KR20120115863A - 온도센서 - Google Patents

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Abstract

온도센서는 바이어스저항, 제1 소스저항 및 제1 MOS 트랜지스터를 포함하여 게이트전압을 생성하는 게이트전압생성부와, 출력저항, 제2 소스저항 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하여 가변전압을 생성하는 가변전압출력부를 포함한다.

Description

온도센서{TEMPERATURE SENSOR}
본 발명은 반도체메모리장치의 온도센서에 관한 것이다.
일반적으로, 개인용 컴퓨터나 전자 통신 기기 등과 같은 전자적 시스템의 고성능화에 부응하여, 메모리로서 탑재되는 디램 등과 같은 휘발성 반도체메모리장치도 나날이 고속화 및 고집적화되고 있다. 핸드폰이나 노트북 컴퓨터 등과 같이 배터리로 동작하는 시스템에 탑재되는 반도체메모리장치의 경우에는 특히 저전력 소모 특성이 절실히 요구되므로, 동작(오퍼레이팅) 전류 및 스탠바이 전류를 감소시키기 위한 노력과 연구가 활발히 진행되고 있다.
하나의 트랜지스터와 하나의 스토리지 커패시터로 구성되는 디램 메모리 셀의 데이터 리텐션(retention) 특성은 온도에 따라서도 매우 민감하게 나타난다. 따라서, 주변온도의 변화에 따라서 반도체 집적회로 내에 있는 회로 블럭들의 동작조건을 조절할 필요가 생길 수 있다. 예를 들어, 모바일 제품에 사용되는 디램(DRAM, Dynamic Random Access Memory)의 경우에는 주위온도의 변화에 따라 리프레쉬 주기(refresh period)를 조절하고 있다. 이와 같은 주변온도 변화에 따른 동작 조건 조절에는 DTSR(Digital Temp Sensor Regulator) 및 ATSR(Analog Temp Sensor Regulator) 등의 온도센서가 사용된다. 이와 같은 온도센서는 고온을 센싱하고, 셀프 리프래시 모드에서 전류 소모를 감소시키기 위해 동작주기를 제어하며, 노멀동작에서 주위온도를 모니터링하는 등의 기능을 수행한다.
본 발명은 PVT 조건이 변화하더라도 온도신호의 변동성을 용이하게 파악할 수 있도록 한 온도센서를 개시한다.
이를 위해 본 발명은 온도 변화에 따라 일정한 레벨을 갖는 기준전압 및 온도 변화에 따라 가변하는 레벨을 갖는 가변전압의 레벨을 비교하여 온도신호를 생성하는 온도센서에 있어서, 바이어스저항, 제1 소스저항 및 제1 MOS 트랜지스터를 포함하여 게이트전압을 생성하되, 상기 바이어스저항 및 제1 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 게이트전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제1 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 게이트전압생성부; 및 출력저항, 제2 소스저항 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하여 상기 가변전압을 생성하되, 상기 출력저항 및 제2 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 가변전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제2 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 가변전압출력부를 포함하는 온도센서를 제공한다.
또한, 본 발명은 온도 변화에 따라 일정한 레벨을 갖는 기준전압 및 온도 변화에 따라 가변하는 레벨을 갖는 가변전압의 레벨을 비교하여 온도신호를 생성하는 온도센서에 있어서, 테스트모드 또는 퓨즈커팅에 의해 저항값이 설정되는 바이어스저항부, 제1 소스저항 및 제1 MOS 트랜지스터를 포함하여 게이트전압을 생성하되, 상기 바이어스저항부 및 제1 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 게이트전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제1 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 게이트전압생성부; 및 출력저항, 제2 소스저항 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하여 상기 가변전압을 생성하되, 상기 출력저항 및 제2 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 가변전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제2 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 가변전압출력부를 포함하는 온도센서를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도센서를 포함하는 반도체메모리장치의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 온도센서에 포함된 일 실시예에 따른 가변전압생성부의 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 가변전압생성부에서 생성되는 게이트전압 및 가변전압의 온도 변화에 따른 특성을 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 온도센서에 포함된 다른 실시예에 따른 가변전압생성부의 회로도이다.
도 5는 도 1에 도시된 온도센서의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도센서를 포함하는 반도체메모리장치의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 온도센서(1)는 온도 변화에 따라 일정한 레벨을 갖는 기준전압(VREF)을 생성하는 기준전압생성부(11)와, 바이어스전압(VBIAS)을 입력받아 온도 변화에 따라 가변하는 레벨을 갖는 가변전압(VTEMP)을 생성하는 가변전압생성부(12)와, 기준전압(VREF)과 가변전압(VTEMP)의 레벨을 비교하여 온도신호(TQ)를 생성하는 비교부(13)로 구성된다.
본 실시예에서, 가변전압(VTEMP)은 온도가 상승할수록 선형적으로 감소되는 레벨을 갖도록 설정된다. 따라서, 비교부(13)는 가변전압(VTEMP)이 기준전압(VREF)보다 낮은 레벨인 경우 기준전압(VREF)에 대응하는 온도보다 고온이므로 인에이블되는 온도신호(TQ)를 생성한다.
내부회로(2)는 온도신호(TQ)를 입력받아 온도에 따른 내부동작을 수행한다. 예를 들어, 내부회로(2)는 온도에 따라 내부동작이 제어되는 회로일 수 있다. 예를 들어, 내부회로(2)가 리프레쉬 주기조절회로인 경우 인에이블된 온도신호(TQ)가 입력되는 경우 리프레쉬 주기를 감소시켜 단위시간당 많은 회수의 리프레쉬가 수행되도록 조절할 수 있다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 가변전압생성부(12)는 바이어스저항(Rbias), 제1 소스저항(RS11) 및 제1 NMOS 트랜지스터(N11)를 포함하여 게이트전압(VGATE)을 생성하는 게이트전압생성부(121)와, 출력저항(Rout1), 제2 소스저항(RS12) 및 제2 NMOS 트랜지스터(N12)를 포함하여 가변전압(VTEMP)을 생성 가변전압출력부(122)로 구성된다. 바이어스저항(Rbias)은 공급전압(VL)과 노드(nd11) 사이에 연결되고, 제1 NMOS 트랜지스터(N11)는 노드(nd11) 및 노드(nd12) 사이에 연결되어 바이어스전압(VBIAS)에 응답하여 구동되며, 제1 소스저항(RS11)은 노드(nd12)와 접지전압(VSS) 사이에 연결된다. 출력저항(Rout1)은 공급전압(VL)과 가변전압(VTEMP)이 출력되는 노드(nd13) 사이에 연결되고, 제2 NMOS 트랜지스터(N12)는 노드(nd13) 및 노드(nd14) 사이에 연결되어 게이트전압(VGATE)에 응답하여 구동되며, 제2 소스저항(RS12)은 노드(nd14)와 접지전압(VSS) 사이에 연결된다.
이상 살펴본 바와 같이 구성된 가변전압생성부(12)에서 생성되는 게이트전압(VGATE) 및 가변전압(VTEMP)의 온도 변화에 따른 특성은 도 4를 통해 확인할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 게이트전압(VGATE)의 레벨은 온도가 상승할수록 선형적으로 증가하고, 가변전압(VTEMP)의 레벨은 온도가 상승할수록 선형적으로 감소한다. 이와 같은 게이트전압(VGATE) 및 가변전압(VTEMP)의 온도 변화에 따른 레벨 변화 기울기의 선형성을 수식을 통해 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
우선, 게이트전압(VGATE)을 수식으로 정리하면 다음과 같다.
Figure pat00001
상기 수식을 통해 알수 있듯이 바이어스저항(Rbias)과 제1 소스저항(RS11)의 온도 변화에 따른 저항값의 변화는 서로 상쇄된다. 따라서, 게이트전압(VGATE)의 온도 변화에 따른 레벨 변화는 제1 NMOS 트랜지스터(N11)의 문턱전압(Vth1)에 의존하므로, 선형성을 갖는다.
다음으로, 가변전압(VTEMP)을 수식으로 정리하면 다음과 같다.
Figure pat00002
상기 수식을 통해 알수 있듯이 가변전압(VTEMP)과 제2 소스저항(RS12)의 온도 변화에 따른 저항값의 변화는 서로 상쇄된다. 따라서, 가변전압(VTEMP)의 온도 변화에 따른 레벨 변화는 제2 NMOS 트랜지스터(N12)의 문턱전압(Vth2)에 의존하므로, 선형성을 갖는다.
도 4를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변전압생성부(12)는 게이트전압생성부(123) 및 가변전압출력부(124)로 구성된다.
게이트전압생성부(123)는 테스트모드인에이블신호(TM_EN) 및 테스트모드신호(TM<1:N>)를 입력받아, 테스트모드 또는 퓨즈커팅에 의해 선택적으로 인에이블되는 제어신호(CTR<1:2N)를 생성하는 제어신호생성부(121)와, 공급전압(VL)과 노드(nd15) 사이에서 제어신호(CTR<1:2N)에 따라 저항값이 조절되는 바이어스저항부(122)와, 노드(nd15) 및 노드(nd16) 사이에 연결되어 바이어스전압(VBIAS)에 응답하여 구동되는 제1 NMOS 트랜지스터(N13)와, 노드(nd16)와 접지전압(VSS) 사이에 연결된 제1 소스저항(RS13)으로 구성된다.
제어신호생성부(121)는 테스트모드인에이블신호(TM_EN)가 인에이블되는 경우 테스트모드신호(TM<1:N>)에 따라 선택적으로 인에이블되는 제어신호(CTR<1:2N)를 생성한다. 또한, 제어신호생성부(121)는 다수의 퓨즈를 포함하여 테스트모드인에이블신호(TM_EN)가 디스에이블되는 경우 포함된 퓨즈들의 선택적인 커팅에 따라 선택적으로 인에이블되는 제어신호(CTR<1:2N)를 생성한다.
가변전압출력부(124)는 공급전압(VL)과 가변전압(VTEMP)이 출력되는 노드(nd17) 사이에 연결된 출력저항(Rout1)과, 노드(nd17) 및 노드(nd18) 사이에 연결되어 게이트전압(VGATE)에 응답하여 구동되는 제2 NMOS 트랜지스터(N14)와, 노드(nd18)와 접지전압(VSS) 사이에 연결된 제2 소스저항(RS14)으로 구성된다.
이와 같이 구성된 가변전압생성부(12)는 테스트모드 또는 퓨즈커팅에 의해 선택적으로 인에이블되는 제어신호(CTR<1:2N)에 따라 바이어스저항부(122)의 저항값을 조절할 수 있다.
이상을 정리하면 본 실시예에 따른 온도센서(1)는 종래기술보다 온도 변화에따른 선형적으로 레벨이 변화되는 가변전압(VTEMP)을 생성하여, 기준전압(VREF)과의 비교를 통해 온도신호(TQ)를 생성한다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 온도센서(1)에서 생성되는 가변전압(VTEMP(new))는 종래기술에서 생성된 가변전압(VTEMP(old))보다 온도 변화에 따라 일정한 기울기로 선형적으로 감소된다. 따라서, PVT 조건이 변화하더라도 온도신호(TQ)의 변동성이 용이하게 파악된다.
1: 온도센서 11: 기준전압생성부
12: 가변전압생성부 13: 비교부
2: 내부회로
121, 123: 게이트전압생성부
122, 124: 가변전압출력부

Claims (11)

  1. 온도 변화에 따라 일정한 레벨을 갖는 기준전압 및 온도 변화에 따라 가변하는 레벨을 갖는 가변전압의 레벨을 비교하여 온도신호를 생성하는 온도센서에 있어서,
    바이어스저항, 제1 소스저항 및 제1 MOS 트랜지스터를 포함하여 게이트전압을 생성하되, 상기 바이어스저항 및 제1 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 게이트전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제1 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 게이트전압생성부; 및
    출력저항, 제2 소스저항 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하여 상기 가변전압을 생성하되, 상기 출력저항 및 제2 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 가변전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제2 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 가변전압출력부를 포함하는 온도센서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전압은 온도가 상승할수록 선형적으로 증가되는 레벨을 갖는 온도센서.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전압생성부는
    공급전압과 상기 게이트전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 상기 바이어스저항;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 바이어스전압에 응답하여 구동되는 상기 제1 MOS 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결된 상기 제1 소스저항을 포함하는 온도센서.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 가변전압은 온도가 상승할수록 선형적으로 감소되는 레벨을 갖는 온도센서.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 가변전압출력부는
    공급전압과 상기 가변전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 상기 출력저항;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 상기 게이트전압에 응답하여 구동되는 상기 제2 MOS 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결된 상기 제2 소스저항을 포함하는 온도센서.
  6. 온도 변화에 따라 일정한 레벨을 갖는 기준전압 및 온도 변화에 따라 가변하는 레벨을 갖는 가변전압의 레벨을 비교하여 온도신호를 생성하는 온도센서에 있어서,
    테스트모드 또는 퓨즈커팅에 의해 저항값이 설정되는 바이어스저항부, 제1 소스저항 및 제1 MOS 트랜지스터를 포함하여 게이트전압을 생성하되, 상기 바이어스저항부 및 제1 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 게이트전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제1 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 게이트전압생성부; 및
    출력저항, 제2 소스저항 및 제2 MOS 트랜지스터를 포함하여 상기 가변전압을 생성하되, 상기 출력저항 및 제2 소스저항의 온도 변화에 따른 저항값의 변화량은 서로 상쇄되고, 상기 가변전압의 상기 온도 변화에 따른 기울기 변화는 제2 MOS 트랜지스터의 문턱전압에 따라 결정되는 가변전압출력부를 포함하는 온도센서.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 게이트전압은 온도가 상승할수록 선형적으로 증가되는 레벨을 갖는 온도센서.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 게이트전압생성부는
    상기 테스트모드 상태에서는 상기 바이어스저항부의 저항값을 설정하기 위한 다수의 제어신호를 테스트모드신호에 응답하여 선택적으로 인에이블시키는 제어신호생성부;
    공급전압과 상기 게이트전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 상기 바이어스저항부;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 바이어스전압에 응답하여 구동되는 상기 제1 MOS 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결된 상기 제1 소스저항을 포함하는 온도센서.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제어신호생성부는 상기 다수의 제어신호를 선택적으로 인에이블시키기 위해 선택적으로 커팅되는 다수의 퓨즈를 포함하는 온도센서.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 가변전압은 온도가 상승할수록 선형적으로 감소되는 레벨을 갖는 온도센서.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 가변전압출력부는
    공급전압과 상기 가변전압이 출력되는 제1 노드 사이에 연결된 상기 출력저항;
    상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 상기 게이트전압에 응답하여 구동되는 상기 제2 MOS 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드와 접지전압 사이에 연결된 상기 제2 소스저항을 포함하는 온도센서.




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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150089446A (ko) * 2014-01-28 2015-08-05 에스케이하이닉스 주식회사 온도센서
KR20170009308A (ko) * 2015-07-16 2017-01-25 에스케이하이닉스 주식회사 온도 비례형 시간 영역 온도 센서
US9791327B2 (en) 2014-06-17 2017-10-17 SK Hynix Inc. Temperature voltage generator

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110097470A (ko) * 2010-02-25 2011-08-31 주식회사 하이닉스반도체 온도센서
US10770966B2 (en) 2016-04-15 2020-09-08 Emerson Climate Technologies, Inc. Power factor correction circuit and method including dual bridge rectifiers
US10763740B2 (en) 2016-04-15 2020-09-01 Emerson Climate Technologies, Inc. Switch off time control systems and methods
US10277115B2 (en) 2016-04-15 2019-04-30 Emerson Climate Technologies, Inc. Filtering systems and methods for voltage control
US10305373B2 (en) 2016-04-15 2019-05-28 Emerson Climate Technologies, Inc. Input reference signal generation systems and methods
US10656026B2 (en) 2016-04-15 2020-05-19 Emerson Climate Technologies, Inc. Temperature sensing circuit for transmitting data across isolation barrier
US9933842B2 (en) 2016-04-15 2018-04-03 Emerson Climate Technologies, Inc. Microcontroller architecture for power factor correction converter
US10284132B2 (en) 2016-04-15 2019-05-07 Emerson Climate Technologies, Inc. Driver for high-frequency switching voltage converters
CN109416551A (zh) * 2016-07-12 2019-03-01 霍尼韦尔国际公司 动态温度传感器
US10817039B2 (en) * 2018-08-31 2020-10-27 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Adjusting a power limit in response to a temperature difference
US10833668B2 (en) * 2019-03-07 2020-11-10 Analog Devices International Unlimited Company Integrated and distributed over temperature protection for power management switches

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4140930A (en) * 1976-07-30 1979-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Voltage detection circuit composed of at least two MOS transistors
JPS57148221A (en) * 1981-03-10 1982-09-13 Citizen Watch Co Ltd Temperature detecting device
KR910007657B1 (ko) * 1989-05-23 1991-09-30 삼성전자 주식회사 반도체 온도검출회로
CA2066929C (en) * 1991-08-09 1996-10-01 Katsuji Kimura Temperature sensor circuit and constant-current circuit
US5250854A (en) * 1991-11-19 1993-10-05 Integrated Device Technology, Inc. Bitline pull-up circuit operable in a low-resistance test mode
US7216064B1 (en) * 1993-09-21 2007-05-08 Intel Corporation Method and apparatus for programmable thermal sensor for an integrated circuit
JPH09191103A (ja) * 1996-01-09 1997-07-22 Nec Corp 電流検出手段を有する半導体装置
US5993060A (en) * 1997-01-14 1999-11-30 Citizen Watch Co., Ltd. Temperature sensor and method of adjusting the same
US20030098740A1 (en) * 2001-11-28 2003-05-29 Hsieh Tsung Hsuan MOS-based voltage reference circuit
JP4641164B2 (ja) * 2004-09-14 2011-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 過熱検出回路
TWI240491B (en) * 2005-01-11 2005-09-21 Richwave Technology Corp Data slicer with source degradation structure
KR100854463B1 (ko) * 2007-05-21 2008-08-27 주식회사 하이닉스반도체 온도센서회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
US8490886B2 (en) * 2007-06-28 2013-07-23 Westcast, Inc. Modulating boiler system
KR100904738B1 (ko) 2007-12-28 2009-06-26 주식회사 하이닉스반도체 온도센서 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
US7876135B2 (en) * 2008-02-29 2011-01-25 Spectra Linear, Inc. Power-on reset circuit
FR2933552B1 (fr) * 2008-07-04 2014-10-10 Centre Nat Rech Scient Circuit d'amplification d'un signal representant une variation de resistance d'une resistance variable et capteur correspondant
US7911279B2 (en) * 2008-11-26 2011-03-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Amplifier with bias circuit providing improved linearity
KR20110097470A (ko) * 2010-02-25 2011-08-31 주식회사 하이닉스반도체 온도센서
US9234804B2 (en) * 2011-12-29 2016-01-12 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Temperature sensor for image sensors
KR101978516B1 (ko) * 2012-11-23 2019-05-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150089446A (ko) * 2014-01-28 2015-08-05 에스케이하이닉스 주식회사 온도센서
US10481015B2 (en) 2014-01-28 2019-11-19 SK Hynix Inc. Temperature sensors
US9791327B2 (en) 2014-06-17 2017-10-17 SK Hynix Inc. Temperature voltage generator
KR20170009308A (ko) * 2015-07-16 2017-01-25 에스케이하이닉스 주식회사 온도 비례형 시간 영역 온도 센서

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