JP2002324973A - セラミック多層基板 - Google Patents
セラミック多層基板Info
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- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックパッケージと、ダミー部との反り
の方向を同一にし、反りの程度を軽減するセラミック多
層基板を提供する。 【解決手段】 周囲を第１の囲壁１３によって囲まれた
キャビティ部１２を備える複数のセラミックパッケージ
１１をダミー部１４を介してシート状に並べて形成され
たセラミック多層基板１０において、ダミー部１４に
は、周囲を第２の囲壁１７によって囲まれ、キャビティ
部１２の深さと実質的に同等の深さからなる凹部１６が
形成され、更にダミー部１４の第２の囲壁１７と第１の
囲壁１３との間には分割溝１５、１５ａが形成されてい
る。
の方向を同一にし、反りの程度を軽減するセラミック多
層基板を提供する。 【解決手段】 周囲を第１の囲壁１３によって囲まれた
キャビティ部１２を備える複数のセラミックパッケージ
１１をダミー部１４を介してシート状に並べて形成され
たセラミック多層基板１０において、ダミー部１４に
は、周囲を第２の囲壁１７によって囲まれ、キャビティ
部１２の深さと実質的に同等の深さからなる凹部１６が
形成され、更にダミー部１４の第２の囲壁１７と第１の
囲壁１３との間には分割溝１５、１５ａが形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックグリー
ンシートを積層して形成するセラミック多層基板に関
し、より詳細には、ダミー部を介して複数のセラミック
パッケージをシート状に並べて形成されたセラミック多
層基板に関する。
ンシートを積層して形成するセラミック多層基板に関
し、より詳細には、ダミー部を介して複数のセラミック
パッケージをシート状に並べて形成されたセラミック多
層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップや水晶振動子等の電
子部品は、セラミックパッケージに実装されて実用に供
されている。アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 )、ガラスセラミッ
ク、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックは、熱
伝導性、耐熱性、耐久性、気密性等にすぐれるので、電
子部品用として適しており、セラミック製のパッケージ
は、現在盛んに使用されている。このセラミックパッケ
ージの中には、電子部品の実装効率を上げるために複数
個のセラミックパッケージをシート状のセラミック多層
基板に形成して、電子部品を実装後、予め形成されてい
る分割溝に沿って分割することで個々のセラミックパッ
ケージを製造しているものがある。また、通常、小型化
に対応してパッケージサイズを小さくし、電子部品搭載
ボードへの搭載密度を高くさせ、更には電気特性を向上
させるために、セラミックパッケージは、一般的に複数
枚のセラミックグリーンシートを積層し、焼成して形成
される。
子部品は、セラミックパッケージに実装されて実用に供
されている。アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 )、ガラスセラミッ
ク、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックは、熱
伝導性、耐熱性、耐久性、気密性等にすぐれるので、電
子部品用として適しており、セラミック製のパッケージ
は、現在盛んに使用されている。このセラミックパッケ
ージの中には、電子部品の実装効率を上げるために複数
個のセラミックパッケージをシート状のセラミック多層
基板に形成して、電子部品を実装後、予め形成されてい
る分割溝に沿って分割することで個々のセラミックパッ
ケージを製造しているものがある。また、通常、小型化
に対応してパッケージサイズを小さくし、電子部品搭載
ボードへの搭載密度を高くさせ、更には電気特性を向上
させるために、セラミックパッケージは、一般的に複数
枚のセラミックグリーンシートを積層し、焼成して形成
される。
【０００３】図３に示すように、複数のセラミックパッ
ケージ５１が縦横にシート状に並べられたセラミック多
層基板５０は、スルーホール用や電子部品の搭載部用の
凹形状のキャビティ部５２を形成するための孔が穿設さ
れたり、導体配線パターン５３やスルーホール導体５４
が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚、逐次
底部から順番に積層した積層体から形成されている。更
に、この積層体には個々のセラミックパッケージ５１を
分割するためのＶ字状の分割溝５５が、切り刃を設けた
プレス金型等を用いて形成され、導体配線パターン５３
やスルーホール導体５４となる高融点金属を設けて還元
雰囲気中で同時焼成することによりセラミック多層基板
５０が製造されている。セラミック多層基板５０には、
金属表面にＮｉめっき及びＡｕめっきが施され、各キャ
ビティ部５２に電子部品を実装し、それぞれのキャビテ
ィ部５２を金属やセラミックからなる蓋体で封止した後
に、電子部品が実装された個々のセラミックパッケージ
５１を分割溝５５に沿って分割し、電子部品デバイスを
製造する。上述のようなセラミック多層基板５０におい
ては、個々のセラミックパッケージ５１間にめっき用配
線パターン等を形成するための非製品部であるダミー部
５６が、セラミックパッケージ５１のキャビティ部５２
の周囲を囲む囲壁５７の高さと同じ高さで設けられてい
る。
ケージ５１が縦横にシート状に並べられたセラミック多
層基板５０は、スルーホール用や電子部品の搭載部用の
凹形状のキャビティ部５２を形成するための孔が穿設さ
れたり、導体配線パターン５３やスルーホール導体５４
が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚、逐次
底部から順番に積層した積層体から形成されている。更
に、この積層体には個々のセラミックパッケージ５１を
分割するためのＶ字状の分割溝５５が、切り刃を設けた
プレス金型等を用いて形成され、導体配線パターン５３
やスルーホール導体５４となる高融点金属を設けて還元
雰囲気中で同時焼成することによりセラミック多層基板
５０が製造されている。セラミック多層基板５０には、
金属表面にＮｉめっき及びＡｕめっきが施され、各キャ
ビティ部５２に電子部品を実装し、それぞれのキャビテ
ィ部５２を金属やセラミックからなる蓋体で封止した後
に、電子部品が実装された個々のセラミックパッケージ
５１を分割溝５５に沿って分割し、電子部品デバイスを
製造する。上述のようなセラミック多層基板５０におい
ては、個々のセラミックパッケージ５１間にめっき用配
線パターン等を形成するための非製品部であるダミー部
５６が、セラミックパッケージ５１のキャビティ部５２
の周囲を囲む囲壁５７の高さと同じ高さで設けられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来のセラミック多層基板には、次のような課
題がある。 （１）セラミックグリーンシートは温度と圧力を掛けて
積層するが、その加圧の程度によってセラミックグリー
ンシートの密度に変化が発生し、焼成時の収縮率に変化
が発生することが知られている。図４（Ａ）に示すよう
に、厚みの薄い複数枚のセラミックグリーンシート、例
えば第１から第４のセラミックグリーンシート５８〜６
１を積層する場合、通常キャリアシート付きの第１、第
２のセラミックグリーンシート５８、５９をキャリアシ
ートのない側どうしを重ね合わせてキャリアシートごと
積層し、次にその積層体の第２のセラミックグリーンシ
ート５９のキャリアシートを剥離した上に第３のセラミ
ックグリーンシート６０を積層し、更にその積層体の第
３のセラミックグリーンシート６０のキャリアシートを
剥離した上にキャビティ部５２の位置に孔部が設けられ
た第４のセラミックグリーンシート６１を積層する。従
って、第４のセラミックグリーンシート６１を積層する
時には、キャビティ部５２の底部には圧力が掛からない
ので、キャビティ部５２の底部の第１〜第３のセラミッ
クグリーンシート５８〜６０と、キャビティ部５２の周
壁５７及びダミー部５６を構成する第４のセラミックグ
リーンシート６１との密度が近似し、焼成時の収縮率は
実質的に同じとなる。キャビティ部５２の底部位置の第
１〜第３のセラミックグリーンシート５８〜６０と、キ
ャビティ部５２の周壁５７及びダミー部５６位置の第１
〜第３のセラミックグリーンシート５８〜６０の密度が
異なり、キャビティ部５２の周壁５７及びダミー部５６
の第１〜第３のセラミックグリーンシート５８〜６０に
大きな圧力が掛かることで焼成時の収縮率が小さくな
る。これにより、図４（Ｂ）に示すように、焼成後、キ
ャビティ部５２の底部と、キャビティ部５２の周壁５７
及びダミー部５６の上部（キャビティ部５２の深さに対
応する部分）の収縮が大きく、キャビティ部５２の周壁
５７及びダミー部５６の下部（キャビティ部５２の底と
同じ厚さ部分）の収縮が小さくなって、セラミックパッ
ケージ５１のキャビティ部５２の反りが、セラミックパ
ッケージ５１の周壁５７及びダミー部５６の反り方向と
逆方向の大きな反りやうねりを有するセラミック多層基
板５０となる。
たような従来のセラミック多層基板には、次のような課
題がある。 （１）セラミックグリーンシートは温度と圧力を掛けて
積層するが、その加圧の程度によってセラミックグリー
ンシートの密度に変化が発生し、焼成時の収縮率に変化
が発生することが知られている。図４（Ａ）に示すよう
に、厚みの薄い複数枚のセラミックグリーンシート、例
えば第１から第４のセラミックグリーンシート５８〜６
１を積層する場合、通常キャリアシート付きの第１、第
２のセラミックグリーンシート５８、５９をキャリアシ
ートのない側どうしを重ね合わせてキャリアシートごと
積層し、次にその積層体の第２のセラミックグリーンシ
ート５９のキャリアシートを剥離した上に第３のセラミ
ックグリーンシート６０を積層し、更にその積層体の第
３のセラミックグリーンシート６０のキャリアシートを
剥離した上にキャビティ部５２の位置に孔部が設けられ
た第４のセラミックグリーンシート６１を積層する。従
って、第４のセラミックグリーンシート６１を積層する
時には、キャビティ部５２の底部には圧力が掛からない
ので、キャビティ部５２の底部の第１〜第３のセラミッ
クグリーンシート５８〜６０と、キャビティ部５２の周
壁５７及びダミー部５６を構成する第４のセラミックグ
リーンシート６１との密度が近似し、焼成時の収縮率は
実質的に同じとなる。キャビティ部５２の底部位置の第
１〜第３のセラミックグリーンシート５８〜６０と、キ
ャビティ部５２の周壁５７及びダミー部５６位置の第１
〜第３のセラミックグリーンシート５８〜６０の密度が
異なり、キャビティ部５２の周壁５７及びダミー部５６
の第１〜第３のセラミックグリーンシート５８〜６０に
大きな圧力が掛かることで焼成時の収縮率が小さくな
る。これにより、図４（Ｂ）に示すように、焼成後、キ
ャビティ部５２の底部と、キャビティ部５２の周壁５７
及びダミー部５６の上部（キャビティ部５２の深さに対
応する部分）の収縮が大きく、キャビティ部５２の周壁
５７及びダミー部５６の下部（キャビティ部５２の底と
同じ厚さ部分）の収縮が小さくなって、セラミックパッ
ケージ５１のキャビティ部５２の反りが、セラミックパ
ッケージ５１の周壁５７及びダミー部５６の反り方向と
逆方向の大きな反りやうねりを有するセラミック多層基
板５０となる。
【０００５】（２）セラミック多層基板の反りやうね
り、特にキャビティ部の反りによって電子部品を実装す
るのための平坦性が得られなく、電子部品が実装できな
い場合が発生する。本発明は、かかる事情に鑑みてなさ
れたものであって、セラミックパッケージと、ダミー部
との反りの方向を同一にし、反りの程度を軽減するセラ
ミック多層基板を提供することを目的とする。
り、特にキャビティ部の反りによって電子部品を実装す
るのための平坦性が得られなく、電子部品が実装できな
い場合が発生する。本発明は、かかる事情に鑑みてなさ
れたものであって、セラミックパッケージと、ダミー部
との反りの方向を同一にし、反りの程度を軽減するセラ
ミック多層基板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係るセラミック多層基板は、周囲を第１の囲壁によって
囲まれたキャビティ部を備える複数のセラミックパッケ
ージをダミー部を介してシート状に並べて形成されたセ
ラミック多層基板において、ダミー部には、周囲を第２
の囲壁によって囲まれ、キャビティ部の深さと実質的に
同等の深さからなる凹部が形成され、更にダミー部の第
２の囲壁と第１の囲壁との間には分割溝が形成されてい
る。これにより、キャビティ部とダミー部の凹部とが同
一積層条件となりセラミックパッケージとダミー部との
セラミックの焼成によって発生する反りの方向を同一と
することができるので、反りやうねりを軽減したセラミ
ック多層基板を得ることができる。また、キャビティ部
の反りの程度も軽減できるので、電子部品の実装を容易
に行うことができる。
係るセラミック多層基板は、周囲を第１の囲壁によって
囲まれたキャビティ部を備える複数のセラミックパッケ
ージをダミー部を介してシート状に並べて形成されたセ
ラミック多層基板において、ダミー部には、周囲を第２
の囲壁によって囲まれ、キャビティ部の深さと実質的に
同等の深さからなる凹部が形成され、更にダミー部の第
２の囲壁と第１の囲壁との間には分割溝が形成されてい
る。これにより、キャビティ部とダミー部の凹部とが同
一積層条件となりセラミックパッケージとダミー部との
セラミックの焼成によって発生する反りの方向を同一と
することができるので、反りやうねりを軽減したセラミ
ック多層基板を得ることができる。また、キャビティ部
の反りの程度も軽減できるので、電子部品の実装を容易
に行うことができる。
【０００７】ここで、分割溝は、表側に形成された分割
溝の位置に対応して裏側にも形成されているのがよい。
これにより、セラミックの焼成によって発生する収縮率
の差による引張りや圧縮の程度を緩和することができ、
反り、うねりを軽減したセラミック多層基板を得ること
ができる。また、キャビティ部の反りの程度も軽減でき
るので、電子部品の実装を容易に行うことができる。
溝の位置に対応して裏側にも形成されているのがよい。
これにより、セラミックの焼成によって発生する収縮率
の差による引張りや圧縮の程度を緩和することができ、
反り、うねりを軽減したセラミック多層基板を得ること
ができる。また、キャビティ部の反りの程度も軽減でき
るので、電子部品の実装を容易に行うことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミック多層基板
の平面図、部分断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ
同セラミック多層基板の焼成前後の形状を説明するため
の部分拡大断面図である。
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミック多層基板
の平面図、部分断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ
同セラミック多層基板の焼成前後の形状を説明するため
の部分拡大断面図である。
【０００９】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明
の一実施の形態に係るセラミック多層基板１０は、周囲
を第１の周壁１３によって囲まれ、電子部品を実装する
ために設けられるキャビティ部１２を備える複数個のセ
ラミックパッケージ１１をそれぞれの周囲にダミー部１
４を有してシート状に並べて形成されている。そして、
セラミック多層基板１０は、セラミックパッケージ１１
の第１の囲壁１３とダミー部１４との間に、キャビティ
部１２の中に電子部品を実装した後に、個々のセラミッ
クパッケージ１１に分割するための分割溝１５を設けて
いる。分割溝１５は、複数枚のセラミックグリーンシー
トからなる積層体の縦方向及び横方向にそれぞれ直交し
て設けられ、複数個のセラミックパッケージ１１と、セ
ラミックパッケージ１１を囲むダミー部が、分割溝１５
を介して碁盤の目状に配置されている。
の一実施の形態に係るセラミック多層基板１０は、周囲
を第１の周壁１３によって囲まれ、電子部品を実装する
ために設けられるキャビティ部１２を備える複数個のセ
ラミックパッケージ１１をそれぞれの周囲にダミー部１
４を有してシート状に並べて形成されている。そして、
セラミック多層基板１０は、セラミックパッケージ１１
の第１の囲壁１３とダミー部１４との間に、キャビティ
部１２の中に電子部品を実装した後に、個々のセラミッ
クパッケージ１１に分割するための分割溝１５を設けて
いる。分割溝１５は、複数枚のセラミックグリーンシー
トからなる積層体の縦方向及び横方向にそれぞれ直交し
て設けられ、複数個のセラミックパッケージ１１と、セ
ラミックパッケージ１１を囲むダミー部が、分割溝１５
を介して碁盤の目状に配置されている。
【００１０】ダミー部１４には、周囲を第２の囲壁１７
によって囲まれた凹部１６が形成され、凹部１６の深さ
は、セラミックパッケージ１１のキャビティ部１２の深
さと、実質的に同等の深さである。そして、分割溝１５
は、第１の囲壁１３と第２の囲壁１７の間に設けられて
いる。
によって囲まれた凹部１６が形成され、凹部１６の深さ
は、セラミックパッケージ１１のキャビティ部１２の深
さと、実質的に同等の深さである。そして、分割溝１５
は、第１の囲壁１３と第２の囲壁１７の間に設けられて
いる。
【００１１】また、セラミック多層基板１０の表面側の
第１の囲壁１３と第２の囲壁１７の間に設けられている
分割溝１５に対応する位置のセラミック多層基板１０の
裏面側に分割溝１５ａが設けられている。これにより、
セラミックの焼成時に発生する収縮率の差による引張り
や圧縮の程度を分割溝１５、１５ａで緩和することがで
きるので、セラミック多層基板１０の反り、うねりを軽
減できる。また、個々のセラミックパッケージ１１に分
割する時に分割面にバリの発生を防止できる。なお、分
割溝１５ａは省略してもよい。
第１の囲壁１３と第２の囲壁１７の間に設けられている
分割溝１５に対応する位置のセラミック多層基板１０の
裏面側に分割溝１５ａが設けられている。これにより、
セラミックの焼成時に発生する収縮率の差による引張り
や圧縮の程度を分割溝１５、１５ａで緩和することがで
きるので、セラミック多層基板１０の反り、うねりを軽
減できる。また、個々のセラミックパッケージ１１に分
割する時に分割面にバリの発生を防止できる。なお、分
割溝１５ａは省略してもよい。
【００１２】次いで、本発明の一実施の形態に係るセラ
ミック多層基板１０の製造方法を説明する。図２（Ａ）
に示すように、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カ
ルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオキシル
フタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー
及び、トルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加
え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００
ｃｐｓのスラリーを作製し、ドクターブレード法等によ
って、例えば、厚み０．１０ｍｍ〜０．５０ｍｍの所望
の厚みのロール状のシートを形成し、適当なサイズにカ
ットしてアルミナ（Ａｌ 2 Ｏ3 )からなるキャリアシー
ト付きの４枚の第１〜第４のセラミックグリーンシート
２１〜２４を作製する。
ミック多層基板１０の製造方法を説明する。図２（Ａ）
に示すように、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カ
ルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオキシル
フタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー
及び、トルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加
え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００
ｃｐｓのスラリーを作製し、ドクターブレード法等によ
って、例えば、厚み０．１０ｍｍ〜０．５０ｍｍの所望
の厚みのロール状のシートを形成し、適当なサイズにカ
ットしてアルミナ（Ａｌ 2 Ｏ3 )からなるキャリアシー
ト付きの４枚の第１〜第４のセラミックグリーンシート
２１〜２４を作製する。
【００１３】次に、各セラミックグリーンシート２１〜
２４に打ち抜き型やＮＣパンチングマシーン等を用い
て、上下のセラミックグリーンシートに電気的導通を形
成するための複数のスルーホールを形成する。特に、第
４のセラミックグリーンシート２４には、キャビティ部
１２やダミー部１４を形成するための実質的に矩形状か
らなる複数の矩形孔を穿設する。第４のセラミックグリ
ーンシート２４の焼成後の厚みが、キャビティ部１２及
びダミー部１４の凹部１６の深さとなる。
２４に打ち抜き型やＮＣパンチングマシーン等を用い
て、上下のセラミックグリーンシートに電気的導通を形
成するための複数のスルーホールを形成する。特に、第
４のセラミックグリーンシート２４には、キャビティ部
１２やダミー部１４を形成するための実質的に矩形状か
らなる複数の矩形孔を穿設する。第４のセラミックグリ
ーンシート２４の焼成後の厚みが、キャビティ部１２及
びダミー部１４の凹部１６の深さとなる。
【００１４】次に、各セラミックグリーンシート２１〜
２４のスルーホールにタングステンやモリブデン等の高
融点金属からなる導体ペーストをスクリーン印刷法等で
スルーホール壁面や、スルーホールに充填してビア導体
を形成し、更に、同様の導体ペーストを用いて、配線パ
ターンやめっき引き回し配線パターンをスクリーン印刷
法等で形成する。
２４のスルーホールにタングステンやモリブデン等の高
融点金属からなる導体ペーストをスクリーン印刷法等で
スルーホール壁面や、スルーホールに充填してビア導体
を形成し、更に、同様の導体ペーストを用いて、配線パ
ターンやめっき引き回し配線パターンをスクリーン印刷
法等で形成する。
【００１５】次に、第１から第４のセラミックグリーン
シート２１〜２４を順次下から積層する。すなわち、キ
ャリヤシート付きの第１と第２のセラミックグリーンシ
ート２１、２２をキャリアシートのない側どうしを重ね
合わせて積層し、第２のセラミックグリーンシート２２
のキャリアシートを剥離除去し、次いで、第１と第２の
セラミックグリーンシート２１、２２の積層体上に、キ
ャリアシート付きの第３のセラミックグリーンシート２
３のキャリアシートのない側を重ね合わせて積層し、第
３のセラミックグリーンシート２３のキャリアシートを
剥離除去した後、更に、第１、第２、第３のセラミック
グリーンシート２１、２２、２３の積層体上に、同様の
方法で第４のセラミックグリーンシート２４を積層す
る。最後に第１のセラミックグリーンシート２１のキャ
リアシートを剥離除去する。各セラミックグリーンシー
ト２１〜２４間の積層条件は、例えば、８０〜１５０
℃、４．９×１０8 〜２４．５×１０8 Ｐａで熱圧着し
て一体化して積層体を形成する。この状態で、上層のセ
ラミックグリーンシートの配線パターンやめっき引き回
し配線パターン導体と下層のセラミックグリーンシート
の配線パターンやめっき引き回し配線パターン導体とは
ビア導体を介して導通状態となる。
シート２１〜２４を順次下から積層する。すなわち、キ
ャリヤシート付きの第１と第２のセラミックグリーンシ
ート２１、２２をキャリアシートのない側どうしを重ね
合わせて積層し、第２のセラミックグリーンシート２２
のキャリアシートを剥離除去し、次いで、第１と第２の
セラミックグリーンシート２１、２２の積層体上に、キ
ャリアシート付きの第３のセラミックグリーンシート２
３のキャリアシートのない側を重ね合わせて積層し、第
３のセラミックグリーンシート２３のキャリアシートを
剥離除去した後、更に、第１、第２、第３のセラミック
グリーンシート２１、２２、２３の積層体上に、同様の
方法で第４のセラミックグリーンシート２４を積層す
る。最後に第１のセラミックグリーンシート２１のキャ
リアシートを剥離除去する。各セラミックグリーンシー
ト２１〜２４間の積層条件は、例えば、８０〜１５０
℃、４．９×１０8 〜２４．５×１０8 Ｐａで熱圧着し
て一体化して積層体を形成する。この状態で、上層のセ
ラミックグリーンシートの配線パターンやめっき引き回
し配線パターン導体と下層のセラミックグリーンシート
の配線パターンやめっき引き回し配線パターン導体とは
ビア導体を介して導通状態となる。
【００１６】次に、セラミックグリーンシートの積層体
に断面視してＶ字状の分割溝１５、１５ａを形成する。
分割溝１５は、セラミックパッケージ１１の第１の囲壁
１３とダミー部１４の第２の囲壁１７となる第４のセラ
ミックグリーンシート２４の表面側の位置に、切り刃を
設けたプレス金型等を用いて形成する。分割溝１５の位
置に相当するセラミックグリーンシートの積層体の裏面
側にも断面視してＶ字状の分割溝１５ａを切り刃を設け
たプレス金型等を用いて形成する。
に断面視してＶ字状の分割溝１５、１５ａを形成する。
分割溝１５は、セラミックパッケージ１１の第１の囲壁
１３とダミー部１４の第２の囲壁１７となる第４のセラ
ミックグリーンシート２４の表面側の位置に、切り刃を
設けたプレス金型等を用いて形成する。分割溝１５の位
置に相当するセラミックグリーンシートの積層体の裏面
側にも断面視してＶ字状の分割溝１５ａを切り刃を設け
たプレス金型等を用いて形成する。
【００１７】次に、セラミックグリーンシートの積層体
と高融点金属とを、還元性雰囲気で１５５０℃程度の温
度によって同時焼成する。焼成した後は、金属面にＮｉ
めっき及びＡｕめっき等の表面処理を施し、セラミック
多層基板１０を形成する。図２（Ｂ）に示すように、焼
成して得られたセラミック多層基板１０は、ダミー部１
４に設けた凹部１６によって、セラミックパッケージ１
１とダミー部１４の反りの形状が同一の形状となり、反
りの程度を少なくすることができる。更に、分割溝１５
ａを形成しているので、反りの程度を更に緩和させるこ
とができる。
と高融点金属とを、還元性雰囲気で１５５０℃程度の温
度によって同時焼成する。焼成した後は、金属面にＮｉ
めっき及びＡｕめっき等の表面処理を施し、セラミック
多層基板１０を形成する。図２（Ｂ）に示すように、焼
成して得られたセラミック多層基板１０は、ダミー部１
４に設けた凹部１６によって、セラミックパッケージ１
１とダミー部１４の反りの形状が同一の形状となり、反
りの程度を少なくすることができる。更に、分割溝１５
ａを形成しているので、反りの程度を更に緩和させるこ
とができる。
【００１８】なお、セラミックグリーンシートの積層数
は、本実施の形態ではセラミックグリーンシート２１〜
２４の４層構造となっているが、層数は限定されるもの
ではない。また、セラミックグリーンシートの材質は、
アルミナに限定されるものではなく、窒化アルミニウ
ム、ガラスセラミックス等のセラミックが使用できる。
は、本実施の形態ではセラミックグリーンシート２１〜
２４の４層構造となっているが、層数は限定されるもの
ではない。また、セラミックグリーンシートの材質は、
アルミナに限定されるものではなく、窒化アルミニウ
ム、ガラスセラミックス等のセラミックが使用できる。
【００１９】
【実施例】本発明者は、本発明に係るセラミック多層基
板と、従来例のセラミック多層基板について、反りの発
生状態の比較を行った。なお、セラミック多層基板の各
要素は次の通りである。 （１）材質及び寸法 材質：アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ） セラミックパッケージの寸法：長さ５．０ｍｍ、幅３．
２ｍｍ、キャビティ深さ０．３ｍｍ セラミックパッケージの長さ方向で隣接するダミー部の
寸法：長さ５．０ｍｍ、幅３．２ｍｍ セラミックパッケージの幅方向で隣接するダミー部の寸
法：長さ４．０ｍｍ、幅３．２ｍｍ （２）サンプル 実施例１：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．
４ｍｍ、ダミー部の第２の囲壁の幅０．２ｍｍ、ダミー
部の凹部の深さ０．３ｍｍ 実施例２：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．
４ｍｍ、ダミー部の第２の囲壁の幅０．４ｍｍ、ダミー
部の凹部の深さ０．３ｍｍ 実施例３：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．
４ｍｍ、ダミー部の第２の囲壁の幅０．８ｍｍ、ダミー
部の凹部の深さ０．３ｍｍ 従来例：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．４
ｍｍ、ダミー部には囲壁及び凹部なし
板と、従来例のセラミック多層基板について、反りの発
生状態の比較を行った。なお、セラミック多層基板の各
要素は次の通りである。 （１）材質及び寸法 材質：アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ） セラミックパッケージの寸法：長さ５．０ｍｍ、幅３．
２ｍｍ、キャビティ深さ０．３ｍｍ セラミックパッケージの長さ方向で隣接するダミー部の
寸法：長さ５．０ｍｍ、幅３．２ｍｍ セラミックパッケージの幅方向で隣接するダミー部の寸
法：長さ４．０ｍｍ、幅３．２ｍｍ （２）サンプル 実施例１：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．
４ｍｍ、ダミー部の第２の囲壁の幅０．２ｍｍ、ダミー
部の凹部の深さ０．３ｍｍ 実施例２：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．
４ｍｍ、ダミー部の第２の囲壁の幅０．４ｍｍ、ダミー
部の凹部の深さ０．３ｍｍ 実施例３：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．
４ｍｍ、ダミー部の第２の囲壁の幅０．８ｍｍ、ダミー
部の凹部の深さ０．３ｍｍ 従来例：セラミックパッケージの第１の囲壁の幅０．４
ｍｍ、ダミー部には囲壁及び凹部なし
【００２０】上述の実施例１〜３と、従来例のセラミッ
ク多層基板の焼成後に発生する反りについて、セラミッ
クパッケージの長さ方向と幅方向の裏面側を表面粗さ計
を用いて測定した結果を表１に示す。その結果、実施例
１〜３は、第２の囲壁の幅が大きくなるにつれて反りの
値が大きくなるが、いずれも従来例のダミー部に凹部の
無いものに比較して反りの値は小さい。なお、ダミー部
の第２の囲壁の幅が０．２ｍｍより狭くなると、切り刃
を設けたプレス金型等を用いて分割溝を形成する時に、
切り刃の圧力で土手が崩れる場合が発生する。また、ダ
ミー部の第２の囲壁の幅が０．８ｍｍを超えると反り軽
減の効果が少なくなる。
ク多層基板の焼成後に発生する反りについて、セラミッ
クパッケージの長さ方向と幅方向の裏面側を表面粗さ計
を用いて測定した結果を表１に示す。その結果、実施例
１〜３は、第２の囲壁の幅が大きくなるにつれて反りの
値が大きくなるが、いずれも従来例のダミー部に凹部の
無いものに比較して反りの値は小さい。なお、ダミー部
の第２の囲壁の幅が０．２ｍｍより狭くなると、切り刃
を設けたプレス金型等を用いて分割溝を形成する時に、
切り刃の圧力で土手が崩れる場合が発生する。また、ダ
ミー部の第２の囲壁の幅が０．８ｍｍを超えると反り軽
減の効果が少なくなる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】請求項１及び２記載のセラミック多層基
板においては、ダミー部には、周囲を第２の囲壁によっ
て囲まれ、キャビティ部の深さと実質的に同等の深さか
らなる凹部が形成され、更にダミー部の第２の囲壁とセ
ラミックパッケージの第１の囲壁との間には分割溝が形
成されているので、キャビティ部とダミー部の凹部とが
同一積層条件となりセラミックパッケージとダミー部と
のセラミックの焼成によって発生する反りの方向を同一
とすることができ、反りやうねりを軽減したセラミック
多層基板を得ることができる。また、キャビティ部の反
りの程度も軽減でき、電子部品の実装を容易に行うこと
ができる。
板においては、ダミー部には、周囲を第２の囲壁によっ
て囲まれ、キャビティ部の深さと実質的に同等の深さか
らなる凹部が形成され、更にダミー部の第２の囲壁とセ
ラミックパッケージの第１の囲壁との間には分割溝が形
成されているので、キャビティ部とダミー部の凹部とが
同一積層条件となりセラミックパッケージとダミー部と
のセラミックの焼成によって発生する反りの方向を同一
とすることができ、反りやうねりを軽減したセラミック
多層基板を得ることができる。また、キャビティ部の反
りの程度も軽減でき、電子部品の実装を容易に行うこと
ができる。
【００２３】特に、請求項２記載のセラミック多層基板
においては、分割溝は、表側に形成された分割溝の位置
に対応して裏側にも形成されているので、セラミックの
焼成によって発生する収縮率の差による引張りや圧縮の
程度を緩和することができ、反り、うねりを軽減したセ
ラミック多層基板を得ることができる。また、キャビテ
ィ部の反りの程度も軽減できるので、電子部品の実装を
容易に行うことができる。
においては、分割溝は、表側に形成された分割溝の位置
に対応して裏側にも形成されているので、セラミックの
焼成によって発生する収縮率の差による引張りや圧縮の
程度を緩和することができ、反り、うねりを軽減したセ
ラミック多層基板を得ることができる。また、キャビテ
ィ部の反りの程度も軽減できるので、電子部品の実装を
容易に行うことができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係るセラミック多層基板の平面図、部分断面図であ
る。
態に係るセラミック多層基板の平面図、部分断面図であ
る。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミック多層基
板の焼成前後の形状を説明するための部分拡大断面図で
ある。
板の焼成前後の形状を説明するための部分拡大断面図で
ある。
【図３】従来のセラミック多層基板の斜視図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来のセラミック多
層基板の焼成前後の形状を説明するための部分拡大断面
図である。
層基板の焼成前後の形状を説明するための部分拡大断面
図である。
１０：セラミック多層基板、１１：セラミックパッケー
ジ、１２：キャビティ部、１３：第１の囲壁、１４：ダ
ミー部、１５、１５ａ：分割溝、１６：凹部、１７：第
２の囲壁、２１〜２４：第１〜第４のセラミックグリー
ンシート
ジ、１２：キャビティ部、１３：第１の囲壁、１４：ダ
ミー部、１５、１５ａ：分割溝、１６：凹部、１７：第
２の囲壁、２１〜２４：第１〜第４のセラミックグリー
ンシート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ Ｆターム(参考） 5E338 AA03 AA18 BB37 BB45 BB47 EE26 EE31 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA32 AA51 CC16 EE21 EE24 EE27 EE30 FF45 GG08 GG09 HH11 HH31
Claims (2)
- 【請求項１】 周囲を第１の囲壁によって囲まれたキャ
ビティ部を備える複数のセラミックパッケージをダミー
部を介してシート状に並べて形成されたセラミック多層
基板において、前記ダミー部には、周囲を第２の囲壁に
よって囲まれ、前記キャビティ部の深さと実質的に同等
の深さからなる凹部が形成され、更に前記ダミー部の第
２の囲壁と前記第１の囲壁との間には分割溝が形成され
たことを特徴とするセラミック多層基板。 - 【請求項２】 請求項１記載のセラミック多層基板にお
いて、前記分割溝は、表側に形成された前記分割溝の位
置に対応して裏側にも形成されていることを特徴とする
セラミック多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129341A JP2002324973A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | セラミック多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129341A JP2002324973A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | セラミック多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324973A true JP2002324973A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18977881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001129341A Pending JP2002324973A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | セラミック多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002324973A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310432A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
| JP2007043061A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-02-15 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
| JP2009032824A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Tdk Corp | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
| JP2013074168A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板および配線基板 |
| KR101492081B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-02-11 | 에이비엠 주식회사 | 휘어지는 칩 기판 |
| JP2015053463A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 印刷回路基板 |
| JP2016072393A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックスパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-26 JP JP2001129341A patent/JP2002324973A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310432A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
| JP4557786B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 多数個取り配線基板 |
| JP2007043061A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-02-15 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板 |
| JP4721926B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 多数個取り配線基板 |
| JP2009032824A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Tdk Corp | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
| JP4518114B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-08-04 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
| JP2013074168A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kyocera Corp | 多数個取り配線基板および配線基板 |
| JP2015053463A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 印刷回路基板 |
| KR101492081B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-02-11 | 에이비엠 주식회사 | 휘어지는 칩 기판 |
| WO2015083991A1 (ko) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | 에이비엠 주식회사 | 휘어지는 칩 기판 |
| JP2016072393A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックスパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 |
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