JP2006135045A - 研磨装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】 ウエハ300を保持するキャリア510と、前記キャリア510と対向して設けられ、前記ウエハ300を電解研磨する研磨パッド530と、前記研磨パッド530と対向して前記キャリア510とは反対側に配置され、前記研磨パッド530をアノード電極として前記研磨パッド530との間で通電されるカソード電極となる電極シート570と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
図12では、デバイス部分等の形成方法は省略している。
図12(a)において、シリコン基板による基体200上に化学気相成長(CVD)等の方法により第1の絶縁膜221を成膜する。
図12(b)において、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、Cu金属配線或いはCuコンタクトプラグを形成するための溝構造(開口部H)を第1の絶縁膜221に形成する。
図12(c)において、第1の絶縁膜221上にバリアメタル膜240、Cuシード膜及びCu膜260をかかる順序で形成して、150℃から400℃の温度で約30分間アニール処理する。
図12(d)において、Cu膜260とバリアメタル膜240をCMPにより除去することにより、溝である開口部HにCu配線を形成する。
図12(e)において、前記Cu膜260表面に還元性プラズマ処理を施した後に第2の絶縁膜281を成膜する。
さらに、多層Cu配線を形成する場合は、これらの工程を繰り返して積層していくのが一般的である。ここで、第1の絶縁膜221と第2の絶縁膜281の大半がlow−k膜となる。
図13では、図12における第1の絶縁膜は、下地CVD膜となるSiC膜212とlow−k膜220とキャップCVD膜となるSiO2膜222とにより構成される。
図13において、図12に示す前述の方法によってlow−k膜220を基体200となるシリコンウエハ上に形成しても、low−k膜220はSiO2膜222と比較して機械的強度が弱いため、CMPの研磨荷重Pによって構造的な破壊が起こったり、キャップCVD膜となるSiO2膜222がlow−k膜220から剥離する問題があった。もしくはlow−k膜220と下地CVD膜となるSiC膜212の界面で剥離する問題があった。特にヤング率や硬度が低いlow−k材料や、キャップCVD膜とlow−k膜の接着強度が低い材料でこの問題が頻発した。
従来はこのようなlow−k膜の剥離を抑制するために、CMPの研磨荷重を下げることで対処していた。しかし、研磨荷重を下げると研磨速度も低下するという問題があった。そのために、従来は安定した研磨速度とウエハ面内均一性を得るために6.9×103Pa(1psi)以上の研磨荷重でCMPを行うことが一般的であった。この問題が、層間絶縁膜としてlow−k材を、配線としてCuを用いるlow−k/Cu配線開発の大きな問題となっていた。
図14は、ロータリ型CMP装置の概念図である。
図14に示すロータリ型のCMP装置において、プラテン620上に配置された対向電極670と研磨パッド630上に、研磨面を下に向けて基板となるウエハ300をキャリア610が保持する。キャリア610を図に示すように中心を軸に回転することでウエハ300を回転させ、プラテン620も中心を軸に回転させる。そして、研磨パッド630上に電解研磨液660を供給ノズル650から供給する。その際、ウエハ300上に成膜されたCu膜とCMPプラテン620上の対向電極670間に電圧を印加して電解研磨を行う。また、プラテン620は回転するため、外部の電源装置から電圧を印加するためには、可動式電極を接点640とする必要があった。ここで、図14に示したように、ウエハ300とプラテン620は同時に回転するために、それぞれ接点が常時接続していることができず、それぞれの電極からの電圧印加が安定しないという問題があった。さらに、特に、回転するプラテン620から飛び散る電解研磨液660の濡れから電極となる接点640を保護することが難しく、電解研磨液660による腐食等が発生する問題があった。このような状態の中、信頼性の高い配線接続を行うことが困難であった。さらに、研磨パッドの面積に対するウエハの面積が小さく、研磨の効率が悪いという問題があった。
図15は、研磨残りが発生する様子を説明するための図である。
図15(b)に示すように、通常、接点は、ウエハ300上に成膜されたCu膜の外周部において接続される。したがって、図15(a)(b)に示すように、ウエハ300上に島状(アイランド型)に残ったCu膜に対しては、接点が接続された外周部と通電できず、その結果、電解研磨ができない。したがって、かかるアイランド型のCu膜の研磨残りが発生するという問題があった。
基板を保持する保持部と、
前記保持部と対向して設けられ、前記基板を電解研磨する研磨パッドと、
前記研磨パッドと対向して前記保持部とは反対側に配置され、前記研磨パッドをアノード電極として前記研磨パッドとの間で通電されるカソード電極と、
を備えたことを特徴とする。
前記カソード電極と前記絶縁板と前記研磨パッドとには、前記カソード電極側から前記研磨パッド側に向かって電解研磨液を供給する貫通する供給孔が設けられていることを特徴とする。
材料として、カーボンファイバーを用いると特に有効である。
基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に導電性材料膜を形成する導電性材料膜形成工程と、
アノード電極に前記導電性材料膜面を接触させて、前記アノード電極と所定のカソード電極との間で通電することで、前記導電性材料膜を電解研磨する電解研磨工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記低誘電率材料を用いた低誘電率材料膜を形成する低誘電率材料膜形成工程と、
前記低誘電率材料膜上に前記低誘電率材料膜を覆うキャップ膜を形成するキャップ膜形成工程と、
を有することを特徴とする。
図1は、実施の形態1における研磨装置の概要構成図である。
図1において、研磨装置は、オービタル型のCMP装置である。電解研磨による作用とCMPによる化学機械研磨の両方の作用で研磨を行う。平面運動の一例であるオービタル運動機構を有するテーブルであるプラテン520上には、電極シート570が配置される。そして、電極シート570の上に絶縁板580が配置され、絶縁板580の上に導電性材料を用いた研磨パッド530が配置される。かかる研磨パッド530上に、研磨面を下に向け、すなわち前記研磨パッド530側に向けてウエハ300を保持部の一例であるキャリア510が保持する。ウエハ300表面には、後述するCu膜が形成される。カソード電極となる電極シート570には、外部装置より負の電圧を印加するために通電する電線と接続する接点542が配置され設けられている。一方、アノード電極となる研磨パッド530には、外部装置より正の電圧を印加するために通電する電線と接続する接点540が配置され設けられている。電解研磨液560は、プラテン520の下部より電極シート570側から研磨パッド530を抜けてウエハ300面内に供給される。
前記プラテン520と共に電極シート570と絶縁板580と前記研磨パッド530をオービタル運動させながら、ウエハ300表面と前記研磨パッド530を接触させ、前記接点540を介して前記研磨パッド530に通電することにより前記ウエハ300をアノード電極化させ、さらに、前記接点542を介して電極シート570に通電することにより、前記ウエハ300と電極シート570との間に電場を形成し、前記ウエハ300を電解研磨する。供給された電解研磨液560は、プラテン520のオービタル運動に伴い、外周部から排出される。ウエハ300表面で、ウエハ300面より大きく、ウエハ300と平行な研磨パッド530面で電解研磨することにより、均一な電解研磨を行なうことができる。ウエハ300表面を電解研磨することにより、電解研磨により研磨される分、CMPでの研磨を行わないようにすることができ、CMPの研磨荷重を下げることができる。
図2において、C1は、研磨パッド530の中心位置、C2は、キャリア510に支持されたウエハ300の中心位置、Aは、研磨パッド530に配置された接点540の位置を示している。電極シート570に配置された接点542の位置も同様である。
図2に示すように、ウエハ300の位置を固定して表わすと、導電性パッド530は、自転せずに所定の周回軌道を移動する。オービタル型の研磨装置では、研磨プラテン520がその中心を軸として回転するのではなく、研磨プラテン520上の全ての点が円を描くように回転するものである。その回転半径は1cmから10cmの範囲であることが望ましい。ロータリ型のプラテン回転機構では、電解研磨を行うために必要な導電性のCMPパッドの電極となる接点の位置が、プラテンの回転とともにずれてしまうが、オービタル型のプラテン回転機構を用いることによって、プラテンが回転しても電極となる接点540および接点542は常に同じ方向に向けることが可能となるために、前記接点540および接点542を前記研磨パッド及び電極シートに固定して配置することができる。よって、電極の接続が安定しており、電解研磨装置の信頼性が向上する。前記接点540は、電気的に接続された他の部材に固定して配置してもよい。かかる他の部材を介して研磨パッド530に接続して通電すればよい。同様に、前記接点542は、電気的に接続された他の部材に固定して配置してもよい。かかる他の部材を介して電極シート570に接続して通電すればよい。例えば、前記接点542は、プラテン520に固定して配置してもよい。プラテン520を介してプラテン520上に置かれた電極シート570に接続して通電すればよい。
図3は、半導体装置の構成のうち、層間絶縁膜として、下層のSiO2膜形成工程からlow−k膜上のSiO2膜形成工程までを示す工程断面図である。それ以降の工程は後述する。
図4(a)において、開口部形成工程として、リソグラフィ工程とドライエッチング工程でダマシン配線を作製するための配線溝構造である開口部150をSiO2膜222とlow−k膜220と下地SiC膜212内に形成する。図示していないレジスト塗布工程、露光工程等のリソグラフィ工程を経てSiO2膜222の上にレジスト膜が形成された基体200に対し、露出したSiO2膜222とその下層に位置するlow−k膜220を、下地SiC膜212をエッチングストッパとして異方性エッチング法により除去し、その後、下地SiC膜212をエッチングして開口部150を形成すればよい。異方性エッチング法を用いることで、基体200の表面に対し、略垂直に開口部150を形成することができる。例えば、一例として、反応性イオンエッチング法により開口部150を形成すればよい。
前記バリアメタル膜は、Ta膜、TaN膜、もしくはその積層膜であることが望ましい。前記バリアメタル膜の成膜方法は、CVD法もしくはALD法であることが被覆性の観点から望ましいが、上述したスパッタ法などのPVD法であっても有効である。
図5において、研磨工程として、SiO2膜222の表面に堆積された導電部としての配線層となるCu膜260、シード膜250、及びバリアメタル膜240をCMP研磨及び電解研磨により除去することにより、図5に表したような埋め込み構造を形成する。前記研磨工程において、電解研磨により研磨加重を小さくすることができるので、一部に形成された比誘電率が3.5以下の低誘電率絶縁膜と他の部分に形成された絶縁膜との剥離を抑制することができる。
研磨装置は、図示していないオービタル回転機構とヘッド回転機構とにより、プラテン520とキャリア510とを平面運動させる。プラテン520をオービタル回転機構によりオービタル回転させ、キャリア510をヘッド回転機構により自転させる。研磨荷重は1.3×103Pa(0.2psi)の超低荷重に設定し、オービタル回転数は19min−1(19rpm)、ヘッドの回転数は21min−1(21rpm)、電解研磨液の供給速度は0.4L/min(400cc/分)とする。
研磨布となる研磨パッド530は、導電性のパッドは、導電性の物質をCMPパッドに含ませたもので良く、例えばカーボン材料製、特にカーボンファイバー製の単層パッドを用いるとよい。金属を用いるとウエハ300表面を傷つけてしまうが、前記導電性パッドの材料として、カーボンファイバーを用いたことで、導電性材料でありながらやわらかいソフトな材料に形成でき、ウエハ300表面を研磨しても傷つけず、研磨パッドとしてより好ましい。言い換えれば、スクラッチを低減することができる。
電解研磨を促進するために過酸化水素のような酸化剤を添加することも有効である。これによってCu表面が酸化され、電解研磨の速度が速くなる。
電解研磨液は砥粒を含むことが可能である。砥粒の濃度は10重量%以下であることがスクラッチ低減の観点から望ましい。さらに、5重量%以下の砥粒であればCMP後の洗浄性が良くなる観点から望ましい。1重量%以下の砥粒であれば分散性の観点から望ましい。砥粒を含まなければ廃液処理の観点から、なお望ましい。
図7では、プラテン520にも研磨パッド530と絶縁板580と電極シート570に設けられた位置に合わせて供給孔550が施され、電極シート570が、プラテン520の表面に乗せられている。電解研磨液560はこの供給孔550を通して研磨プラテン520の下から図7の矢印のように供給される。かかる構成の場合、カソード電極となる電極シート570では、この供給孔550の内壁に電解研磨液560が触れることになる。したがって、ウエハ300で電解研磨されたCuと同等のCuが電解研磨液中から電極シート570の供給孔550の内壁に付着する。
図7では、電解研磨液560が、電極シート570の供給孔550の内壁にのみ触れる構成であるが、図8に示すように、プラテン520と電極シート570との間に空間を設け、かかる空間に電解研磨液560が溜まる槽(バッファ領域)となるように構成してもよい。そして、バッファ領域にいったん溜まった電解研磨液560を供給孔550を通して研磨パッド530側に供給してもよい。バッファ領域を設けることで、電解研磨液560が電極シート570の下面全面に触れることになり、ウエハ300で電解研磨されたCuと同等のCuが付着する場合に、許容できる付着量を大きくすることができる。よって、電極シート570の交換寿命を向上させることができる。また、研磨パッド530と絶縁板580と電極シート570の剛性を高め、撓まないようにするため、バッファ領域に支柱或いは支持梁を設けてプラテン520で電極シート570を支持するように構成しても構わない。電解研磨液560が触れる領域が電極シート570における供給孔550の内壁面積より大きな面積とすることにより許容できるCu付着量を大きくすることができる。
図9(a)に示すように、研磨パッド530の表面には、格子状の溝が形成されている。溝の交差する位置の底部に前記供給孔550が設けられている。研磨パッド530の上面に溝が形成され、前記溝の底部から電解研磨液560が供給されることにより、溝をつたって電解研磨液560をウエハ300表面全体に供給することができる。また、前記研磨パッド530とウエハ300表面との間に残った電解研磨液560を排出し、新しい電解研磨液560と置換することができる。そして、前記溝が格子状に形成されることで、さらに、電解研磨液の広がりを促進することができる。図9(b)に示すように、溝は、例えば、幅2mm、深さ1mmに形成する。図9では、格子状の溝が形成されているが、これに限るものではなく、例えば、同心円状の溝が形成されてもよい。
オービタル型の電解研磨装置では、電圧を10V、電流を3A必要とした。
CMP後のウエハを顕微鏡で検査したところ、low−k膜の剥離は全く見られなかった。これに対してロータリ型の電解研磨装置でCMPを行った場合、図10に示すように、プラテンの電極に研磨液が付着して度々電流が不安定になり、電解研磨がストップする問題が発生した。また、電極が回転する端子によって擦れ(図14参照)、かつそこが研磨液によって腐食する問題が多発した。オービタル式の電解研磨装置では電極を被覆することができるために腐食することは無く、安定で信頼性の高い研磨を行うことが可能であった(図1参照)。また、ロータリ型の電解研磨装置でCMPを行った場合、研磨残りは頻発した。そのため、Cu研磨の途中段階でCu用のCMPスラリーを用いて研磨を行う必要があった。つまり、Cu研磨を電解研磨のみで安定して終了させることはできなかった。本実施の形態では、Cu用のCMPスラリーを用いて研磨荷重を上げて化学機械研磨を行なうといったことは必要なく、電解研磨液を用いて小さい研磨荷重のまま電解研磨および、研磨パッド530をウエハ300に接触させることによる小さい研磨荷重のままでの化学機械研磨により所定のCu膜の平坦化を行なうことができる。また、ロータリ型の電解研磨装置では、電圧を10V、電流を5A必要とした。オービタル型の方が、ウエハ面積とパット面積の差がはるかに小さいので、少ない電流で効率よく研磨することができる。
研磨パッドの溝に関しては、本実施例では格子溝のものを用いた。溝部分の面積比が30%のものを用いたが、溝が全く形成されていない研磨パッドを用いた場合と比較すると研磨速度が4倍以上増加した。
研磨パッドに設けられた研磨液の供給穴の数については、10個、30個、100個、300個の場合で比較すると、多ければ多いほど研磨速度が増加し、かつウエハ内の研磨均一性が向上することがわかった。
本実験をデバイスが搭載されたウエハで実施しても同様の効果を確認することができた。1層目のCu配線層だけでなく、2層目のCu配線層においてもlow−k膜が剥離なく研磨することができ、さらに3層目以上のCu配線層でも剥離なく研磨することができた。low−k材料としては、HSQやポリマー、CVD法によるSiOCを用いても剥離なく研磨することができた。
図11は、平坦化する研磨工程後、第2の絶縁膜としてのlow−k膜形成工程までを示す工程断面図である。
図11において、研磨処理後、還元性プラズマ処理工程として、CVD装置内でアンモニア(NH3)プラズマ処理を行なう。この処理により図5における平坦化工程でのCu−電解研磨の際にスラリーとの反応によって形成されたCu表面の錯体を還元し、キャップSiO2膜上に存在する残留有機物を除去することができる。この処理によりCu−電解研磨の際にスラリーとの反応によって形成されたCu表面の錯体が還元され、キャップSiO2膜上にある残留有機物も除去されることから絶縁耐圧は改善される。前記還元性のプラズマはアンモニアプラズマ、もしくは水素(H2)プラズマが効果的であり、特にアンモニアプラズマが処理装置内におけるガスの扱い易さから好ましい。
特に、多孔質の低誘電率材料に上記各実施の形態を適用した場合には、上述の如く顕著な効果が得られる。上記各実施の形態において多孔質絶縁膜の材料として用いることができるものとしては、例えば、各種のシルセスキオキサン化合物、ポリイミド、炭化フッ素(fluorocarbon)、パリレン(parylene)、ベンゾシクロブテンをはじめとする各種の絶縁性材料を挙げることができる。
200 基体
210,222 SiO2膜
212,275 SiC膜
220,280 low−k膜
221,281 絶縁膜
240 バリアメタル膜
250 シード膜
260 Cu膜
300 ウエハ
510,610 キャリア
520,620 プラテン
530 研磨パッド
540,542,640 接点
550 供給孔
560,660 電解研磨液
570 電極シート
580 絶縁板
630 研磨パッド
650 供給ノズル
670 対向電極
Claims (8)
- 基板を保持する保持部と、
前記保持部と対向して設けられ、前記基板を電解研磨する研磨パッドと、
前記研磨パッドと対向して前記保持部とは反対側に配置され、前記研磨パッドをアノード電極として前記研磨パッドとの間で通電されるカソード電極と、
を備えたことを特徴とする研磨装置。 - 前記電解研磨装置は、さらに、アノード電極となる前記研磨布と前記カソード電極とにより挟持される絶縁板を備え、
前記カソード電極と前記絶縁板と前記研磨パッドとには、前記カソード電極側から前記研磨布側に向かって電解研磨液を供給する貫通する供給孔が設けられていることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。 - 前記カソード電極と前記研磨パッドとは、オービタル運動をすることを特徴とする請求項2記載の研磨装置。
- 前記研磨パッドの材料として、カーボン材料を用いることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の研磨装置。
- 前記電解研磨液は、リン酸或いは硫酸を含有することを特徴とする請求項2記載の研磨装置。
- 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に導電性材料膜を形成する導電性材料膜形成工程と、
アノード電極に前記導電性材料膜面を接触させて、前記アノード電極と所定のカソード電極との間で通電することで、前記導電性材料膜を電解研磨する電解研磨工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程において、
前記低誘電率材料を用いた低誘電率材料膜を形成する低誘電率材料膜形成工程と、
前記低誘電率材料膜上に前記低誘電率材料膜を覆うキャップ膜を形成するキャップ膜形成工程と、
を有することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電性材料膜形成工程において、前記導電性材料膜の材料として、銅(Cu)を用いることを特徴とする請求項6又は7記載の半導体装置の製造方法。
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