JP2006147617A - 基板処理装置およびパーティクル除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロバブル発生部30から、処理槽10内の処理液へマイクロバブルを供給する。そして、処理液の循環系40の経路途中に設けられた気泡除去部61,62においてマイクロバブルを除去する。処理槽10内のパーティクルは、マイクロバブルに吸着して処理液の流れに乗って循環され、気泡除去部61,62においてマイクロバブルとともに除去される。マイクロバブルは各気泡のサイズが微小であるため、全体として広い表面積を有し、処理液中のパーティクルを効率よく吸着して除去する。マイクロバブルよりさらに微小なナノバブルを利用してもよい。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の基板処理装置1を基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図1には、併せて配管や制御系の構成も示している。図2は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。
続いて、基板処理装置1の動作について説明する。図4は、基板処理装置1の動作の流れを示したフローチャートである。なお、以下に説明する動作は、制御部80が、リフタ20、気液混合ポンプ31、旋回加速器32、ポンプ41、ヒータ70、バルブ35,38,43〜46,61c,62c,73等を制御することにより進行する。
上記のように、この基板処理装置1では、処理槽10内にマイクロバブルを供給し、そのマイクロバブルを気泡除去部61,62で除去することができる。このため、処理槽10内のパーティクルをマイクロバブルに吸着させ、マイクロバブルとともに除去することができる。マイクロバブルは各気泡のサイズが微小であるため、全体として広い表面積を有し、処理液中のパーティクルを効率よく吸着して除去する。
10 処理槽
11 処理液吐出部
12 外槽
20 リフタ
30 マイクロバブル発生部
40 循環系
41 ポンプ
42 配管
50 フィルタ
61,62 気泡除去部
80 制御部
91 気泡供給部
W 基板
Claims (13)
- 基板を液体により処理する基板処理装置であって、
液体を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の液体へマイクロバブルまたはナノバブルを供給するバブル供給手段と、
前記処理槽内の液体をマイクロバブルまたはナノバブルとともに前記処理槽外へ排出する排出手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記排出手段により排出された液体を前記処理槽の底部へ循環させる循環手段と、
前記循環手段の経路途中において、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを除去するバブル除去手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記バブル除去手段は、液体を旋回させることにより、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または3に記載の基板処理装置であって、
前記バブル除去手段へ流入する液体へ、マイクロバブルまたはナノバブルより大きな気泡を供給する気泡供給手段をさらに備え、
液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを前記気泡に合体させて前記バブル除去手段へ流入させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2から4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記バブル除去手段へ流入するマイクロバブルまたはナノバブルを膨張させる膨張手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2から5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記循環手段は、第1の経路と第2の経路とを有し、
前記第1の経路途中に前記バブル除去手段を備えるとともに、前記第2の経路途中にフィルタを備え、
前記第1の経路と前記第2の経路のいずれかを選択する選択手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記バブル供給手段は、マイクロバブルまたはナノバブルの供給条件を変更可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 処理槽に貯留された液体に基板を浸漬して処理する基板処理装置において、前記処理槽内のパーティクルを除去するパーティクル除去方法であって、
前記処理槽内の液体へマイクロバブルまたはナノバブルを供給する第1の工程と、
前記処理槽内の液体をマイクロバブルまたはナノバブルとともに前記処理槽外へ排出する第2の工程と、
を備えることを特徴とするパーティクル除去方法。 - 請求項8に記載のパーティクル除去方法であって、
前記第2の工程において排出された液体を前記処理槽の底部へ循環させ、その経路途中において、液体に含まれるマイクロバブルまたはナノバブルを除去する第3の工程をさらに備えることを特徴とするパーティクル除去方法。 - 請求項9に記載のパーティクル除去方法であって、
前記第3の工程においては、液体を旋回させることにより、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去することを特徴とするパーティクル除去方法。 - 請求項9または10に記載のパーティクル除去方法であって、
前記第3の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルを除去する前に、液体へマイクロバブルまたはナノバブルより大きな気泡を供給し、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを前記気泡に合体させることを特徴とするパーティクル除去方法。 - 請求項9から11のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、
前記第3の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルを除去する前に、マイクロバブルまたはナノバブルを膨張させることを特徴とするパーティクル除去方法。 - 請求項8から12のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、
前記第1の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルの供給条件を変更可能であることを特徴とするパーティクル除去方法。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008084658A1 (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
WO2008087903A1 (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Shibaura Mechatronics Corporation | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2008198974A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-08-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2008211145A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク洗浄方法及びフォトマスク洗浄装置 |
JP2009020964A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体用基板の洗浄方法および磁気記録媒体の製造方法 |
WO2009037930A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Limited | 気化装置、成膜装置、成膜方法、コンピュータプログラム及び記憶媒体 |
JP2009098270A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2009131771A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sharp Corp | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP2010103379A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置 |
JP2010153475A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI405622B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-08-21 | Lam Res Ag | 超音波清洗流體、方法及設備 |
JP2015221417A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | シャープ株式会社 | 導電性基体の洗浄装置および洗浄方法 |
JP2019201069A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | ナチュラン・インターナショナル有限会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2021042433A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社荏原製作所 | めっき処理装置、前処理装置、めっき装置、めっき処理方法および前処理方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06179991A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Honda Motor Co Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JPH1085723A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Shinyuu Giken:Kk | 気泡浮上式分離機 |
JP2000200767A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Nec Corp | 洗浄液の再生処理方法及び再生処理装置 |
JP2003093982A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Seiko Epson Corp | 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法 |
JP2003210907A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-29 | Kodak Polychrome Graphics Japan Ltd | 塗布液の脱泡方法および脱泡システム |
-
2004
- 2004-11-16 JP JP2004331543A patent/JP2006147617A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06179991A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Honda Motor Co Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JPH1085723A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Shinyuu Giken:Kk | 気泡浮上式分離機 |
JP2000200767A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Nec Corp | 洗浄液の再生処理方法及び再生処理装置 |
JP2003093982A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Seiko Epson Corp | 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法 |
JP2003210907A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-29 | Kodak Polychrome Graphics Japan Ltd | 塗布液の脱泡方法および脱泡システム |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8242026B2 (en) | 2007-01-10 | 2012-08-14 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus and storage medium |
JP2008171956A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
WO2008084658A1 (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
WO2008087903A1 (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Shibaura Mechatronics Corporation | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2008198974A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-08-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2008211145A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク洗浄方法及びフォトマスク洗浄装置 |
JP2009020964A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体用基板の洗浄方法および磁気記録媒体の製造方法 |
US9343295B2 (en) | 2007-09-18 | 2016-05-17 | Tokyo Electron Limited | Vaporizing unit, film forming apparatus, film forming method, computer program and storage medium |
JP2009074108A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
WO2009037930A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Limited | 気化装置、成膜装置、成膜方法、コンピュータプログラム及び記憶媒体 |
JP2009098270A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2009131771A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sharp Corp | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP2010103379A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置 |
JP2010153475A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI405622B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-08-21 | Lam Res Ag | 超音波清洗流體、方法及設備 |
JP2015221417A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | シャープ株式会社 | 導電性基体の洗浄装置および洗浄方法 |
JP2019201069A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | ナチュラン・インターナショナル有限会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP7125280B2 (ja) | 2018-05-15 | 2022-08-24 | ナチュラン・インターナショナル有限会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2021042433A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社荏原製作所 | めっき処理装置、前処理装置、めっき装置、めっき処理方法および前処理方法 |
JP7355566B2 (ja) | 2019-09-11 | 2023-10-03 | 株式会社荏原製作所 | めっき処理装置、前処理装置、めっき装置、めっき処理方法および前処理方法 |
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