JP2006216813A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被測定物からの放射により前記被測定物の温度を測定する温度測定器を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施することを抑制または防止して、稼働率に優れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板200からの放射により基板200の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器330と、基板200を処理する時に温度測定器の光取込口261を取り付ける基板処理用取付け部311と、温度測定器330の温度校正の時に温度測定器の光取込口261を取り付ける温度校正用取付け部312とを備え、温度校正用取付け部312は、基板処理時に用いられる温度測定器の光取込口261を、基板200の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で基板200の温度を測定する位置に固定する。
【選択図】 図3
【解決手段】基板200からの放射により基板200の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器330と、基板200を処理する時に温度測定器の光取込口261を取り付ける基板処理用取付け部311と、温度測定器330の温度校正の時に温度測定器の光取込口261を取り付ける温度校正用取付け部312とを備え、温度校正用取付け部312は、基板処理時に用いられる温度測定器の光取込口261を、基板200の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で基板200の温度を測定する位置に固定する。
【選択図】 図3
Description
本発明は基板処理装置に関し、特に、半導体ウエハを加熱処理する基板処理装置に関する。
半導体ウエハを加熱処理する基板処理装置として、放射温度計によって半導体ウエハの温度を測定してウエハの加熱温度を制御する基板処理装置が用いられている。
従来、この種の基板処理装置においては、基板温度の測定温度は実温度から次第にずれてくるため、放射温度計の温度検出部と温度測定用プローブは定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施する必要があり、装置の稼働率を悪化させていた。
従って、本発明の主な目的は、被測定物からの放射により前記被測定物の温度を測定する温度測定器を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施することを抑制または防止して、稼働率に優れる基板処理装置を提供することにある。
本発明によれば、
基板からの放射により前記基板の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器と、
前記基板を処理する時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける基板処理用取付け部と、
前記温度測定器の温度校正の時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける温度校正用取付け部と、を備え、
前記温度校正用取付け部は、基板処理時に用いられる前記温度測定器の光取込口を、前記基板の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で前記基板の温度を測定する位置に固定することを特徴とする基板処理装置が提供される。
基板からの放射により前記基板の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器と、
前記基板を処理する時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける基板処理用取付け部と、
前記温度測定器の温度校正の時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける温度校正用取付け部と、を備え、
前記温度校正用取付け部は、基板処理時に用いられる前記温度測定器の光取込口を、前記基板の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で前記基板の温度を測定する位置に固定することを特徴とする基板処理装置が提供される。
本発明によれば、被測定物からの放射により前記被測定物の温度を測定する温度測定器を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施することを抑制または防止して、稼働率に優れる基板処理装置が提供される。
次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ましい実施例では、被測定物(ウエハ、サセプタ、ヒータなど)からの放射によりそれぞれが前記被測定物の異なる複数の部分の温度を測定する複数の温度測定器と、前記温度測定器の光取込口(プローブなど)取付け部を、通常処理時の取付け部とは別に、温度補正(校正)用に備え、前記温度補正(校正)用の前記光取込口(プローブなど)取付け部は、処理時に用いられる前記温度測定器を、前記複数の部分の各間隔よりも小さい間隔で前記被測定物の温度を測定する位置に固定し、1ヶ所に集中させている。
温度補正(校正)用の前記光取込口(プローブなど)取付け部は、好ましくは、被測定物の中心付近に設けられている。
また、好ましくは、前記温度測定器の光取込口(プローブなど)の近傍に熱電対が付いた被測定物を備え、温度補正(校正)時に、前記熱電対温度をもとに温度を補正(校正)する。好ましくは、熱電対が付いた前記被測定物は、半導体ウエハである。
また、好ましくは、1つの基準温度測定器の温度をもとに、温度測定器の温度補正(校正)する。
また、好ましくは、温度測定器の1つのチャンネルの温度をもとに、温度測定器の温度補正(校正)する。
次に、図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明する。
図1は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置を説明するための概略横断面図でり、図2は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。図1および図2を参照して、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の概要を説明する。
なお、本発明の好ましい実施例の基板処理装置においてはウエハなどの基板を搬送するキャリヤとしては、FOUP(front opening unified pod。以下、ポッドという。)が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図1を基準とする。すなわち、図1が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後は紙面の上、左右は紙面の左右とする。
図1および図2に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第1の搬送室103を備えており、第1の搬送室103の筐体101は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第1の搬送室103には負圧下でウエハ200を移載する第1のウエハ移載機112が設置されている。前記第1のウエハ移載機112は、エレベータ115によって、第1の搬送室103の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
筐体101の6枚の側壁のうち前側に位置する2枚の側壁には、搬入用の予備室122と搬出用の予備室123とがそれぞれゲートバルブ244、127を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室122には搬入室用の基板置き台140が設置され、予備室123には搬出室用の基板置き台141が設置されている。
予備室122および予備室123の前側には、略大気圧下で用いられる第2の搬送室121がゲートバルブ128、129を介して連結されている。第2の搬送室121にはウエハ200を移載する第2のウエハ移載機124が設置されている。第2のウエハ移載機124は第2の搬送室121に設置されたエレベータ126によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ132によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
図1に示されているように、第2の搬送室121の左側にはオリエンテーションフラット合わせ装置106が設置されている。また、図2に示されているように、第2の搬送室121の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット118が設置されている。
図1および図2に示されているように、第2の搬送室121の筐体125には、ウエハ200を第2の搬送室121に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口134と、ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋142と、ポッドオープナ108がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ108は、IOステージ105に載置されたポッド100のキャップ及びウエハ搬入搬出口134を閉塞する蓋142を開閉するキャップ開閉機構136とを備えており、IOステージ105に載置されたポッド100のキャップ及びウエハ搬入搬出口134を閉塞する蓋142をキャップ開閉機構136によって開閉することにより、ポッド100のウエハ出し入れを可能にする。また、ポッド100は図示しない工程内搬送装置(RGV)によって、前記IOステージ105に、供給および排出されるようになっている。
図1に示されているように、筐体101の六枚の側壁のうち背面側に位置する2枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行う第1の処理炉202と、第2の処理炉137とがそれぞれ隣接して連結されている。第1の処理炉202および第2の処理炉137はいずれもコールドウォール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体101における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する2枚の側壁には、第3の処理炉としての第1のクーリングユニット138と、第4の処理炉としての第2のクーリングユニット139とがそれぞれ連結されており、第1のクーリングユニット138および第2のクーリングユニット139はいずれも処理済みのウエハ200を冷却するように構成されている。
以下、上記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
未処理のウエハ200は25枚がポッド100に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図1および図2に示されているように、搬送されて来たポッド100はIOステージ105の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド100のキャップ及びウエハ搬入搬出口134を開閉する蓋142がキャップ開閉機構136によって取り外され、ポッド100のウエハ出し入れ口が開放される。
ポッド100がポッドオープナ108により開放されると、第2の搬送室121に設置された第2のウエハ移載機124はポッド100からウエハ200をピックアップし、予備室122に搬入し、ウエハ200を基板置き台140に移載する。この移載作業中には、第1の搬送室103側のゲートバルブ244は閉じられており、第1の搬送室103の負圧は維持されている。ウエハ200の基板置き台140への移載が完了すると、ゲートバルブ128が閉じられ、予備室122が排気装置(図示せず)によって負圧に排気される。
予備室122が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ244、130が開かれ、予備室122、第1の搬送室103、第1の処理炉202が連通される。続いて、第1の搬送室103の第1のウエハ移載機112は基板置き台140からウエハ200をピックアップして第1の処理炉202に搬入する。そして、第1の処理炉202内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ200に行われる。
第1の処理炉202で前記処理が完了すると、処理済みのウエハ200は第1の搬送室103の第1のウエハ移載機112によって第1の搬送室103に搬出される。
そして、第1のウエハ移載機112は第1の処理炉202から搬出したウエハ200を第1のクーリングユニット138へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
第1のクーリングユニット138にウエハ200を移載すると、第1のウエハ移載機112は予備室122の基板置き台140に予め準備されたウエハ200を第1の処理炉202に前述した作動によって移載し、第1の処理炉202内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ200に行われる。
第1のクーリングユニット138において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウエハ200は第1のウエハ移載機112によって第1のクーリングユニット138から第1の搬送室103に搬出される。
冷却済みのウエハ200が第1のクーリングユニット138から第1の搬送室103に搬出されたのち、ゲートバルブ127が開かれる。そして、第1のウエハ移載機112は第1のクーリングユニット138から搬出したウエハ200を予備室123へ搬送し、基板置き台141に移載した後、予備室123はゲートバルブ127によって閉じられる。
予備室123がゲートバルブ127によって閉じられると、前記排出用予備室123内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室123内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ129が開かれ、第2の搬送室121の予備室123に対応したウエハ搬入搬出口134を閉塞する蓋142と、IOステージ105に載置された空のポッド100のキャップがポッドオープナ108によって開かれる。続いて、第2の搬送室121の第2のウエハ移載機124は基板置き台141からウエハ200をピックアップして第2の搬送室121に搬出し、第2の搬送室121のウエハ搬入搬出口134を通じてポッド100に収納して行く。処理済みの25枚のウエハ200のポッド100への収納が完了すると、ポッド100のキャップとウエハ搬入搬出口134を閉塞する蓋142がポッドオープナ108によって閉じられる。閉じられたポッド100はIOステージ105の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが、順次、処理されて行く。以上の作動は第1の処理炉202および第1のクーリングユニット138が使用される場合を例にして説明したが、第2の処理炉137および第2のクーリングユニット139が使用される場合についても同様の作動が実施される。
なお、上述の基板処理装置では、予備室122を搬入用、予備室123を搬出用としたが、予備室123を搬入用、予備室122を搬出用としてもよい。また、第1の処理炉202と第2の処理炉137は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第1の処理炉202と第2の処理炉137で別の処理を行う場合、例えば第1の処理炉202でウエハ200にある処理を行った後、続けて第2の処理炉137で別の処理を行わせてもよい。また、第1の処理炉202でウエハ200にある処理を行った後、第2の処理炉137で別の処理を行わせる場合、第1のクーリングユニット138(又は第2のクーリングユニット139)を経由するようにしてもよい。
図3は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉を説明するための概略縦断面図である。図3を参照し、本発明の好ましい実施例で用いられる処理炉を詳細に説明する。
処理炉はその全体が符号202で示される。例示の様態においては、処理炉202は、半導体ウエハ等の基板200(以下、ウエハという。)の様々な処理工程を実行するのに適した枚葉式の処理炉である。また処理炉202は、特に半導体ウエハの熱処理に適している。こうした熱処理の例としては、半導体デバイスの処理における、半導体ウエハの熱アニール、ホウ素−リンから成るガラスの熱リフロー、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープポリシリコン、未ドープポリシリコン、シリコンエピタキシャル、タングステン金属、又はケイ化タングステンから成る薄膜を形成するための化学蒸着が挙げられる。
処理炉202は、回転筒279に囲まれた上ランプ207および下ランプ223から成るヒータアッセンブリ280を含む。このヒータアッセンブリ280は、基板温度がほぼ均一になるように放射熱をウエハ200に供給する。好ましい形態においては、ヒータアッセンブリ280は、放射ピーク0.95ミクロンで照射し、複数の加熱ゾーンを形成し、ウエハ中心部より多くの熱を基板周辺部に加える集中的加熱プロファイルを提供する一連のタングステン−ハロゲン直線ランプ207、223等の加熱要素を含む。
上ランプ207および下ランプ223にはそれぞれ電極224が接続され、各ランプに電力を供給するとともに、各ランプの加熱具合は主制御部300に支配される加熱制御部301にて制御されている。
ヒータアッセンブリ280は、平ギア277に機械的に接続された回転筒279内に収容されている。この回転筒279は、セラミック、グラファイト、より好ましくはシリコングラファイトで被覆したグラファイト等から成る。ヒータアッセンブリ280、回転筒279は、チャンバ本体227内に収容されて真空密封され、更にチャンバ本体227のチャンバ底228の上に保持される。チャンバ本体227は様々な金属材料から形成することができる。
回転筒279は、チャンバ底228の上に回転自在に保持される。具体的には、平ギア276、277とがボールベアリング278によりチャンバ底228に回転自在に保持され、平ギア276と平ギア277とは噛み合うように配置されている。更に、平ギア276は主制御部にて支配される駆動制御部304にて制御されるサセプタ駆動機構267にて回転せしめられ、平ギア276、平ギア277を介して回転筒279を回転させている。回転筒279の回転速度は、当業者であれば分かるように、個々の処理に応じて5〜60rpmであることが好ましい。
処理炉202は、チャンバ本体227、チャンバ蓋226およびチャンバ底228から成るチャンバ225を有し、チャンバ225にて囲われた空間にて処理室201を形成している。
ウエハ200は、円周方向において複数に分割された(実施例においては4つに分割)炭化ケイ素で被覆したグラファイト、クォーツ、純炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、アルミニウム、または鋼等の好適な材料から成る基板保持手段であるサセプタ217の上に保持される。
なお、サセプタ217は円形形状をしており、具体的には中心のサセプタは円板状形状であり、それ以外はドーナッツ形の平板形状であって、回転筒279にて支持されている。
チャンバ蓋226にはガス供給管232が貫通して設けられ、処理室201に処理ガス230を供給し得るようになっている。ガス供給管232は、開閉バルブ243、流量制御手段であるマスフローコントローラ(以下、MFCという。)241を介し、ガスA、ガスBのガス源に接続されている。ここで使用されるガスは、窒素等の不活性ガスや水素、アルゴン、六フッ化タングステン等の所望のガスが用いられ、ウエハ200上に所望の膜を形成させて半導体装置を形成させるものである。
また、開閉バルブ243およびMFC241は、主制御部300にて支配されるガス制御部302にて制御され、ガスの供給、停止およびガスの流量が制御される。
なお、ガス供給管232から供給された処理ガス230は処理室201内にてウエハ200と反応し、残余ガスはチャンバ本体227に設けられた排気口であるガス排気口235から図示しない真空ポンプ等からなる排気装置を介し、処理室外へ排出される。
処理炉202は、様々な製造工程においてウエハ200の放射率(エミシビティ)を測定し、その温度を計算するための非接触式の放射率測定手段をも含む。この放射率測定手段は、主として放射率測定用プローブ260、放射率測定用リファレンスランプ(参照光)265、光子密度検出部305およびプローブ260と光子密度検出部305とを結ぶ光ファイバー通信ケーブル323を含む。このケーブルはサファイア製の光ファイバー通信ケーブルから成ることが好ましい。
プローブ260はプローブ回転機構274により回転自在に設けられ、プローブ260の一端をウエハ200または参照光であるリファレンスランプ265の方向に方向付けられる。また、プローブ260は光ファイバー通信ケーブル323とスリップ結合にて結合されているので、前述したようにプローブ260が回転しても接続状態は維持される。
即ち、プローブ回転機構274は放射率測定用プローブ260を回転させ、これによりプローブ260の先端が放射率測定用リファレンスランプ265に向けてほぼ上側に向けられる第1ポジションと、プローブ260がウエハ200に向けてほぼ下側に向けられる第2ポジションとのプローブ260の向きが変えられる。従って、プローブ260の先端は、プローブ260の回転軸に対し直角方向に向けられていることが好ましい。このようにして、プローブ260はリファレンスランプ265から放射された光子の密度とウエハ200から反射された光子の密度を検知することができる。リファレンスランプ265は、ウエハ200における光の透過率が最小となる波長、好ましくは0.95ミクロンの波長の光を放射する白色光源から成ることが好ましい。上述の放射率測定手段は、リファレンスランプ265からの放射とウエハ200からの放射を比較することにより、ウエハ200の放射率を測定する。
仕切弁であるゲートバルブ244を開放し、チャンバ本体227に設けられたウエハ搬入搬出口247を通ってウエハ(基板)200を処理室201内に搬入し、ウエハ200をサセプタ217上に配置後、サセプタ回転機構(回転手段)267は処理中に回転筒279とサセプタ217を回転させる。ウエハ200の放射率の測定時には、プローブ260はウエハ200の真上のリファレンスランプ265に向くように回転し、リファレンスランプ265が点灯する。そして、プローブ260はリファレンスランプ265からの入射光子密度を測定する。リファレンスランプ265が点灯している間、プローブ260は第1ポジションから第2ポジションへと回転し、回転している間にリファレンスランプ265真下のウエハ200に向く。このポジションにおいて、プローブ260はウエハ200のデバイス面(ウエハ200の表面)の反射光子密度を測定する。続いてリファレンスランプ265が消灯される。ウエハ200に直接向いている間、プローブ260は、加熱されたウエハ200からの放射光子を測定する。プランクの法則によれば、特定の表面に放出されたエネルギーは表面温度の四乗に関係する。その比例定数はシュテファン・ボルツマン定数と表面放射率との積から成る。従って、非接触法における表面温度の決定時には、表面放射率を使用するのが好ましい。以下の式を用いてウエハ200のデバイス面の全半球反射率を計算し、引き続きキルヒホッフの法則により放射率が得られる。
(1)ウエハ反射率=反射光強度/入射光強度
(2)放射率=(1−ウエハ反射率)
(1)ウエハ反射率=反射光強度/入射光強度
(2)放射率=(1−ウエハ反射率)
一旦ウエハの放射率が得られると、プランクの式からウエハ温度が得られる。この技法は、ウエハが高温で、且つこのような適用において上記計算の実行前に基本熱放射が減算される場合にも用いられる。
処理炉202は更に温度検出手段である複数の温度測定器330を含む、各温度測定器330は、温度測定用プローブ261と、光ファイバ通信ケーブル321と、温度検出部303の各チャンネルを備えている。これらのプローブ261は、基板処理時には、チャンバ蓋226の基板処理用取付け部311に固定され、すべての処理条件においてウエハ200びデバイス面から放射される光子密度を常に測定する。プローブ261によって測定された光子密度に基づき温度検出部303にてウエハ温度に算出され、主制御部300にて設定温度と比較される。主制御部300は比較の結果、あらゆる偏差を計算し、加熱制御部301を介してヒータアッセンブリ280内の加熱手段である上ランプ207、下ランプ223の複数のゾーンへの電力供給量を制御する。好ましくは、ウエハ200の異なる部分の温度を測定するために位置決めされた3個のプローブ261を含む。これによって処理サイクル中の温度の均一性が確保される。
なお、温度測定用プローブ261にて算出されたウエハ温度は、放射率測定用プローブ260にて算出された放射率により、補正されることでより正確なウエハ温度の検出を可能としている。
ウエハ200の処理後、ウエハ200は、複数の突上げピン266によりサセプタ217の真中にあるサセプタとともに真中以外のサセプタから持ち上げられ、処理炉202内でウエハ200を自動的にローディング及びアンローディングできるようにするために、ウエハ200の下に空間を形成する。突上げピン266は駆動制御部304の制御のもと、昇降機構275によって上下する。
次に、プローブ261の位置関係について説明する。図4は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉のウエハ処理時のプローブの位置関係の例である。3個のプローブ261は、チャンバ蓋226の基板処理用取付け部311に固定され、ウエハ200の異なる部分の温度を測定するために位置決めされている。
図5は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉の、温度補正(校正)時の概略図の例である。温度補正(校正)時、中心付近に全プローブ261を設置できるよう、チャンバ蓋226にプローブ261の温度校正用付け部312が設けてある。処理炉202内に、中心部に熱電対315の付いたウエハ200を設置し、熱電対温度検出部306にてウエハ200の温度を測定している。全プローブ261を熱電対315付近に集めることにより、全プローブ261と熱電対315を同じ温度とすることができる。また、全プローブ261と熱電対315を中心付近に設けることにより、迷光などの外乱の影響を防ぐことができる。ウエハ温度は、温度検出部303のチャンネル1の測定温度によりフィードバック制御され、温度安定状態となっている。この時、熱電対315の温度と温度検出部303の各チャンネルの温度を主制御部300により比較することにより、温度検出部303の温度を補正(校正)している。
次に、別の実施例について説明する。図6は、本発明の好ましい他の実施例の基板処理装置の処理炉の、温度補正(校正)時の概略図の例である。温度補正(校正)時、中心付近に全プローブ261を設置できるよう、チャンバ蓋226にプローブ261の温度校正用付け部312が設けてある。また、基準温度検出部307およびそれに接続するプローブ361、光ファイバー通信ケーブル322を設置している。プローブ361も温度校正用付け部312近傍に取り付ける。全プローブ261およびプローブ361を1ヶ所に集めることにより、全プローブ261およびプローブ361を同じ温度とすることができる。そして、全プローブ261およびプローブ361を中心付近に設けることにより、迷光などの外乱の影響を防ぐことができる。ウエハ温度は、基準温度検出部307の測定温度によりフィードバック制御され、温度安定状態となっている。この時、基準温度検出部307の温度と温度検出部303の各チャンネルの温度を主制御部300により比較することにより、温度検出部303の温度を補正(校正)している。
正確な絶対温度は必要なく、温度測定器の各チャンネルの温度を相対的に補正(校正)したい場合がある。その実施例について説明する。図7は、本発明の好ましいさらに他の実施例の基板処理装置の処理炉の、温度補正(校正)時の概略図の例である。温度補正(校正)時、中心付近に全プローブ261を設置できるよう、チャンバ蓋226にプローブ261の温度校正用付け部312が設けてある。全プローブ261を1ヶ所に集めることにより、全プローブ261を同じ温度とすることができる。また、全プローブ261を中心付近に設けることにより、迷光などの外乱の影響を防ぐことができる。ウエハ温度は、温度検出部303のチャンネル1の測定温度によりフィードバック制御され、温度安定状態となっている。この時、温度検出部303の各チャンネル間で温度を比較することにより、温度検出部303の温度を補正(校正)している。
以上説明したように、本発明を好ましい実施例によれば、温度検出部301と温度測定用プローブ261を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正することを防止することができ、稼働率の高い基板処理装置を可能にする点で、実用上極めて大きな効果がある。
100…ポッド
101…筐体
103…搬送室
105…IOステージ
106…オリエンテーションフラット合わせ装置
108…ポッドオープナー
112…ウエハ移載機
115…エレベータ
121…搬送室
122…予備室
123…予備室
124…ウエハ移載機
125…筐体
127…ゲートバルブ
128…ゲートバルブ
129…ゲートバルブ
130…ゲートバルブ
134…ウエハ搬入搬出口
137…処理室
138…クーリングユニット
139…クーリングユニット
140…基板置き台
141…基板置き台
200…ウエハ
201…処理室
202…処理炉
207…上側ランプ
217…サセプタ
223…下側ランプ
224…電極
225…チャンバ
226…チャンバ蓋
227…チャンバ本体
228…チャンバ底
230…処理ガス
232…ガス供給管
235…ガス排気口
241…マスフローコントローラ
243…バルブ
244…ゲートバルブ
247…基板搬入搬出口
260…放射率測定用プローブ
261…温度測定用プローブ
265…放射率測定用リファレンスランプ
266…基板突上ピン
267…サセプタ回転機構
274…プローブ回転機構
275…昇降機構
276…平ギア
277…平ギア
278…ボールベアリング
279…回転筒
300…主制御部
301…加熱制御部
302…ガス制御部
303…温度検出部
304…駆動制御部
305…光子密度検出部
306…熱電対温度検出部
307…基準温度検出部
311…基板処理用取付け部
312…温度校正用取付け部
315…熱電対
321…光ファイバー通信ケーブル
322…光ファイバー通信ケーブル
323…光ファイバー通信ケーブル
330…温度測定器
361…基準温度測定用プローブ
101…筐体
103…搬送室
105…IOステージ
106…オリエンテーションフラット合わせ装置
108…ポッドオープナー
112…ウエハ移載機
115…エレベータ
121…搬送室
122…予備室
123…予備室
124…ウエハ移載機
125…筐体
127…ゲートバルブ
128…ゲートバルブ
129…ゲートバルブ
130…ゲートバルブ
134…ウエハ搬入搬出口
137…処理室
138…クーリングユニット
139…クーリングユニット
140…基板置き台
141…基板置き台
200…ウエハ
201…処理室
202…処理炉
207…上側ランプ
217…サセプタ
223…下側ランプ
224…電極
225…チャンバ
226…チャンバ蓋
227…チャンバ本体
228…チャンバ底
230…処理ガス
232…ガス供給管
235…ガス排気口
241…マスフローコントローラ
243…バルブ
244…ゲートバルブ
247…基板搬入搬出口
260…放射率測定用プローブ
261…温度測定用プローブ
265…放射率測定用リファレンスランプ
266…基板突上ピン
267…サセプタ回転機構
274…プローブ回転機構
275…昇降機構
276…平ギア
277…平ギア
278…ボールベアリング
279…回転筒
300…主制御部
301…加熱制御部
302…ガス制御部
303…温度検出部
304…駆動制御部
305…光子密度検出部
306…熱電対温度検出部
307…基準温度検出部
311…基板処理用取付け部
312…温度校正用取付け部
315…熱電対
321…光ファイバー通信ケーブル
322…光ファイバー通信ケーブル
323…光ファイバー通信ケーブル
330…温度測定器
361…基準温度測定用プローブ
Claims (1)
- 基板からの放射により前記基板の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器と、
前記基板を処理する時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける基板処理用取付け部と、
前記温度測定器の温度校正の時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける温度校正用取付け部と、を備え、
前記温度校正用取付け部は、基板処理時に用いられる前記温度測定器の光取込口を、前記基板の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で前記基板の温度を測定する位置に固定することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028641A JP2006216813A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028641A JP2006216813A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006216813A true JP2006216813A (ja) | 2006-08-17 |
Family
ID=36979760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005028641A Withdrawn JP2006216813A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006216813A (ja) |
-
2005
- 2005-02-04 JP JP2005028641A patent/JP2006216813A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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