JP2006054350A5 - - Google Patents
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本発明は、シリコン単結晶インゴットを窒素を添加したシリコン融液から育成し切り出したウェーハから得られる結晶欠陥がコントロールされたシリコンウェーハの製造方法及びその方法で得られたシリコンウェーハに関する。
結晶成長中の１１００℃付近の冷却速度を３．５℃／分とし、酸素濃度を１２．０ｘ１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とした。高温アニールプロセスでは、８００℃から１０００℃までの昇温速度は図に示す通りで、１０００℃から１１００℃までの昇温速度は２℃／分とし、１１００℃から１２００℃までの昇温速度は、１℃／分とし、１２００℃での保持時間を１時間とした。図中等高線状に引かれている線は、ＢＭＤの密度を表すもので、幾つかの線には、ＢＭＤ密度の具体的な値を示している。これらの図からＢＭＤ密度を５ｘ１０８個／ｃｍ３以上とする条件を選定することができる。
（９）シリコンウェーハ中の酸素析出物密度を予測するプログラムにおいて、
該シリコンウェーハの原材料のシリコン単結晶の結晶成長時に導入された酸素析出物の密度が増加する温度領域での冷却速度、該シリコン単結晶中における窒素濃度及び／又は酸素濃度の入力を促し、
結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す所定の関係式により、該シリコンウェーハが被る温度プロセスデータを用いて、熱処理後に得られる酸素析出物密度を計算し、
前記計算結果を出力するプログラム。
該シリコンウェーハの原材料のシリコン単結晶の結晶成長時に導入された酸素析出物の密度が増加する温度領域での冷却速度、該シリコン単結晶中における窒素濃度及び／又は酸素濃度の入力を促し、
結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す所定の関係式により、該シリコンウェーハが被る温度プロセスデータを用いて、熱処理後に得られる酸素析出物密度を計算し、
前記計算結果を出力するプログラム。
Claims (6)
- 窒素を添加したシリコン単結晶において、
結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す関係式を、窒素濃度と結晶成長中の酸素析出物の密度が増加する温度領域での冷却速度から導出し、
導出された酸素析出物の半径毎の密度を表す関係式と酸素濃度及び熱処理の温度プロセスを与えることにより、熱処理後に得られる酸素析出物密度を予測する方法。 - 前記結晶成長中の酸素析出物の密度が増加する温度領域は、１１００℃近傍であることを特徴とする請求項１記載の方法。
- シリコンウェーハ中の酸素析出物密度を予測するプログラムにおいて、
該シリコンウェーハの原材料のシリコン単結晶の結晶成長時に導入された酸素析出物の密度が増加する温度領域での冷却速度、該シリコン単結晶中における窒素濃度及び／又は酸素濃度の入力を促し、
結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す所定の関係式により、該シリコンウェーハが被る温度プロセスデータを用いて、熱処理後に得られる酸素析出物密度を計算し、
前記計算結果を出力するプログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体。 - ＣＺ法又はＭＣＺ法によりシリコンインゴットを引き上げ、該インゴットからシリコンウェーハを切り出し、該シリコンウェーハをプレアニールして、製造されるエピタキシャル成長ウェーハ又は高温アニールシリコンウェーハであって、
製造されたエピタキシャル成長ウェーハ又は高温アニールシリコンウェーハの用途に適した酸素析出物密度を決定し、
酸素及び窒素濃度に基づいて、所定の関係式により、決定された酸素析出物密度となるように、前記シリコンインゴットの引き上げ時の冷却速度、プレアニールの温度及び保持時間、及び、エピタキシャル成長ウェーハの水素ベークの温度及び保持時間又は高温アニールウェーハの高温アニールの所定温度範囲での昇温速度を決定し、
決定された条件により製造されたウェーハ。 - 請求項１又は２記載の方法を用いて予測される条件に基づいて適正な酸素析出物密度に制御されたシリコンウェーハ。
- 結晶成長中の１１００℃近傍での冷却速度を０．７６℃／分以上とし、請求項１又は２記載の方法を用いて予測される条件とすることで、酸素析出物密度を５ｘ１０８個／ｃｍ３以上としたことを特徴とするシリコンウェーハ。
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