JP2006203075A - 塗布、現像装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 処理ブロックと露光装置との間に介在するウエハWの搬送手段に異常が発生した場合に、塗布膜形成用の単位ブロック内のウエハWに対して通常の処理を行うことにより、基板の歩留まりの低下を抑えること。
【解決手段】 ウエハWに対してレジスト膜を形成した後、露光装置に搬送し、露光後の基板を現像処理する処理ブロックS2に、塗布膜形成用の単位ブロックであるTCT層B3、COT層B4、BCT層B5と、現像処理用の単位ブロックであるDEV層B1,B2とを互いに積層して設けると共に、前記処理ブロックS2と露光装置S4との間に搬送手段Bを設ける。この搬送手段Bに異常が起きたときに、TCT層B3、COT層B4、BCT層B5内に存在するウエハWに対して、当該単位ブロック内で通常の処理を行った後、収容ユニット4に退避させると共に、これら単位ブロック内へのウエハWの搬入を禁止する。
【選択図】 図1
Description
a)1個の塗布膜形成用の単位ブロックまたは互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を含み、各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段Aと、を備えた処理ブロックと、
b)塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第1の基板収容部と、
c)前記処理ブロックと露光装置との間に介在する基板の搬送手段Bと、
d)前記搬送手段Bに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記退避用の第1の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段Aを制御すると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記制御部は、この搬送手段Cに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記第2の退避用の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段を制御すると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力するように構成されるようにしてもよい。
前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と塗布膜形成用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送手段Bに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第1の基板収容部に書き換える書き換え部と、
前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記塗布膜形成用の単位ブロック内における搬送手段Aによる基板の搬送を制御する手段と、を備えるものであってもよい。
前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と現像処理用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送手段Cに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第2の基板収容部に書き換える書き換え部と、
前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記現像処理用の単位ブロック内における搬送手段Aによる基板の搬送を制御する手段と、を備えるようにしてもよい。
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図4に示すように、レジスト液の塗布前にウエハWを所定の温度に調整するための冷却ユニット(COL4)、レジスト液の塗布後にウエハWの加熱処理を行うためのプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット(CHP4)、ウエハWのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置(WEE)等が含まれている。また冷却ユニット(COL4)や加熱ユニット(CHP4)等の各処理ユニットは、夫々処理容器51内に収納されており、棚ユニットU1〜U4は、前記処理容器51が2段に積層されて構成され、各処理容器51の搬送領域R1に臨む面にはウエハ搬出入口52が形成されている。
C キャリア
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置
A1〜A5 メインアーム
B インターフェイスアーム
C トランファーアーム
D1 第1の受け渡しアーム
D2 第2の受け渡しアーム
31 塗布ユニット
32 現像ユニット
33 第1の反射防止膜形成ユニット
34 第2の反射防止膜形成ユニット
4 収容ユニット
6 制御部
61 アーム搬送プログラム
62 COT層搬送部
63 DEV層搬送部
64 BCT層搬送部
65 TCT層搬送部
Claims (9)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対してレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)1個の塗布膜形成用の単位ブロックまたは互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を含み、各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段Aと、を備えた処理ブロックと、
b)塗布膜形成用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第1の基板収容部と、
c)前記処理ブロックと露光装置との間に介在する基板の搬送手段Bと、
d)前記搬送手段Bに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記退避用の第1の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段Aを制御すると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 現像処理用の単位ブロックに設けられ、その単位ブロックにおける基板の収容枚数に応じた枚数の基板を収容できる退避用の第2の基板収容部と、現像処理用の単位ブロックから現像処理後の基板を払い出すための搬送手段Cと、を備え、
前記制御部は、この搬送手段Cに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、前記第2の退避用の基板収容部に各基板を退避するようにその単位ブロック内の搬送手段を制御すると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止するための制御指令を出力するように構成されていることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであることを特徴とする請求項1又は2記載の塗布、現像装置。
- 互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであることを特徴とする請求項1又は2記載の塗布、現像装置。
- 互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロック、並びにレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであることを特徴とする請求項1又は2記載の塗布、現像装置。
- 前記塗布膜形成用の単位ブロックでは、搬送手段Aにより、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められている個所をモジュールとすると、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の塗布膜形成処理が行われ、
前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と塗布膜形成用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送手段Bに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第1の基板収容部に書き換える書き換え部と、
前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記塗布膜形成用の単位ブロック内における搬送手段Aによる基板の搬送を制御する手段と、を備えることを特徴とする請求項1,3,4,5記載の塗布、現像装置。 - 前記現像処理用の単位ブロックでは、搬送手段Aにより、各々基板が載置されると共に搬送の順番が決められている個所をモジュールとすると、一のモジュールから基板を取り出し、次のモジュールの基板を受け取ってから当該次のモジュールに先の基板を受け渡し、こうして各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移すことにより一の搬送サイクルを実行し、当該一の搬送サイクルを実行した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに基板が順次搬送されて所定の塗布膜形成処理が行われ、
前記制御部は、基板に順番を割り当て、基板の順番と現像処理用の単位ブロック内のモジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された当該単位ブロック内の搬送スケジュールを記憶する記憶部と、
前記搬送手段Cに異常が発生したときに、前記搬送スケジュールの最後のモジュールを第2の基板収容部に書き換える書き換え部と、
前記搬送スケジュール又は書き換えられた搬送スケジュールに従って、前記現像処理用の単位ブロック内における搬送手段Aによる基板の搬送を制御する手段と、を備えることを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。 - 請求項1記載の塗布、現像装置において行われる塗布、現像方法において、
前記搬送手段Bに異常が起きたときに、塗布膜形成用の単位ブロック内に存在する基板に対して、当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた退避用の第1の基板収容部に各基板を退避させると共に、塗布膜形成用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止することを特徴とする塗布、現像方法。 - 請求項2記載の塗布、現像装置にて行われる塗布、現像方法において、
前記搬送手段Cに異常が起きたときに、現像処理用の単位ブロック内に存在する基板に対して当該単位ブロック内で通常の処理が行われた後、当該単位ブロック内に設けられた第2の退避用の基板収容部に各基板を退避させると共に、現像処理用の単位ブロック内への基板の搬入を禁止することを特徴とする請求項8記載の塗布、現像方法。
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