JP2019009305A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 23
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32201—Generating means
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32311—Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置100の断面図の一例を示す。マイクロ波プラズマ処理装置100は、ウェハWを収容する処理容器(チャンバ)1を有する。マイクロ波プラズマ処理装置100は、マイクロ波によって処理容器1の天井面に形成される表面波プラズマにより、半導体ウェハW(以下、「ウェハW」という。)に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置の一例である。所定のプラズマ処理としては、成膜処理、エッチング処理またはアッシング処理等が例示される。
かかる構成のマイクロ波プラズマ処理装置100を用いて実行されるプラズマ処理の一例について、図3を参照しながら説明する。本実施形態に係るプラズマ処理は、制御装置3により制御される。
極弱のプラズマは、本実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置100によって生成され得る。図5は、本実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置100(SWP:Surface Wave Plasma)の天井面にて、1本のマイクロ波導入部43の直下の処理空間1内に生成された極弱のプラズマの状態を示す。図5では、(a)50W、(b)30W、(c)20W、(d)10W、(e)5W、(f)3Wのいずれにおいても誘電体窓部1aの直下に発光している部分が見える。この部分がプラズマからの発光であり、プラズマの生成領域である。つまり、(a)50W〜(f)3Wのいずれにおいても誘電体窓部1aの直下にて極弱のプラズマが着火(点火)している。
最後に、本実施形態において、ウェハWへプラズマ処理を行っていない間(ウェハ搬送時等)に放射するマイクロ波の導入シーケンスについて、図8を参照しながら説明する。本実施形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置100では、6本の周縁マイクロ波導入部43aおよび1本の中央マイクロ波導入部43bからなる7本のマイクロ波導入部43の少なくとも一つからマイクロ波が処理容器1内に導入される。
1a 誘電体窓部
2 マイクロ波プラズマ源
3 制御装置
10 本体部
11 載置台
21 ガス導入部
22 ガス供給源3
30 マイクロ波出力部
40 マイクロ波伝送部
43a 周縁マイクロ波導入部
43b 中央マイクロ波導入部
44 マイクロ波伝送路
50 マイクロ波放射機構
52 外側導体
53 内側導体
54 スラグ
60 ガス供給孔
60a 細孔
61 空洞部
61c 段差部
62 ガス拡散室
63 金属製の部材
64 空洞部の開口部
65 空洞部の底部
100 マイクロ波プラズマ処理装置
121,131 誘電体天板
122,132 スロット
123、133 誘電体層
140 インピーダンス調整部材
U プラズマ処理空間
Claims (11)
- 表面波プラズマ源における出力部から出力されたマイクロ波を処理容器内に放射する複数のマイクロ波放射機構を有するプラズマ処理装置であって、
基板へプラズマ処理を行っていない間、基板へプラズマ処理を行う際に放射する単位面積当たりのマイクロ波の総パワーの1/50以下の総パワーでマイクロ波を放射させ、プラズマを生成する制御部を有する、
プラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記1/50以下の総パワーで、前記複数のマイクロ波放射機構の少なくともいずれかからマイクロ波を放射させる、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のマイクロ波放射機構は、前記処理容器の天板の中心と外周とに複数配置され、
前記制御部は、中心の前記マイクロ波放射機構からマイクロ波を放射させた後、外周の前記マイクロ波放射機構の少なくともいずれかからマイクロ波を放射させる、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のマイクロ波放射機構は、前記処理容器の天板の中心と外周とに複数配置され、
前記制御部は、外周の前記マイクロ波放射機構の少なくともいずれかからマイクロ波を放射させた後、中心の前記マイクロ波放射機構からマイクロ波を放射させる、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のマイクロ波放射機構は、前記処理容器の天板の中心と外周とに複数配置され、
前記制御部は、中心の前記マイクロ波放射機構と、外周にて周方向に配置された、隣接しない複数の前記マイクロ波放射機構からマイクロ波を放射させた後、外周の残りの前記マイクロ波放射機構の少なくともいずれかからマイクロ波を放射させる、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のマイクロ波放射機構は、前記処理容器の天板の中心と外周とに複数配置され、
前記制御部は、外周にて周方向に配置された、隣接しない複数の前記マイクロ波放射機構からマイクロ波を放射させた後、中心の前記マイクロ波放射機構と外周の残りの前記マイクロ波放射機構の少なくともいずれかからマイクロ波を放射させる、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数のマイクロ波放射機構は、前記処理容器の天板の中心と外周とに複数配置され、
前記制御部は、配置されたすべての前記マイクロ波放射機構から同じタイミングにマイクロ波を放射させる、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、基板へプラズマ処理を行っていない間、前記単位面積当たりのマイクロ波の総パワーを0.3W/cm2以下に制御する、
請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、基板へプラズマ処理を行っている間、前記単位面積当たりのマイクロ波の総パワーを15.6W/cm2以上に制御する、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記単位面積当たりのマイクロ波の総パワーを0.3W/cm2以下に制御し、電子温度が1[eV]以下のプラズマを生成した状態で、ゲートバルブを開いて基板を前記処理容器内に搬入し、
前記基板を搬入した後、前記ゲートバルブを閉めて前記単位面積当たりのマイクロ波の総パワーを15.6W/cm2以上に制御し、基板へプラズマ処理を行う、
請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、基板へプラズマ処理を行った後、前記単位面積当たりのマイクロ波の総パワーを0.3W/cm2以下に制御し、電子温度が1[eV]以下のプラズマを生成した状態で、前記ゲートバルブを開いて基板を前記処理容器から搬出する、
請求項10に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124329A JP2019009305A (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | プラズマ処理装置 |
US16/004,848 US20180374680A1 (en) | 2017-06-26 | 2018-06-11 | Plasma processing apparatus |
KR1020180067311A KR102070502B1 (ko) | 2017-06-26 | 2018-06-12 | 플라즈마 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124329A JP2019009305A (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019009305A true JP2019009305A (ja) | 2019-01-17 |
Family
ID=64693414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017124329A Pending JP2019009305A (ja) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180374680A1 (ja) |
JP (1) | JP2019009305A (ja) |
KR (1) | KR102070502B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3780913A4 (en) * | 2019-01-31 | 2021-06-16 | Korea Research Institute of Standards and Science | PLANAR-TYPE PLASMA DIAGNOSIS UNIT, SLICE-TYPE PLASMA DIAGNOSIS UNIT IN WHICH A PLANAR-TYPE PLASMA DIAGNOSIS UNIT IS BURIED, AND ELECTROSTATIC CHUCK IN WHICH A PLASMA-TYPE PLASMA DIAGNOSIS UNIT IS BURIED |
JP7292173B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びプラズマ処理装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06291062A (ja) | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH10144668A (ja) | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP3792089B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2006-06-28 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
JP3790410B2 (ja) | 2000-05-29 | 2006-06-28 | 三菱重工業株式会社 | パーティクル低減方法 |
US6494998B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-12-17 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma using an internal inductive element |
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JP2009094311A (ja) | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5893865B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびマイクロ波導入装置 |
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US9301383B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Low electron temperature, edge-density enhanced, surface wave plasma (SWP) processing method and apparatus |
JP2014049667A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
-
2017
- 2017-06-26 JP JP2017124329A patent/JP2019009305A/ja active Pending
-
2018
- 2018-06-11 US US16/004,848 patent/US20180374680A1/en not_active Abandoned
- 2018-06-12 KR KR1020180067311A patent/KR102070502B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190001518A (ko) | 2019-01-04 |
US20180374680A1 (en) | 2018-12-27 |
KR102070502B1 (ko) | 2020-01-29 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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