上記特許文献2の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理後の基板は液体が付着した状態で投影露光装置から搬出される。
そのため、上記特許文献1の基板処理装置に上記特許文献2の投影露光装置を外部装置として設ける場合、投影露光装置から搬出される基板に付着している液体が保持アームに付着する。保持アームは露光処理前の基板の搬送も行う。したがって、保持アームに液体が付着すると、保持アームに付着した液体が露光処理前の基板にも付着する。
それにより、基板の搬送時に基板の液体に雰囲気中の塵埃等が付着し、基板が汚染される。その結果、露光装置における露光処理時の解像性能が劣化する場合がある。
また、露光処理時に液体が付着した基板が各処理ブロック内を搬送されると、基板に付着した液体が処理ブロック内の雰囲気に影響を与える。それにより、各処理ブロックにおける温湿度調整が困難になり、基板の処理不良が発生する。
本発明の目的は、基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置を提供することである。
(1)
本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置の一の側面に隣接するように設けられ露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行うための第1の処理部と、露光装置の他の側面に隣接するように設けられ露光装置による露光処理後の基板に所定の処理を行うための第2の処理部とを備え、第2の処理部は、基板の洗浄および乾燥処理を行う第1の洗浄乾燥処理ユニットを含むものである。
本発明に係る基板処理装置においては、第1の処理部において露光処理前の基板に所定の処理が施される。次に、露光装置において基板に露光処理が施された後、第2の処理部において露光処理後の基板に洗浄および乾燥処理を含む所定の処理が施される。
この場合、露光処理後の基板は第1の処理部において処理されないので、露光処理時に基板に液体が付着しても、その液体が第1の処理部の雰囲気に影響を与えることがない。それにより第1の処理部の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が第1の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が、露光処理前の基板に付着することも防止される。それにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板に塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置内の汚染を防止することができる。
また、第1の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板に露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。
また、第1の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の乾燥処理が行われるので、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、露光処理後の基板の汚染を防止することができる。
また、露光処理後の基板を乾燥することにより、露光処理時に基板に付着した液体が第2の処理部内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、第2の処理部内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が第2の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することが可能になる。
(2)
第1の洗浄乾燥処理ユニットは、露光装置に隣接するように設けられてもよい。
この場合、露光処理直後に基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができるとともに、基板処理装置内に基板に付着した液体が落下することを確実に防止することができる。
(3)
第1の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、現像処理ユニットによる現像処理前に第1の洗浄乾燥処理ユニットにより洗浄および乾燥処理を行うことができるので、現像処理前の基板の汚染を防止することができる。それにより、現像処理ユニットにおける基板の処理不良を防止することができる。
(4)
第1の処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
(5)
第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後であって現像処理ユニットによる基板の現像処理前に保護膜を除去する除去ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、現像処理前に保護膜が除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。それにより、現像処理ユニットにおける基板の処理不良を確実に防止することができる。
(6)
第1の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に基板の洗浄および乾燥処理を行う第2の洗浄乾燥処理ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、第2の洗浄乾燥処理ユニットにおける基板の洗浄処理時に、基板上の感光性膜の成分の一部が溶出する。それにより、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
また、第2の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理も行われるので、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。
(7)
第2の洗浄乾燥処理ユニットは、露光装置に隣接するように設けられてもよい。
この場合、露光装置における露光処理の直前に第2の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、露光装置内の汚染をより確実に防止することができる。
(8)
第1の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。
(9)
第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニットおよび基板を搬送する第1の搬送ユニットを含む第1の処理単位を備えてもよい。
この場合、露光装置において露光処理が施された基板は、第1の搬送ユニットにより第1の洗浄乾燥処理ユニットに搬送される。第1の洗浄乾燥処理ユニットにおいて洗浄および乾燥処理が行われた基板は、第1の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
この基板処理装置においては、第1の処理単位において基板の乾燥および洗浄処理が行われるので、洗浄処理時に基板に付着した液体が他の処理単位に影響を与えることを防止することができる。それにより、他の処理単位における温湿度調整が容易になる。また、基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、他の処理単位における基板の処理不良を防止することができる。
(10)
第1の処理単位は、露光装置に隣接するように配置されてもよい。
この場合、露光処理直後に第1の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体が第2の処理部の他の処理単位の雰囲気に与える影響を確実に防止することができる。
(11)
第1の搬送ユニットは基板を保持する第1および第2の保持手段を含み、第1の搬送ユニットは、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には第1の保持手段により基板を保持し、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には第2の保持手段により基板を保持してもよい。
この場合、第1の保持手段は常に乾燥処理後の基板を保持することになるので、第1の保持手段に基板の液体が付着することがない。それにより、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際に、基板に液体が再度付着することが確実に防止される。
(12)
第2の保持手段は前記第1の保持手段よりも下方に設けられてもよい。
この場合、第2の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第1の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が再度付着することが確実に防止される。
(13)
第1の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位を備え、第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位をさらに備えてもよい。
この場合、第1の処理部の第2の処理単位において、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第2の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
また、第2の処理部の第1の処理単位において洗浄および乾燥処理が行われた基板に対して、第3の処理単位において、現像処理ユニットにより現像処理が行われる。その後、基板は第3の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。
この基板処理装置においては、第3の処理単位において基板の現像処理が行われる前に、第1の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理が行われる。それにより、現像処理前の基板の汚染を防止することができる。その結果、第3の処理単における基板の処理不良を防止することができる。
(14)
第1の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位を備え、第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニット、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットならびに基板を搬送する第4の搬送ユニットを含む第4の処理単位を備えてもよい。
この場合、第1の処理部の第2の処理単位において、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第2の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
また、第2の処理部の第4の処理単位において、第1の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われる。その後、基板は第4の搬送ユニットにより現像処理ユニットに搬送され、現像処理ユニットにおいて基板の現像処理が行われる。その後、基板は第4の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。
この基板処理装置においては、第2の処理部の第4の処理単位において、第1の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われた後に、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。それにより、現像処理前の基板の汚染を防止することができる。その結果、第4の処理単位における基板の処理不良を防止することができる。
また、基板の洗浄処理、乾燥処理および現像処理を一つの処理単位で行うことができるので、基板処理装置のフットプリントを低減することができる。
(15)
第4の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されてもよい。
この場合、露光処理直後に第4の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体が第2の処理部の雰囲気に与える影響を確実に防止することができる。
(16)
第4の搬送ユニットは、基板を保持する第3および第4の保持手段を備え、第4の搬送ユニットは、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には第3の保持手段により基板を保持し、第1の処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には第4の保持手段により基板を保持してもよい。
この場合、第3の保持手段は常に乾燥処理後の基板を保持することになるので、第3の保持手段に基板の液体が付着することがない。それにより、第1の洗浄
乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際に、基板に液体が再度付着することが確実に防止される。
(17)
第4の保持手段は第3の保持手段よりも下方に設けられてもよい。
この場合、第4の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第3の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が再度付着することが確実に防止される。
(18)
第1の処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第5の搬送ユニットを含む第5の処理単位をさらに備え、第5の処理単位は、第2の処理単位と露光装置との間に配置されてもよい。
この場合、第2の処理単位と露光装置との間に配置された第5の処理単位において、保護膜形成ユニットにより感光性膜上に保護膜が形成される。その後、基板は第5の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。
この基板処理装置においては、露光処理前に第5の処理単位の保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
(19)
第1の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に基板の洗浄および乾燥処理を行う第2の洗浄乾燥処理ユニットならびに基板を搬送する第6の搬送ユニットを含む第6の処理単位をさらに備え、第6の処理単位は、第2の処理単位と露光装置との間に配置されてもよい。
この場合、第2の処理単位の感光性膜形成ユニットにより感光性膜が形成された基板に対して、露光処理前に、第6の処理単位において、第2の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われる。
この基板処理装置においては、第2の洗浄乾燥処理ユニットにおける基板の洗浄処理時に、基板上の感光性膜の成分の一部が溶出する。それにより、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
また、第2の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理も行われるので、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。
(20)
第6の処理単位は、露光装置に隣接するように配置されてもよい。
この場合、露光装置における露光処理の直前に第2の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、露光装置内の汚染をより確実に防止することができる。
(21)
第1の処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第5の搬送ユニットを含む第5の処理単位をさらに備え、第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後であって現像処理ユニットによる基板の現像処理前に保護膜を除去する除去ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第7の搬送ユニットを含む第7の処理単位をさらに備え、第5の処理単位は、第2の処理単位と露光装置との間に配置され、第7の処理単位は、第1の処理単位と第3の処理単位との間に配置されてもよい。
この場合、第2の処理単位と露光装置との間に配置された第5の処理単位において、保護膜形成ユニットにより感光性膜上に保護膜が形成される。その後、基板は第5の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて所定の熱処理が施される。
また、第2の処理部の第1の処理単位と第3の処理単位との間に配置された第7の処理単位において、熱処理ユニットにより所定の熱処理が行われる。その後基板は、第7の搬送ユニットにより除去ユニットに搬送され、除去ユニットにおいて保護膜が除去される。
この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前に第5の処理単位の保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
また、第3の処理単位において基板の現像処理が行われる前に、第7の処理単位の除去ユニットにより保護膜が除去されるので、第3の処理単位において現像処理を確実に行うことができる。
(22)
第1の処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第2の搬送ユニットを含む第2の処理単位と、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第5の搬送ユニットを含む第5の処理単位とを備え、第2の処理部は、第1の洗浄乾燥処理ユニット、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる基板の洗浄および乾燥処理後に前記保護膜を除去する除去ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットならびに基板を搬送する第8の搬送ユニットを含む第8の処理単位と、除去ユニットによる保護膜の除去後に基板の現像処理を行う現像処理ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第3の搬送ユニットを含む第3の処理単位とを備え、第5の処理単位は、第2の処理単位と露光装置との間に配置され、第8の処理単位は、露光装置と第3の処理単位との間に配置されてもよい。
この場合、第1の処理部の第2の処理単位において、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その後、基板は第2の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第2の搬送ユニットにより隣接する他の処理単位に搬送される。
次に、第5の処理単位において、保護膜形成ユニットにより基板上に保護膜が形成される。その後、基板は第5の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の処理が施される。
また、第2の処理部の第8の処理単位において、第1の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理が行われる。その後、基板は第8の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が行われる。その後、基板は第8の搬送ユニットにより除去ユニットに搬送され、除去ユニットにおいて保護膜が除去される。
次に、第3の処理単において、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。その後、基板は第3の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。
この基板処理装置においては、露光処理前に第5の処理単位の保護膜形成ユニットにおいて感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
また、露光処理後に第8の処理単位の第1の洗浄乾燥処理ユニットにより基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。
また、第3の処理単位において基板の現像処理が行われる前に、第8の処理単位の除去ユニットにより保護膜が除去されるので、第3の処理単位において現像処理を確実に行うことができる。
(23)
第8の処理単位は、前記露光装置に隣接するように配置されてもよい。
この場合、露光処理直後に第8の処理単位において基板の洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染を確実に防止することができる。
(24)
第8の搬送ユニットは、基板を保持する第5および第6の保持手段を備え、第8の搬送ユニットは、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板を搬送する際には第5の保持手段により基板を保持し、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理前の基板を搬送する際には第6の保持手段により基板を保持してもよい。
この場合、第5の保持手段は常に乾燥処理後の基板を保持することになるので、第5の保持手段に基板の液体が付着することがない。それにより、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を搬送する際に、基板に液体が再度付着することが確実に防止される。
(25)
第6の保持手段は前記第5の保持手段よりも下方に設けられてもよい。
この場合、第6の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第5の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、第1の洗浄乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が再度付着することが確実に防止される。
(26)
第2の洗浄乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。
この第2の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。
この場合、基板を回転させつつ基板上に不活性ガスが供給されるので、基板の洗浄後に基板上に残留した洗浄液が効率よく排除される。それにより、基板を確実に乾燥させることができる。
(27)
第2の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
この場合、洗浄液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。
(28)
第2の洗浄乾燥処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。
この場合、リンス液により洗浄液を確実に洗い流すことができるので、洗浄液中に溶出した異物が基板上に残留することを防止することができる。それにより、基板を確実に洗浄することができる。
(29)
第2の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
この場合、リンス液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。
(30)
第1の洗浄乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えてもよい。
この第1の洗浄乾燥処理ユニットにおいては、基板保持手段により基板が略水平に保持され、回転駆動手段により基板がその基板に垂直な軸の周りで回転される。また、洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給され、次いで、不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される。
この場合、基板を回転させつつ基板上に不活性ガスが供給されるので、基板の洗浄後に基板上に残留した洗浄液が効率よく排除される。それにより、基板を確実に乾燥させることができる。
(31)
第1の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
この場合、洗浄液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。
(32)
第1の洗浄乾燥処理ユニットは、洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えてもよい。
この場合、リンス液により洗浄液を確実に洗い流すことができるので、洗浄液中に溶出した異物が基板上に残留することを防止することができる。それにより、基板を確実に洗浄することができる。
(33)
第1の洗浄乾燥処理ユニットの不活性ガス供給手段は、リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給してもよい。
この場合、リンス液が基板上の中心部に残留することを防止することができるので、基板の表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。それにより、基板の処理不良をより確実に防止することができる。
(34)
第1の処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニット、基板に熱処理を行う熱処理ユニットおよび基板を搬送する第9の搬送ユニットを含む第9の処理単位をさらに備えてもよい。
この場合、第1の処理部の第9の処理単位において、反射防止膜形成ユニットにより基板上に反射防止膜が形成される。その後、基板は第9の搬送ユニットにより熱処理ユニットに搬送され、熱処理ユニットにおいて基板に所定の熱処理が施される。その後、基板は第9の搬送ユニットにより他の処理単位へ搬送される。
この基板処理装置においては、第2の処理単位の感光性膜形成ユニットにおいて基板上に感光性膜が形成される前に、第9の処理単位の反射防止膜形成ユニットにおいて基板上に反射防止膜が形成される。それにより、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。
(35)
第1の処理部に対して前記露光装置と反対側において第1の処理部に隣接するように配置された基板搬入搬出部と、第2の処理部に対して露光装置と反対側において第2の処理部に隣接するように配置された基板搬出部と、基板搬入搬出部と基板搬出部とを連結する経路に設けられた基板搬送部とを備え、基板搬入搬出部は、基板を第1の処理部へ搬入し、基板搬出部は、基板を第2の処理部から搬出し、基板搬送部は、基板搬出部から搬出された基板を基板搬入搬出部へ搬送し、基板搬入搬出部は、基板搬送部により搬送された基板を搬出してもよい。
この場合、基板搬入搬出部から第1の処理部に搬入された基板は、第1および第2の処理部において所定の処理を施された後に、基板搬出部および基板搬送部を介して基板搬入搬出部に戻り、基板搬入搬出部から搬出される。つまり、基板搬入搬出部が、基板処理装置への基板の搬入の役割と基板処理装置からの基板の搬出の役割とを担うことができる。それにより、外部からの基板の受け取りと外部への基板の搬出とを同じ場所で行うことができるので、作業効率を向上させることができる。
本発明によれば、露光処理後の基板は第1の処理部において処理されないので、露光処理時に基板に液体が付着しても、その液体が第1の処理部の雰囲気に影響を与えることがない。それにより第1の処理部の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が第1の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が、露光処理前の基板に付着することも防止される。それにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板に塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置内の汚染を防止することができる。
また、第1の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板に露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。
また、第1の洗浄乾燥処理部において露光処理後の基板の乾燥処理が行われるので、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを防止することができる。それにより、露光処理後の基板の汚染を防止することができる。
また、露光処理後の基板を乾燥することにより、露光処理時に基板に付着した液体が第2の処理部内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、第2の処理部内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板に付着した液体が第2の処理部内に落下することが防止されるので、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
これらの結果、基板の処理不良を十分に防止することが可能になる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置について図1〜図11を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図1に示すように、基板処理装置500においては、Y方向に沿って、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、レジストカバー膜用処理ブロック12、第1のインターフェースブロック13、外部装置設置ブロック14、第2のインターフェースブロック15、洗浄/乾燥処理ブロック16、カバー膜除去ブロック17、現像処理ブロック18および第1の搬送ブロック19が順に並設される。また、これら全てのブロック9〜19のY方向に沿った一方の側面に接するように第2の搬送ブロック20が配置されている。本実施の形態においては、外部装置設置ブロック14に露光装置STPが配置される。露光装置STPにおいては、液浸法により基板Wの露光処理が行われる。
インデクサブロック9は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ(制御部)91、複数のキャリア載置台92およびインデクサロボットIRを含む。インデクサロボットIRには、基板Wを受け渡すためのハンドIRH1,IRH2が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック10は、反射防止膜用熱処理部100,101、反射防止膜用塗布処理部30および第1のセンターロボットCR1を含む。反射防止膜用塗布処理部30は、第1のセンターロボットCR1を挟んで反射防止膜用熱処理部100,101に対向して設けられる。第1のセンターロボットCR1には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH1,CRH2が上下に設けられる。
インデクサブロック9と反射防止膜用処理ブロック10との間には、雰囲気遮断用の隔壁21が設けられる。この隔壁21には、インデクサブロック9と反射防止膜用処理ブロック10との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS1設けられる。
また、基板載置部PASS1には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示せず)が設けられている。それにより、基板載置部PASS1において基板Wが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部PASS1には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部PASS2〜PASS13にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック11は、レジスト膜用熱処理部110,111、レジスト膜用塗布処理部40および第2のセンターロボットCR2を含む。レジスト膜用塗布処理部40は、第2のセンターロボットCR2を挟んでレジスト膜用熱処理部110,111に対向して設けられる。第2のセンターロボットCR2には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH3,CRH4が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック10とレジスト膜用処理ブロック11との間には、雰囲気遮断用の隔壁22が設けられる。この隔壁22には、反射防止膜用処理ブロック10とレジスト膜用処理ブロック11との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS2が設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック12は、レジストカバー膜用熱処理部120,121、レジストカバー膜用塗布処理部50および第3のセンターロボットCR3を含む。レジストカバー膜用熱処理部121は、第1のインターフェースブロック13に隣接し、後述するように、基板載置部PASS4を備える。レジストカバー膜用塗布処理部50は、第3のセンターロボットCR3を挟んでレジストカバー膜用熱処理部120,121に対向して設けられる。第3のセンターロボットCR3には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH5,CRH6が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック11とレジストカバー膜用処理ブロック12との間には、雰囲気遮断用の隔壁23が設けられる。この隔壁23には、レジスト膜用処理ブロック11とレジストカバー膜用処理ブロック12との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS3が設けられる。
第1のインターフェースブロック13は、第4のセンターロボットCR4、送りバッファ部SBF、第1のインターフェース用搬送機構IFR1およびエッジ露光部EEWを含む。また、エッジ露光部EEWの下側には、基板載置部PASS5が設けられている。第4のセンターロボットCR4には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH7,CRH8が上下に設けられ、第1のインターフェース用搬送機構IFR1には、基板Wを受け渡すためのハンドH1が設けられる。
外部装置設置ブロック14には、外部装置が配置される。本実施の形態においては、上述したように露光装置STPが配置される。
第2のインターフェースブロック15は、第2のインターフェース用搬送機構IFR2を含む。第2のインターフェース用搬送機構IFR2には、基板Wを受け渡すためのハンドH2が設けられる。
洗浄/乾燥処理ブロック16は、洗浄/乾燥処理部60a,60bおよび第5のセンターロボットCR5を含む。洗浄/乾燥処理部60a,60bは、第5のセンターロボットCR5を挟んで互いに対向して設けられる。第5のセンターロボットCR5には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH9,CRH10が上下に設けられる。
第2のインターフェースブロック15と洗浄/乾燥処理ブロック16との間には、雰囲気遮断用の隔壁24が設けられる。この隔壁24には、第2のインターフェースブロック15と洗浄/乾燥処理ブロック16との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS6が設けられる。
レジストカバー膜除去ブロック17は、露光後ベーク(PEB)用熱処理部170,171、レジストカバー膜除去処理部70および第6のセンターロボットCR6を含む。レジストカバー膜除去処理部70は、第6のセンターロボットCR6を挟んで露光後ベーク用熱処理部170,171に対向して設けられる。第6のセンターロボットCR6には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH11,CRH12が上下に設けられる。
洗浄/乾燥処理ブロック16とレジストカバー膜除去ブロック17との間には、雰囲気遮断用の隔壁25が設けられる。この隔壁25には、洗浄/乾燥処理ブロック16とレジストカバー膜除去ブロック17との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS7が設けられる。
現像処理ブロック18は、現像用熱処理部180,181、現像処理部80および第7のセンターロボットCR7を含む。現像処理部80は、第7のセンターロボットCR7を挟んで現像用熱処理部180,181に対向して設けられる。第7のセンターロボットCR7には、基板Wを受け渡すためのハンドCRH13,CRH14が上下に設けられる。
レジストカバー膜除去ブロック17と現像処理ブロック18との間には、雰囲気遮断用の隔壁26が設けられる。この隔壁26には、レジストカバー膜除去ブロック17と現像処理ブロック18との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS8が設けられる。
第1の搬送ブロック19は、第1の搬送ロボットTR1を含む。第1の搬送ロボットTR1には、基板Wを受け渡すためのハンドTRH1が設けられる。
現像処理ブロック18と第1の搬送ブロック19との間には、雰囲気遮断用の隔壁27が設けられる。この隔壁27には、現像処理ブロック18と第1の搬送ブロック19との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS9が設けられる。
第2の搬送ブロック20は、第2の搬送ロボットTR2を含む。第2の搬送ロボットTR2には、基板Wを受け渡すためのハンドTRH2が設けられる。
第1の搬送ブロック19と第2の搬送ブロック20との間には、第1の搬送ブロック19と第2の搬送ブロック20との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS10が設けられる。また、第2の搬送ブロック20とインデクサブロック9との間には、第2の搬送ブロック20とインデクサブロック9との間で基板Wの受け渡しを行うための基板載置部PASS11が設けられる。
図2は、図1の基板処理装置500を+X方向から見た側面図である。なお、図2においては第2の搬送ブロック20は図示していない。
反射防止膜用処理ブロック10の反射防止膜用塗布処理部30(図1参照)には、3個の塗布ユニットBARCが上下に積層配置されている。各塗布ユニットBARCは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック31およびスピンチャック31上に保持された基板Wに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル32を備える。
レジスト膜用処理ブロック11のレジスト膜用塗布処理部40(図1参照)には、3個の塗布ユニットRESが上下に積層配置されている。各塗布ユニットRESは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック41およびスピンチャック41上に保持された基板Wにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル42を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック12のレジストカバー膜用塗布処理部50(図1参照)には、3個の塗布ユニットCOVが上下に積層配置されている。各塗布ユニットCOVは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック51およびスピンチャック71上に保持された基板Wにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル52を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料(レジストおよび水との反応性が低い材料)を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットCOVは、基板Wを回転させながら基板W上に塗布液を塗布することにより、基板W上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
第1のインターフェースブロック13には、2個のエッジ露光部EEWおよび基板載置部PASS512が上下に積層配置されるとともに、第4のセンターロボットCR4(図1参照)および第1のインターフェース用搬送機構IFR1が配置される。各エッジ露光部EEWは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック131およびスピンチャック131上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器132を備える。
第2のインターフェースブロック15には、第2のインターフェース用搬送機構IFR2が配置される。
洗浄/乾燥処理ブロック16の洗浄/乾燥処理部60a(図1参照)には、3個の洗浄/乾燥処理ユニットSDが積層配置されている。洗浄/乾燥処理ユニットSDについては後述する。
レジストカバー膜除去ブロック17のレジストカバー膜除去処理部70(図1参照)には、3個の除去ユニットREMが配置されている。各除去ユニットREMは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック71およびスピンチャック71上に保持された基板Wに剥離液(例えばフッ素樹脂)を供給する供給ノズル72を備える。除去ユニットREMは、基板Wを回転させながら基板W上に剥離液を塗布することにより、基板W上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットREMにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Wの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板W上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
現像処理ブロック18の現像処理部80(図1参照)には、5個の現像処理ユニットDEVが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットDEVは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック81およびスピンチャック81上に保持された基板Wに現像液を供給する供給ノズル82を備える。
第1の搬送ブロック19には、第1の搬送ロボットTR1が配置される。
図3は、図1の基板処理装置500を−X方向から見た側面図である。
反射防止膜用処理ブロック10の反射防止膜用熱処理部100には、2個の加熱ユニット(ホットプレート)HPおよび2個の冷却ユニット(クーリングプレート)CPが積層配置され、反射防止膜用熱処理部101には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部100,101には、最上部に冷却ユニットCPおよび加熱ユニットHPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック11のレジスト膜用熱処理部110には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部11には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部110,111には、最上部に冷却ユニットCPおよび加熱ユニットHPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック12のレジストカバー膜用熱処理部120には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部121には、基板載置部PASS4、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部120,121には、最上部に冷却ユニットCPおよび加熱ユニットHPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。
洗浄/乾燥処理ブロック16の洗浄/乾燥処理部60b(図1参照)には、上述した洗浄/乾燥処理部60aと同様に、3個の洗浄/乾燥処理ユニットSDが積層配置されている。
レジストカバー膜除去ブロック17の露光後ベーク用熱処理部170には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部171には、2個の加熱ユニットHP、基板載置部PASS5および2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部170,171には、最上部に冷却ユニットCPおよび加熱ユニットHPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。
現像処理ブロック18の現像用熱処理部180には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置され、現像用熱処理部181には、2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部180,181には、最上部に冷却ユニットCPおよび加熱ユニットHPの温度を制御するローカルコントローラLCが各々配置される。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について説明する。
インデクサブロック9のキャリア載置台92の上には、複数枚の基板Wを多段に収納するキャリアCが搬入される。インデクサロボットIRは、上側のハンドIRH1を用いてキャリアC内に収納された未処理の基板Wを取り出す。その後、インデクサロボットIRは±X方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Wを基板載置部PASS1に載置する。
本実施の形態においては、キャリアCとしてFOUP(front opening unified pod)を採用しているが、これに限定されず、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットIR、第1〜第7のセンターロボットCR1〜CR7、第1および第2のインターフェース用搬送機構IFR1,IFR2、ならびに第1および第2の搬送ロボットTR1,TR2には、それぞれ基板Wに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部PASS1に載置された未処理の基板Wは、反射防止膜用処理ブロック10の第1のセンターロボットCR1により受け取られる。第1のセンターロボットCR1は、その基板Wを反射防止膜用熱処理部100,101に搬入する。その後、第1のセンターロボットCR1は反射防止膜用熱処理部100,101から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを反射防止膜用塗布処理部30に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部30では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットBARCにより基板W上に反射防止膜が塗布形成される。
その後、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用塗布処理部30から塗布処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを反射防止膜用熱処理部100,101に搬入する。次に、第1のセンターロボットCR1は、反射防止膜用熱処理部100,101から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS2に載置する。
基板載置部PASS2に載置された基板Wは、レジスト膜用処理ブロック11の第2のセンターロボットCR2により受け取られる。第2のセンターロボットCR2は、その基板Wをレジスト膜用塗布処理部40に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部40では、塗布ユニットRESにより、反射防止膜が塗布形成された基板W上にレジスト膜が塗布形成される。
その後、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用塗布処理部40から塗布処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジスト膜用熱処理部110,111に搬入する。次に、第2のセンターロボットCR2は、レジスト膜用熱処理部110,111から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS3に載置する。
基板載置部PASS3に載置された基板Wは、レジストカバー膜用処理ブロック12の第3のセンターロボットCR3により受け取られる。第3のセンターロボットCR3は、その基板Wをレジストカバー膜用熱処理部120,121に搬入する。その後、第3のセンターロボットCR3は、レジストカバー膜用熱処理部120,121から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジストカバー膜用塗布処理部50に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部50では、上述したように塗布ユニットCOVによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
その後、第3のセンターロボットCR3は、レジストカバー膜用塗布処理部50から塗布処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジストカバー膜用熱処理部120,121に搬入する。次に、第3のセンターロボットCR3は、レジストカバー膜用熱処理部120,121から熱処理後の基板Wを取り出し、その基板Wをレジストカバー膜用熱処理部121に設けられた基板載置部PASS4に載置する。
基板載置部PASS4に載置された基板Wは、第1のインターフェースブロック14の第4のセンターロボットCR4により受け取られる。第4のセンターロボットCR4は、その基板Wをエッジ露光部EEWに搬入する。このエッジ露光部EEWにおいては、基板Wの周縁部に露光処理が施される。
次に、第4のセンターロボットCR4は、エッジ露光部EEWからエッジ露光処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS5に載置する。
基板載置部PASS5に載置された基板Wは、第1のインターフェース用搬送機構IFR1により受け取られる。第1のインターフェース用搬送機構IFR1は、その基板Wを露光装置STPに搬入する。なお、露光装置STPが基板Wの受け入れをできない場合は、基板Wは送りバッファ部SBFに一時的に収納保管される。
露光装置STPにおいて露光処理が施された基板Wは、第2のインターフェースブロック15の第2のインターフェース用搬送機構IFR2により受け取られる。第2のインターフェース用搬送機構IFR2は、その基板Wを基板載置部PASS6に載置する。
基板載置部PASS6に載置された基板Wは、洗浄/乾燥処理ブロック16の第5のセンターロボットCR5の下側のハンドCRH10により受け取られる。第5のセンターロボットCR5は、その基板Wを洗浄/乾燥処理部60a,60bに搬入する。この洗浄/乾燥処理部60a,60bでは、洗浄/乾燥処理ユニットSDにより基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。洗浄/乾燥処理ユニットSDの詳細は後述する。
その後、第5のセンターロボットCR5は、上側のハンドCRH9により洗浄/乾燥処理部60a,60bから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS7に載置する。
基板載置部PASS7に載置された基板Wは、レジストカバー膜除去ブロック17の第6のセンターロボットCR6により受け取られる。第6のセンターロボットCR6は、その基板Wを露光後ベーク用熱処理部170,171に搬入する。この露光後ベーク用熱処理部170,171においては、基板Wに対して露光後ベーク(PEB)が行われる。
次に、第6のセンターロボットCR6は、露光後ベーク用熱処理部170,171から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wをレジストカバー膜除去処理部70に搬入する。このレジストカバー膜除去処理部70においては、上述したように除去ユニットREMによりレジストカバー膜が除去される。
その後、第6のセンターロボットCR6は、レジストカバー膜除去処理部70から処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS8に載置する。
基板載置部PASS8に載置された基板Wは、現像処理ブロック18の第7のセンターロボットCR7により受け取られる。第7のセンターロボットCR7は、その基板Wを現像処理部80に搬入する。この現像処理部80においては、現像処理ユニットDEVにより基板Wの現像処理が行われる。
その後、第7のセンターロボットCR7は、現像処理部80から現像処理済み基板Wを取り出し、その基板を現像用熱処理部180,181に搬入する。次に、第7のセンターロボットCR7は、現像用熱処理部180,181から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS9に載置する。
基板載置部PASS9に載置された基板Wは、第1の搬送ブロック19の第1の搬送ロボットTR1により受け取られる。第1の搬送ロボットTR1は、基板Wを受け取った後、+X方向に移動し、基板Wを基板載置部PASS10に載置する。
基板載置部PASS10に載置された基板Wは、第2の搬送ブロック20の第2の搬送ロボットTR2により受け取られる。第2の搬送ロボットTR2は、基板Wを受け取った後、―Y方向に移動し、基板Wを基板載置部PASS11に載置する。
基板載置部PASS11に載置された基板Wは、インデクサブロック9のインデクサロボットIRの下側のハンドIRH2により受け取られる。インデクサロボットIRは、その基板WをキャリアC内に収納する。これにより、基板処理装置500における基板Wの各処理が終了する。
ここで、上記の洗浄/乾燥処理ユニットSDについて図面を用いて詳細に説明する。
まず、洗浄/乾燥処理ユニットSDの構成について説明する。図4は洗浄/乾燥処理ユニットSDの構成を説明するための図である。
図4に示すように、洗浄/乾燥処理ユニットSDは、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック621を備える。
スピンチャック621は、チャック回転駆動機構636によって回転される回転軸625の上端に固定されている。また、スピンチャック621には吸気路(図示せず)が形成されており、スピンチャック621上に基板Wを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Wの下面をスピンチャック621に真空吸着し、基板Wを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック621の外方には、第1の回動モータ660が設けられている。第1の回動モータ660には、第1の回動軸661が接続されている。また、第1の回動軸661には、第1のアーム662が水平方向に延びるように連結され、第1のアーム662の先端に洗浄処理用ノズル650が設けられている。
第1の回動モータ660により第1の回動軸661が回転するとともに第1のアーム662が回動し、洗浄処理用ノズル650がスピンチャック621により保持された基板Wの上方に移動する。
第1の回動モータ660、第1の回動軸661および第1のアーム662の内部を通るように洗浄処理用供給管663が設けられている。洗浄処理用供給管663は、バルブVaおよびバルブVbを介して洗浄液供給源R1およびリンス液供給源R2に接続されている。このバルブVa,Vbの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図4の構成においては、バルブVaを開くことにより、洗浄処理用供給管663に洗浄液を供給することができ、バルブVbを開くことにより、洗浄処理用供給管663にリンス液を供給することができる。
洗浄処理用ノズル650には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管663を通して洗浄液供給源R1またはリンス液供給源R2から供給される。それにより、基板Wの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体(イオン化したもの)を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびHFE(ハイドロフルオロエーテル)のいずれかが用いられる。
スピンチャック621の外方には、第2の回動モータ671が設けられている。第2の回動モータ671には、第2の回動軸672が接続されている。また、第2の回動軸672には、第2のアーム673が水平方向に延びるように連結され、第2のアーム673の先端に乾燥処理用ノズル670が設けられている。
第2の回動モータ671により第2の回動軸672が回転するとともに第2のアーム673が回動し、乾燥処理用ノズル670がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
第2の回動モータ671、第2の回動軸672および第2のアーム673の内部を通るように乾燥処理用供給管674が設けられている。乾燥処理用供給管674は、バルブVcを介して不活性ガス供給源R3に接続されている。このバルブVcの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管674に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
乾燥処理用ノズル670には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管674を通して不活性ガス供給源R3から供給される。それにより、基板Wの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス(N2 )が用いられる。
基板Wの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル650は基板の上方に位置し、基板Wの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル650は所定の位置に退避される。
また、基板Wの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル670は所定の位置に退避され、基板Wの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル670は基板Wの上方に位置する。
スピンチャック621に保持された基板Wは、処理カップ623内に収容される。処理カップ623の内側には、筒状の仕切壁633が設けられている。また、スピンチャック621の周囲を取り囲むように、基板Wの処理に用いられた処理液(洗浄液またはリンス液)を排液するための排液空間631が形成されている。さらに、排液空間631を取り囲むように、処理カップ623と仕切壁633の間に基板Wの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間632が形成されている。
排液空間631には、排液処理装置(図示せず)へ処理液を導くための排液管634が接続され、回収液空間632には、回収処理装置(図示せず)へ処理液を導くための回収管635が接続されている。
処理カップ623の上方には、基板Wからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード624が設けられている。このガード624は、回転軸625に対して回転対称な形状からなっている。ガード624の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝641が環状に形成されている。
また、ガード624の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部642が形成されている。回収液案内部642の上端付近には、処理カップ623の仕切壁633を受け入れるための仕切壁収納溝643が形成されている。
このガード624には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構(図示せず)が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード624を、回収液案内部642がスピンチャック621に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝641がスピンチャック621に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード624が回収位置(図4に示すガードの位置)にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が回収液案内部642により回収液空間632に導かれ、回収管635を通して回収される。一方、ガード624が排液位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が排液案内溝641により排液空間631に導かれ、排液管634を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
次に、上記の構成を有する洗浄/乾燥処理ユニットSDの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄/乾燥処理ユニットSDの各構成要素の動作は、図1の制御部91により制御される。
まず、基板Wの搬入時には、ガード624が下降するとともに、図1の第5のセンターロボットCR5が基板Wをスピンチャック621上に載置する。スピンチャック621上に載置された基板Wは、スピンチャック621により吸着保持される。
次に、ガード624が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル650が基板Wの中心部上方に移動する。その後、回転軸625が回転し、この回転にともないスピンチャック621に保持されている基板Wが回転する。その後、洗浄処理用ノズル650から洗浄液が基板Wの上面に吐出される。これにより、基板Wの洗浄が行われる。
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル650からリンス液が吐出される。これにより、基板W上の洗浄液が洗い流される。
さらに所定時間経過後、回転軸625の回転速度が低下する。これにより、基板Wの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図5(a)に示すように、基板Wの表面全体にリンス液の液層Lが形成される。なお、回転軸625の回転を停止させて基板Wの表面全体に液層Lを形成してもよい。
本実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル650から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル650を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Wの裏面に回り込まないように、基板Wの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。
なお、基板Wを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル650が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル670が基板Wの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル670から不活性ガスが吐出される。これにより、図5(b)に示すように、基板Wの中心部のリンス液が基板Wの周縁部に移動し、基板Wの周縁部のみに液層Lが存在する状態になる。
次に、回転軸625(図4参照)の回転数が上昇するとともに、図5(c)に示すように乾燥処理用ノズル670が基板Wの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板W上の液層Lに大きな遠心力が作用するとともに、基板Wの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板W上の液層Lを確実に取り除くことができる。その結果、基板Wを確実に乾燥させることができる。
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル670が所定の位置に退避するとともに回転軸625の回転が停止する。その後、ガード624が下降するとともに図1の第5のセンターロボットCR5が基板Wを洗浄/乾燥処理ユニットSDから搬出する。これにより、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード624の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置500においては、露光処理時に液体が付着した基板Wが、第1のインターフェースブロック13、レジストカバー膜用処理ブロック12、レジスト膜用処理ブロック11および反射防止膜用処理ブロック10内を搬送されることがない。この場合、基板Wに付着した液体がこれらのブロック10〜13内の雰囲気に影響を与えることがない。それにより、それらのブロック10〜13内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が第1のインターフェースブロック13、レジストカバー膜用処理ブロック12、レジスト膜用処理ブロック11および反射防止膜用処理ブロック10内に落下することが防止されるので、基板処理装置500の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、レジストカバー膜用処理ブロック12および第1のインターフェースブロック13にそれぞれ設けられた第1〜第4のセンターロボットCR1〜CR4および第1のインターフェース用搬送機構IFR1に付着することがないので、露光処理前の基板Wに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置STP内の汚染を防止することができる。
また、露光装置STPにおいて基板Wに露光処理が行われた後、洗浄/乾燥処理ブロック16の洗浄/乾燥処理ユニットSDにより基板Wの洗浄処理が行われている。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Wに露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいて、その付着物を取り除くことができる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいては、基板Wの洗浄後に基板Wの乾燥処理が行われている。それにより、洗浄後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が再度付着することを防止することができる。また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにより乾燥された基板Wがカバー膜除去ブロック17および現像処理ブロック18内を搬送されるので、それらのブロック17,18内の温湿度調整が容易になる。また、露光処理時に基板Wに付着した液体がカバー膜除去ブロック17および現像処理ブロック18内に落下することが防止されるので、基板処理装置500の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
これらの結果、基板Wの処理不良を十分に防止することが可能になる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいては、基板Wを回転させつつ不活性ガスを基板Wの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Wの乾燥を行っている。この場合、基板Wに付着した液体を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が再度付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Wの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Wの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。その結果、露光処理後の基板Wの処理不良を確実に防止することができる。
また、洗浄/乾燥処理ブロック16の第5のセンターロボットCR5においては、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる洗浄および乾燥処理前の基板Wは下側のハンドCRH10により保持し、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる洗浄および乾燥処理後の基板Wは上側のハンドCRH9により保持している。この場合、ハンドCRH9は常に乾燥された基板Wを保持することになるので、ハンドCRH9に基板Wの液体が付着することがない。また、ハンドCRH9はハンドCRH10の上方に設けられているので、ハンドCRH10およびそれが保持する基板Wに付着した液体が落下したとしても、ハンドCRH9およびそれが保持する基板Wに液体が付着することがない。これらの結果、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる洗浄および乾燥処理後の基板Wに液体が付着することが確実に防止される。
また、露光装置STPにおいて基板Wに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック12の塗布ユニットCOVにより、基板Wに形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜が形成されている。この場合、露光装置STPにおいて基板Wが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。したがって、露光装置STP内の汚染をより確実に防止することができる。
また、現像処理ブロック18において基板Wの現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック17の除去ユニットREMによりレジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。それにより、現像処理ユニットDEVにおける基板Wの処理不良を防止することができる。
また、現像処理ブロック18から搬出された処理済みの基板Wは、第1の搬送ブロック19および第2の搬送ブロック20を介してインデクサブロック9へ搬送される。それにより、外部からの基板Wの受け取りと外部への基板Wの搬出とをインデクサブロック9において行うことができるので、作業効率が向上する。
なお、露光処理時にレジストの成分が溶出しないような液体を露光装置STPにおいて使用する場合には、レジストカバー膜用処理ブロック12は設けなくてもよい。この場合、レジストカバー膜除去ブロック17を設ける必要がなくなるので、基板処理装置500の小型化が可能になる。
また、現像処理ユニットDEVにおいてレジストカバー膜を除去することができる液体を現像液として用いる場合には、レジストカバー膜除去ブロック17を設けなくてよい。
また、図4に示した洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいては、洗浄処理用ノズル650と乾燥処理用ノズル670とが別個に設けられているが、図6に示すように、洗浄処理用ノズル650と乾燥処理用ノズル670とを一体に設けてもよい。この場合、基板Wの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
また、乾燥処理用ノズル670の代わりに、図7に示すような乾燥処理用ノズル770を用いてもよい。
図7の乾燥処理用ノズル770は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管771,772を有する。乾燥処理用ノズル770の下端および分岐管771,772の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口770a,770b,770cが形成されている。各吐出口770a,770b,770cからは、それぞれ図7の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル770においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。
ここで、乾燥処理用ノズル770を用いる場合には、洗浄/乾燥処理ユニットSDは以下に説明する動作により基板Wの乾燥処理を行う。
図8は、乾燥処理用ノズル770を用いた場合の基板Wの乾燥処理方法を説明するための図である。
まず、図6で説明した方法により基板Wの表面に液層Lが形成された後、図8(a)に示すように、乾燥処理用ノズル770が基板Wの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル770から不活性ガスが吐出される。これにより、図8(b)に示すように、基板Wの中心部のリンス液が基板Wの周縁部に移動し、基板Wの周縁部のみに液層Lが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル770は、基板Wの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Wの表面に近接させておく。
次に、回転軸625(図4参照)の回転数が上昇するとともに、図8(c)に示すように乾燥処理用ノズル770が上方へ移動する。これにより、基板W上の液層Lに大きな遠心力が作用するとともに、基板W上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板W上の液層Lを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル770は、図4の第2の回動軸672に設けられた回動軸昇降機構(図示せず)により第2の回動軸672を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。
また、乾燥処理用ノズル770の代わりに、図9に示すような乾燥処理用ノズル870を用いてもよい。図9の乾燥処理用ノズル870は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口870aを有する。この吐出口870aからは、図9の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル870においても、図7の乾燥処理用ノズル770と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル870を用いる場合も、乾燥処理用ノズル770を用いる場合と同様の方法により基板Wの乾燥処理を行うことができる。
また、図4に示す洗浄/乾燥処理ユニットSDの代わりに、図10に示すような洗浄/乾燥処理ユニットSDaを用いてもよい。
図10に示す洗浄/乾燥処理ユニットSDaが図4に示す洗浄/乾燥処理ユニットSDと異なるのは以下の点である。
図10の洗浄/乾燥処理ユニットSDaにおいては、スピンチャック621の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板682が設けられている。アーム688の先端付近から鉛直下方向に支持軸689が設けられ、その支持軸689の下端に、遮断板682がスピンチャック621に保持された基板Wの上面に対向するように取り付けられている。
支持軸689の内部には、遮断板682の開口に連通したガス供給路690が挿通されている。ガス供給路690には、例えば、窒素ガス(N2)が供給される。
アーム688には、遮断板昇降駆動機構697および遮断板回転駆動機構698が接続されている。遮断板昇降駆動機構697は、遮断板682をスピンチャック621に保持された基板Wの上面に近接した位置とスピンチャック621から上方に離れた位置との間で上下動させる。
図10の洗浄/乾燥処理ユニットSDaにおいては、基板Wの乾燥処理時に、図11に示すように、遮断板682を基板Wに近接させた状態で、基板Wと遮断板682との間の隙間に対してガス供給路690から不活性ガスを供給する。この場合、基板Wの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板W上の液層Lを確実に取り除くことができる。
また、上記実施の形態においては、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいてスピン乾燥方法により基板Wに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Wに乾燥処理を施してもよい。
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Lが形成された状態で、乾燥処理用ノズル670から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Lを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Wを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル670から不活性ガスを供給して基板Wを完全に乾燥させるようにしてもよい。
(第2の実施の形態)
図12は、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図12の基板処理装置501が図1の基板処理装置500と異なるのは以下の点である。
図12に示すように、基板処理装置501は、洗浄/乾燥処理ブロック16を有しておらず、洗浄/乾燥処理部60a,60bが第2のインターフェースブロック15aに設けられている。また、第2のインターフェース用搬送機構IFR2には、基板Wを受け渡すためのハンドH3,H4が上下に設けられている。
本実施の形態に係る基板処理装置501においては、露光装置STPにおいて露光処理が施された基板Wは、第2のインターフェースブロック15aの第2のインターフェース用搬送機構IFR2の下側のハンドH4により受け取られる。第2のインターフェース用搬送機構IFR2は、その基板Wを洗浄/乾燥処理部60a,60bに搬入する。なお、上述したように、洗浄/乾燥処理部60a,60bにおいては、洗浄/乾燥処理ユニットSDにより基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。
その後、第2のインターフェース用搬送機構IFR2は、上側のハンドH3により洗浄/乾燥処理部60a,60bから処理済みの基板Wを取り出し、その基板を基板載置部PASS7に載置する。
このように、本実施の形態においては、第2のインターフェース用搬送機構IFR2において基板Wの洗浄および乾燥処理を行うことができる。それにより、洗浄/乾燥処理ブロック16を設ける必要がないので、基板処理装置501のフットプリントを低減することができる。
また、露光処理を行った直後に基板Wの洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板Wに付着した液体が基板処理装置501内に落下する可能性が大幅に低下する。
また、第2のインターフェース用搬送機構IFR2においては、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる乾燥処理前の液体が付着した基板WはハンドH4により保持し、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる乾燥処理後の基板WはハンドH3により保持している。それにより、ハンドH3に基板Wの液体が付着することがない。また、ハンドH3はハンドH4の上方に設けられているので、ハンドH4およびそれが保持する基板Wに付着した液体が落下したとしても、ハンドH3およびそれが保持する基板Wに液体が付着することがない。これらの結果、洗浄/乾燥処理ユニットによる洗浄および乾燥処理後の基板Wに液体が付着することが確実に防止される。
また、本実施の形態においても、図1の基板処理装置500と同様に、露光処理前の基板Wと露光処理後の基板Wとで搬送経路が異なる。したがって、露光処理時に液体が付着した基板Wが、第1のインターフェースブロック13、レジストカバー膜用処理ブロック12、レジスト膜用処理ブロック11および反射防止膜用処理ブロック10内を搬送されることがない。この場合、基板Wに付着した液体がこれらのブロック10〜13内の雰囲気に影響を与えることがない。それにより、それらのブロック10〜13内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、レジストカバー膜用処理ブロック12および第1のインターフェースブロック13にそれぞれ設けられた第1〜第4のセンターロボットCR1〜CR4および第1のインターフェース用搬送機構IFR1に付着することがないので、露光処理前の基板Wに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置STP内の汚染を防止することができる。
また、露光装置STPにおいて基板Wに露光処理が行われた後、洗浄/乾燥処理ブロック16の洗浄/乾燥処理ユニットSDにより基板Wの洗浄処理が行われている。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Wに露光処理後に雰囲気中の塵埃等が付着しても、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいて、その付着物を取り除くことができる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいては、基板Wの洗浄後に基板Wの乾燥処理が行われている。それにより、洗浄後の基板Wに雰囲気中の塵埃等が再度付着することを防止することができる。また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにより乾燥された基板Wがカバー膜除去ブロック17および現像処理ブロック18内を搬送されるので、それらのブロック17,18内の温湿度調整が容易になる。
これらの結果、基板Wの処理不良を十分に防止することが可能になる。
また、露光処理直後に第2のインターフェース用搬送機構IFR2において基板Wの乾燥処理が行われているので、露光処理時に基板Wに付着した液体が基板処理装置500内に落下することが防止される。それにより、露光装置500の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
なお、本実施の形態においては、第2のインターフェースブロック15aに洗浄/乾燥処理ブロック60a,60bを設けているが、レジストカバー膜除去ブロック17のレジストカバー膜除去処理部70の一部に代えて洗浄/乾燥処理ユニットSDを設けてもよい。
この場合、基板載置部PASS7(図12参照)に載置された基板Wは、レジストカバー膜除去ブロック17の第6のセンターロボットCR6の下側のハンドCRH12により受け取られる。第6のセンターロボットCR6は、その基板Wをレジストカバー膜除去処理部70に設けられた洗浄/乾燥処理ユニットSDに搬入する。
その後、第6のセンターロボットCR6は、上側のハンドCRH11により洗浄/乾燥処理ユニットSDから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを露光後ベーク用熱処理部170,171に搬入する。次に、第6のセンターロボットCR6は、上側のハンドCRH11により露光後ベーク用熱処理部170,171から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板をレジストカバー膜除去処理部70の除去ユニットREMに搬入する。
その後、第6のセンターロボットCR6は、上側のハンドCRH11により除去ユニットREMから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS8に載置する。
このように、レジストカバー膜除去ブロック17のレジストカバー膜除去処理部70に洗浄/乾燥処理ユニットSDを設けることにより、洗浄/乾燥処理ブロック16を設けることなく、露光処理後の基板Wの洗浄および乾燥処理を行うことが可能になる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる乾燥処理前の液体が付着した基板WはハンドCRH12により保持され、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる乾燥処理後の基板Wは上側のハンドCRH11により保持されるので、乾燥処理後の基板Wに液体が付着することを確実に防止することができる。
なお、レジストカバーブロック17に洗浄/乾燥処理ユニットSDを設ける場合には、第2のインターフェースブロック15aを設けずに、第6のセンターロボットCR6により露光装置STPから搬出される露光処理後の基板Wを受け取ってもよい。この場合、露光処理直後に、レジストカバーブロック17において基板Wの洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染をより確実に防止することができる。
また、レジストカバー膜除去ブロック17を設けない場合には、現像処理ブロック18の現像処理部80の一部に代えて洗浄/乾燥処理ユニットSDを設けてもよい。
この場合、基板載置部PSAA8(図12参照)に載置された基板Wは、現像処理ブロック18の第7のセンターロボットCR7の下側のハンドCRH14により受け取られる。第7のセンターロボットCR7は、その基板Wを現像処理部80に設けられた洗浄/乾燥処理ユニットSDに搬入する。
その後、第7のセンターロボットCR7は、上側のハンドCRH13により洗浄/乾燥処理ユニットSDから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを現像用熱処理部180に搬入する。この現像用熱処理部180においては、基板Wに露光後ベーク(PEB)が行われる。
次に、第7のセンターロボットCR7は、上側のハンドCRH13により現像用熱処理部180から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板を現像処理部80の現像ユニットDEVに搬入する。その後、第7のセンターロボットCR7は、上側のハンドCRH13により現像ユニットDEVから処理済みの基板Wを取り出し、その基板を現像用熱処理部180,181に搬入する。
次に、第7のセンターロボットCR7は、上側のハンドCRH13により現像用熱処理部180,181から熱処理済みの基板Wを取り出し、その基板を基板載置部PASS9に載置する。
このように、現像処理ブロック18の現像処理部80に洗浄/乾燥処理ユニットSDを設けることにより、洗浄/乾燥処理ブロック16を設けることなく、露光処理後の基板Wの洗浄および乾燥処理を行うことが可能になる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる乾燥処理前の液体が付着した基板WはハンドCRH14により保持され、洗浄/乾燥処理ユニットSDによる乾燥処理後の基板Wは上側のハンドCRH13により保持されるので、乾燥処理後の基板Wに液体が付着することを確実に防止することができる。
なお、現像処理ブロック18に洗浄/乾燥処理ユニットSDを設ける場合には、第2のインターフェースブロック15aを設けずに、第7のセンターロボットCR7により露光装置STPから搬出される露光処理後の基板Wを受け取ってもよい。この場合、露光処理直後に、現像処理ブロック18において基板Wの洗浄および乾燥処理を行うことができるので、基板の汚染をより確実に防止することができる。
(第3の実施の形態)
図13は、本発明の第3の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図13の基板処理装置502が図1の基板処理装置500と異なるのは以下の点である。
図13に示すように、基板処理装置502は、レジストカバー膜用処理ブロック12およびレジストカバー膜除去ブロック17を有していない。さらに、第4のセンターロボットCR4およびエッジ露光部EEWが第1のインターフェースブロック13a内のレジスト膜用処理ブロック11側に設けられ、上述した洗浄/乾燥処理部60a,60bと同様の構成の洗浄/乾燥処理部60cおよび第1のインターフェース用搬送機構IFR1が第1のインターフェースブロック13a内の外部装置設置ブロック14(露光装置STP)側に設けられている。また、レジスト膜用処理ブロック11のレジスト膜用熱処理部111に基板載置部PASS12が設けられている。
本実施の形態に係る基板処理装置502においては、レジスト膜用処理ブロック11において所定の処理が施された基板Wは、第2のセンターロボットCR2により基板載置部PASS12に載置される。基板載置部PASS12に載置された基板Wは、第1のインターフェースブロック13の第4のセンターロボットCR4により受け取られる。第4のセンターロボットCR4は、その基板Wをエッジ露光部EEWに搬入する。
次に、第4のセンターロボットCR4は、エッジ露光部EEWから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを基板載置部PASS5に載置する。基板載置部PASS5に載置された基板Wは、第1のインターフェース用搬送機構IFR1により受け取られる。第1のインターフェース用搬送機構IFRは、その基板Wを洗浄/乾燥処理部60cに搬入する。この洗浄/乾燥処理部60cでは、上述した洗浄/乾燥処理ユニットSDにより、基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。
その後、第1のインターフェース用搬送機構IFR1は洗浄/乾燥処理部60cから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを露光装置STPに搬入する。
このように、本実施の形態においては、露光装置STPにおいて基板Wに露光処理が施される前に、第1のインターフェースブロック13aの洗浄/乾燥処理部60cの洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいて基板Wの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板W上のレジストの成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置STPにおいて基板Wが液体と接触しても、基板W上のレジストの成分は液体中にほとんど溶出しない。それにより、露光装置STP内の汚染が低減されるとともに基板Wの表面にレジストの成分が残留することも防止できる。その結果、露光装置STPにおいて発生する基板Wの処理不良を防止することができる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいては、基板Wの乾燥処理も行われるので、洗浄後の基板Wを洗浄処理部60cから露光装置STPへと搬送する際に、その基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することを防止できる。また、液体が付着した基板Wが第1のインターフェースブロック13a内を搬送されることがないので、第1のインターフェースブロック13a内の温湿度調整が容易になる。
なお、洗浄処理部60cの洗浄/乾燥処理ユニットSDにおける基板Wの洗浄処理においては、基板W上のレジストの成分が適度に溶出するように洗浄液の供給時間が調整されている。
また、第2の実施の形態において説明したように、第2のインターフェースブロック15に洗浄/乾燥処理部60a,60bを設ける場合または現像処理ブロック18の現像処理部80の一部に代えて洗浄/乾燥処理ユニットSDを設ける場合には、洗浄/乾燥処理ブロック16を設ける必要はない。この場合、基板処理装置502のフットプリントを低減することができる。
また、本実施の形態においても、図1の基板処理装置500と同様に、露光処理前の基板Wと露光処理後の基板Wとで搬送経路が異なる。したがって、露光処理後の液体が付着した基板Wが、第1のインターフェースブロック13a、レジスト膜用処理ブロック11および反射防止膜用処理ブロック10内を搬送されることがないので、それら各ブロック内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11および第1のインターフェースブロック13aにそれぞれ設けられた第1のセンターロボットCR1、第2のセンターロボットCR2、第4のセンターロボットCR4および第1のインターフェース用搬送機構IFR1に付着することがないので、露光処理前の基板Wに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置STP内の汚染を防止することができる。
これらの結果、基板Wの処理不良を十分に防止することが可能になる。
また、本実施の形態においては、露光処理直前に基板Wの洗浄および乾燥処理が行われているので、露光装置STPに搬入される基板Wの汚染をより確実に防止することができる。
(第4の実施の形態)
図14は、本発明の第4の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図14の基板処理装置503が図1の基板処理装置500と異なるのは以下の点である。
図14に示すように、基板処理装置503は、レジストカバー膜用処理ブロック12およびレジストカバー膜除去ブロック17を有していない。また、第1のインターフェースブロック13bには、第4のセンターロボットCR4が設けられていない。さらに、レジスト膜用処理ブロック11と第1のインターフェースブロック13bとの間に洗浄/乾燥処理ブロック16aが設けられている。
また、洗浄/乾燥処理ブロック16aと第1のインターフェースブロック13との間には雰囲気遮断用の隔壁28が設けられており、隔壁28には基板載置部PASS13が設けられている。
なお、洗浄/乾燥処理ブロック16aは、上述した洗浄/乾燥処理ブロック16と同様の構成を有する。
本実施の形態に係る基板処理装置503においては、レジスト膜用処理ブロック11において所定の処理が施された基板Wは、洗浄/乾燥処理ブロック16aに搬入される。この洗浄/乾燥処理ブロック16aにおいては、上述した洗浄/乾燥処理ブロック16と同様に基板Wの洗浄および乾燥処理が行われる。
洗浄/乾燥処理ブロック16aにおいて所定の処理が施された基板Wは、基板載置部PASS13に載置される。基板載置部PASS13に載置された基板Wは、第1のインターフェースブロック13の第1のインターフェース用搬送機構IFR1により受け取られる。第1のインターフェース用搬送機構IFR1は、その基板Wをエッジ露光部EEWに搬入する。その後、第1のインターフェース用搬送機構IFR1は、エッジ露光部EEWから処理済みの基板Wを取り出し、その基板Wを露光装置STPに搬入する。
このように、本実施の形態においては、露光装置STPにおいて基板Wに露光処理が行われる前に、洗浄/乾燥処理ブロック16aにおいて基板Wの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板W上のレジストの成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置STPにおいて基板Wが液体と接触しても、基板W上のレジストの成分は液体中にほとんど溶出しない。それにより、露光装置STP内の汚染が低減されるとともに基板Wの表面にレジストの成分が残留することも防止できる。その結果、露光装置STPにおいて発生する基板Wの処理不良を低減することができる。
また、洗浄/乾燥処理ユニットSDにおいては、基板Wの乾燥処理も行われるので、洗浄後の基板Wを洗浄/乾燥処理ブロック16aの洗浄処理部60a,60bから露光装置STPへと搬送する際に、その基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することを防止できる。また、液体が付着した基板Wが洗浄/乾燥処理ブロック16aおよび第1のインターフェースブロック13内を搬送されることがないので、洗浄/乾燥処理ブロック16aおよび第1のインターフェースブロック13内の温湿度調整が容易になる。
なお、洗浄/乾燥処理ブロック16aの洗浄処理部60a,60bの洗浄/乾燥処理ユニットSDにおける基板Wの洗浄処理においては、基板W上のレジストの成分が適度に溶出するように洗浄液の供給時間が調整されている。
また、第2の実施の形態において説明したように、第2のインターフェースブロック15に洗浄/乾燥処理部60a,60bを設ける場合または現像処理ブロック18の現像処理部80の一部に代えて洗浄/乾燥処理ユニットSDを設ける場合には、洗浄/乾燥処理ブロック16を設ける必要はない。この場合、基板処理装置503のフットプリントを低減することができる。
なお、第1のインターフェースブロック13bの代わりに図1で説明した第1のインターフェースブロック13を用いる場合は、洗浄/乾燥処理ブロック16a内で図1のPASS4と同様の位置に基板載置部PASS13を設ければよい。
また、本実施の形態においても、図1の基板処理装置500と同様に、露光処理前の基板Wと露光処理後の基板Wとで搬送経路が異なる。したがって、露光処理後の液体が付着した基板Wが、第1のインターフェースブロック13、洗浄/乾燥処理ブロック16a、レジスト膜用処理ブロック11および反射防止膜用処理ブロック10内を搬送されることがないので、それら各ブロックの温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Wに付着した液体が反射防止膜用処理ブロック10、洗浄/乾燥処理ブロック16a、レジスト膜用処理ブロック11および第1のインターフェースブロック13にそれぞれ設けられた第1のセンターロボットCR1、第2のセンターロボットCR2、第5のセンターロボットCR5、第4のセンターロボットCR4および第1のインターフェース用搬送機構IFR1に付着することがないので、露光処理前の基板Wに液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができる。また、露光処理前の基板Wに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されることにより、露光装置STP内の汚染を防止することができる。
これらの結果、基板Wの処理不良を十分に防止することが可能になる。
なお、上記第1〜第4の実施の形態においては、現像処理ブロック18において現像処理が施された基板Wは、第1および第2の搬送ブロック19,20ならびにインデクサブロック9を介して外部に搬出されるが、第2の搬送ブロック20を設けずに、第1の搬送ブロック19にキャリア載置台92を設けて、第1の搬送ブロック19から基板Wを外部に搬出してもよい。
また、塗布ユニットBARC,RES,COV、洗浄/乾燥処理ユニットSD、除去ユニットREM、現像処理ユニットDEV、加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPの個数は、各処理ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。
(請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応)
上記実施の形態においては、インデクサブロック9、反射防止膜用処理ブロック10、レジスト膜用処理ブロック11、レジストカバー膜用処理ブロック12、第1のインターフェースブロック13,13a,13bおよび洗浄/乾燥処理ブロック16aが第1の処理部に相当し、第2のインターフェースブロック15,15a、洗浄/乾燥処理ブロック16、カバー膜除去ブロック17および現像処理ブロック18が第2の実施の形態に相当し、洗浄/乾燥処理ユニットSD,SDaが第1および第2の洗浄乾燥処理ユニットに相当し、塗布ユニットRESが感光性膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットDEVが現像処理ユニットに相当し、塗布ユニットCOVが保護膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットBARCが反射防止膜形成ユニットに相当する。
また、洗浄/乾燥処理ブロック16または第2のインターフェースブロック15aが第1の処理単位に相当し、第5のセンターロボットCR5または第2のインターフェース用搬送機構IFR2が第1の搬送ユニットに相当し、ハンドCRH9またはハンドH3が第1の保持手段に相当し、ハンドCRH10またはハンドH4が第2の保持手段に相当し、レジスト膜用処理ブロック11が第2の処理単位に相当し、第2のセンターロボットCR2が第2の搬送ユニットに相当し、加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPが熱処理ユニットに相当し、現像処理ブロック18が第3または第4の処理単位に相当し、第7のセンターロボットCR7が第3または第4の搬送ユニットに相当し、ハンドCRH13が第3の保持手段に相当し、ハンドCHR14が第4の保持手段に相当し、レジストカバー膜用処理ブロック12が第5の処理単位に相当し、第3のセンターロボットCR3が第5の搬送ユニットに相当し、第1のインターフェースブロック13aまたは洗浄/乾燥処理ブロック16aが第6の処理単位に相当し、第1のインターフェース用搬送機構IFR1または第5のセンターロボットCR5が第6の搬送ユニットに相当し、カバー膜除去ブロック17が第7または第8の処理単位に相当し、第6のセンターロボットCR6が第7または第8の搬送ユニットに相当し、ハンドCRH11が第5の保持手段に相当し、ハンドCRH12が第6の保持手段に相当し、反射防止膜処理ブロック10が第9の処理単位に相当し、第1のセンターロボットCR1が第9の搬送ユニットに相当し、インデクサブロック9が基板搬入搬出部に相当し、第1の搬送ブロック19が基板搬出部に相当し、第2の搬送ブロック20が基板搬送部に相当する。
また、スピンチャック621が基板保持手段に相当し、回転軸625およびチャック回転駆動機構636が回転駆動手段に相当し、洗浄処理用ノズル650が洗浄液供給手段およびリンス液供給手段に相当し、乾燥処理用ノズル670,770,870が不活性ガス供給手段に相当する。