御回路を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1〜3記載のプラズマ処理装置において、前記処理ガスの整合条件を所定条件で保持したまま前記高周波電界を加えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1〜4記載のプラズマ処理装置において、前記高周波電界を発生させる増幅器を保護するためのアイソレータを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005074177A JP2006260857A (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005074177A JP2006260857A (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006260857A true JP2006260857A (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=37099866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005074177A Pending JP2006260857A (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006260857A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013176040A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Mks Instruments Inc | 薄膜処理におけるパルスモードスキームのための高周波電力供給システム中の複数電源のフィードバック制御およびコヒーレンス性 |
WO2015029937A1 (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ生成用電源装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6086831A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
JPH07288191A (ja) * | 1994-12-05 | 1995-10-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
JPH097960A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマcvd方法及びその装置 |
JPH0992645A (ja) * | 1994-10-14 | 1997-04-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
JPH09263948A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 |
JPH1116892A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Nec Corp | プラズマ処理方法 |
JP2000150196A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
JP2004247401A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び高周波電力供給装置 |
JP2004266268A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法ならびにリモートプラズマ処理装置 |
WO2004107420A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for plasma nitridation of gate dielectrics using amplitude modulated radio-frequency energy |
-
2005
- 2005-03-16 JP JP2005074177A patent/JP2006260857A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6086831A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
JPH0992645A (ja) * | 1994-10-14 | 1997-04-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
JPH07288191A (ja) * | 1994-12-05 | 1995-10-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
JPH097960A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-10 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマcvd方法及びその装置 |
JPH09263948A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 |
JPH1116892A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Nec Corp | プラズマ処理方法 |
JP2000150196A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
JP2004247401A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び高周波電力供給装置 |
JP2004266268A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法ならびにリモートプラズマ処理装置 |
WO2004107420A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for plasma nitridation of gate dielectrics using amplitude modulated radio-frequency energy |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013176040A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Mks Instruments Inc | 薄膜処理におけるパルスモードスキームのための高周波電力供給システム中の複数電源のフィードバック制御およびコヒーレンス性 |
WO2015029937A1 (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ生成用電源装置 |
KR101768827B1 (ko) | 2013-08-26 | 2017-08-17 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 플라즈마 생성용 전원 장치 및 플라즈마 생성용 전원 공급 방법 |
US9974154B2 (en) | 2013-08-26 | 2018-05-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Power supply device and method for plasma generation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102038617B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP6910320B2 (ja) | マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置 | |
JP6698033B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4718189B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWI604494B (zh) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and high frequency generator | |
JP6374647B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20210032420A (ko) | 플라즈마 공정을 위한 제어 시스템 및 방법 | |
JP4777717B2 (ja) | 成膜方法、プラズマ処理装置および記録媒体 | |
JP6456298B2 (ja) | アーク消弧方法及び電力変換器を備えた電力供給システム | |
KR102449323B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP2006287817A (ja) | マイクロ波発生装置、マイクロ波供給装置、プラズマ処理装置及びマイクロ波発生方法 | |
KR20160033034A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
WO2000052732A3 (en) | Active species control with time-modulated plasma | |
JP2014183297A (ja) | プラズマ処理装置及びシャワープレート | |
KR101764767B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2010170974A (ja) | プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP2016508281A (ja) | 高周波電力を発生させるための方法及び負荷に電力を供給するための電力変換器を備えた電力供給システム | |
JP5953057B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2006260857A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2007214211A (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN108269726B (zh) | 等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源*** | |
JP2017028000A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
WO2004008816A3 (fr) | Procede et dispositif pour la gravure de substrat par plasma inductif a tres forte puissance | |
JP2019009305A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH09171900A (ja) | プラズマ発生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101116 |