JP2006278824A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、第１のインターフェースブロック１３、外部装置設置ブロック１４、第２のインターフェースブロック１５、洗浄／乾燥処理ブロック１６、カバー膜除去ブロック１７、現像処理ブロック１８、第１の搬送ブロック１９および第２の搬送ブロック２０を備える。外部装置設置ブロック１４に露光装置ＳＴＰが配置される。露光装置ＳＴＰによる露光処理前の基板には、処理ブロック１０〜１２において所定の処理が施され、露光処理後の基板には、処理ブロック１６〜１８において所定の処理が施される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レクチルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理後の基板は液体が付着した状態で投影露光装置から搬出される。

そのため、上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２の投影露光装置を外部装置として設ける場合、投影露光装置から搬出される基板に付着している液体が保持アームに付着する。保持アームは露光処理前の基板の搬送も行う。したがって、保持アームに液体が付着すると、保持アームに付着した液体が露光処理前の基板にも付着する。

それにより、基板の搬送時に基板の液体に雰囲気中の塵埃等が付着し、基板が汚染される。その結果、露光装置における露光処理時の解像性能が劣化する場合がある。

また、露光処理時に液体が付着した基板が各処理ブロック内を搬送されると、基板に付着した液体が処理ブロック内の雰囲気に影響を与える。それにより、各処理ブロックにおける温湿度調整が困難になり、基板の処理不良が発生する。

本発明の目的は、基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置を提供することである。

（１）
本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置の一の側面に隣接するように設けられ露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行うための第１の処理部と、露光装置の他の側面に隣接するように設けられ露光装置による露光処理後の基板に所定の処理を行うための第２の処理部とを備え、第２の処理部は、基板の洗浄および乾燥処理を行う第１の洗浄乾燥処理ユニットを含むものである。

本発明に係る基板処理装置においては、第１の処理部において露光処理前の基板に所定の処理が施される。次に、露光装置において基板に露光処理が施された後、第２の処理部において露光処理後の基板に洗浄および乾燥処理を含む所定の処理が施される。

この場合、露光処理後の基板は第１の処理部において処理されないので、露光処理時に基板に液体が付着しても、その液体が第１の処理部の雰囲気に影響を与えることがない。それにより第１の処理部の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が第１の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が、露光処理前の基板に付着することも防止される。それにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板に塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置内の汚染を防止することができる。

また、第１の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板に露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。

また、第１の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の乾燥処理が行われるので、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、露光処理後の基板の汚染を防止することができる。

また、露光処理後の基板を乾燥することにより、露光処理時に基板に付着した液体が第２の処理部内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、第２の処理部内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が第２の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することが可能になる。

（２）
第１の洗浄乾燥処理ユニットは、露光装置に隣接するように設けられてもよい。

この場合、露光処理直後に基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができるとともに、基板処理装置内に基板に付着した液体が落下することを確実に防止することができる。

（３）
第１の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、現像処理ユニットによる現像処理前に第１の洗浄乾燥処理ユニットにより洗浄および乾燥処理を行うことができるので、現像処理前の基板の汚染を防止することができる。それにより、現像処理ユニットにおける基板の処理不良を防止することができる。

（４）
第１の処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

（５）
第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後であって現像処理ユニットによる基板の現像処理前に保護膜を除去する除去ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、現像処理前に保護膜が除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。それにより、現像処理ユニットにおける基板の処理不良を確実に防止することができる。

（６）
第１の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に基板の洗浄および乾燥処理を行う第２の洗浄乾燥処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、第２の洗浄乾燥処理ユニットにおける基板の洗浄処理時に、基板上の感光性膜の成分の一部が溶出する。それにより、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理も行われるので、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。

（７）
第２の洗浄乾燥処理ユニットは、露光装置に隣接するように設けられてもよい。

この場合、露光装置における露光処理の直前に第２の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、露光装置内の汚染をより確実に防止することができる。

（８）
第１の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。

（９）
第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを含む第１の処理単位を備えてもよい。

この場合、露光装置において露光処理が施された基板は、第１の搬送ユニットにより第１の洗浄乾燥処理ユニットに搬送される。第１の洗浄乾燥処理ユニットにおいて洗浄および乾燥処理が行われた基板は、第１の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。

この基板処理装置においては、第１の処理単位において基板の乾燥および洗浄処理が行われるので、洗浄処理時に基板に付着した液体が他の処理単位に影響を与えることを防止することができる。それにより、他の処理単位における温湿度調整が容易になる。また、基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、他の処理単位における基板の処理不良を防止することができる。

（１０）
第１の処理単位は、露光装置に隣接するように配置されてもよい。

この場合、露光処理直後に第１の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体が第２の処理部の他の処理単位の雰囲気に与える影響を確実に防止することができる。

（１１）
第１の搬送ユニットは基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、第１の搬送ユニットは、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。

この場合、第１の保持手段は常に乾燥処理後の基板を保持することになるので、第１の保持手段に基板の液体が付着することがない。それにより、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際に、基板に液体が再度付着することが確実に防止される。

（１２）
第２の保持手段は前記第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。

この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が再度付着することが確実に防止される。

（１３）
第１の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位を備え、第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位をさらに備えてもよい。

この場合、第１の処理部の第２の処理単位において、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。

また、第２の処理部の第１の処理単位において洗浄および乾燥処理が行われた基板に対して、第３の処理単位において、現像処理ユニットにより現像処理が行われる。その後、基板は第３の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。

この基板処理装置においては、第３の処理単位において基板の現像処理が行われる前に、第１の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理が行われる。それにより、現像処理前の基板の汚染を防止することができる。その結果、第３の処理単における基板の処理不良を防止することができる。

（１４）
第１の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位を備え、第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニット、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットならびに基板を搬送する第４の搬送ユニットを含む第４の処理単位を備えてもよい。

この場合、第１の処理部の第２の処理単位において、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。

また、第２の処理部の第４の処理単位において、第１の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われる。その後、基板は第４の搬送ユニットにより現像処理ユニットに搬送され、現像処理ユニットにおいて基板の現像処理が行われる。その後、基板は第４の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。

この基板処理装置においては、第２の処理部の第４の処理単位において、第１の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われた後に、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。それにより、現像処理前の基板の汚染を防止することができる。その結果、第４の処理単位における基板の処理不良を防止することができる。

また、基板の洗浄処理、乾燥処理および現像処理を一つの処理単位で行うことができるので、基板処理装置のフットプリントを低減することができる。

（１５）
第４の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されてもよい。

この場合、露光処理直後に第４の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体が第２の処理部の雰囲気に与える影響を確実に防止することができる。

（１６）
第４の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を備え、第４の搬送ユニットは、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には第３の保持手段により基板を保持し、第１の処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には第４の保持手段により基板を保持してもよい。

この場合、第３の保持手段は常に乾燥処理後の基板を保持することになるので、第３の保持手段に基板の液体が付着することがない。それにより、第１の洗浄
乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際に、基板に液体が再度付着することが確実に防止される。

（１７）
第４の保持手段は第３の保持手段よりも下方に設けられてもよい。

この場合、第４の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第３の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が再度付着することが確実に防止される。

（１８）
第１の処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第５の搬送ユニットを含む第５の処理単位をさらに備え、第５の処理単位は、第２の処理単位と露光装置との間に配置されてもよい。

この場合、第２の処理単位と露光装置との間に配置された第５の処理単位において、保護膜形成ユニットにより感光性膜上に保護膜が形成される。その後、基板は第５の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。

この基板処理装置においては、露光処理前に第５の処理単位の保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

（１９）
第１の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に基板の洗浄および乾燥処理を行う第２の洗浄乾燥処理ユニットならびに基板を搬送する第６の搬送ユニットを含む第６の処理単位をさらに備え、第６の処理単位は、第２の処理単位と露光装置との間に配置されてもよい。

この場合、第２の処理単位の感光性膜形成ユニットにより感光性膜が形成された基板に対して、露光処理前に、第６の処理単位において、第２の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われる。

この基板処理装置においては、第２の洗浄乾燥処理ユニットにおける基板の洗浄処理時に、基板上の感光性膜の成分の一部が溶出する。それにより、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理も行われるので、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。

（２０）
第６の処理単位は、露光装置に隣接するように配置されてもよい。

この場合、露光装置における露光処理の直前に第２の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、露光装置内の汚染をより確実に防止することができる。

（２１）
第１の処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第５の搬送ユニットを含む第５の処理単位をさらに備え、第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後であって現像処理ユニットによる基板の現像処理前に保護膜を除去する除去ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第７の搬送ユニットを含む第７の処理単位をさらに備え、第５の処理単位は、第２の処理単位と露光装置との間に配置され、第７の処理単位は、第１の処理単位と第３の処理単位との間に配置されてもよい。

この場合、第２の処理単位と露光装置との間に配置された第５の処理単位において、保護膜形成ユニットにより感光性膜上に保護膜が形成される。その後、基板は第５の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて所定の熱処理が施される。

また、第２の処理部の第１の処理単位と第３の処理単位との間に配置された第７の処理単位において、熱処理ユニットにより所定の熱処理が行われる。その後基板は、第７の搬送ユニットにより除去ユニットに搬送され、除去ユニットにおいて保護膜が除去される。

この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前に第５の処理単位の保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

また、第３の処理単位において基板の現像処理が行われる前に、第７の処理単位の除去ユニットにより保護膜が除去されるので、第３の処理単位において現像処理を確実に行うことができる。

（２２）
第１の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位と、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第５の搬送ユニットを含む第５の処理単位とを備え、第２の処理部は、第１の洗浄乾燥処理ユニット、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に前記保護膜を除去する除去ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットならびに基板を搬送する第８の搬送ユニットを含む第８の処理単位と、除去ユニットによる保護膜の除去後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位とを備え、第５の処理単位は、第２の処理単位と露光装置との間に配置され、第８の処理単位は、露光装置と第３の処理単位との間に配置されてもよい。

この場合、第１の処理部の第２の処理単位において、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第２の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。

次に、第５の処理単位において、保護膜形成ユニットにより基板上に保護膜が形成される。その後、基板は第５の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の処理が施される。

また、第２の処理部の第８の処理単位において、第１の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われる。その後、基板は第８の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第８の搬送ユニットにより除去ユニットに搬送され、除去ユニットにおいて保護膜が除去される。

次に、第３の処理単において、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。その後、基板は第３の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。

この基板処理装置においては、露光処理前に第５の処理単位の保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

また、露光処理後に第８の処理単位の第１の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。

また、第３の処理単位において基板の現像処理が行われる前に、第８の処理単位の除去ユニットにより保護膜が除去されるので、第３の処理単位において現像処理を確実に行うことができる。

（２３）
第８の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されてもよい。

この場合、露光処理直後に第８の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。

（２４）
第８の搬送ユニットは、基板を保持する第５および第６の保持手段を備え、第８の搬送ユニットは、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には第５の保持手段により基板を保持し、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には第６の保持手段により基板を保持してもよい。

この場合、第５の保持手段は常に乾燥処理後の基板を保持することになるので、第５の保持手段に基板の液体が付着することがない。それにより、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際に、基板に液体が再度付着することが確実に防止される。

（２５）
第６の保持手段は前記第５の保持手段よりも下方に設けられてもよい。

この場合、第６の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第５の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、第１の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が再度付着することが確実に防止される。

（２６）
第２の洗浄乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。

この第２の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。

この場合、基板を回転させつつ基板上に不活性ガスが供給されるので、基板の洗浄後に基板上に残留した洗浄液が効率よく排除される。それにより、基板を確実に乾燥させることができる。

（２７）
第２の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、洗浄液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。

（２８）
第２の洗浄乾燥処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。

この場合、リンス液により洗浄液を確実に洗い流すことができるので、洗浄液中に溶出した異物が基板上に残留することを防止することができる。それにより、基板を確実に洗浄することができる。

（２９）
第２の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、リンス液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。

（３０）
第１の洗浄乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。

この第１の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。

この場合、基板を回転させつつ基板上に不活性ガスが供給されるので、基板の洗浄後に基板上に残留した洗浄液が効率よく排除される。それにより、基板を確実に乾燥させることができる。

（３１）
第１の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、洗浄液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。

（３２）
第１の洗浄乾燥処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。

この場合、リンス液により洗浄液を確実に洗い流すことができるので、洗浄液中に溶出した異物が基板上に残留することを防止することができる。それにより、基板を確実に洗浄することができる。

（３３）
第１の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。

この場合、リンス液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。

（３４）
第１の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第９の搬送ユニットを含む第９の処理単位をさらに備えてもよい。

この場合、第１の処理部の第９の処理単位において、反射防止膜形成ユニットにより基板上に反射防止膜が形成される。その後、基板は第９の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第９の搬送ユニットにより他の処理単位へ搬送される。

この基板処理装置においては、第２の処理単位の感光性膜形成ユニットにおいて基板上に感光性膜が形成される前に、第９の処理単位の反射防止膜形成ユニットにおいて基板上に反射防止膜が形成される。それにより、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。

（３５）
第１の処理部に対して前記露光装置と反対側において第１の処理部に隣接するように配置された基板搬入搬出部と、第２の処理部に対して露光装置と反対側において第２の処理部に隣接するように配置された基板搬出部と、基板搬入搬出部と基板搬出部とを連結する経路に設けられた基板搬送部とを備え、基板搬入搬出部は、基板を第１の処理部へ搬入し、基板搬出部は、基板を第２の処理部から搬出し、基板搬送部は、基板搬出部から搬出された基板を基板搬入搬出部へ搬送し、基板搬入搬出部は、基板搬送部により搬送された基板を搬出してもよい。

この場合、基板搬入搬出部から第１の処理部に搬入された基板は、第１および第２の処理部において所定の処理を施された後に、基板搬出部および基板搬送部を介して基板搬入搬出部に戻り、基板搬入搬出部から搬出される。つまり、基板搬入搬出部が、基板処理装置への基板の搬入の役割と基板処理装置からの基板の搬出の役割とを担うことができる。それにより、外部からの基板の受け取りと外部への基板の搬出とを同じ場所で行うことができるので、作業効率を向上させることができる。

本発明によれば、露光処理後の基板は第１の処理部において処理されないので、露光処理時に基板に液体が付着しても、その液体が第１の処理部の雰囲気に影響を与えることがない。それにより第１の処理部の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が第１の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が、露光処理前の基板に付着することも防止される。それにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板に塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置内の汚染を防止することができる。

また、第１の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板に露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。

また、第１の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の乾燥処理が行われるので、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、露光処理後の基板の汚染を防止することができる。

また、露光処理後の基板を乾燥することにより、露光処理時に基板に付着した液体が第２の処理部内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、第２の処理部内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板に付着した液体が第２の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することが可能になる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について図１〜図１１を参照しながら説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１に示すように、基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿って、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、第１のインターフェースブロック１３、外部装置設置ブロック１４、第２のインターフェースブロック１５、洗浄／乾燥処理ブロック１６、カバー膜除去ブロック１７、現像処理ブロック１８および第１の搬送ブロック１９が順に並設される。また、これら全てのブロック９〜１９のＹ方向に沿った一方の側面に接するように第２の搬送ブロック２０が配置されている。本実施の形態においては、外部装置設置ブロック１４に露光装置ＳＴＰが配置される。露光装置ＳＴＰにおいては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。

インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１設けられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ２が設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１２は、レジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１、レジストカバー膜用塗布処理部５０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジストカバー膜用熱処理部１２１は、第１のインターフェースブロック１３に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ４を備える。レジストカバー膜用塗布処理部５０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１とレジストカバー膜用処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、レジスト膜用処理ブロック１１とレジストカバー膜用処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３が設けられる。

第１のインターフェースブロック１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、送りバッファ部ＳＢＦ、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１およびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、基板載置部ＰＡＳＳ５が設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられ、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１が設けられる。

外部装置設置ブロック１４には、外部装置が配置される。本実施の形態においては、上述したように露光装置ＳＴＰが配置される。

第２のインターフェースブロック１５は、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２を含む。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ２が設けられる。

洗浄／乾燥処理ブロック１６は、洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂおよび第５のセンターロボットＣＲ５を含む。洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

第２のインターフェースブロック１５と洗浄／乾燥処理ブロック１６との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、第２のインターフェースブロック１５と洗浄／乾燥処理ブロック１６との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ６が設けられる。

レジストカバー膜除去ブロック１７は、露光後ベーク（ＰＥＢ）用熱処理部１７０，１７１、レジストカバー膜除去処理部７０および第６のセンターロボットＣＲ６を含む。レジストカバー膜除去処理部７０は、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１に対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。

洗浄／乾燥処理ブロック１６とレジストカバー膜除去ブロック１７との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、洗浄／乾燥処理ブロック１６とレジストカバー膜除去ブロック１７との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられる。

現像処理ブロック１８は、現像用熱処理部１８０，１８１、現像処理部８０および第７のセンターロボットＣＲ７を含む。現像処理部８０は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで現像用熱処理部１８０，１８１に対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられる。

レジストカバー膜除去ブロック１７と現像処理ブロック１８との間には、雰囲気遮断用の隔壁２６が設けられる。この隔壁２６には、レジストカバー膜除去ブロック１７と現像処理ブロック１８との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられる。

第１の搬送ブロック１９は、第１の搬送ロボットＴＲ１を含む。第１の搬送ロボットＴＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＴＲＨ１が設けられる。

現像処理ブロック１８と第１の搬送ブロック１９との間には、雰囲気遮断用の隔壁２７が設けられる。この隔壁２７には、現像処理ブロック１８と第１の搬送ブロック１９との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９が設けられる。

第２の搬送ブロック２０は、第２の搬送ロボットＴＲ２を含む。第２の搬送ロボットＴＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＴＲＨ２が設けられる。

第１の搬送ブロック１９と第２の搬送ブロック２０との間には、第１の搬送ブロック１９と第２の搬送ブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１０が設けられる。また、第２の搬送ブロック２０とインデクサブロック９との間には、第２の搬送ブロック２０とインデクサブロック９との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１が設けられる。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。なお、図２においては第２の搬送ブロック２０は図示していない。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１２のレジストカバー膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

第１のインターフェースブロック１３には、２個のエッジ露光部ＥＥＷおよび基板載置部ＰＡＳＳ５１２が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４（図１参照）および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１が配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１３１およびスピンチャック１３１上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器１３２を備える。

第２のインターフェースブロック１５には、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が配置される。

洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部６０ａ（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置されている。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについては後述する。

レジストカバー膜除去ブロック１７のレジストカバー膜除去処理部７０（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

現像処理ブロック１８の現像処理部８０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル８２を備える。

第１の搬送ブロック１９には、第１の搬送ロボットＴＲ１が配置される。

図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１２のレジストカバー膜用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１２１には、基板載置部ＰＡＳＳ４、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理部６０ｂ（図１参照）には、上述した洗浄／乾燥処理部６０ａと同様に、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置されている。

レジストカバー膜除去ブロック１７の露光後ベーク用熱処理部１７０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１７１には、２個の加熱ユニットＨＰ、基板載置部ＰＡＳＳ５および２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１８の現像用熱処理部１８０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１８１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１８０，１８１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７、第１および第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１，ＩＦＲ２、ならびに第１および第２の搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２には、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部５０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部５０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジストカバー膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１に搬入する。次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジストカバー膜用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１２１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、第１のインターフェースブロック１４の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１により受け取られる。第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、その基板Ｗを露光装置ＳＴＰに搬入する。なお、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。

露光装置ＳＴＰにおいて露光処理が施された基板Ｗは、第２のインターフェースブロック１５の第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２により受け取られる。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１６の第５のセンターロボットＣＲ５の下側のハンドＣＲＨ１０により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂに搬入する。この洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂでは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細は後述する。

その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、上側のハンドＣＲＨ９により洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１７の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１に搬入する。この露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜除去処理部７０に搬入する。このレジストカバー膜除去処理部７０においては、上述したように除去ユニットＲＥＭによりレジストカバー膜が除去される。

その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去処理部７０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１８の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを現像処理部８０に搬入する。この現像処理部８０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより基板Ｗの現像処理が行われる。

その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、現像処理部８０から現像処理済み基板Ｗを取り出し、その基板を現像用熱処理部１８０，１８１に搬入する。次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、現像用熱処理部１８０，１８１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、第１の搬送ブロック１９の第１の搬送ロボットＴＲ１により受け取られる。第１の搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを受け取った後、＋Ｘ方向に移動し、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、第２の搬送ブロック２０の第２の搬送ロボットＴＲ２により受け取られる。第２の搬送ロボットＴＲ２は、基板Ｗを受け取った後、―Ｙ方向に移動し、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲの下側のハンドＩＲＨ２により受け取られる。インデクサロボットＩＲは、その基板ＷをキャリアＣ内に収納する。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

ここで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。

まず、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図４は洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。

図４に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図４の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ₂ ）が用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図４に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１の制御部９１により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第５のセンターロボットＣＲ５が基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図５（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

本実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

なお、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図５（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図４参照）の回転数が上昇するとともに、図５（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第５のセンターロボットＣＲ５が基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、露光処理時に液体が付着した基板Ｗが、第１のインターフェースブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１２、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０内を搬送されることがない。この場合、基板Ｗに付着した液体がこれらのブロック１０〜１３内の雰囲気に影響を与えることがない。それにより、それらのブロック１０〜１３内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が第１のインターフェースブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１２、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０内に落下することが防止されるので、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２および第１のインターフェースブロック１３にそれぞれ設けられた第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に付着することがないので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置ＳＴＰ内の汚染を防止することができる。

また、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより基板Ｗの洗浄処理が行われている。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて、その付着物を取り除くことができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗの洗浄後に基板Ｗの乾燥処理が行われている。それにより、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することを防止することができる。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより乾燥された基板Ｗがカバー膜除去ブロック１７および現像処理ブロック１８内を搬送されるので、それらのブロック１７，１８内の温湿度調整が容易になる。また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がカバー膜除去ブロック１７および現像処理ブロック１８内に落下することが防止されるので、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を十分に防止することが可能になる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥を行っている。この場合、基板Ｗに付着した液体を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。その結果、露光処理後の基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ブロック１６の第５のセンターロボットＣＲ５においては、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる洗浄および乾燥処理前の基板Ｗは下側のハンドＣＲＨ１０により保持し、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる洗浄および乾燥処理後の基板Ｗは上側のハンドＣＲＨ９により保持している。この場合、ハンドＣＲＨ９は常に乾燥された基板Ｗを保持することになるので、ハンドＣＲＨ９に基板Ｗの液体が付着することがない。また、ハンドＣＲＨ９はハンドＣＲＨ１０の上方に設けられているので、ハンドＣＲＨ１０およびそれが保持する基板Ｗに付着した液体が落下したとしても、ハンドＣＲＨ９およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することがない。これらの結果、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる洗浄および乾燥処理後の基板Ｗに液体が付着することが確実に防止される。

また、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１２の塗布ユニットＣＯＶにより、基板Ｗに形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜が形成されている。この場合、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。したがって、露光装置ＳＴＰ内の汚染をより確実に防止することができる。

また、現像処理ブロック１８において基板Ｗの現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１７の除去ユニットＲＥＭによりレジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。それにより、現像処理ユニットＤＥＶにおける基板Ｗの処理不良を防止することができる。

また、現像処理ブロック１８から搬出された処理済みの基板Ｗは、第１の搬送ブロック１９および第２の搬送ブロック２０を介してインデクサブロック９へ搬送される。それにより、外部からの基板Ｗの受け取りと外部への基板Ｗの搬出とをインデクサブロック９において行うことができるので、作業効率が向上する。

なお、露光処理時にレジストの成分が溶出しないような液体を露光装置ＳＴＰにおいて使用する場合には、レジストカバー膜用処理ブロック１２は設けなくてもよい。この場合、レジストカバー膜除去ブロック１７を設ける必要がなくなるので、基板処理装置５００の小型化が可能になる。

また、現像処理ユニットＤＥＶにおいてレジストカバー膜を除去することができる液体を現像液として用いる場合には、レジストカバー膜除去ブロック１７を設けなくてよい。

また、図４に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図６に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図７に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図７の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図７の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図８は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図６で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図８（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図８（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図４参照）の回転数が上昇するとともに、図８（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図４の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図９に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図９の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図９の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図７の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図４に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図１０に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。

図１０に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図４に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。

図１０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガス（Ｎ₂）が供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１１に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

また、上記実施の形態においては、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいてスピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（第２の実施の形態）
図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１２の基板処理装置５０１が図１の基板処理装置５００と異なるのは以下の点である。

図１２に示すように、基板処理装置５０１は、洗浄／乾燥処理ブロック１６を有しておらず、洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂが第２のインターフェースブロック１５ａに設けられている。また、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ３，Ｈ４が上下に設けられている。

本実施の形態に係る基板処理装置５０１においては、露光装置ＳＴＰにおいて露光処理が施された基板Ｗは、第２のインターフェースブロック１５ａの第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２の下側のハンドＨ４により受け取られる。第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂに搬入する。なお、上述したように、洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂにおいては、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

その後、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２は、上側のハンドＨ３により洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板を基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

このように、本実施の形態においては、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことができる。それにより、洗浄／乾燥処理ブロック１６を設ける必要がないので、基板処理装置５０１のフットプリントを低減することができる。

また、露光処理を行った直後に基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５０１内に落下する可能性が大幅に低下する。

また、第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２においては、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる乾燥処理前の液体が付着した基板ＷはハンドＨ４により保持し、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる乾燥処理後の基板ＷはハンドＨ３により保持している。それにより、ハンドＨ３に基板Ｗの液体が付着することがない。また、ハンドＨ３はハンドＨ４の上方に設けられているので、ハンドＨ４およびそれが保持する基板Ｗに付着した液体が落下したとしても、ハンドＨ３およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することがない。これらの結果、洗浄／乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板Ｗに液体が付着することが確実に防止される。

また、本実施の形態においても、図１の基板処理装置５００と同様に、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとで搬送経路が異なる。したがって、露光処理時に液体が付着した基板Ｗが、第１のインターフェースブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１２、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０内を搬送されることがない。この場合、基板Ｗに付着した液体がこれらのブロック１０〜１３内の雰囲気に影響を与えることがない。それにより、それらのブロック１０〜１３内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２および第１のインターフェースブロック１３にそれぞれ設けられた第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に付着することがないので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置ＳＴＰ内の汚染を防止することができる。

また、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１６の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより基板Ｗの洗浄処理が行われている。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて、その付着物を取り除くことができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗの洗浄後に基板Ｗの乾燥処理が行われている。それにより、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することを防止することができる。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより乾燥された基板Ｗがカバー膜除去ブロック１７および現像処理ブロック１８内を搬送されるので、それらのブロック１７，１８内の温湿度調整が容易になる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を十分に防止することが可能になる。

また、露光処理直後に第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２において基板Ｗの乾燥処理が行われているので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内に落下することが防止される。それにより、露光装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。

なお、本実施の形態においては、第２のインターフェースブロック１５ａに洗浄／乾燥処理ブロック６０ａ，６０ｂを設けているが、レジストカバー膜除去ブロック１７のレジストカバー膜除去処理部７０の一部に代えて洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設けてもよい。

この場合、基板載置部ＰＡＳＳ７（図１２参照）に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１７の第６のセンターロボットＣＲ６の下側のハンドＣＲＨ１２により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去処理部７０に設けられた洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。

その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、上側のハンドＣＲＨ１１により洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１に搬入する。次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、上側のハンドＣＲＨ１１により露光後ベーク用熱処理部１７０，１７１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板をレジストカバー膜除去処理部７０の除去ユニットＲＥＭに搬入する。

その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、上側のハンドＣＲＨ１１により除去ユニットＲＥＭから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

このように、レジストカバー膜除去ブロック１７のレジストカバー膜除去処理部７０に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設けることにより、洗浄／乾燥処理ブロック１６を設けることなく、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことが可能になる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる乾燥処理前の液体が付着した基板ＷはハンドＣＲＨ１２により保持され、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる乾燥処理後の基板Ｗは上側のハンドＣＲＨ１１により保持されるので、乾燥処理後の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。

なお、レジストカバーブロック１７に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設ける場合には、第２のインターフェースブロック１５ａを設けずに、第６のセンターロボットＣＲ６により露光装置ＳＴＰから搬出される露光処理後の基板Ｗを受け取ってもよい。この場合、露光処理直後に、レジストカバーブロック１７において基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染をより確実に防止することができる。

また、レジストカバー膜除去ブロック１７を設けない場合には、現像処理ブロック１８の現像処理部８０の一部に代えて洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設けてもよい。

この場合、基板載置部ＰＳＡＡ８（図１２参照）に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１８の第７のセンターロボットＣＲ７の下側のハンドＣＲＨ１４により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを現像処理部８０に設けられた洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。

その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、上側のハンドＣＲＨ１３により洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１８０に搬入する。この現像用熱処理部１８０においては、基板Ｗに露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、上側のハンドＣＲＨ１３により現像用熱処理部１８０から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板を現像処理部８０の現像ユニットＤＥＶに搬入する。その後、第７のセンターロボットＣＲ７は、上側のハンドＣＲＨ１３により現像ユニットＤＥＶから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板を現像用熱処理部１８０，１８１に搬入する。

次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、上側のハンドＣＲＨ１３により現像用熱処理部１８０，１８１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板を基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

このように、現像処理ブロック１８の現像処理部８０に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設けることにより、洗浄／乾燥処理ブロック１６を設けることなく、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことが可能になる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる乾燥処理前の液体が付着した基板ＷはハンドＣＲＨ１４により保持され、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤによる乾燥処理後の基板Ｗは上側のハンドＣＲＨ１３により保持されるので、乾燥処理後の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。

なお、現像処理ブロック１８に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設ける場合には、第２のインターフェースブロック１５ａを設けずに、第７のセンターロボットＣＲ７により露光装置ＳＴＰから搬出される露光処理後の基板Ｗを受け取ってもよい。この場合、露光処理直後に、現像処理ブロック１８において基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染をより確実に防止することができる。

（第３の実施の形態）
図１３は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１３の基板処理装置５０２が図１の基板処理装置５００と異なるのは以下の点である。

図１３に示すように、基板処理装置５０２は、レジストカバー膜用処理ブロック１２およびレジストカバー膜除去ブロック１７を有していない。さらに、第４のセンターロボットＣＲ４およびエッジ露光部ＥＥＷが第１のインターフェースブロック１３ａ内のレジスト膜用処理ブロック１１側に設けられ、上述した洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂと同様の構成の洗浄／乾燥処理部６０ｃおよび第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１が第１のインターフェースブロック１３ａ内の外部装置設置ブロック１４（露光装置ＳＴＰ）側に設けられている。また、レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１１に基板載置部ＰＡＳＳ１２が設けられている。

本実施の形態に係る基板処理装置５０２においては、レジスト膜用処理ブロック１１において所定の処理が施された基板Ｗは、第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、第１のインターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１により受け取られる。第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理部６０ｃに搬入する。この洗浄／乾燥処理部６０ｃでは、上述した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

その後、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は洗浄／乾燥処理部６０ｃから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光装置ＳＴＰに搬入する。

このように、本実施の形態においては、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗに露光処理が施される前に、第１のインターフェースブロック１３ａの洗浄／乾燥処理部６０ｃの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストの成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストの成分は液体中にほとんど溶出しない。それにより、露光装置ＳＴＰ内の汚染が低減されるとともに基板Ｗの表面にレジストの成分が残留することも防止できる。その結果、露光装置ＳＴＰにおいて発生する基板Ｗの処理不良を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗの乾燥処理も行われるので、洗浄後の基板Ｗを洗浄処理部６０ｃから露光装置ＳＴＰへと搬送する際に、その基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを防止できる。また、液体が付着した基板Ｗが第１のインターフェースブロック１３ａ内を搬送されることがないので、第１のインターフェースブロック１３ａ内の温湿度調整が容易になる。

なお、洗浄処理部６０ｃの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける基板Ｗの洗浄処理においては、基板Ｗ上のレジストの成分が適度に溶出するように洗浄液の供給時間が調整されている。

また、第２の実施の形態において説明したように、第２のインターフェースブロック１５に洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂを設ける場合または現像処理ブロック１８の現像処理部８０の一部に代えて洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設ける場合には、洗浄／乾燥処理ブロック１６を設ける必要はない。この場合、基板処理装置５０２のフットプリントを低減することができる。

また、本実施の形態においても、図１の基板処理装置５００と同様に、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとで搬送経路が異なる。したがって、露光処理後の液体が付着した基板Ｗが、第１のインターフェースブロック１３ａ、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０内を搬送されることがないので、それら各ブロック内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１および第１のインターフェースブロック１３ａにそれぞれ設けられた第１のセンターロボットＣＲ１、第２のセンターロボットＣＲ２、第４のセンターロボットＣＲ４および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に付着することがないので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置ＳＴＰ内の汚染を防止することができる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を十分に防止することが可能になる。

また、本実施の形態においては、露光処理直前に基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われているので、露光装置ＳＴＰに搬入される基板Ｗの汚染をより確実に防止することができる。

（第４の実施の形態）
図１４は、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

図１４の基板処理装置５０３が図１の基板処理装置５００と異なるのは以下の点である。

図１４に示すように、基板処理装置５０３は、レジストカバー膜用処理ブロック１２およびレジストカバー膜除去ブロック１７を有していない。また、第１のインターフェースブロック１３ｂには、第４のセンターロボットＣＲ４が設けられていない。さらに、レジスト膜用処理ブロック１１と第１のインターフェースブロック１３ｂとの間に洗浄／乾燥処理ブロック１６ａが設けられている。

また、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａと第１のインターフェースブロック１３との間には雰囲気遮断用の隔壁２８が設けられており、隔壁２８には基板載置部ＰＡＳＳ１３が設けられている。

なお、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａは、上述した洗浄／乾燥処理ブロック１６と同様の構成を有する。

本実施の形態に係る基板処理装置５０３においては、レジスト膜用処理ブロック１１において所定の処理が施された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａに搬入される。この洗浄／乾燥処理ブロック１６ａにおいては、上述した洗浄／乾燥処理ブロック１６と同様に基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

洗浄／乾燥処理ブロック１６ａにおいて所定の処理が施された基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第１のインターフェースブロック１３の第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１により受け取られる。第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。その後、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１は、エッジ露光部ＥＥＷから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを露光装置ＳＴＰに搬入する。

このように、本実施の形態においては、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗに露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａにおいて基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストの成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置ＳＴＰにおいて基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストの成分は液体中にほとんど溶出しない。それにより、露光装置ＳＴＰ内の汚染が低減されるとともに基板Ｗの表面にレジストの成分が残留することも防止できる。その結果、露光装置ＳＴＰにおいて発生する基板Ｗの処理不良を低減することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗの乾燥処理も行われるので、洗浄後の基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１６ａの洗浄処理部６０ａ，６０ｂから露光装置ＳＴＰへと搬送する際に、その基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを防止できる。また、液体が付着した基板Ｗが洗浄／乾燥処理ブロック１６ａおよび第１のインターフェースブロック１３内を搬送されることがないので、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａおよび第１のインターフェースブロック１３内の温湿度調整が容易になる。

なお、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａの洗浄処理部６０ａ，６０ｂの洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける基板Ｗの洗浄処理においては、基板Ｗ上のレジストの成分が適度に溶出するように洗浄液の供給時間が調整されている。

また、第２の実施の形態において説明したように、第２のインターフェースブロック１５に洗浄／乾燥処理部６０ａ，６０ｂを設ける場合または現像処理ブロック１８の現像処理部８０の一部に代えて洗浄／乾燥処理ユニットＳＤを設ける場合には、洗浄／乾燥処理ブロック１６を設ける必要はない。この場合、基板処理装置５０３のフットプリントを低減することができる。

なお、第１のインターフェースブロック１３ｂの代わりに図１で説明した第１のインターフェースブロック１３を用いる場合は、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａ内で図１のＰＡＳＳ４と同様の位置に基板載置部ＰＡＳＳ１３を設ければよい。

また、本実施の形態においても、図１の基板処理装置５００と同様に、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとで搬送経路が異なる。したがって、露光処理後の液体が付着した基板Ｗが、第１のインターフェースブロック１３、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａ、レジスト膜用処理ブロック１１および反射防止膜用処理ブロック１０内を搬送されることがないので、それら各ブロックの温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック１０、洗浄／乾燥処理ブロック１６ａ、レジスト膜用処理ブロック１１および第１のインターフェースブロック１３にそれぞれ設けられた第１のセンターロボットＣＲ１、第２のセンターロボットＣＲ２、第５のセンターロボットＣＲ５、第４のセンターロボットＣＲ４および第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１に付着することがないので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置ＳＴＰ内の汚染を防止することができる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を十分に防止することが可能になる。

なお、上記第１〜第４の実施の形態においては、現像処理ブロック１８において現像処理が施された基板Ｗは、第１および第２の搬送ブロック１９，２０ならびにインデクサブロック９を介して外部に搬出されるが、第２の搬送ブロック２０を設けずに、第１の搬送ブロック１９にキャリア載置台９２を設けて、第１の搬送ブロック１９から基板Ｗを外部に搬出してもよい。

また、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。

（請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応）
上記実施の形態においては、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、第１のインターフェースブロック１３，１３ａ，１３ｂおよび洗浄／乾燥処理ブロック１６ａが第１の処理部に相当し、第２のインターフェースブロック１５，１５ａ、洗浄／乾燥処理ブロック１６、カバー膜除去ブロック１７および現像処理ブロック１８が第２の実施の形態に相当し、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ，ＳＤａが第１および第２の洗浄乾燥処理ユニットに相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットＤＥＶが現像処理ユニットに相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当する。

また、洗浄／乾燥処理ブロック１６または第２のインターフェースブロック１５ａが第１の処理単位に相当し、第５のセンターロボットＣＲ５または第２のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ２が第１の搬送ユニットに相当し、ハンドＣＲＨ９またはハンドＨ３が第１の保持手段に相当し、ハンドＣＲＨ１０またはハンドＨ４が第２の保持手段に相当し、レジスト膜用処理ブロック１１が第２の処理単位に相当し、第２のセンターロボットＣＲ２が第２の搬送ユニットに相当し、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰが熱処理ユニットに相当し、現像処理ブロック１８が第３または第４の処理単位に相当し、第７のセンターロボットＣＲ７が第３または第４の搬送ユニットに相当し、ハンドＣＲＨ１３が第３の保持手段に相当し、ハンドＣＨＲ１４が第４の保持手段に相当し、レジストカバー膜用処理ブロック１２が第５の処理単位に相当し、第３のセンターロボットＣＲ３が第５の搬送ユニットに相当し、第１のインターフェースブロック１３ａまたは洗浄／乾燥処理ブロック１６ａが第６の処理単位に相当し、第１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１または第５のセンターロボットＣＲ５が第６の搬送ユニットに相当し、カバー膜除去ブロック１７が第７または第８の処理単位に相当し、第６のセンターロボットＣＲ６が第７または第８の搬送ユニットに相当し、ハンドＣＲＨ１１が第５の保持手段に相当し、ハンドＣＲＨ１２が第６の保持手段に相当し、反射防止膜処理ブロック１０が第９の処理単位に相当し、第１のセンターロボットＣＲ１が第９の搬送ユニットに相当し、インデクサブロック９が基板搬入搬出部に相当し、第１の搬送ブロック１９が基板搬出部に相当し、第２の搬送ブロック２０が基板搬送部に相当する。

また、スピンチャック６２１が基板保持手段に相当し、回転軸６２５およびチャック回転駆動機構６３６が回転駆動手段に相当し、洗浄処理用ノズル６５０が洗浄液供給手段およびリンス液供給手段に相当し、乾燥処理用ノズル６７０，７７０，８７０が不活性ガス供給手段に相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図７の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１０の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ レジストカバー膜用処理ブロック
１３，１３ａ，１３ｂ 第１のインターフェースブロック
１４ 外部装置設置ブロック
１５，１５ａ 第２のインターフェースブロック
１６，１６ａ 洗浄／乾燥処理ブロック
１７ カバー膜除去ブロック
１８ 現像処理ブロック
１９ 第１の搬送ブロック
２０ 第２の搬送ブロック
２１〜２８ 隔壁
３０ 反射防止膜用塗布処理部
４０ レジスト膜用塗布処理部
５０ レジストカバー膜用塗布処理部
６０ａ，６０ｂ，６０ｃ 洗浄／乾燥処理部
７０ レジストカバー膜除去処理部
８０ 現像処理部
９１ 制御部
９２ キャリア載置台
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１ レジストカバー膜用熱処理部
１７０，１７１ 露光後ベーク用熱処理部
１８０，１８１ 現像用熱処理部
５００，５０１，５０２，５０３ 基板処理装置
６２１ スピンチャック
６２５ 回転軸
６３６ チャック回転駆動機構
６５０ 洗浄処理用ノズル
６７０，７７０，８７０ 乾燥処理用ノズル
６８２ 遮断板
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ７ 第１〜第７のセンターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＩＲ インデクサロボット
ＩＦＲ１ 第１のインターフェース用搬送機構
ＩＦＲ２ 第２のインターフェース用搬送機構
ＲＥＭ 除去ユニット
Ｓ／Ｄ，Ｓ／Ｄａ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＴＲ１ 第１の搬送ロボット
ＴＲ２ 第２の搬送ロボット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部
ＳＴＰ 露光装置
Ｗ 基板

Claims (35)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   前記露光装置の一の側面に隣接するように設けられ前記露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行うための第１の処理部と、
   前記露光装置の他の側面に隣接するように設けられ前記露光装置による露光処理後の基板に所定の処理を行うための第２の処理部とを備え、
   前記第２の処理部は、基板の洗浄および乾燥処理を行う第１の洗浄乾燥処理ユニットを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１の洗浄乾燥処理ユニットは、前記露光装置に隣接するように設けられることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
   前記第２の処理部は、前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記第１の処理部は、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第２の処理部は、前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後であって前記現像処理ユニットによる基板の現像処理前に前記保護膜を除去する除去ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記第１の処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に基板の洗浄および乾燥処理を行う第２の洗浄乾燥処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
7. 前記第２の洗浄乾燥処理ユニットは、前記露光装置に隣接するように設けられることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記第１の処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の基板処理装置
9. 前記第２の処理部は、
   前記第１の洗浄乾燥処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを含む第１の処理単位を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
10. 前記第１の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記第１の搬送ユニットは基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
    前記第１の搬送ユニットは、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項９または１０記載の基板処理装置。
12. 前記第２の保持手段は前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記第１の処理部は、
    基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位を備え、
    前記第２の処理部は、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位をさらに備えることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 前記第１の処理部は、
    基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位を備え、
    前記第２の処理部は、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニット、前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットならびに基板を搬送する第４の搬送ユニットを含む第４の処理単位を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
15. 前記第４の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されることを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置。
16. 前記第４の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を備え、
    前記第４の搬送ユニットは、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には前記第３の保持手段により基板を保持し、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には前記第４の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項１４または１５記載の基板処理装置。
17. 前記第４の保持手段は前記第３の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項１６記載の基板処理装置。
18. 前記第１の処理部は、
    前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第５の搬送ユニットを含む第５の処理単位をさらに備え、
    前記第５の処理単位は、前記第２の処理単位と前記露光装置との間に配置されることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
19. 前記第１の処理部は、
    前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に基板の洗浄および乾燥処理を行う第２の洗浄乾燥処理ユニットならびに基板を搬送する第６の搬送ユニットを含む第６の処理単位をさらに備え、
    前記第６の処理単位は、前記第２の処理単位と前記露光装置との間に配置されることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
20. 前記第６の処理単位は、露光装置に隣接するように配置されることを特徴とする請求項１９記載の基板処理装置。
21. 前記第１の処理部は、
    前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第５の搬送ユニットを含む第５の処理単位をさらに備え、
    前記第２の処理部は、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後であって前記現像処理ユニットによる基板の現像処理前に前記保護膜を除去する除去ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第７の搬送ユニットを含む第７の処理単位をさらに備え、
    前記第５の処理単位は、前記第２の処理単位と前記露光装置との間に配置され、
    前記第７の処理単位は、前記第１の処理単位と前記第３の処理単位との間に配置されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置。
22. 前記第１の処理部は、
    基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを含む第２の処理単位と、
    前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第５の搬送ユニットを含む第５の処理単位とを備え、
    前記第２の処理部は、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニット、前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に前記保護膜を除去する除去ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットならびに基板を搬送する第８の搬送ユニットを含む第８の処理単位と、
    前記除去ユニットによる保護膜の除去後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを含む第３の処理単位とを備え、
    前記第５の処理単位は、前記第２の処理単位と前記露光装置との間に配置され、
    前記第８の処理単位は、前記露光装置と前記第３の処理単位との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
23. 前記第８の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されることを特徴とする請求項２２記載の基板処理装置。
24. 前記第８の搬送ユニットは、基板を保持する第５および第６の保持手段を備え、
    前記第８の搬送ユニットは、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には前記第５の保持手段により基板を保持し、
    前記第１の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には前記第６の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項２２または２３記載の基板処理装置。
25. 前記第６の保持手段は前記第５の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項２４記載の基板処理装置。
26. 前記第２の洗浄乾燥処理ユニットは、
    基板を略水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項６，７，１９または２０記載の基板処理装置。
27. 前記第２の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項２６記載の基板処理装置。
28. 前記第２の洗浄乾燥処理ユニットは、
    洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項２６記載の基板処理装置。
29. 前記第２の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項２８記載の基板処理装置。
30. 前記第１の洗浄乾燥処理ユニットは、
    基板を略水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項１〜２９のいずれかに記載の基板処理装置。
31. 前記第１の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項３０記載の基板処理装置。
32. 前記第１の洗浄乾燥処理ユニットは、
    洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項３０記載の基板処理装置。
33. 前記第１の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項３２記載の基板処理装置。
34. 前記第１の処理部は、
    前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第９の搬送ユニットを含む第９の処理単位をさらに備えることを特徴とする請求項１３〜３３のいずれかに記載の基板処理装置。
35. 前記第１の処理部に対して前記露光装置と反対側において前記第１の処理部に隣接するように配置された基板搬入搬出部と、
    前記第２の処理部に対して前記露光装置と反対側において前記第２の処理部に隣接するように配置された基板搬出部と、
    前記基板搬入搬出部と前記基板搬出部とを連結する経路に設けられた基板搬送部とを備え、
    前記基板搬入搬出部は、基板を前記第１の処理部へ搬入し、
    前記基板搬出部は、基板を前記第２の処理部から搬出し、
    前記基板搬送部は、前記基板搬出部から搬出された基板を前記基板搬入搬出部へ搬送し、
    前記基板搬入搬出部は、前記基板搬送部により搬送された基板を搬出することを特徴とする請求項１〜３４のいずれかに記載の基板処理装置。

Images