JP2006084182A - 過熱検出回路 - Google Patents
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Abstract
簡便な構成にて検出精度が高い温度検出回路を提供する。
【解決手段】
温度検出回路1は、環境温度に応じた電位を生成する電位生成部20と、電位生成部20により生成された検出電位VFに基づき温度を検出する温度検出部とを有する。温度検出部は、生成電位VFが閾値電圧Vtnとなった時点で検出信号を出力する抵抗負荷型インバータ回路である。このインバータ回路10の閾値電圧Vtnを決定するのはNchMOSFETM1であるが、電位生成部20は、多段接続されたダイオードD1〜D5と、NchMOSFETと同一特性のNchMOSFETM2とを有する温度センサ22により、検出電位VFをインバータ回路20に出力する。
【選択図】 図1
Description
10,40,110 インバータ回路
20,120 温度センサ電位生成部
21,121 多段接続ダイオード
22 温度センサ
Claims (10)
- 検出温度に応じた電位を生成する電位生成部と、
前記電位生成部により生成された生成電位に基づき温度を検出する温度検出部とを有し、
前記温度検出部は、前記生成電位に基づき温度を検出する半導体素子からなる検出素子を有し、
前記電位生成部は、前記検出素子とその特性が略同一の半導体素子を有する温度検出回路。 - 前記電位生成部は、定電流回路と、前記定電流回路からの定電流が供給される温度センサとを有し、前記温度センサは、前記検出素子を有する
ことを特徴とする請求項1記載の温度検出回路。 - 前記電位生成部及び前記温度検出部の前記半導体素子は、略同一の閾値特性を有するトランジスタである
ことを特徴とする請求項2記載の温度検出回路。 - 前記電位生成部は、定電流回路と、前記定電流回路からの定電流が供給されるダイオードと、前記ダイオードに直列に接続されたトランジスタとを有し、
前記温度検出部は、前記トランジスタを有するインバータ回路である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の温度検出回路。 - 前記温度センサは、多段接続されたダイオードと、前記多段接続されたダイオードに接続されたトランジスタとを有する
ことを特徴とする請求項2項記載の温度検出回路。 - 前記トランジスタは、NチャンネルMOSFETである
ことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項記載の温度検出回路。 - 前記トランジスタは、同一の設計に従って製造されたものである
ことを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項記載の温度検出回路。 - 前記トランジスタは、同一のプロセスにて製造されたものである
ことを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項記載の温度検出回路。 - 前記温度検出部は、抵抗負荷型インバータ回路である
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の温度検出回路。 - 前記温度検出部は、定電流負荷型インバータ回路である
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載の温度検出回路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009053081A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | マルチチップ型半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4981267B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2012-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 過熱検出回路 |
DE102006021430A1 (de) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Siemens Ag | Aktives Sensorelement und Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines aktiven Sensorelements |
JP5226248B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2013-07-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 温度検出回路及び半導体装置 |
JP5034919B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2012-09-26 | 富士電機株式会社 | 温度センサ回路 |
US8058876B2 (en) * | 2008-04-24 | 2011-11-15 | Honeywell International, Inc. | Low cost current and temperature sensor |
JP5144559B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-02-13 | セイコーインスツル株式会社 | 2端子型半導体温度センサ |
US8475039B2 (en) * | 2009-04-22 | 2013-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Providing linear relationship between temperature and digital code |
JP2012145540A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Seiko Instruments Inc | 温度センサ装置 |
KR20120115863A (ko) * | 2011-04-11 | 2012-10-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 온도센서 |
KR102025722B1 (ko) | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
JP5655824B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2015-01-21 | 株式会社デンソー | 温度検出装置 |
JP2016121907A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社ソシオネクスト | 温度センサ回路及び集積回路 |
CN111380622A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-07-07 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 一种低功耗低电压温度传感电路 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3882728A (en) * | 1973-08-06 | 1975-05-13 | Rca Corp | Temperature sensing circuit |
US4004462A (en) * | 1974-06-07 | 1977-01-25 | National Semiconductor Corporation | Temperature transducer |
JPH09119870A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Nec Corp | 温度検出方法、半導体装置及び温度検出回路 |
JPH09133587A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Sony Corp | 温度検出装置、これを搭載した半導体素子およびこれを用いたオートフォーカスシステム |
JPH10122976A (ja) * | 1995-09-12 | 1998-05-15 | Seiko Instr Inc | 半導体温度センサーとその製造方法 |
JPH10333756A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-12-18 | Matsushita Electron Corp | 電子装置並びにその電子装置を有する電子スイッチ装置及びその製造方法 |
JP2001013011A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 温度検出回路 |
JP2001502435A (ja) * | 1997-08-08 | 2001-02-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 温度検出回路 |
JP2004502133A (ja) * | 2000-03-03 | 2004-01-22 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | センサのための増幅装置、及び、この装置を用いる物理量測定システム |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3746604B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2006-02-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
US2871376A (en) * | 1953-12-31 | 1959-01-27 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature sensitive transistor control circuit |
US3421375A (en) * | 1965-08-31 | 1969-01-14 | Infinite Q Corp | Temperature measurement system |
US3393870A (en) * | 1966-12-20 | 1968-07-23 | Texas Instruments Inc | Means for controlling temperature rise of temperature stabilized substrates |
US3648153A (en) * | 1970-11-04 | 1972-03-07 | Rca Corp | Reference voltage source |
US3780585A (en) * | 1972-01-12 | 1973-12-25 | Us Army | Cryogen temperature indicator |
US4065725A (en) * | 1976-08-16 | 1977-12-27 | Motorola, Inc. | Gain control circuit |
DE2933874C2 (de) * | 1978-08-24 | 1986-07-17 | Hochiki Corp., Tokio/Tokyo | Fühlvorrichtung zur Wahrnehmung von Temperaturunterschieden zwischen zwei Punkten |
JPS57148221A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Citizen Watch Co Ltd | Temperature detecting device |
DE3417211A1 (de) * | 1984-05-10 | 1985-11-14 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Temperatursensor |
JPH0693485B2 (ja) * | 1985-11-29 | 1994-11-16 | 日本電装株式会社 | 半導体装置 |
FR2619958B1 (fr) * | 1987-08-31 | 1992-02-21 | Thomson Semiconducteurs | Circuit de detection de seuil de temperature |
GB2224846A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-16 | Philips Electronic Associated | Temperature sensing circuit |
KR910007657B1 (ko) * | 1989-05-23 | 1991-09-30 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 온도검출회로 |
US4930134A (en) * | 1989-06-05 | 1990-05-29 | Reiton Corporation | Precision temperature sensor |
JP2906461B2 (ja) * | 1989-07-11 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 温度センサ回路 |
US5355123A (en) * | 1990-07-17 | 1994-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Overheating detection circuit for detecting overheating of a power device |
US5085526A (en) * | 1990-07-26 | 1992-02-04 | Astec International, Ltd. | Compact programmable temperature detector apparatus |
US5162678A (en) * | 1990-09-18 | 1992-11-10 | Silicon Systems, Inc. | Temperature compensation control circuit for exponential gain function of an agc amplifier |
GB2248151A (en) * | 1990-09-24 | 1992-03-25 | Philips Electronic Associated | Temperature sensing and protection circuit. |
US5406144A (en) * | 1993-09-07 | 1995-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Power reduction in a temperature compensating transistor circuit |
US7216064B1 (en) * | 1993-09-21 | 2007-05-08 | Intel Corporation | Method and apparatus for programmable thermal sensor for an integrated circuit |
US6023185A (en) * | 1996-04-19 | 2000-02-08 | Cherry Semiconductor Corporation | Temperature compensated current reference |
JP3358459B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2002-12-16 | 株式会社デンソー | 温度検出回路 |
US5993060A (en) * | 1997-01-14 | 1999-11-30 | Citizen Watch Co., Ltd. | Temperature sensor and method of adjusting the same |
US6016048A (en) * | 1997-07-02 | 2000-01-18 | Eagle-Picher Industries, Inc. | Temperature compensated battery charger system |
DE19841202C1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Temperatursensor |
IT1303275B1 (it) * | 1998-10-29 | 2000-11-06 | St Microelectronics Srl | Circuito di protezione termica per circuiti microelettronici,indipendente dal processo. |
JP4836355B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-12-14 | ローム株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP4363871B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2009-11-11 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP2005134145A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Seiko Instruments Inc | 温度センサ回路 |
US7010440B1 (en) * | 2003-11-25 | 2006-03-07 | Analog Devices, Inc. | Method and a measuring circuit for determining temperature from a PN junction temperature sensor, and a temperature sensing circuit comprising the measuring circuit and a PN junction |
JP4981267B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2012-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 過熱検出回路 |
TWI314986B (en) * | 2007-01-05 | 2009-09-21 | Ite Tech Inc | Transistor circuit with eliminating effect of parameter and temperature sensing apparatus using the same |
-
2004
- 2004-09-14 JP JP2004266290A patent/JP4641164B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
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-
2007
- 2007-09-18 US US11/898,936 patent/US7540657B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3882728A (en) * | 1973-08-06 | 1975-05-13 | Rca Corp | Temperature sensing circuit |
US4004462A (en) * | 1974-06-07 | 1977-01-25 | National Semiconductor Corporation | Temperature transducer |
JPH10122976A (ja) * | 1995-09-12 | 1998-05-15 | Seiko Instr Inc | 半導体温度センサーとその製造方法 |
JPH09119870A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Nec Corp | 温度検出方法、半導体装置及び温度検出回路 |
JPH09133587A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Sony Corp | 温度検出装置、これを搭載した半導体素子およびこれを用いたオートフォーカスシステム |
JPH10333756A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-12-18 | Matsushita Electron Corp | 電子装置並びにその電子装置を有する電子スイッチ装置及びその製造方法 |
JP2001502435A (ja) * | 1997-08-08 | 2001-02-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 温度検出回路 |
JP2001013011A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 温度検出回路 |
JP2004502133A (ja) * | 2000-03-03 | 2004-01-22 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | センサのための増幅装置、及び、この装置を用いる物理量測定システム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009053081A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | マルチチップ型半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20080013597A1 (en) | 2008-01-17 |
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