JP7193066B2 - トランスデューサ装置 - Google Patents
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Description
図12は本願出願人が先に提案したトランスデューサ装置の一例である。シリコン基板からなる平板状の実装基板1と、シリコン基板からなり凹部を備えた蓋部4とを組み合わせてパッケージ構造を構成し、凹部内にトランスデューサ素子2と回路素子3を収容する構成としている。実装基板1上に形成された電極と蓋部4上に形成された外部電極7は、蓋部4に形成した貫通電極7によって接続されている。
Claims (2)
- 第1の貫通孔と、該第1の貫通孔上に固定電極を含む固定電極膜と可動電極を含む可動電極膜とを対向配置したトランスデューサ素子と、該トランスデューサ素子に接続する第1の電極と、を備えた平板状の第1の基板と、
前記トランスデューサ素子の信号を処理する回路素子と、該回路素子に接続する第2の電極と、を備えた平板状の第2の基板と、
第1の貫通電極と、第2の貫通孔と、を備えた平板状の第3の基板とからなり、
前記第1の電極と前記第2の電極がそれぞれ前記第1の貫通電極の両端に接続するように前記第1の基板、前記第3の基板および前記第2の基板を積層し、前記第1の基板と前記第2の基板とで囲まれた前記第2の貫通孔により形成される空間に、前記トランスデューサ素子と前記回路素子とを収容し、前記トランスデューサ素子は前記第1の基板のみに接合し、前記回路素子は前記第2の基板のみに接合していることと、
前記第1の基板あるいは前記第2の基板に第2の貫通電極を備え、該第2の貫通電極は前記第1の電極あるいは前記第2の電極を外部電極に接続していること、を特徴とするトランスデューサ装置。 - 請求項1記載のトランスデューサ装置において、
前記第1の基板あるいは前記第2の基板の少なくともいずれか一方に、前記空間の体積を増加させる凹部を備えていることを特徴とするトランスデューサ装置。
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JP2012171053A (ja) | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Omron Corp | 半導体装置の製造方法及びマイクロフォンの製造方法 |
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