JP2006100514A - 除去装置、保護膜形成装置、基板処理システム、および除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 塗布処理ユニットCFでは、レジスト膜の形成された基板Wの表面にアルカリ性水溶液に溶解する成分からなるカバー膜を形成する。また、塗布処理ユニットCFでは、基板周縁部に付着したカバー膜成分を除去するため、除去液として現像処理ユニットで使用される現像液を供給することができる。これにより、レジスト膜に影響を及ぼすことなく基板周縁部のカバー膜を選択的に除去できる。
【選択図】 図4
Description
図1は、本実施の形態における基板処理システム100の構成の一例を示す図である。ここで、基板処理システム100は、基板上に反射防止膜、フォトレジスト膜、およびカバー膜をこの順番で形成するとともに、露光処理が完了した基板に対して現像処理を施す。
図4は、塗布処理ユニットCFのハードウェア構成の一例を示す図である。また、図5は、カップ部の洗浄方法を説明するための図である。ここでは、図4および図5を参照しつつ塗布処理ユニットCFのハードウェア構成を説明すとともに、本ユニットCFによって施されるエッジリンス処理、バックリンス処理、およびカップリンス処理について説明する。
ここでは、基板処理システム100に含まれるインデクサブロック1、反射防止膜処理ブロック2、レジスト膜処理ブロック3、現像処理ブロック4、カバー膜処理ブロック5、およびインタフェイスブロック6における基板処理の動作について説明する。
以上のように、本実施の形態の塗布処理ユニットCFでは、基板の周縁部にアルカリ性の水溶液であって現像処理に使用される現像液を除去液として供給することができる。そのため、エッジリンス処理において、カバー膜形成の前処理として形成されたポジ型のレジスト膜に影響を及ぼすことなく、基板の周縁部に形成されたカバー膜を選択的に、かつ、容易に除去することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
2 反射防止膜処理ブロック
3 レジスト膜処理ブロック
4 現像処理ブロック
5 カバー膜処理ブロック
6 インタフェイスブロック
11 スピンチャック
12 処理液供給ノズル
13 飛散防止カップ
15 モータ
16 回転軸
21 カップ洗浄部材
22 除去液案内部
24 除去液吐出口
25 除去液供給ノズル
30 貫通孔
31 裏面洗浄ノズル
41 エッジ洗浄ノズル
51 現像液(除去液)供給源
71 カバー膜成分供給源
100 基板処理システム
CP、WCP 冷却プレート
HP ホットプレート
PHP 加熱部
TR1〜TR5 搬送機構
BARC、SC、CF 塗布処理部
SD 現像処理部
IFB インタフェイス
ID インデクサ
W 基板
Claims (15)
- 基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成された保護膜を除去する除去装置であって、
(a) 前記基板を保持する保持部と、
(b) 未露光の前記基板の周縁部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する第1の供給部と、
を備え、
前記保護膜は、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする除去装置。 - 請求項1に記載の除去装置において、
(c) 前記基板の裏面部に付着した保護膜成分に、除去液としてアルカリ性水溶液を供給する第2の供給部、
をさらに備えることを特徴とする除去装置。 - 請求項1または請求項2に記載の除去装置において、
(d) 前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲繞するカップ部と、
(e) 前記カップ部に付着した保護膜成分に、除去液としてアルカリ性水溶液を供給する第3の供給部と、
をさらに備えることを特徴とする除去装置。 - 基板の裏面部に付着した保護膜成分を除去する除去装置であって、
(a) 前記基板を保持する保持部と、
(b) 未露光の前記基板の前記裏面部に、除去液としてアルカリ性水溶液を供給する供給部と、
を備え、
前記保護膜は、前記基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成されており、かつ、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする除去装置。 - 除去装置であって、
(a) 前記基板を回転させつつ保持する保持部と、
(b) 前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲繞するカップ部と、
(c) 前記保護膜成分が付着した前記カップ部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する供給部と、
を備え、
前記保護膜は、前記基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成されており、かつ、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする除去装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の除去装置において、
前記除去液は、水酸化テトラメチルアンモニウムであることを特徴とする除去装置。 - レジスト膜が形成された基板に保護膜成分を塗布して保護膜を形成する保護膜形成装置であって、
(a) 前記基板を保持する保持部と、
(b) 前記保持部に保持された前記基板に前記保護膜成分を供給する保護膜成分供給部と、
(c) 前記基板の周縁部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する第1の除去液供給部と、
を備え、
前記保護膜は、前記基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成されており、かつ、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする保護膜形成装置。 - 請求項7に記載の保護膜形成装置において、
(d) 前記基板の裏面部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する第2の供給部、
をさらに備えることを特徴とする保護膜形成装置。 - 請求項7または請求項8に記載の保護膜形成装置において、
(e) 前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲繞するカップ部と、
(f) 前記保護膜成分が付着した前記カップ部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する第3の供給部と、
をさらに備え、
前記保持部は、前記基板を保持しつつ回転可能であることを特徴とする保護膜形成装置。 - 請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の保護膜形成装置において、
前記除去液は、水酸化テトラメチルアンモニウムであることを特徴とする保護膜形成装置。 - 基板処理システムであって、
請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の保護膜形成装置と、
前記基板表面にレジストを塗布するレジスト塗布装置と、
前記基板に熱処理を施す熱処理装置と、
前記基板を各装置に受け渡す搬送装置と。
を備えることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項11に記載の基板処理システムにおいて、
露光処理が完了した前記基板に現像液を供給する現像液供給部と、
前記基板を保持する保持部と、
を有する現像装置、
をさらに備え、
前記保護膜形成装置は、前記現像液供給部から分岐して供給される現像液を前記除去液として使用することを特徴とする基板処理システム。 - 基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成された保護膜を除去する除去方法であって、
(a) 未露光の前記基板の周縁部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する工程、
を備え、
前記保護膜は、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする除去方法。 - 基板の裏面部に付着した保護膜成分を除去する除去方法であって、
(a) 前記基板を保持する保持部と、
(b) 未露光の前記基板の前記裏面部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する工程、
を備え、
前記保護膜は、前記基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成されており、かつ、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする除去方法。 - 除去方法であって、
(a) 保護膜成分が付着したカップ部に除去液としてアルカリ性水溶液を供給する工程、
を備え、
前記カップ部は、保持部に保持された基板の周囲を囲繞しており、
前記保護膜は、前記基板表面に形成されたレジスト膜を覆うように形成されており、かつ、前記除去液に可溶であり、
前記レジスト膜は、露光処理が施された部分を除き、前記除去液に不溶であることを特徴とする除去方法。
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