JP2008052951A - 表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】接触転写法によって下部電極上に有機層をパターン形成する際に、画素の開口率を低下させずに補助配線上への有機層の形成を防止でき、これにより上部電極の電圧降下を防止して表示性能の向上を図ることを可能とした表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の平坦面上に、下部電極１８とこれよりも膜厚の薄い補助配線２０とをパターン形成する。これらを覆う状態で第３絶縁膜２２を平坦化絶縁膜として形成し、画素開口２２ａとこれよりも深い接続孔２２ｂを補助配線２０上に形成する。補助配線２０との間に間隔ｄを設ける一方、下部電極１８に密着させる状態で、有機層５が設けられたドナーフィルム１を基板１０に対向配置し、この状態でのレーザ光ｈの照射によりドナーフィルム１を密着させた部分でかつレーザ光ｈを照射した部分に対応させて有機層５を下部電極上に選択的にパターン転写する。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機発光層を備えて構成される有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置の製造方法および表示装置に関する。
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：以下ＥＬと記す。）を利用した有機ＥＬ素子は、下部電極と上部電極との間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させてなる有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
近年、上記有機ＥＬ素子を用いたフルカラーの表示装置の製造において有機層をパターン形成する技術として、マスク蒸着法やインクジェット法と比較して、大型基板を用いることができると共に作製時間を大幅に短縮することが可能な転写法が注目されている。なかでも接触転写法では、転写元であるドナーフィルムに形成した有機層の積層構造をそのまま保った状態で、転写先の基板上に有機層を転写する事が出来る。このため表示装置の製造工程の簡略化に有利である。
このような接触転写法による有機層のパターン形成では、先ず有機層が予め成膜されたドナーフィルムを、下部電極が予めパターニングされた基板上に密着させる。次に、有機層を形成したい部分のみにレーザ光を照射し、これによりレーザ光が照射された有機層部分のみを、ドナーフィルム上から基板の下部電極上に選択的にパターン転写する。
また、以上のような接触転写法においては、有機層が転写形成される基板面に凹凸が有る場合、そのテーパ角を４０°以下、段差を３０００Å以下とすることにより、ドナーフィルムと基板との密着不足による転写の不具合を防止する構成が提案されている（下記特許文献1参照）。
特開２００５−１６５３２４号公報（特に００１３、００１６段落参照）
ところで、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の駆動方式としては、単純マトリックス型およびアクティブマトリックス型が挙げられるが、画素数が多い場合は、アクティブマトリックス型が適している。代表的なアクティブマトリックス型の表示装置（すなわち有機ＥＬディスプレイ）においては、基板上の各画素に薄膜トランジスタが設けられ、薄膜トランジスタが層間絶縁膜で覆われている。そして、層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子は、薄膜トランジスタに接続された状態で各画素にパターン形成された下部電極、下部電極を覆う状態で形成された有機層、有機層を覆う状態で設けられた上部電極で構成されている。上部電極は、全画素を覆うベタ膜として形成され、全画素間に共通の上部電極として用いられている。
またこのようなアクティブマトリックス型の表示装置は、有機ＥＬ素子の開口率を確保するために、基板と反対側から光を取り出す、いわゆる上面光取り出し構造（以下、上面発光型と記す）として構成することが有効になる。上面発光型とした場合、上部電極は、透明または半透明な材料で形成されるが、透明または半透明な材料からなる上部電極は、抵抗値が高いことから、上部電極内において電圧勾配が発生して電圧降下が生じ、表示性能が著しく低下してしまう。そこで、各画素間に、上部電極の補助配線を設けることにより、電圧降下を防止する構成が提案されている。
ところが、補助配線を設けた表示装置の製造に、上述した接触転写法を適用した場合、レーザ光の照射位置に位置ずれが生じると補助配線上にも有機層が転写され、上部電極と補助配線とのコンタクト不良が発生する。これにより電圧降下を効果的に防止することができず、表示性能を向上させることが困難になる。
これを防止するためには、下部電極と補助配線とを十分離れた位置に配置し、レーザ光の照射エリアが補助配線上にかからないようにする対策が必要となる。しかしながら、このような対策を講じた場合、画素レイアウト上の制約が非常に大きくなり、開口率の向上が困難になる。それにより、有機ＥＬ素子の高輝度化、長寿命化が困難になる。
本発明は、このような問題に対処するために提案されたものであり、接触転写法によって下部電極上に有機層をパターン形成する際に、画素の開口率を低下させることなく補助配線上への有機層の形成を防止でき、これにより上部電極の電圧降下を防止して表示性能の向上を図ることを可能とした表示装置の製造方法および表示装置を提供することを目的とする。
このような目的を達成するための本発明の表示装置の製造方法は、次の工程を順次行うことを特徴としている。先ず、複数の下部電極が配列形成されると共に当該下部電極間に補助配線がパターン形成された基板を用意する。また、発光機能層が設けられたドナーフィルムと用意する。そして、下部電極に発光機能層を密着させる一方、補助配線との間に間隔を設ける状態で、ドナーフィルムを基板に対して対向配置する。この状態で、ドナーフィルム上からエネルギー線を照射することにより、当該ドナーフィルムを密着させた部分でかつ当該エネルギー線を照射した部分に対応させて、発光機能層を下部電極上に選択的にパターン転写する。その後、下部電極との間に発光機能層を狭持すると共に、補助配線に接続された上部電極を形成することにより、当該下部電極と上部電極との間に発光機能層を狭持してなる発光素子を形成する。
このような製造方法によれば、エネルギー線の照射領域に位置ずれが生じた場合であっても、接続孔の底部の補助配線とドナーフィルムとの間には間隔が設けられているので、補助配線上に発光機能層がパターン転写されることはない。
したがって本発明によれば、エネルギー線の照射領域の位置ずれに対するレイアウトの余裕を広げることなく、接触転写法によって下部電極上に発光機能層をパターン形成する際の補助配線上への発光機能層の形成を防止できる。これにより、発光素子が設けられる画素の開口率を低下させることなく、補助配線によって上部電極の電圧降下を防止し、表示装置における表示性能の向上を図ることが可能となる。
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、ここでは、有機ＥＬ素子を発光素子として用いた表示装置を例にとり、先ずその製造に用いられるドナーフィルムの構成を説明し、続く各実施形態においてこのドナーフィルムを用いた表示装置の製造方法および表示装置の構成をこの順に説明する。
＜ドナーフィルム＞
図１に示すドナーフィルム１は、有機ＥＬ素子を発光素子として用いた表示装置の製造において、有機ＥＬ素子の有機層を形成する際に用いられるものである。このドナーフィルム１は、基材フィルム２上に、光熱変換層３および保護層４を介して、転写対象となる有機層（すなわち発光機能層）５が設けられている。以下、ドナーフィルム１を構成する各層の詳細を説明する。
１）基材フィルム２
基材フィルム２としては、透明高分子フィルムからなるものを用いることができる。透明高分子としては、特に限定されないが、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエーテルスルフォンなどを挙げることができる。また、膜厚としては、約１０〜６００μｍ程度が好ましく、より好ましくは約５０〜２００μｍ程度である。
２）光熱変換層３
光熱変換層３は、光を吸収して効率良く熱を発生する機能を有する膜である。そのような膜としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、その酸化物／硫化物からなる金属膜、カーボンブラック、黒鉛、赤外線染料などを高分子材料に分散した膜などを用いることができる。
３）保護層４
保護層４は、光熱変換層３と転写層である有機層５との間に配置され、有機層５に対する光熱変換層３からの汚染を防ぐための層であり、その材料としては特に限定されないが、例えば、ポリαメチルスチレンなどを用いることができる。また有機層５の剥離を補助する役割や、光熱変換層３で発生した熱を制御する役割を兼ねることも出来る。
尚、この保護膜４は、必要に応じて設ければ良い。
また、ここでの図示は省略したが、保護層４上には、必要に応じてガス発生層を設けても良い。ガス発生層は、光または熱を吸収して、分解反応によりガス（例えば、窒素ガスなど）を生成して放出することにより転写を効率良く行うための層で、その材料としては、例えば、四硝酸ペンタエリトリトール、トリニトロトルエンなどを挙げることができるが、この発明は特にこれらに限定されるものではない。
４）有機層５
有機層５としては、単層構造でも多層構造でも良く、このドナーフィルムを用いて作製する有機ＥＬ素子に必要とされる特性によって設定された層構造を備えていることが重要である。このような有機層５の構成として、下記に示す単層構造または積層構造が例示される。
（１）有機発光層
（２）電子輸送層
（３）正孔輸送層／有機発光層
（４）有機発光層／電子輸送層
（５）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（６）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／ブロッキング層／電子輸送層
以上の（１）〜（７）を構成する各層は、さらにそれぞれが単層であっても良く、積層構造であっても良い。また、（２）〜（７）の積層構造は、有機ＥＬ素子の構成によって逆の積層順となる場合も有る。これらの（１）〜（７）を構成する各層は、従来の方法で成膜することが可能であり、例えば、有機発光層であれば、有機発光材料を直接、真空蒸着法、ＥＢ法、ＭＢＥ法、スパッタリング法等のドライブロセスで成膜することが可能であるが、この発明は特にそれらに限定されるものではない。
図１においては、基材フィルム２側から順に、電子輸送層５ａ、有機発光層５ｂ、正孔輸送層５ｃ、および正孔注入層５ｄをこの順に積層した（６）の逆積み構成の有機層５を、一例として示している。
そして、フルカラーの表示装置の製造であれば、赤、緑、青の各発光色の有機ＥＬ素子を基板上に形成するため、この発光色に対応させた３種類のドナーフィルム１を用意する。各ドナーフィルム１は、少なくとも有機発光層５ｂが、それぞれの発光色に特有の発光材料を用いた異なる構成となっている。
具体的な一例として、青色の有機ＥＬ素子の形成に用いるドナーフィルム１においては、発光層を兼ねる電子輸送層５ａとして、Ａｌｑ３[tris(8-quinolinolato)aluminium(III)]が２０ｎｍの膜厚で蒸着されている。この上部に、有機発光層５ｂとして例えば電子輸送性のホスト材料であるＡＤＮ（anthracene dinaphtyl）に、青色発光性のゲスト材料である４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％で混合した材料層が、２５ｎｍ程度の膜厚で蒸着成膜されている。次いで、正孔輸送層５ｃとして、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]が３０ｎｍの膜厚で蒸着されている。最後に、正孔注入層５ｄとして、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕が１０ｎｍの膜厚で蒸着されている。
＜第1実施形態＞
図２および図３は、上述した一構成例のドナーフィルムを用いた製造方法の第1実施形態を説明する断面工程図であり、以下これらの図面に基づいてアクティブマトリックス型の表示装置の製造方法の第1実施形態を説明する。尚、これらの断面工程図は、表示領域における１画素分の断面に相当する。
先ず、図２（1）に示すように、例えば光透過性材料からなる基板１０上に、画素回路を構成する薄膜トランジスタＴｒやここでの図示を省略した容量素子や抵抗素子等を形成する。次に、これらの素子（図面においては薄膜トランジスタＴｒ）を覆う第１絶縁膜１２を成膜し、さらに第１絶縁膜１２上にトランジスタＴｒに接続されたソース電極配線１４ｓ、ドレイン電極線１４ｄ、さらにはこれらに接続された信号線や電源線等を適宜形成する。
その後、以上の配線を覆う状態で、第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１６を形成する。ここでは、この第２絶縁膜１６は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、ＳＯＧのような無機絶縁材料を用いた平坦化絶縁膜として形成する。そして、この第２絶縁膜１６に、ドレイン電極配線１４ｄに達する接続孔１６ａを形成する。
次いで、平坦化絶縁膜として形成した第２絶縁膜１６の平坦化表面の上に、有機ＥＬ素子の下部電極１８をパターン形成する。この下部電極１８は、例えば図４のレイアウト図に示すように、１画素毎の画素電極として表示領域内にマトリックス状に配列形成され、それぞれの下部電極１８が接続孔１６ａを介してドレイン電極配線１４ｄに接続される。
また、下部電極１８は、ここではアノード電極として用いられることとし、ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には可視光に対して高反射性材料で構成され、一方この表示装置が透過型である場合には可視光に対して透明に形成される。
そして、表示装置が上面発光型である場合、アノード電極となる下部電極１８は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、可視光に対して反射率の高い導電性材料、およびその合金で構成される。
また、表示装置が透過型であり、下部電極１８をアノード電極として用いる場合には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）のように、可視光に対して透過率の高い導電性材料で下部電極１８を構成する。
なお、有機ＥＬ素子が上面発光型であり、下部電極１８をカソード電極として用いる場合には、下部電極１８はアルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）−銀(Ａｇ)合金のような仕事関数が小さい導電性材料のうち、可視光に対して反射率の高いもので構成される。さらに有機ＥＬ素子が透過型であり、下部電極１８をカソード電極として用いる場合には、仕事関数が小さくかつ、可視光に対して透過率の高い導電性材料で下部電極１８を構成する。
また、第２絶縁膜（ここでは平坦化絶縁膜）１６上には、下部電極１８と絶縁性を保った状態で補助配線２０を形成する。この補助配線２０は、表示領域内において共通電位であって良く、例えば図４のレイアウト図に示すように、マトリックス状に配列された下部電極１８間に行列状に配線される。
そして特に本第１実施形態においては、この補助配線２０の膜厚を、下部電極１８よりも薄く形成することが重要である。この膜厚さは、下部電極１８の膜厚ｔ１に対して、補助配線２０の膜厚ｔ２≧ｔ１＋５００ｎｍ程度であることが好ましい。これにより、下部電極１８の表面を、補助配線２０の表面よりも高く形成する。
このような補助配線２０は、下部電極１８と別工程で形成するか、または同一工程でパターン形成した後、補助配線２０の膜厚のみを減厚させるためのエッチングを行うことによって膜厚調整しても良い。
次に、図２（２）に示すように、下部電極１８および補助配線２０を覆う状態で第３絶縁膜２２を形成する。第３絶縁膜２２は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、ＳＯＧのような無機絶縁材料を用いた平坦化絶縁膜として形成する。これにより、第３絶縁膜２２は、下部電極１８上よりも補助配線２０上で厚くなるように形成される。
次いで、第３絶縁膜２２に、下部電極１８の周縁を覆った状態で中央部を広く露出させた画素開口２２ａを形成すると共に、補助配線２０に達する接続孔２２ｂを形成する。これにより、下部電極１８上の画素開口２２ａよりも、補助配線２０上の接続孔２２ｂを深く形成する。特にここでは、画素開口２２ａの側壁テーパ角が、３０°以下となるように条件設定されたエッチングを行うことが好ましい。
次に、図２（３）に示すように、基板１０における下部電極１８の形成面側にドナーフィルム１を対向配置する。ここでは、図１を用いて説明した構成のドナーフィルム１の有機層５の形成面側を、基板１０における下部電極１８の形成面側に密着させる。この際、画素開口２２ａよりも深く形成された接続孔２２ｂの底面に露出させた補助配線２０と有機層５との間に間隔ｄを設ける。その一方、接続孔２２ｂよりも浅く形成された画素開口２２ａの底面に露出させた下部電極１８に有機層５を密着させる。
この状態で、ドナーフィルム１側から、選択された画素の下部電極１８分部に対応させてレーザ光ｈ等のエネルギー線を照射する。例えば、赤色の有機ＥＬ素子用のドナーフィルム１を基板１０に密着させた状態で、赤色画素に形成された下部電極１８に対応させた領域のみにレーザ光ｈを選択的に照射する。これにより、ドナーフィルム１の有機層５を密着させた部分で、かつレーザ光ｈを照射した部分に対応させて、有機層５を下部電極１８上に選択的にパターン転写させる接触転写を行う。
ここで、レーザ光ｈとしては、ドナーフィルム１の光熱変換層（図３参照）の材質に対して効率よく吸収できる波長のものを用いる。例えば、光熱変換層がカーボンブラックを含む高分子層で構成されている場合、例えば半導体ＣＷレーザを用いて、波長８００ｎｍの赤外レーザ光を照射し、ドナーフィルム１の光熱変換層（図３参照）にレーザ光ｈを吸収させ、そこで発生した熱を利用して、ドナーフィルム１上に成膜された有機層５を基板１０上に転写する。
またこの接触転写においては、画素開口２２ａ内に露出している下部電極１８の全面に対応する十分な領域にレーザ光ｈを照射することで、選択された画素における下部電極１８の露出面が完全に有機層５で覆われるように、レーザ光ｈの照射領域を設定することが重要である。このため、レーザ照射装置が精密なアライメント機構を備えている場合には、基板１０上のアライメントマーク（例えば下部電極１８）に沿って、適正なスポット径に調整されたレーザ光ｈを照射すれば良い。
また、レーザ光ｈを照射する部分に対応した開口を有するマスクを用いても良い。この場合、ドナーフィルム１の上部にマスク（図示省略）を配置して、レーザ光ｈを開口より大きなスポット径にして照射する。これにより、マスクの開口を介して正確にレーザ光ｈを必要な領域に照射することができる。
尚、マスクを用いる場合、広範囲（例えば全面）にレーザ光を一括して照射してもよい。これにより、短時間で目的の箇所へレーザ光ｈを照射できるようになる
そして、以上のような接触転写においては、ドナーフィルム１は下部電極１８には密着しているが、補助配線２０には密着していない。よって、レーザ光ｈが補助配線２０上のドナーフィルム１に照射された場合であっても、非密着部である補助配線２０上には有機層５が転写されることはない。
次に、図３（１）に示すように、ドナーフィルム１を基板１０側から引き剥がすことにより、赤色画素に形成された下部電極１８上に、有機層５を選択的にパターン形成する。
以上の後には、緑色の有機ＥＬ素子用のドナーフィルム１を用いて、図２（３）、図３（１）の工程を繰り返し行うことで、緑色画素に形成された下部電極１８上に、緑色発光用の有機層５を選択的にパターン形成する。また青色の有機ＥＬ素子用のドナーフィルム１を用いて、図２（３）、図３（１）の工程を繰り返し行うことで、青色画素に形成された下部電極１８上に、青色発光用の有機層５を選択的にパターン形成する。
次に、図３（２）に示すように、基板１０における表示領域の全面にベタ付けにする状態で、各画素に共通の上部電極３０を形成する。この上部電極３０は、全面に形成されるとともに、有機層５の転写後にも露出した状態となっている補助配線２０に対して接続されることになる。ただし、この上部電極３０は、有機層５および第３絶縁膜２２によって下部電極１８とは絶縁されたものになる。
またここでは、下部電極１８をアノード電極として形成しているため、上部電極３０はカソード電極として形成されることになる。そして、この上部電極３０は、ここで作製する表示装置が上面発光型である場合には可視光に対して透明、または半透明に形成され、一方この表示装置が透過型である場合には可視光に対して高反射性材料で構成される。
そして、表示装置が上面発光型である場合、カソード電極となる上部電極３０は、有機層５に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数の小さい材料で、可視光に対して透明に形成され、特に蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって形成できる金属薄膜として形成することが好ましい。また、電子注入を促進する為に、ＬｉＦ等の無機薄膜との積層構造にしても良い。ここでは、Ｍｇ-Ａｇ合金のような透過率の高い、好ましくは透過率３０％以上の金属薄膜を上部電極４として用いることとし、例えばＭｇ-Ａｇ合金を共蒸着によって１４ｎｍの膜厚で形成する。
また、有機ＥＬ素子が透過型である場合、カソード電極となる上部電極３０は、仕事関数が小さくかつ可視光に対して反射率の高い導電性材料で構成される。
尚、下部電極１８がカソード電極として形成された場合には、上部電極３０は、アノード電極として形成されることになる。そして、有機ＥＬ素子が透過型であれば、アノード電極となる上部電極３０は、可視光に対して反射率の高い導電性材料で構成される。
このような上部電極３０の形成においては、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ(chemical vapor deposition)法によって行うこととする。また、望ましくは、有機層５を大気に暴露することなく、有機層５の形成と同一の装置内において連続して上部電極３０の形成を行うことで、大気中の水分による有機層５の劣化を防止することが好ましい。
以上のような上部電極３０の形成により、下部電極１８と上部電極３０との間に有機層５を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが、各画素開口２２ａに対応して基板１０上に配列形成される。そして、これらの有機電界発光素子ＥＬは、その上部電極１８が補助配線２０と接続され、電圧降下が防止されたものとなる。
以上の後、図３（３）に示すように、上部電極３０上に、絶縁性または導電性の保護膜３２を設ける。この際、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法で、例えば蒸着法やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によって保護膜３２の形成を行うこととする。また、保護膜３２の形成は、上部電極３０を大気に暴露することなく、上部電極３０の形成と同一の装置内において連続して行うこととする。これによって、大気中の水分や酸素による有機層５の劣化を防止する。
また、この保護膜３２は、有機層５への水分の到達防止を目的とし、透過水性,吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成されることとする。さらに、表示装置が上面発光型である場合には、この保護膜３２は有機層５で発生した光を透過する材料からなり、例えば８０％程度の透過率が確保されていることとする。
そして、特にここでは、保護膜３２を絶縁性材料によって形成する、つまり、金属薄膜からなる単層構造の上部電極３０上に、絶縁性の保護膜３２を直接形成する。
このような保護膜３２として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜３２となる。
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる保護膜３２を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成されることとする。ただし、この際、有機層５の劣化による輝度の低下を防止するため成膜温度を常温に設定し、さらに、保護膜３２の剥がれを防止するために膜のストレスを最小になる条件で成膜することが望ましい。
なお、保護膜３２を導電性材料で構成する場合には、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電性材料が用いられる。
以上のようにして保護膜３２を形成した後、必要に応じて保護膜３２上に紫外線硬化樹脂３４を介して対向基板３６を固着し、表示装置３８を完成させる。
このようにして得られた表示装置３８は、上部電極３０が補助配線２０に接続された有機電界発光素子ＥＬを基板１０上に配列形成してなる。そして特に、上部電極３０を補助配線２０に接続させるための接続孔２２ｂが、画素開口２２ａよりも深く形成されたものとなっていることが特徴的である。このため、図２（３）を用いて説明した有機層５の接触転写工程においては、接続孔２２ｂの底部の補助配線２０に対してドナーフィルム１が接触し難くなっている。また、もともと接続孔２２ｂは、画素開口２２ａよりも開口幅が狭いことも、補助配線２０に対してドナーフィルム１が接触し難い要因の一つになっている。
そして、この接触転写工程においては、画素開口２２ａ内の下部電極１８に対してドナーフィルム１を密着させる一方、補助配線２０とドナーフィルム１との間には間隔ｄを設けた状態でレーザ光ｈが照射されるため、レーザ光ｈの照射領域に位置ずれが生じた場合であっても、補助配線２０上に有機層５がパターン転写されることはない。
したがって、レーザ光ｈの照射領域の位置ずれに対するレイアウトの余裕を広げることなく、接触転写法によって下部電極１８上に有機層（発光機能層）５をパターン形成する際の補助配線２０上への有機層５の形成を防止できる。これにより、画素の開口率を確保でき、かつ補助配線２０と上部電極１８とのコンタクト抵抗の上層を抑えて電圧降下を防止できるため、有機電界発光素子ＥＬの高輝度化、長寿命化を達成でき、表示装置３８における表示性能の向上を図ることが可能となる。
また、補助配線２０と上部電極１８とのコンタクト抵抗の上層が抑えられるため、消費電力を削減することが可能になる。
＜第２実施形態＞
図５および図６は、上述した一構成例のドナーフィルムを用いた製造方法の第２実施形態を説明する断面工程図であり、以下これらの図面に基づいてアクティブマトリックス型の表示装置の製造方法の第２実施形態を説明する。尚、これらの断面工程図は、表示領域における１画素分の断面に相当する。また、第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、図５（1）に示すように、基板１０上に、画素回路を構成する薄膜トランジスタＴｒなどの素子を形成し、これらを第１絶縁膜１２で覆い、この上部に薄膜トランジスタＴｒに接続されたソース電極配線１４ｓ、ドレイン電極線１４ｄ、さらにはこれらに接続された信号線や電源線等を適宜形成する。
次に、以上の配線を覆う状態で、第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１６を形成する。この第２絶縁膜１６は、平坦化絶縁膜として形成することが好ましい。そして、この第２絶縁膜１６に、ドレイン電極配線１４ｄに達する接続孔１６ａを形成する。
次いで、平坦化絶縁膜として形成した第２絶縁膜１６の平坦化表面の上に、有機ＥＬ素子の下部電極１８および補助配線４０をパターン形成する。図４のレイアウト図に示すように、下部電極１８は、例えば１画素毎の画素電極として表示領域内にマトリックス状に配列形成され、それぞれの下部電極１８が接続孔１６ａを介してドレイン電極配線１４ｄに接続される。また、補助配線４０は、表示領域内において共通電位であって良く、マトリックス状に配列された下部電極１８間に行列状に配線される。これらの下部電極１８および補助配線４０は、同一工程で形成して良い。
次に、図５（２）に示すように、下部電極１８および補助配線４０を覆う状態で第３絶縁膜２２を形成する。第３絶縁膜２２は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、ＳＯＧのような無機絶縁材料を用いた平坦化絶縁膜として形成する。
次いで、第３絶縁膜２２に、下部電極１８を露出させた画素開口２２ａを形成すると共に、補助配線４０に達する接続孔２２ｂを形成する。ここでは、下部電極１８の側壁まで露出させるように画素開口２２ａを大口径化することで、画素開口２２ａの開口径に対する接続孔２２ｂの開口径の比率を縮小させるところが特徴的である。
以上の後には、第１実施形態と同様に、図５（３）〜図６（３）に示す工程を行う。
すなわち先ず、図５（３）に示すように、基板１０における下部電極１８の形成面側にドナーフィルム１を対向配置する。ここでは、図１を用いて説明した構成のドナーフィルム１の有機層５の形成面側を、基板１０における下部電極１８の形成面側に密着させる。この際、大口径化された画素開口２２ａの底面に露出させた下部電極１８に有機層５を密着させる。その一方、大口径化された画素開口２２ａに対して、充分に開口径の比率が小さくなった接続孔２２ｂの底面に露出させた補助配線４０と有機層５との間に間隔ｄを設ける。
この状態で、ドナーフィルム１側から、選択された画素の下部電極１８分部に対応させてレーザ光ｈ等のエネルギー線を照射し、ドナーフィルム１の有機層５を密着させた部分で、かつレーザ光ｈを照射した部分に対応させて、有機層５を下部電極１８上に選択的にパターン転写させる接触転写を行う。
次に、図６（１）に示すように、ドナーフィルム１を基板１０側から引き剥がすことにより、目的の画素に形成された下部電極１８上に、有機層５を選択的にパターン形成する。
そして、図５（３）、図６（１）の工程を繰り返し行うことで、各色の画素に形成された下部電極１８上に、各色の有機層５を選択的にパターン形成する。
次に、図６（２）に示すように、基板１０における表示領域の全面にベタ付けにする状態で、各画素に共通の上部電極３０を形成する。そして、有機層５の転写後にも露出した状態となっている補助配線４０に、上部電極３０を接続させる。
以上のような上部電極３０の形成により、下部電極１８と上部電極３０との間に有機層５を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが、各画素開口２２ａに対応して基板１０上に配列形成される。そして、これらの有機電界発光素子ＥＬは、その上部電極１８が補助配線４０と接続され、電圧降下が防止されたものとなる。
以上の後、図６（３）に示すように、上部電極３０上に、絶縁性または導電性の保護膜３２を設け、必要に応じて保護膜３２上に紫外線硬化樹脂３４を介して対向基板３６を固着し、表示装置３８ａを完成させる。
このようにして得られた表示装置３８ａは、上部電極３０が補助配線４０に接続され有機電界発光素子ＥＬを基板１０上に配列形成してなる。そして特に、上部電極３０を補助配線４０に接続させるための接続孔２２ｂの開口径が、大口径化された画素開口２２ａに対して充分小さく形成されたものとなっていることが特徴的である。これにより、図５（３）を用いて説明した有機層５の接触転写工程においては、接続孔２２ｂの底部の補助配線４０に、ドナーフィルム１が接触し難くなっている。
そして、以上説明した第２実施形態の製造方法においても、この接触転写工程においては、画素開口２２ａ内の下部電極１８に対してドナーフィルム１を密着させる一方、補助配線４０とドナーフィルム１との間には間隔ｄを設けた状態でレーザ光ｈが照射されるため、レーザ光ｈの照射領域に位置ずれが生じた場合であっても、補助配線４０上に有機層５がパターン転写されることはない。
したがって、第１実施形態と同様に、有機電界発光素子ＥＬの高輝度化、長寿命化を達成でき、表示装置３８ａにおける表示性能の向上を図ることが可能となる。
＜第３実施形態＞
図７および図８は、上述した一構成例のドナーフィルムを用いた製造方法の第３実施形態を説明する断面工程図であり、以下これらの図面に基づいてアクティブマトリックス型の表示装置の製造方法の第３実施形態を説明する。尚、これらの断面工程図は、表示領域における１画素分の断面に相当する。また、第２実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、図７（1）に示すように、基板１０上に、画素回路を構成する薄膜トランジスタＴｒなどの素子を形成し、これらを第１絶縁膜１２で覆い、この上部に薄膜トランジスタＴｒに接続されたソース電極配線１４ｓ、ドレイン電極線１４ｄ、さらにはこれらに接続された信号線や電源線等を適宜形成する。
次に、第２実施形態と同様に、第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１６を形成してドレイン電極配線１４ｄに達する接続孔１６ａを設け、次いで第２絶縁膜１６の平坦化表面の上に、有機ＥＬ素子の下部電極１８および補助配線４０をパターン形成する。
次に、図７（２）に示すように、下部電極１８および補助配線４０を覆う状態で第３絶縁膜２２を形成する。第３絶縁膜２２は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、ＳＯＧのような無機絶縁材料を用いた平坦化絶縁膜として形成する。
次いで、第３絶縁膜２２に、下部電極１８の周縁を覆った状態で中央部を広く露出させた画素開口２２ａを形成すると共に、補助配線４０に達する接続孔２２ｂを形成する。この際、特に、画素開口２２ａの側壁のテーパ角度θ１（好ましくはθ１≦３０°）よりも、接続孔２２ｂの側壁のテーパ角度θ２が大きくなるように、これらの画素開口２２ａおよび接続孔２２ｂを形成することが本第３実施形態の特徴となる。
このような画素開口２２ａおよび接続孔２２ｂの形成は、例えば、レジストパターンを用いた２回のエッチングによって形成する。つまり、第３絶縁膜２２上に、テーパ角度θ１の画素開口２２ａに対応する開口を備えた第１のレジストパターンを形成する。そして、第１のレジストパターン上から、第１のレジストパターンと共に第３絶縁膜２２をエッチングすることにより、第３絶縁膜２２にテーパ角度θ１の画素開口２２ａを形成する。同様に、第２のレジストパターンを用いたエッチングにより、第３絶縁膜２２にテーパ角度θ２の接続孔２２ｂを形成する。
尚、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンに設ける開口のテーパ角度は、レジストパターン形成の際の露光量等によって調整することができる。
以上の後には、第１実施形態と同様に、図７（３）〜図８（３）に示す工程を行う。
すなわち先ず、図７（３）に示すように、基板１０における下部電極１８の形成面側にドナーフィルム１を対向配置する。ここでは、図１を用いて説明した構成のドナーフィルム１の有機層５の形成面側を、基板１０における下部電極１８の形成面側に密着させる。この際、画素開口２２ａよりも側壁のテーパ角度θ２が大き形成された接続孔２２ｂの底面に露出させた補助配線４０と有機層５との間に間隔ｄを設ける。その一方、接続孔２２ｂよりもテーパ角度θ１が小さく形成された画素開孔２２ａの底面に露出させた下部電極１８に有機層５を密着させる。
この状態で、ドナーフィルム１側から、選択された画素の下部電極１８分部に対応させてレーザ光ｈ等のエネルギー線を照射し、ドナーフィルム１の有機層５を密着させた部分で、かつレーザ光ｈを照射した部分に対応させて、有機層５を下部電極１８上に選択的にパターン転写させる接触転写を行う。
次に、図８（１）に示すように、ドナーフィルム１を基板１０側から引き剥がすことにより、目的の画素に形成された下部電極１８上に、有機層５を選択的にパターン形成する。
そして、図７（３）、図８（１）の工程を繰り返し行うことで、各色の画素に形成された下部電極１８上に、各色の有機層５を選択的にパターン形成する。
次に、図８（２）に示すように、基板１０における表示領域の全面にベタ付けにする状態で、各画素に共通の上部電極３０を形成する。そして、有機層５の転写後にも露出した状態となっている補助配線４０に、上部電極３０を接続させる。
以上のような上部電極３０の形成により、下部電極１８と上部電極３０との間に有機層５を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが、各画素開口２２ａに対応して基板１０上に配列形成される。そして、これらの有機電界発光素子ＥＬは、その上部電極１８が補助配線４０と接続され、電圧降下が防止されたものとなる。
以上の後、図８（３）に示すように、上部電極３０上に、絶縁性または導電性の保護膜３２を設け、必要に応じて保護膜３２上に紫外線硬化樹脂３４を介して対向基板３６を固着し、表示装置３８ｂを完成させる。
このようにして得られた表示装置３８ｂは、上部電極３０が補助配線４０に接続され有機電界発光素子ＥＬを基板１０上に配列形成してなる。そして特に、上部電極３０を補助配線４０に接続させるための接続孔２２ｂにおける側壁のテーパ角度θ２が、画素開口２２ａにおける側壁のテーパ角度θ１よりも大きく形成されたものとなっていることが特徴的である。これにより、図７（３）を用いて説明した有機層５の接触転写工程においては、接続孔２２ｂの底部の補助配線４０に、ドナーフィルム１が接触し難くなっている。また、もともと接続孔２２ｂは、画素開口２２ａよりも開口幅が狭いことも、補助配線４０に対してドナーフィルム１が接触し難い要因の一つであることは、他の実施形態と同様である。
そして、以上説明した第３実施形態の製造方法においても、この接触転写工程においては、画素開口２２ａ内の下部電極１８に対してドナーフィルム１を密着させる一方、補助配線４０とドナーフィルム１との間には間隔ｄを設けた状態でレーザ光ｈが照射されるため、レーザ光ｈの照射領域に位置ずれが生じた場合であっても、補助配線４０上に有機層５がパターン転写されることはない。
したがって、第１実施形態と同様に、有機電界発光素子ＥＬの高輝度化、長寿命化を達成でき、表示装置３８ｂにおける表示性能の向上を図ることが可能となる。
尚、上述した第１実施形態、第２実施形態、および第３実施形態は、適宜組み合わせて実施することが可能であり、組み合わせることにより、各実施形態の効果を高めることが可能になる。
＜第４実施形態＞
図９および図１０は、上述した一構成例のドナーフィルムを用いた製造方法の第４実施形態を説明する断面工程図であり、以下これらの図面に基づいてアクティブマトリックス型の表示装置の製造方法の第４実施形態を説明する。尚、これらの断面工程図は、表示領域における１画素分の断面に相当する。また、第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、図９（1）に示すように、基板１０上に、画素回路を構成する薄膜トランジスタＴｒなどの素子を形成し、これらを第１絶縁膜１２で覆い、この上部に薄膜トランジスタＴｒに接続されたソース電極配線１４ｓ、ドレイン電極線１４ｄ、さらにはこれらに接続された信号線や電源線等を適宜形成する。
また、特に本第４実施形態においては、上述した素子または配線の何れかの層と同一層で、補助配線５０を形成することが特徴である。この補助配線５０は、第１実施形態と同様に表示領域内において共通電位であって良く、例えば図４のレイアウト図に示すように、次の工程で形成される下部電極１８間に行列状に配線される。尚、ここでは、ソース電極配線１４ｓおよびドレイン電極線１４ｄと同一層で補助配線５０を形成した構成を図示したが、ここでの図示を省略した他の配線と同一層で補助配線５０を形成しても良い。
その後、以上の補助配線５０を含む配線を覆う状態で、第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１６を形成する。この第２絶縁膜１６は、図示したような平坦化絶縁膜として形成しても良く、また略同一の膜厚で形成しても良い。
次いで、第２絶縁膜１６に、ドレイン電極配線１４ｄに達する接続孔１６ａを形成する。この際、補助配線５０に達する接続孔１６ｂを同時に形成する。
次に、図９（２）に示すように、第２絶縁膜１６上にドレイン電極配線１４ｄに接続させた下部電極１８を、表示領域内にマトリックス状に配列形成する。これにより、補助配線５０の表面よりも、下部電極１８の表面を高く形成する。この際、図４のレイアウト図に示したように、行列上に配線された補助配線５０間に下部電極１８を配置する。
その後、第１実施形態と同様に、図９（３）〜図１０（３）に示す工程を行う。
すなわち先ず、図９（３）に示すように、基板１０における下部電極１８の形成面側にドナーフィルム１を対向配置する。ここでは、図１を用いて説明した構成のドナーフィルム１の有機層５の形成面側を、基板１０における下部電極１８の形成面側に密着させる。この際、接続孔１６ｂの底面に露出させた補助配線５０と有機層５との間に間隔ｄを設ける。その一方、第２絶縁膜１６の表面上に形成された下部電極１８に有機層５を密着させる。
この状態で、ドナーフィルム１側から、選択された画素の下部電極１８分部に対応させてレーザ光ｈ等のエネルギー線を照射し、ドナーフィルム１の有機層５を密着させた部分で、かつレーザ光ｈを照射した部分に対応させて、有機層５を下部電極１８上に選択的にパターン転写させる接触転写を行う。
次に、図１０（１）に示すように、ドナーフィルム１を基板１０側から引き剥がすことにより、目的の画素に形成された下部電極１８上に、有機層５を選択的にパターン形成する。
そして、図９（３）、図１０（１）の工程を繰り返し行うことで、各色の画素に形成された下部電極１８上に、各色の有機層５を選択的にパターン形成する。
次に、図１０（２）に示すように、基板１０における表示領域の全面にベタ付けにする状態で、各画素に共通の上部電極３０を形成する。そして、有機層５の転写後にも露出した状態となっている補助配線５０に、上部電極３０を接続させる。
以上のような上部電極３０の形成により、下部電極１８と上部電極３０との間に有機層５を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが、基板１０上に配列形成される。そして、これらの有機電界発光素子ＥＬは、その上部電極１８が補助配線５０と接続され、電圧降下が防止されたものとなる。
以上の後、図１０（３）に示すように、上部電極３０上に、絶縁性または導電性の保護膜３２を設け、必要に応じて保護膜３２上に紫外線硬化樹脂３４を介して対向基板３６を固着し、表示装置５２を完成させる。
このようにして得られた表示装置５２は、上部電極３０が補助配線５０に接続された有機電界発光素子ＥＬを基板１０上に配列形成してなる。そして特に、下部電極１８を第２絶縁膜１６上に設け、上部電極３０が接続された補助配線５０を第２絶縁膜１６に設けた接続孔１６ｂの底部に露出せた状態としていることが特徴的である。このため、第１実施形態と同様に、図９（３）を用いて説明した有機層５の接触転写工程においては、接続孔１６ｂの底部の補助配線５０に、ドナーフィルム１が接触し難くなっている。
そして、以上説明した第４実施形態の製造方法においても、この接触転写工程においては、下部電極１８に対してドナーフィルム１を密着させる一方、補助配線５０とドナーフィルム１との間には間隔ｄを設けた状態でレーザ光ｈが照射されるため、レーザ光ｈの照射領域に位置ずれが生じた場合であっても、補助配線５０上に有機層５がパターン転写されることはない。
したがって、第１実施形態と同様に、有機電界発光素子ＥＬの高輝度化、長寿命化を達成でき、表示装置５２における表示性能の向上を図ることが可能となる。
尚、上述した第４実施形態は、第１実施形態と組み合わせて実施することが可能であり、組み合わせることにより、実施形態の効果を高めることが可能になる。
＜第５実施形態＞
図１１および図１２は、上述した一構成例のドナーフィルムを用いた製造方法の第５実施形態を説明する断面工程図であり、以下これらの図面に基づいてアクティブマトリックス型の表示装置の製造方法の第５実施形態を説明する。尚、これらの断面工程図は、表示領域における１画素分の断面に相当する。また、第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、図１１（1）に示すように、基板１０上に、画素回路を構成する薄膜トランジスタＴｒなどの素子を形成し、これらを第１絶縁膜１２で覆い、この上部に薄膜トランジスタＴｒに接続されたソース電極配線１４ｓ、ドレイン電極線１４ｄ、さらにはこれらに接続された信号線や電源線等を適宜形成する。
また、本第５実施形態においても、上述した第４実施形態と同様に、素子または配線の何れかの層と同一層で、補助配線５０を形成することが特徴である。
その後、以上の補助配線５０を含む配線を覆う状態で、第１絶縁膜１２上に第２絶縁膜１６を形成し、さらにドレイン電極配線１４ｄに達する接続孔１６ａを形成する。この第２絶縁膜１６は、図示したような平坦化絶縁膜として形成しても良く、また略同一の膜厚で形成しても良い。
次に、第２絶縁膜１６にドレイン電極配線１４ｄに達する接続孔１６ａを形成した後、第２絶縁膜１６上にドレイン電極配線１４ｄに接続させた下部電極１８を、表示領域内にマトリックス状に配列形成する。これにより、補助配線５０の表面よりも、下部電極１８の表面を高く形成する。この際、図４のレイアウト図に示したように、行列上に配線された補助配線５０間に下部電極１８を配置する。
次に、図１１（２）に示すように、下部電極１８を覆う状態で第３絶縁膜２２を形成する。この第３絶縁膜２２は、図示したような平坦化絶縁膜として形成しても良く、また略同一の膜厚で形成しても良い。以上により、下部電極１８上を第３絶縁膜２２で覆い、補助配線５０上を第２絶縁膜１６および第３絶縁膜２２で覆うことで、下部電極１８上よりも補助配線５０上における絶縁膜の膜厚を厚くする。
次いで、第３絶縁膜２２に、下部電極１８の周縁を覆った状態で中央部を広く露出させた画素開口２２ａを形成する。また、第３絶縁膜２２および第２絶縁膜１６に、補助配線５０に達する接続孔２２ｂ’を形成する。これにより、下部電極１８上の画素開口２２ａよりも、補助配線５０上の接続孔２２ｂ’を深く形成する。特にここでは、画素開口２２ａの側壁テーパ角が、３０°以下となるように条件設定されたエッチングを行うことが好ましい。
その後、第１実施形態と同様に、図１１（３）〜図１２（３）に示す工程を行う。
すなわち先ず、図１１（３）に示すように、基板１０における下部電極１８の形成面側にドナーフィルム１を対向配置する。ここでは、図１を用いて説明した構成のドナーフィルム１の有機層５の形成面側を、基板１０における下部電極１８の形成面側に密着させる。この際、画素開口２２ａよりも深く形成された接続孔２２ｂ’の底面に露出させた補助配線５０と有機層５との間に間隔ｄを設ける。その一方、接続孔２２ｂ’よりも浅く形成された画素開孔２２ａの底面に露出させた下部電極１８に有機層５を密着させる。
この状態で、ドナーフィルム１側から、選択された画素の下部電極１８分部に対応させてレーザ光ｈ等のエネルギー線を照射し、ドナーフィルム１の有機層５を密着させた部分で、かつレーザ光ｈを照射した部分に対応させて、有機層５を下部電極１８上に選択的にパターン転写させる接触転写を行う。
次に、図１２（１）に示すように、ドナーフィルム１を基板１０側から引き剥がすことにより、目的の画素に形成された下部電極１８上に、有機層５を選択的にパターン形成する。
そして、図１１（３）、図１２（１）の工程を繰り返し行うことで、各色の画素に形成された下部電極１８上に、各色の有機層５を選択的にパターン形成する。
次に、図１２（２）に示すように、基板１０における表示領域の全面にベタ付けにする状態で、各画素に共通の上部電極３０を形成する。そして、有機層５の転写後にも露出した状態となっている補助配線５０に、上部電極３０を接続させる。
以上のような上部電極３０の形成により、下部電極１８と上部電極３０との間に有機層５を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬが、各画素開口２２ａに対応して基板１０上に配列形成される。そして、これらの有機電界発光素子ＥＬは、その上部電極１８が補助配線５０と接続され、電圧降下が防止されたものとなる。
以上の後、図１２（３）に示すように、上部電極３０上に、絶縁性または導電性の保護膜３２を設け、必要に応じて保護膜３２上に紫外線硬化樹脂３４を介して対向基板３６を固着し、表示装置５２ａを完成させる。
このようにして得られた表示装置５２ａは、上部電極３０が補助配線５０に接続された有機電界発光素子ＥＬを基板１０上に配列形成してなる。そして特に、上部電極３０を補助配線５０に接続させるための接続孔２２ｂ’が、画素開口２２ａよりも深く形成されたものとなっていることが特徴的である。このため、第１実施形態と同様に、図１１（３）を用いて説明した有機層５の接触転写工程においては、接続孔２２ｂ’の底部の補助配線５０に、ドナーフィルム１が接触し難くなっている。また、もともと接続孔２２ｂ’は、画素開口２２ａよりも開口幅が狭いことも、補助配線２０に対してドナーフィルム１が接触し難い要因の一つになっている。
そして、以上説明した第５実施形態の製造方法においても、この接触転写工程においては、画素開口２２ａ内の下部電極１８に対してドナーフィルム１を密着させる一方、補助配線５０とドナーフィルム１との間には間隔ｄを設けた状態でレーザ光ｈが照射されるため、レーザ光ｈの照射領域に位置ずれが生じた場合であっても、補助配線５０上に有機層５がパターン転写されることはない。
したがって、第１実施形態と同様に、有機電界発光素子ＥＬの高輝度化、長寿命化を達成でき、表示装置５２における表示性能の向上を図ることが可能となる。
尚、上述した第５実施形態は、第１実施形態〜第３実施形態と適宜組み合わせて実施することが可能であり、組み合わせることにより、各実施形態の効果を高めることが可能になる。
＜変形例＞
図１３には、上述した第１実施形態〜第５実施形態の変形例として、特に第４実施形態に付いての変形例を示す。図１３（１）に示すように、補助配線５０を覆う第２絶縁膜１６に形成する接続孔１６ｂは、補助配線５０の側壁を露出させる状態で形成しても良い。この点が、上述した第１実施形態〜第５実施形態とは異なる点である。
このような接続孔１６ｂを形成した後には、第４実施形態と同様の手順を行い、図１３（２）に示すように有機電界発光素子ＥＬを形成する。その後、図１３（３）に示すように、保護膜３２、および紫外線硬化樹脂３４を介して対向基板３６を固着し、表示装置５２ｂを完成させる。
このような構成であっても、第４実施形態と同様の効果を得ることができる。
尚、この変形例は、第４実施形態以外の、第１〜第３実施形態および第５実施形態にも適用可能である。さらに、第１〜第３実施形態および第５実施形態で示したような画素開口２２ａを設ける構成においては、下部電極上に転写形成される有機層によって下部電極と上部電極とが絶縁されることを条件として、画素開口２２ａ内に下部電極の全面を露出させても良い。
尚、上述した各実施形態(変形例も含む）においては、アクティブマトリックス型の表示装置の製造に本発明を適用した手順を説明した。しかしながら本発明はパッシブマトリックス型の表示装置の製造にも同様に適用可能であり、同様の効果を得ることが可能である。
パッシブ型の表示装置であれば、図１４のレイアウト図に示すように、下部電極７１が一方向に延設形成され、これらの下部電極７１間に補助配線７２が設けられる。この補助配線７２は共通電極として設ける。また、下部電極７１および補助配線７２上に共通電極として上部電極７３が設けられる。そして、下部電極７１と上部電極７３とが交差して重なる部分に有機層（図示省略）を狭持させて有機ＥＬ素子を構成することは、アクティブマトリックス型と同様である。また、補助配線７２上に上部電極７３が重なる部分において、接続孔を介して補助配線７２に上部電極７３を接続させることも、アクティブマトリックス型と同様である。
このような構成のパッシブマトリックス型の表示装置の作製において、下部電極７１および補助配線７２を形成し、さらに上部電極７３を形成して有機ＥＬ素子を形成する工程に、上述した各実施形態を適用することにより、各実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、上述した実施形態においては、有機ＥＬ素子を用いた表示装置への適用に限定されるものではなく、上部電極と下部電極との間に発光機能層を狭持させた発光素子を備え、さらに上部電極に接続された補助配線を有する表示装置の製造おいて、発光機能層を接触転写法によって形成する場合に広く適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
実施形態の製造方法に用いるドナーフィルムの一構成例を示す要部断面図である。 第１実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。 第１実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。 実施形態における下部電極と補助配線とのレイアウトの一例を示す平面図である。 第２実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。 第２実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。 第３実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。 第３実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。 第４実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。 第４実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。 第５実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その１）である。 第５実施形態の製造方法を説明する断面工程図（その２）である。 実施形態の変形例を示す断面工程図である。 パッシブ型の表示装置における下部電極、補助配線、および上部電極のレイアウトの一例を示す平面図である。
符号の説明
１…ドナーフィルム、５…有機層、１０…基板、１６…第２絶縁膜、１６ｂ…接続孔、１８，７１…下部電極、２０，４０，５０，７２…補助配線、２２…第３絶縁膜、２２ａ…画素開口、２２ｂ，２２ｂ’…接続孔、３０，７３…上部電極、３８，３８ａ，３８ｂ，５２，５２ａ…表示装置、ｈ…レーザ光（エネルギー線）、ＥＬ…有機ＥＬ素子（発光素子）、ｔ１…画素電極の膜厚、ｔ２…補助配線の膜厚、θ１…画素開口のテーパ角度、θ２…接続孔のテーパ角度

Claims (14)

  1. 複数の下部電極が配列形成されると共に当該下部電極間に補助配線がパターン形成された基板と、発光機能層が設けられたドナーフィルムとを用意し、前記下部電極に前記発光機能層を密着させる一方前記補助配線との間に間隔を設ける状態で、前記ドナーフィルムを前記基板に対して対向配置する工程と、
    前記ドナーフィルム上からエネルギー線を照射することにより、当該ドナーフィルムを密着させた部分でかつ当該エネルギー線を照射した部分に対応させて前記発光機能層を前記下部電極上に選択的にパターン転写する工程と、
    前記下部電極との間に前記発光機能層を狭持すると共に前記補助配線に接続された上部電極を形成することにより、当該下部電極と上部電極との間に発光機能層を狭持してなる発光素子を形成する工程とを行う
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 基板上に、複数の下部電極を配列形成すると共に当該下部電極間に補助配線をパターン形成する工程と、
    前記下部電極および補助配線を覆う状態で前記基板上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に当該下部電極を露出させる画素開口および当該補助配線に達する接続孔を形成する工程と、
    前記補助配線との間に間隔を設ける一方、前記画素開口の底部に露出させた前記下部電極に密着させる状態で、発光機能層が設けられたドナーフィルムを前記基板に対向配置する工程と、
    前記ドナーフィルム上からエネルギー線を照射することにより、当該ドナーフィルムを密着させた部分でかつ当該エネルギー線を照射した部分に対応させて前記発光機能層を前記下部電極上に選択的にパターン転写する工程と、
    前記下部電極との間に前記発光機能層を狭持すると共に前記接続孔を介して前記補助配線に接続された上部電極を前記絶縁膜上に形成することにより、当該下部電極と上部電極との間に発光機能層を狭持してなる発光素子を形成する工程とを行う
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  3. 請求項２記載の表示装置の製造方法において、
    前記下部電極上よりも前記補助配線上の膜厚が厚くなるように前記絶縁膜を形成することにより、前記接続孔を前記画素開口よりも深く形成し、前記接続孔底部の補助配線への前記ドナーフィルムの接触を防止する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  4. 請求項３記載の表示装置の製造方法において、
    前記下部電極と補助配線と形成する工程では、当該下部電極の表面を当該補助配線の表面よりも高く形成し、
    前記絶縁膜を平坦化絶縁膜として形成することにより、前記下部電極上よりも前記補助配線上の膜厚が厚くなるように当該絶縁膜を形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  5. 請求項４記載の表示装置の製造方法において、
    前記下部電極と補助配線と形成する工程では、前記下部電極とこれよりも膜厚が薄い前記補助配線とを平坦な下地面上に形成することにより、当該下部電極の表面を当該補助配線の表面よりも高くする
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  6. 請求項２記載の表示装置の製造方法において、
    前記下部電極の側壁を露出させる程度に前記画素開口を大口径化することにより、当該画素電極の開口径に対する前記接続孔の開口径の比率を縮小して当該接続孔底部の補助配線への前記ドナーフィルムの接触を防止する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  7. 請求項２記載の表示装置の製造方法において、
    前記画素開口の側壁よりも前記接続孔の側壁のテーパ角度が大きくなるように当該画素開口および接続孔を形成し、前記接続孔底部の補助配線への前記ドナーフィルムの接触を防止する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  8. 基板上に補助配線をパターン形成する工程と、
    前記補助配線を覆う絶縁膜を形成してこの上部に下部電極をパターン形成する工程と、
    前記絶縁膜に前記補助配線に達する接続孔を形成する工程と、
    前記接続孔の底部に露出させた前記補助配線との間に間隔を設ける一方、前記絶縁膜上の下部電極に密着させる状態で、発光機能層が設けられたドナーフィルムを前記基板に対向配置する工程と、
    前記ドナーフィルム上からエネルギー線を照射することにより、当該ドナーフィルムを密着させた部分でかつ当該エネルギー線を照射した部分に対応させて前記発光機能層を前記下部電極上に選択的にパターン転写する工程と、
    前記下部電極との間に前記発光機能層を狭持すると共に前記接続孔を介して前記補助配線に接続された上部電極を前記絶縁膜上に形成することにより、当該下部電極と上部電極との間に発光機能層を狭持してなる発光素子を形成する工程とを行う
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  9. 請求項８記載の表示装置の製造方法において、
    前記下部電極をパターン形成した後、前記接続孔を形成する前に、当該下部電極を覆う状態で上層絶縁膜を形成し、
    次いで、前記上層絶縁膜に前記下部電極を露出させる画素開口を形成すると共に、当該上層絶縁膜と前記絶縁膜とに前記補助配線に達する接続孔を当該画素開口よりも深く形成する
    ことを特徴とする表示装置の製造方法。
  10. 基板上にパターン形成された複数の下部電極と、当該下部電極間にパターン形成された補助配線と、前記下部電極を露出する画素開口と前記補助配線に達する接続孔を備えて前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記画素開口内に露出した前記下部電極上にパターン形成された発光機能層と、当該発光機能層を介して前記下部電極上に設けられて発光素子を構成すると共に前記接続孔を介して前記補助配線に接続された上部電極とを備えた表示装置において、
    前記接続孔は、前記画素開口よりも深い
    ことを特徴とする表示装置。
  11. 基板上にパターン形成された複数の下部電極と、当該下部電極間にパターン形成された補助配線と、前記下部電極を露出する画素開口と前記補助配線に達する接続孔を備えて前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記画素開口内に露出した前記下部電極上にパターン形成された発光機能層と、当該発光機能層を介して前記下部電極上に設けられて発光素子を構成すると共に前記接続孔を介して前記補助配線に接続された上部電極とを備えた表示装置において、
    前記画素開口は前記下部電極の側壁を露出させるように大口径化されている
    ことを特徴とする表示装置。
  12. 基板上にパターン形成された複数の下部電極と、当該下部電極間にパターン形成された補助配線と、前記下部電極を露出する画素開口と前記補助配線に達する接続孔を備えて前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記画素開口内に露出した前記下部電極上にパターン形成された発光機能層と、当該発光機能層を介して前記下部電極上に設けられて発光素子を構成すると共に前記接続孔を介して前記補助配線に接続された上部電極とを備えた表示装置において、
    前記画素開口の側壁よりも前記接続孔の側壁のテーパ角度が大きい
    ことを特徴とする表示装置。
  13. 基板上にパターン形成された補助配線と、当該補助配線に達する接続孔を備えて前記基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上にパターン形成された下部電極と、前記下部電極上にパターン形成された発光機能層と、当該発光機能層を介して前記下部電極上に設けられて発光素子を構成すると共に前記接続孔を介して前記補助配線に接続された上部電極とを備えた
    ことを特徴とする表示装置。
  14. 請求項１３記載の表示装置において、
    前記絶縁膜上には、前記下部電極を露出する画素開口と共に前記下部電極に達する接続孔が設けられた上層絶縁膜が設けられ、
    前記発光機能層および前記上部電極は、前記上層絶縁膜上からの形成によって得られたものである
    ことを特徴とする表示装置。
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US13/178,631 US20110260606A1 (en) 2006-08-23 2011-07-08 Method for manufacturing display and display
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283455A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着用基板の作製方法、および発光装置の作製方法
JP2011060692A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2013016480A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Samsung Display Co Ltd レーザー熱転写装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法
JPWO2011074493A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
JP2015133190A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 日本電気硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、及びガラスフィルム積層体
KR20160053357A (ko) * 2014-11-03 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180049005A (ko) * 2016-01-21 2018-05-10 애플 인크. 유기 발광 다이오드 디스플레이들을 위한 전력 및 데이터 라우팅 구조들

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900444B1 (ko) * 2007-06-27 2009-06-02 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2013109920A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Canon Inc 有機ｅｌ装置の製造方法
CN104471737B (zh) * 2012-07-13 2017-08-08 株式会社Lg化学 可见光透射性优秀的光热转换膜及利用其的有机发光二极管用转印膜
KR102015873B1 (ko) * 2013-01-03 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법
KR102051632B1 (ko) * 2013-04-12 2019-12-04 삼성디스플레이 주식회사 레이저 열전사 장치 및 레이저 열전사 방법
US9362345B2 (en) * 2013-05-31 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR20150009126A (ko) * 2013-07-15 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI523217B (zh) * 2013-09-12 2016-02-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN104576688B (zh) * 2013-10-10 2018-11-09 精工爱普生株式会社 发光装置以及电子设备
KR102139577B1 (ko) * 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103872090B (zh) * 2014-03-03 2017-04-12 青岛海信电器股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板
KR102292148B1 (ko) 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
CN104269494B (zh) * 2014-09-15 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
GB2540334B (en) * 2015-04-22 2019-12-11 Flexenable Ltd A control component for a current-driven optical media
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
CN106252525B (zh) * 2016-08-26 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及制作方法、显示面板以及显示装置
CN106992204B (zh) * 2017-04-25 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107331788B (zh) * 2017-06-26 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件、oled显示装置及oled器件的制备方法
US10741477B2 (en) * 2018-03-23 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor devices and methods of forming the same
KR102480092B1 (ko) * 2018-04-30 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059660A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Toshiba Corp 自己発光型表示装置の製造方法
JP2003257638A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法およびこの製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2004207217A (ja) * 2002-12-11 2004-07-22 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2005004188A (ja) * 2003-05-16 2005-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電子機器
JP2005011810A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Eastman Kodak Co 上面発光型ｏｌｅｄデバイスの製造方法
JP2005031645A (ja) * 2003-06-16 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2005165324A (ja) * 2003-11-29 2005-06-23 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2005309400A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2006156374A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Samsung Sdi Co Ltd 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2918037B1 (ja) * 1998-06-18 1999-07-12 日本電気株式会社 カラー有機ｅｌディスプレイとその製造方法
TW468283B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP2003077651A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4634673B2 (ja) * 2001-09-26 2011-02-16 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3605060B2 (ja) * 2001-09-28 2004-12-22 三洋電機株式会社 表示装置
KR100656490B1 (ko) * 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
JP3481231B2 (ja) * 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US7161184B2 (en) * 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP2005116193A (ja) * 2003-10-02 2005-04-28 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス
JP4419534B2 (ja) * 2003-11-25 2010-02-24 株式会社豊田自動織機 発光セル、当該セルを用いた発光デバイス、当該発光デバイス用の筐体、発光セルの製造方法、発光ユニット、当該ユニットを用いた発光デバイス、及び当該発光デバイス用の筐体
KR100573132B1 (ko) * 2004-02-14 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100712111B1 (ko) * 2004-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059660A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Toshiba Corp 自己発光型表示装置の製造方法
JP2003257638A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法およびこの製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2004207217A (ja) * 2002-12-11 2004-07-22 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2005004188A (ja) * 2003-05-16 2005-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電子機器
JP2005011810A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Eastman Kodak Co 上面発光型ｏｌｅｄデバイスの製造方法
JP2005031645A (ja) * 2003-06-16 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2005165324A (ja) * 2003-11-29 2005-06-23 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2005309400A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2006156374A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Samsung Sdi Co Ltd 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8409672B2 (en) 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
JP2009283455A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着用基板の作製方法、および発光装置の作製方法
JP2011060692A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JPWO2011074493A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
JP5764500B2 (ja) * 2009-12-14 2015-08-19 凸版印刷株式会社 アントラセン誘導体および発光素子
JP2013016480A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Samsung Display Co Ltd レーザー熱転写装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法
JP2015133190A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 日本電気硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、及びガラスフィルム積層体
KR102356592B1 (ko) * 2014-11-03 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160053357A (ko) * 2014-11-03 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180049005A (ko) * 2016-01-21 2018-05-10 애플 인크. 유기 발광 다이오드 디스플레이들을 위한 전력 및 데이터 라우팅 구조들
US10312309B2 (en) 2016-01-21 2019-06-04 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US10629664B2 (en) 2016-01-21 2020-04-21 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
KR102137897B1 (ko) * 2016-01-21 2020-08-13 애플 인크. 유기 발광 다이오드 디스플레이들을 위한 전력 및 데이터 라우팅 구조들
US11101337B2 (en) 2016-01-21 2021-08-24 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
JP2018534614A (ja) * 2016-01-21 2018-11-22 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 有機発光ダイオードディスプレイのための電力及びデータ経路指定構造物
US11257883B2 (en) 2016-01-21 2022-02-22 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
US11342395B2 (en) 2016-01-21 2022-05-24 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
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