CN104393188A - 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104393188A
CN104393188A CN201410708390.8A CN201410708390A CN104393188A CN 104393188 A CN104393188 A CN 104393188A CN 201410708390 A CN201410708390 A CN 201410708390A CN 104393188 A CN104393188 A CN 104393188A
Authority
CN
China
Prior art keywords
auxiliary electrode
sub
electrode
emitting diode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410708390.8A
Other languages
English (en)
Inventor
宋泳锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410708390.8A priority Critical patent/CN104393188A/zh
Publication of CN104393188A publication Critical patent/CN104393188A/zh
Priority to US14/892,883 priority patent/US10205117B2/en
Priority to PCT/CN2015/075048 priority patent/WO2016082393A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置，该有机发光二极管显示基板包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，所述有机发光二极管显示基板还包括：与所述阴极并联的辅助电极。本发明中，通过设置与阴极并联的辅助电极，可以降低阴极的电阻，从而解决由于阴极电阻大而导致的有机发光二极管显示装置的IP drop的问题。

Description

一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
请参考图1，图1为现有技术中的一顶发射OLED显示基板的结构示意图，该顶发射OLED显示基板包括：衬底基板101以及设置于衬底基板101上的薄膜晶体管201、202和有机发光二极管203，所述有机发光二极管203在远离所述衬底基板101的方向上依次包括：阳极107、有机层109和阴极110。现有技术中，通常是通过溅射(sputtering)或薄薄地沉积一层透明或半透明导电材料形成所述阴极110。所述阴极110由于较薄因而电阻较高，在应用于大尺寸OLED显示装置时会诱发IP drop(压降)，导致影响OLED显示装置的画面品质。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置，以解决由于阴极电阻大而导致的有机发光二极管显示装置的IP drop的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管显示基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，所述有机发光二极管显示基板还包括：与所述阴极并联的辅助电极。
优选地，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极同层同材料设置。
优选地，所述辅助电极与所述阳极同层同材料设置。
优选地，所述辅助电极包括：
通过连接孔连接的第一子辅助电极和第二子辅助电极；其中，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。
优选地，所述有机发光二极管显示基板具体包括：
衬底基板；
栅电极；
栅绝缘层；
有源层；
同层同材料设置的源漏电极和第一子辅助电极；
平坦保护层，具有贯穿所述平坦保护层的连接孔；
同层同材料设置的阳极和第二子辅助电极，所述第二子辅助电极通过所述连接孔与所述第一子辅助电极连接；
像素定义层，所述阳极和所述第二子辅助电极至少部分不被所述像素定义层覆盖；
有机层；
阴极，所述阴极与所述第二子辅助电极连接。
优选地，所述有机发光二极管显示基板还包括：
与第一子辅助电极同层同材料设置的低电平线，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接。
本发明还提供一种有机发光二极管显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，所述方法还包括：形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤。
优选地，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极通过一次构图工艺形成。
优选地，所述辅助电极与所述阳极通过一次构图工艺形成。
优选地，所述形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤包括：
分别形成所述辅助电极的第一子辅助电极和第二子辅助电极，所述第一子辅助电极和所述第二子辅助电极通过连接孔连接，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。
优选地，所述制作方法具体包括：
在衬底基板上形成栅电极；
形成栅绝缘层；
形成有源层；
通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极；
形成平坦保护层，并形成贯穿所述平坦保护层的连接孔；
通过一次构图工艺形成阳极和第二子辅助电极，所述第二子辅助电极通过所述连接孔与所述第一子辅助电极连接；
形成像素定义层，所述阳极和所述第二子辅助电极至少部分不被所述像素定义层覆盖；
形成有机层；
形成阴极，所述阴极与所述第二子辅助电极连接。
优选地，通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极的同时形成低电平线，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接。
本发明还提供一种显示装置，包括上述有机发光二极管显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
通过设置与阴极并联的辅助电极，可以降低阴极的电阻，从而解决由于阴极电阻大而导致的有机发光二极管显示装置的IP drop的问题，提高有机发光二极管显示装置的画面品质。
附图说明
图1为现有技术中的一顶发射OLED显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例的一有机发光二极管显示基板的结构示意图；
图3为本发明实施例的有机发光二极管显示基板的配线的结构示意图；
图4-1和图4-10为本发明实施例的有机发光二极管显示基板的制作方法流程示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明实施例提供一种有机发光二极管显示基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，为降低所述阴极的电阻，所述有机发光二极管显示基板还包括：与所述阴极并联的辅助电极。
通过设置与阴极并联的辅助电极，可以降低所述阴极的电阻，从而解决由于阴极电阻大而导致的有机发光二极管显示装置的IP drop的问题，提高有机发光二极管显示装置的画面品质。
上述辅助电极可以为多种结构，下面举例进行说明。
本发明实施例中，可以通过独立的构图工艺制作该辅助电极，通过独立的构图工艺制作的辅助电极可以位于阴极的上方或下方，可以与阴极重叠设置，或者，与阴极之间还设置有其他层，此时，该辅助电极通过连接孔与阴极并联。辅助电极可以采用电阻低的金属材料制成，例如Al、Ag、Au、Ti、MO……或以上各金属的合金制成。
为了节省工艺，本发明实施例中，也可将辅助电极与现有的有机发光二极管中其中一层通过一次构图工艺形成。
优选地，所述辅助电极可以与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极同层同材料设置，或者还可以与所述阳极同层同材料设置。
上述实施例中，辅助电极位于同一层，在本发明的其他实施例中，辅助电极也可以由位于至少两层的子辅助电极组成。
优选地，所述辅助电极可以包括：通过连接孔连接的第一子辅助电极和第二子辅助电极；其中，所述第一子辅助电极可以与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第二子辅助电极可以与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。
上述例子中，辅助电极包括两个位于不同层的子辅助电极，当然，在其他实施例中，辅助电极也可以包括三个或更多个位于不同层的子辅助电极。
上述实施例中的有机发光二极管显示基板优选为顶发射OLED显示基板，通常情况下，顶发射OLED显示基板中，阴极由透明或半透明导电材料制成。
请参考图2，图2为本发明实施例的一有机发光二极管显示基板的结构示意图，该有机发光二极管显示基板具体包括：
衬底基板101；
栅电极102；
栅绝缘层103；
有源层104；
同层同材料设置的源电极1051、漏电极1052和第一子辅助电极105’；所述第一子辅助电极105’可与源电极1051、漏电极1052通过一次构图工艺形成，以节省工艺流程。
平坦保护层106，具有贯穿所述平坦保护层106的连接孔；平坦保护层106可由钝化层和平坦层组成。所述连接孔包括对应于漏电极1052位置的连接孔和对应于第一子辅助电极105’位置的连接孔；
同层同材料设置的阳极107和第二子辅助电极107’，所述第二子辅助电极107’通过连接孔与所述第一子辅助电极105’连接；所述第二子辅助电极107’与所述阳极107可通过一次构图工艺形成，以节省工艺流程。此外，阳极107还通过连接孔与漏电极1052连接。
像素定义层108，用于界定不同的像素单元，所述阳极107和所述第二子辅助电极107’至少部分不被所述像素定义层108覆盖；
有机层109；
阴极110，由于第二子辅助电极107’至少部分不被所述像素定义层108覆盖，因而整层设置的所述阴极110可以与所述第二子辅助电极107’连接；
封装保护层111。
本发明实施例中，栅电极102、栅绝缘层103、有源层104、源电极1051和漏电极1052共同组成薄膜晶体管，阳极107、有机层109和阴极110组成有机发光二极管。
请同时参考图3，图3为本发明实施例的有机发光二极管显示基板的配线的结构示意图，图3中，102’为栅线，与栅电极102同层同材料设置，1053为数据线，1054为低电平线，1055为高电平线，其中，数据线1053、低电平线1054、高电平线1055、源电极1051、漏电极1052和第一子辅助电极105’同层同材料设置，且低电平线1054分别与第一子辅助电极105’和阴极连接(具体的，低电平线1054通过连接孔与阴极连接)，以形成辅助电极与阴极并联的电路。
当然，在本发明的其他实施例中，所述第一子辅助电极105’也可以不与所述低电平线1054连接，而是直接通过连接孔的方式与阴极110并联，同样可实现降低阴极110的电阻的目的。
本发明实施例中，与阴极并联的辅助电极包括位于不同层的两子辅助电极，其中，一个与源电极1051和漏电极1052同层同材料设置，一个与阳极107同层同材料设置，通过两子辅助电极与阴极连接，用于降低阴极的电阻，避免产生IP drop问题。
本发明实施例还提供一种有机发光二极管显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，为降低所述阴极的电阻，所述方法还包括：形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤。
通过设置与阴极并联的辅助电极，可以降低所述阴极的电阻，从而解决由于阴极电阻大而导致的有机发光二极管显示装置的IP drop的问题。
本发明实施例中，可以通过独立的构图工艺制作该辅助电极。
为节省工艺流程，本发明实施例中，所述辅助电极还可以与现有的有机发光二极管中其中一层通过一次构图工艺形成。
优选地，所述辅助电极可以与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极通过一次构图工艺形成，或者与所述阳极通过一次构图工艺形成。
上述实施例中，制作的辅助电极位于同一层，在本发明的其他实施例中，制作的辅助电极也可以由形成于至少两层的子辅助电极组成。
优选地，所述形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤包括：分别形成所述辅助电极的第一子辅助电极和第二子辅助电极，所述第一子辅助电极和所述第二子辅助电极通过连接孔连接，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。
上述例子中，辅助电极包括两个位于不同层的子辅助电极，当然，在其他实施例中，辅助电极也可以包括三个或更多个位于不同层的子辅助电极。
本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述有机发光二极管显示基板。
请参考图4-1和图4-10，图4-1和图4-10为本发明实施例的有机发光二极管显示基板的制作方法流程示意图，所述制作方法具体包括：
步骤S41：请参考图4-1，在衬底基板101上形成栅电极102；
步骤S42：请参考图4-2，形成栅绝缘层103；
步骤S43：请参考图4-3，形成有源层104；
步骤S44：请参考图4-4，通过一次构图工艺形成源电极1051、漏电极1052和第一子辅助电极105’；
步骤S45：请参考图4-5，形成平坦保护层106，并形成贯穿所述平坦保护层106的连接孔；
步骤S46：请参考图4-6，通过一次构图工艺形成阳极107和第二子辅助电极107’，所述第二子辅助电极107’通过所述连接孔与所述第一子辅助电极105’连接；
步骤S47：请参考图4-7，形成像素定义层108，所述阳极107和所述第二子辅助电极107’至少部分不被所述像素定义层108覆盖；
步骤S48：请参考图4-8，形成有机层109；本发明实施例中，可以通过FMM(fine metal mask，精细金属掩膜)或Semi open mask(半开放掩膜)方式制作有机层109。
步骤S49：请参考图4-9，形成阴极110，所述阴极110与所述第二子辅助电极107’连接。本发明实施例中，可以通过open mask(全开放掩膜)方式沉积一层导电材料以形成阴极110。
步骤S410：请参考图4-10，形成封装保护层111。
上述步骤S44中，通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极时，还可以同时形成低电平线(图未示出)，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接，以形成辅助电极与阴极并联的电路。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种有机发光二极管显示基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，所述有机发光二极管显示基板还包括：与所述阴极并联的辅助电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极同层同材料设置。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述辅助电极与所述阳极同层同材料设置。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述辅助电极包括：
通过连接孔连接的第一子辅助电极和第二子辅助电极；其中，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，所述有机发光二极管显示基板具体包括：
衬底基板；
栅电极；
栅绝缘层；
有源层；
同层同材料设置的源漏电极和第一子辅助电极；
平坦保护层，具有贯穿所述平坦保护层的连接孔；
同层同材料设置的阳极和第二子辅助电极，所述第二子辅助电极通过所述连接孔与所述第一子辅助电极连接；
像素定义层，所述阳极和所述第二子辅助电极至少部分不被所述像素定义层覆盖；
有机层；
阴极，所述阴极与所述第二子辅助电极连接。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示基板，其特征在于，还包括：
与第一子辅助电极同层同材料设置的低电平线，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接。
7.一种有机发光二极管显示基板的制作方法，其特征在于，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，所述方法还包括：形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极通过一次构图工艺形成。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述辅助电极与所述阳极通过一次构图工艺形成。
10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤包括：
分别形成所述辅助电极的第一子辅助电极和第二子辅助电极，所述第一子辅助电极和所述第二子辅助电极通过连接孔连接，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：
在衬底基板上形成栅电极；
形成栅绝缘层；
形成有源层；
通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极；
形成平坦保护层，并形成贯穿所述平坦保护层的连接孔；
通过一次构图工艺形成阳极和第二子辅助电极，所述第二子辅助电极通过所述连接孔与所述第一子辅助电极连接；
形成像素定义层，所述阳极和所述第二子辅助电极至少部分不被所述像素定义层覆盖；
形成有机层；
形成阴极，所述阴极与所述第二子辅助电极连接。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，
通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极的同时形成低电平线，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的有机发光二极管显示基板。
CN201410708390.8A 2014-11-28 2014-11-28 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 Pending CN104393188A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410708390.8A CN104393188A (zh) 2014-11-28 2014-11-28 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
US14/892,883 US10205117B2 (en) 2014-11-28 2015-03-25 Organic light-emitting diode display substrate having auxiliary electrodes to mitigate an internal resistance drop, method for manufacturing the same and display device
PCT/CN2015/075048 WO2016082393A1 (zh) 2014-11-28 2015-03-25 有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410708390.8A CN104393188A (zh) 2014-11-28 2014-11-28 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104393188A true CN104393188A (zh) 2015-03-04

Family

ID=52611057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410708390.8A Pending CN104393188A (zh) 2014-11-28 2014-11-28 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10205117B2 (zh)
CN (1) CN104393188A (zh)
WO (1) WO2016082393A1 (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016082393A1 (zh) * 2014-11-28 2016-06-02 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
WO2016107323A1 (zh) * 2014-12-30 2016-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
CN107768545A (zh) * 2017-09-28 2018-03-06 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
WO2018119926A1 (zh) * 2016-12-27 2018-07-05 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示单元及其制作方法
CN108258153A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件结构及柔性显示装置
CN108470843A (zh) * 2018-03-23 2018-08-31 固安翌光科技有限公司 一种oled面板、器件及其制作工艺
CN108666343A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示面板
CN108780805A (zh) * 2016-10-09 2018-11-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
WO2018205587A1 (zh) * 2017-05-10 2018-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109004005A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109597245A (zh) * 2019-01-02 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及其制备方法、显示装置
CN109638038A (zh) * 2018-11-15 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种主动阵列有机发光二极管显示模块
CN110854290A (zh) * 2019-10-29 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
US10886360B2 (en) 2018-12-25 2021-01-05 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN113113462A (zh) * 2021-04-14 2021-07-13 武汉京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
US11309514B2 (en) 2018-12-17 2022-04-19 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED substrate and OLED display apparatus
WO2023061114A1 (zh) * 2021-10-12 2023-04-20 荣耀终端有限公司 一种显示面板及电子设备

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102439307B1 (ko) * 2018-01-29 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN109148538A (zh) 2018-08-27 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及显示基板的制造方法

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3144374B2 (ja) * 1998-02-06 2001-03-12 日本電気株式会社 信号変化加速バス駆動回路
JP4141322B2 (ja) * 2003-06-13 2008-08-27 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路の自動配線方法及び半導体集積回路の設計のプログラム
JP4214946B2 (ja) * 2004-04-20 2009-01-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR100700643B1 (ko) * 2004-11-29 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
JP4752818B2 (ja) * 2007-07-06 2011-08-17 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置、電子機器、有機ｅｌ表示装置用の基板および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2009122652A (ja) 2007-10-23 2009-06-04 Sony Corp 表示装置及び電子機器
JP5471317B2 (ja) * 2009-11-05 2014-04-16 日本精機株式会社 有機ｅｌパネル
CN201590412U (zh) 2009-12-01 2010-09-22 东莞宏威数码机械有限公司 夹持翻转装置
US8421064B2 (en) * 2010-04-09 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic-light-emitting-diode flat-panel light-source apparatus
KR101258260B1 (ko) * 2010-04-16 2013-04-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101920766B1 (ko) * 2011-08-09 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20130056784A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Lg Display Co., Ltd. Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same
US20130081869A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Jae Hong Kim Touch sensing apparatus and method of manufacturing the same
CN102569670A (zh) 2012-03-21 2012-07-11 四川虹视显示技术有限公司 Oled复合透明阴极结构及其制备方法
US9178174B2 (en) * 2012-03-27 2015-11-03 Sony Corporation Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus
KR102050480B1 (ko) * 2013-01-02 2019-12-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9088003B2 (en) * 2013-03-06 2015-07-21 Apple Inc. Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
KR20160010654A (ko) * 2013-03-29 2016-01-27 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 소자 제조 방법 및 소자 제조 장치
KR101548304B1 (ko) 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102079251B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9450039B2 (en) * 2013-05-31 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102131248B1 (ko) * 2013-07-04 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150006125A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20150009126A (ko) * 2013-07-15 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102069193B1 (ko) * 2013-07-22 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR102158771B1 (ko) * 2013-08-08 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102067966B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102227455B1 (ko) * 2013-10-08 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102112844B1 (ko) * 2013-10-15 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR102148935B1 (ko) * 2013-11-21 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6136890B2 (ja) * 2013-11-26 2017-05-31 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
WO2015079542A1 (ja) * 2013-11-28 2015-06-04 パイオニア株式会社 発光装置
KR101661015B1 (ko) * 2013-11-28 2016-09-28 엘지디스플레이 주식회사 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103700694B (zh) * 2013-12-31 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN103715205B (zh) 2013-12-31 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
KR102246294B1 (ko) * 2014-08-04 2021-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
US9570471B2 (en) * 2014-08-05 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20160030596A (ko) * 2014-09-10 2016-03-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
CN104269494B (zh) * 2014-09-15 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
KR102312557B1 (ko) * 2014-10-22 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160052941A (ko) * 2014-10-29 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 제조방법
KR102356592B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102297075B1 (ko) * 2014-11-14 2021-09-02 엘지디스플레이 주식회사 협 베젤 구조를 갖는 대면적 유기발광 다이오드 표시장치
KR102374833B1 (ko) * 2014-11-25 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105633297B (zh) * 2014-11-25 2018-04-20 乐金显示有限公司 透视有机发光显示装置及其制造方法
CN104393188A (zh) 2014-11-28 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN204179115U (zh) 2014-11-28 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板和显示装置
KR102313362B1 (ko) * 2014-12-02 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102357269B1 (ko) * 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20160072406A (ko) * 2014-12-15 2016-06-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 패널
KR102422960B1 (ko) * 2014-12-29 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN104659063A (zh) * 2014-12-30 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
KR20160087990A (ko) * 2015-01-14 2016-07-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
KR102351664B1 (ko) * 2015-01-14 2022-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102372091B1 (ko) * 2015-01-16 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160099979A (ko) * 2015-02-13 2016-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102394427B1 (ko) * 2015-04-02 2022-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016082393A1 (zh) * 2014-11-28 2016-06-02 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
US10205117B2 (en) 2014-11-28 2019-02-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display substrate having auxiliary electrodes to mitigate an internal resistance drop, method for manufacturing the same and display device
WO2016107323A1 (zh) * 2014-12-30 2016-07-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
US9831461B2 (en) 2014-12-30 2017-11-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and mask
CN108780805A (zh) * 2016-10-09 2018-11-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
CN108780805B (zh) * 2016-10-09 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
WO2018119926A1 (zh) * 2016-12-27 2018-07-05 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示单元及其制作方法
US10333096B2 (en) 2016-12-27 2019-06-25 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED display unit and method for manufacturing the same
CN108666343B (zh) * 2017-03-31 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示面板
US11688830B2 (en) 2017-03-31 2023-06-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel unit, display substrate and display panel with shielding auxiliary electrode
CN108666343A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示面板
CN108878673A (zh) * 2017-05-10 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2018205587A1 (zh) * 2017-05-10 2018-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN107768545B (zh) * 2017-09-28 2020-09-11 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN107768545A (zh) * 2017-09-28 2018-03-06 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN108258153A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件结构及柔性显示装置
CN108258153B (zh) * 2018-01-19 2020-09-15 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件结构及柔性显示装置
CN108470843A (zh) * 2018-03-23 2018-08-31 固安翌光科技有限公司 一种oled面板、器件及其制作工艺
US11552161B2 (en) 2018-07-24 2023-01-10 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Display panels and methods for manufacturing the same
CN109004005B (zh) * 2018-07-24 2020-12-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109004005A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
US11257882B2 (en) 2018-11-15 2022-02-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) display module
CN109638038A (zh) * 2018-11-15 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种主动阵列有机发光二极管显示模块
US11309514B2 (en) 2018-12-17 2022-04-19 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED substrate and OLED display apparatus
US10886360B2 (en) 2018-12-25 2021-01-05 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
CN109597245A (zh) * 2019-01-02 2019-04-09 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及其制备方法、显示装置
CN109597245B (zh) * 2019-01-02 2023-12-12 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及其制备方法、显示装置
WO2021082061A1 (zh) * 2019-10-29 2021-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110854290A (zh) * 2019-10-29 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
US12010875B2 (en) 2019-10-29 2024-06-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel having cathode layer electrically connected to auxiliary cathode layer and manufacturing method thereof
CN113113462A (zh) * 2021-04-14 2021-07-13 武汉京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113113462B (zh) * 2021-04-14 2023-08-11 武汉京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2023061114A1 (zh) * 2021-10-12 2023-04-20 荣耀终端有限公司 一种显示面板及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20160359136A1 (en) 2016-12-08
WO2016082393A1 (zh) 2016-06-02
US10205117B2 (en) 2019-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104393188A (zh) 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN204179115U (zh) 一种有机发光二极管显示基板和显示装置
CN104576705B (zh) 一种阵列基板及制作方法、显示装置
US9111888B2 (en) Organic light emitting diode display device
CN104022123B (zh) 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
KR102246294B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
US8044426B2 (en) Light emitting device capable of removing height difference between contact region and pixel region and method for fabricating the same
WO2016176886A1 (zh) 柔性oled及其制作方法
CN104733495B (zh) 有机发光二极管显示设备及其制造方法
WO2018107524A1 (zh) Tft背板及其制作方法
TWI545740B (zh) 有機發光顯示裝置及製造其之方法
CN103839973B (zh) 有源矩阵有机发光二极管阵列基板及制作方法和显示装置
US9184387B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
EP2500946B1 (en) Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
CN105140260A (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103811530A (zh) 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN101030595B (zh) 有机el显示装置
KR102139677B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광장치 및 그 제조방법
CN209729911U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
WO2018049744A1 (zh) Amoled像素驱动电路的制作方法
CN204257650U (zh) 显示基板、显示面板和掩膜板
TW202011090A (zh) 陣列基板、顯示面板及顯示裝置
CN204289455U (zh) 有机发光二极管显示装置
CN106252525B (zh) Oled器件及制作方法、显示面板以及显示装置
CN113287028A (zh) 电子基板及其制作方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150304

RJ01 Rejection of invention patent application after publication