JP2006032587A - インダクタンス部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波帯域で用いる量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コイル１と、少なくとも基材３の片面に第１の金属層４と第１の金属磁性体層５と銅酸化物を含む中間層６と第２の金属磁性体層７を積層した多層磁性体層２とからなるインダクタンス部品であり、前記第１および第２の金属磁性体層５，７にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層６を第１および第２の金属磁性体層５，７より比抵抗の大きい材料で構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば携帯電話等の電源回路に用いられるインダクタンス部品およびその製造方法に関するものである。

従来、この種のインダクタンス部品は、小型・低背化の観点から平面型の部品構造をしており、低背化の要望はますます高まって来ている。

さらに、スイッチング周波数の高周波領域へのシフトに対応するためには渦電流を低減させる必要があり、その対応策としては磁性体層と絶縁体層との積層構造を構成する方法が一般的に知られている（例えば、特許文献１参照）。

図９は前記公報に記載された従来のインダクタンス部品の構成を示すものであり、Ｆｅを含む磁性体層と、この磁性体より比抵抗の大きい陽性元素の窒化物からなる絶縁体層との積層膜と、磁性体層に磁界を印加するコイル導体部とを具備したものである。図９に示すように、薄膜プロセスによって成膜された磁性体層１１１と、ＡｌＮなどの絶縁層１１２と、平面コイル部分１１３とが積層された構成としている。
特開平９−５５３１６号公報

しかしながら、前記電源回路に必要なインダクタンス値を確保するためには磁性体層の層数を多くしたり、一層あたりの磁性体層の膜厚をより厚くする必要があり、前記従来の構成方法では蒸着あるいはスパッタなどの真空装置を利用する薄膜プロセスを用いて行う必要があることから、設備投資が高額になるとともに生産性においても課題を有していた。

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、安価な設備で量産性に優れた、小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。

前記従来の課題を解決するために、本発明はコイルと、少なくとも基材の片面に第１の金属層と第１の金属磁性体層と銅酸化物を含む中間層と第２の金属磁性体層を積層した多層磁性体層とからなるインダクタンス部品であり、前記第１および第２の金属磁性体層にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層を第１および第２の金属磁性体層より比抵抗の大きい材料で構成したインダクタンス部品とするものである。

本発明のインダクタンス部品およびその製造方法は、安価な設備で量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品であり、図２は図１に示したインダクタンス部品の多層磁性体層２の拡大断面図である。

図１において、コイル１は銅あるいは銀などの高導電率材料を用いた被覆導線などを多層磁性体層２の表面に巻廻するように形成しており、図１では４ターン巻いているがこの巻き数に制限はない。

また、必要に応じて絶縁樹脂材料などを用いて前記多層磁性体層２の表面を被覆するように絶縁層８を設けても良い。この絶縁層８はインダクタンス部品が実装基板上に搭載される場合などの短絡防止である。また、この絶縁層８の材料としてはエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂あるいはこれらの混合物等の有機樹脂材料が好ましい。さらに耐熱性と機械的強度を高めるために無機フィラーを混合しても良い。

次に、図２を用いて多層磁性体層２の構成について説明する。

図２において、シート状の基材３の少なくとも片面に導電性を有する第１の金属層４を形成し、この第１の金属層４の上に第１の金属磁性体層５を積層し、さらにこの第１の金属磁性体層５の上に銅酸化物を含む中間層６を積層し、その後この中間層６の上に第２の金属磁性体層７を積層した積層体からなる多層磁性体層２を構成している。

このような多層磁性体層２の構成とすることにより、全ての工程をめっきプロセスで形成することが可能となる。特にこれは銅酸化物を含む中間層６を設けていることにより実現できるものである。この銅酸化物を含む中間層６は第１および第２の金属磁性体層５、７より比抵抗が大きく、且つその表面にめっき膜を形成することができるという特徴を有しているものである。そして、この中間層６にはＣｕ₂Ｏなどを用いることができる。このＣｕ₂Ｏは電気めっきによって製膜することができ、その後このＣｕ₂Ｏの上には第２の金属磁性体層７を電気めっきで製膜することができるものである。このように、前記第１の金属磁性体層５の下層には第１の金属層４が在り、第２の金属磁性体層７の下層には酸化銅を含んだ中間層６が在ることから全ての工程をめっきプロセスで製膜することが可能となるものである。特に、磁気特性の観点からかなりの膜厚を必要とする第１の金属磁性体層５と第２の金属磁性体層７の製膜に電気めっきプロセスを用いることができれば安価な設備で、量産性に優れた生産プロセスとすることができるという効果を発揮することができるものである。

なお、前記第１の金属層４と酸化銅を含んだ中間層６の厚みは薄く設計しておくことが望ましいので、どのような工法を用いても生産性への影響は少ない。

次に、前記多層磁性体層２の構成方法について説明する。

まず始めに、シート状の基材３を準備する。この基材３は無機材料、有機材料および金属材料など材質は何でも良いがインダクタンス部品の形状、強度、コスト、信頼性の観点から適宜選択することができる。

そして、この基材３の少なくとも片面に電気めっきあるいは無電解めっきなどにより第１の金属層４を形成する。

なお、このとき基材３が金属材料であれば基材３を第1の金属層４と兼ねることができるので構成を簡略化することができる。

また、この第１の金属層４は第１の金属磁性体層５を電気めっき法で形成しやすくするために設けたものであり、導電性に優れたＣｕなどの金属が好ましく、さらに磁性を有するＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏを用いることが磁気特性の観点からより好ましい。従って、磁性を有しないＣｕなどの金属を用いるときは第１の金属層４の厚みは薄いことが望ましい。

次に、第１の金属層４の上に電気めっきによって第１の金属磁性体層５を形成する。この第１の金属磁性体層５の材料としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含む組成の金属磁性材料が磁束密度、磁気損失の観点から好ましい。

その後、前記第１の金属磁性体層５の上に銅酸化物を含む中間層６を形成する。この中間層６は第１の金属磁性体層５と第２の金属磁性体層７とを隔てるように設けており、中間層６の比抵抗を第１および第２の金属磁性体層５，７より大きくしていることにより第１の金属磁性体層５と第２の金属磁性体層７にまたがる渦電流を遮断することができる。さらに、この中間層６の中に銅酸化物を含むことによって、この銅酸化物の上にめっき浴を工夫することにより第２の金属磁性体層７を電気めっき法で形成することが可能となる。従って、少なくとも中間層６の表層に銅酸化物があれば良い。この中間層６に含まれる銅酸化物としてはＣｕ₂Ｏが製膜速度、膜質の均質性の観点からより優れている。

また、この中間層６の厚みは薄いことが望ましく、例えばチョークコイルなどで３０Ａの電流を流したときにもこの中間層６の厚みは１μｍもあれば十分その機能を発揮することができる。

このような構成を有する積層体を多層磁性体層２とし、必要に応じてシリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂などの絶縁層８を多層磁性体層２の表面に被覆することにより絶縁化処理し、その後被覆銅線などを用いてコイル１を形成することによってインダクタンス部品とすることができる。

なお、前記の多層磁性体層２の構成は基材３の片面に積層した構造で説明してきたが、基材３の両面に配置した多層磁性体層２とすることも可能であり、電磁気性能、形状あるいはコストなどの観点から適宜選択することができる。例えば、磁性体層の総厚を大きくすればインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができ、磁性体層の総厚を一定としたときに磁性体層の層数を多くすれば高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。

また、この多層磁性体層２をいかなる方法で積層しても同じ効果が得られることは言うまでもない。

また、第１の金属磁性体層５または第２の金属磁性体層７の主成分はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを含むことで大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を有する多層磁性体層２を実現することができ、これに用いる金属磁性材料としてはＦｅ−Ｍｎ系、Ｆｅ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系などの磁性合金などを用いることができる。また多層磁性体層２の第１および第２の金属磁性体層５，７の組成は必ずしも同じである必要はなく、前記の通り主成分がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを含むことでその効果は得られる。

また、中間層６は第１および第２の金属磁性体層５，７より比抵抗値を高くすることにより、第１の金属磁性体層５と第２の金属磁性体層７にまたがる渦電流を遮断するという効果を発揮することができる。そのとき、中間層６と第１および第２の金属磁性体層５，７との比抵抗値の比が１０³以上であれば特にその効果は顕著となる。

また、中間層６に少なくとも銅酸化物が含まれることにより、中間層６と第２の金属磁性体層７との密着性が向上し、第２の金属磁性体層７の厚みが１０〜２０μｍという厚膜の場合においても良好な密着性を有していることが分かった。

また、多層磁性体層２の総厚みに対する中間層６の占める割合が高くなるとインダクタンス部品としてのインダクタンス値が小さくなることから、中間層６の厚みとして第１および第２の金属磁性体層５，７の厚みより薄くすることがより望ましい。

また、中間層６と第２の金属磁性体層７の積層体を基本として、この積層体を２層以上に積層することにより、よりインダクタンス値が大きく、且つ高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。

以上説明してきたような構成を有するインダクタンス部品とすることにより、多層磁性体層２をめっき工法を用いて連続的に形成することが可能となり、蒸着あるいはスパッタ装置などの高価な設備を使うことなく、安価な設備で量産性に優れた小型低背のインダクタンス部品を提供することができる。

また、従来の蒸着、スパッタといった薄膜工法を用いて磁性体層を形成する場合は成膜速度が遅かったり、密着強度の観点から磁性体層をあまり厚くすることは困難であったが、本発明の構成によれば容易に１０〜２０μｍの金属磁性体層を形成することができ、インダクタンス値の大きなインダクタンス部品を実現することができる。

次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。

図１、図２に示したインダクタンス部品の製造方法は次のような製造プロセスを経て製造することができる。

まず始めに、例えば厚み２０μｍのポリイミドフィルムを基材３として準備し、この基材３の片面に第１の金属層４として無電解めっきにより厚み０．５μｍのＮｉを形成する。次に、この第１の金属層４の上に電気めっきにより厚み２０μｍのＦｅ−Ｎｉ合金を第１の金属磁性体層５として形成する。次に、この第１の金属磁性体層５の上に亜酸化銅を電解めっきにより中間層６として形成する。

次に、その中間層６の上に電気めっきにより厚み２０μｍのＦｅ−Ｎｉ合金を第２の金属磁性体層７として形成する工程を経ることにより多層磁性体層２を製造することができる。

なお、中間層６と第２の金属磁性体層７の成膜プロセスを繰り返すことによってより多層化された多層磁性体層２を製造することができる。

その後、必要に応じてエポキシ樹脂などをこの多層磁性体層２の表面に絶縁層８として被覆した後、直径２００μｍの太さの銅線を所定のターン数に巻き付けることにより図１に示すインダクタンス部品を製造することができる。

このように、全ての工程を高価な設備を必要とする蒸着、スパッタ等の薄膜プロセスを用いることなく設備が比較的安価なめっき装置により製造することが可能となる。

以上説明してきたように本発明のインダクタンス部品およびその製造方法によれば、安価な設備で量産性に優れた、小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。

（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照にしながら説明する。

図３は本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の斜視図であり、図４は図３のＡ−Ａ部における断面図である。また、図５はインダクタンス部品の多層磁性体層２２の拡大断面図である。

図３および図４において、コイル絶縁部１２の中に内蔵されるようにコイル１１が配置されており、このコイル絶縁部１２はコイル１１がショートするのを防ぐためである。

このコイル１１は例えば銅や銀などの高導電率材料を樹脂フィルムなどのコイル絶縁部１２の上にめっき法などでパターニングすることにより形成している。そして、また、コイル１１の上段はインダクタンス部品の一方の側面にある端子部１０ｂから芯部へ向かって渦巻き状に巻かれた後、中心部でスルホール電極１５を介してコイル１１の下段に移り他方の側面に設けた端子部1０ａに向かって今度は渦巻き状に広がるように巻きながら形成している。

なお、このコイル１１の上段と下段のコイル１１の巻かれる方向は同じ方向でなければならない。これによって、コイル１１の上段と下段で磁束を打ち消し合うことなくスルホール電極１５を介してコイル１１の上段から下段に電流が流れ、大きなインダクタンス値を実現することができる。この他にも、コイル１１の形成方法としては銅線の加工あるいは薄板状の金属板を加工した後コイル絶縁部１２に埋設することによりコイル部を形成できることは言うまでもない。またこのコイル１１の厚み（断面積）は用いられる用途の電子機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するためには１０μｍ以上の厚みが必要となる。

なお、コイル１１は図４に示したような二段ではなく一段あるいは三段以上であっても良いことは言うまでもない。

次に、前記のように構成されたコイルの上下面に多層磁性体層２２を配置している。この多層磁性体層２２は両面に配置することにより、よりインダクタンス値を大きくすることができる。

また、絶縁層８は絶縁性を確保するという役割から、少なくとも多層磁性体層２２の表層を被覆していれば良い。この絶縁層８はインダクタンス部品が実装基板などに搭載された場合、ショートするのを防ぐためである。また、絶縁層８としてエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が生産性の観点から好ましい。

以上のような構成とすることにより、多層磁性体層２２の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができることからインダクタンス値を大きくすることができるとともに、インダクタンス部品からの発熱も抑制することができる。コイル１１を平板状に形成することにより、より低背型のインダクタンス部品を実現することができるとともに、コイル１１を多段にすることにより低背化しても十分にインダクタンス値の大きいインダクタンス部品を実現することができる。

また、このコイル１１は銅あるいは銀などを用いてめっきで形成することができ、コイル１１の断面が四角形であることから高占積率を有する低背型のコイル１１を得ることができる。

特に、このようなパターニング技術により微細な電極パターンを平面上に形成することができることから、実施の形態１の構成に比較してより低背型のインダクタンス部品を実現することができる。

次に、図５を用いて本発明の実施の形態２における多層磁性体層２２の構成について説明する。

図５において、積層体の基本的な構造は実施の形態１の多層磁性体層２とほぼ同様であり、異なっているところは第２の金属層９を設けていることである。この第２の金属層９は中間層６に含まれる銅酸化物を例えばＮａＢＨ₄などの還元剤を用いて還元することにより中間層６の表面を還元して金属銅を析出させることにより、容易にかつ安価に第２の金属層９を形成することができる。また還元剤としては、例えばＤＭＡＢ、ＬｉＡｌＨ₄等の還元剤を使用することができる。

この第２の金属層９を設けることにより、第２の金属磁性体層７の均質性と製膜速度をより高めるとともに中間層６と第２の金属磁性体層７との密着力を高めることができるものである。

また、中間層６と第２の金属層９と第２の金属磁性体層７の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層２２とすることにより、よりインダクタンス値を大きくすることができる。さらに、基材３の両面に積層膜を設けることにより、さらに大きなインダクタンス値のインダクタンス部品を実現することができる。

なお、多層磁性体層２２をいかなる方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じことは言うまでもない。

また、本実施の形態２においても第１および第２の金属磁性体層５，７の主成分がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを含むことで高飽和磁束密度と高透磁率を有する磁性体層を得ることができる。また多層磁性体層２２を構成する第１および第２の金属磁性体層５，７の組成は必ずしも同じである必要はなく、主成分がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを含むことでその効果は得られる。

以上のように構成した本実施の形態２のインダクタンス部品について、以下にその製造方法を説明する。

本実施の形態２におけるインダクタンス部品のうち、コイル１１は次のような製造プロセスを経て製造することができる。まず、ポリイミドフィルムなどの基板上にコイル１１の下段のコイルパターンになるようにレジスト膜を形成した後、この基板に銅あるいは銀などの高導電率を有する金属をめっき法により数１０μｍの厚みになるようにしてコイル１１の下段のコイルパターンを形成する工程と、次にコイル１１の下段のコイルパターンを形成したその上に再度レジスト膜を設け、スルホール電極１５を形成する箇所にはエッチングなどにより孔加工をしておく、その後コイル１１の上段のコイルパターンを形成するためのレジスト膜を形成し、このレジスト膜を形成した基板に前記めっき法により銅あるいは銀などの金属を数１０μｍの厚みになるように形成してコイル１１の上段のコイルパターンを形成する。その後、上段のコイルパターンを被覆する工程を経ることによって図４に示すシート状のコイル１１を製造することができる。

次に、このようにして形成したシート状のコイル１１に多層磁性体層２２を形成するのであるが、この多層磁性体層２２の基本的な製造工程は実施の形態１とほぼ同様であり、特に実施の形態１と異なっているところは中間層６の上に第２の金属層９を設けることである。

従って、中間層６までの製造工程は実施の形態１と同じであるので省略する。

次に、図５に示すように中間層６を形成した後、中間層６の少なくとも表面をＮａＢＨ₄等の還元剤を用いて還元することにより第２の金属層９である金属銅を形成する。その後、この第２の金属層９の上に電気めっき法で第２の金属磁性体層７を形成している点が実施の形態１と異なっている。このように第２の金属層９を設けることにより、第２の金属磁性体層７の膜質形成が均質であるとともに成膜速度も速くすることができるという特徴を有している。このような構成とすることによって、大きなサイズの基材３を用いて効率よく本発明のインダクタンス部品を製造することができるものである。

さらに、必要に応じて中間層６、第２の金属層９および第２の金属磁性体層７の積層体を２層以上に積層する工程とすることにより、よりインダクタンス値の大きなインダクタンス部品の製造法を提供することができる。また前記積層膜を基材３の両面に形成した多層磁性体層２２についても同様に製造することができる。

なお、第２の金属層９をめっき法で形成してもよく、さらに多層磁性体層２２を上記以外の方法で積層しても構造が同じであれば効果が同じであることは言うまでもない。

以上のように、本実施の形態２のようなインダクタンス部品の構成とすることにより、高周波領域で動作させる場合でも渦電流による損失が少なく、密着性を高め、小型低背化しても十分なインダクタンス値を有する量産性に優れたインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。

（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照にしながら説明する。

図６は本発明の実施の形態３におけるインダクタンス部品の断面図であり、図７は多層磁性体層の拡大断面図である。

図６および図７において、コイル１１の構成と形成方法は実施の形態２と同じであり、ここでの説明は省略する。ここで、実施の形態２の図４と異なっているところはコイル１１の芯部にスルホール部１６を設けていることである。さらに、このスルホール部１６の内壁には多層磁性体層２３を設けており、その結果コイル１１の上下面に分離して設けていた多層磁性体層２３はスルホール部１６の内壁に設けた多層磁性体層２３を介して連結されることになる。このような構成とすることにより、磁気ギャップが無くなるとともに漏洩磁束もより少なくなり、さらにインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができる。図６ではこのスルホール部１６の隙間には絶縁層８を充填しているが磁性体で充填することも可能であり、より磁気特性の向上が期待できる。

また、この多層磁性体層２３の表面には絶縁層８を設けている。この絶縁層８はショートを防ぐために設けており、無機材料、有機材料およびこれらの複合物が好ましい。

また、この多層磁性体層２３はめっき法で一括して形成することができるので、生産性に優れたインダクタンス部品を提供することができる。

例えば、スルホール部１６の直径が１ｍｍ以下で、深さが０．１ｍｍ以上のスルホール部１６にスパッタ、蒸着等で多層磁性体層２３を形成することは困難であるが、めっき法で形成することにより容易に形成することができるインダクタンス部品とすることができる。

次に、本実施の形態３における多層磁性体層２３の構造について図７を用いて詳細に説明する。

図７において、本実施の形態３における多層磁性体層２３の基本的な構造は実施の形態１で説明してきたものとほぼ同様であり、ここでは異なっている点のみについて説明する。本実施の形態３における多層磁性体層２３は第１の金属磁性体層５の上に第３の金属層１３を設けていることである。このような構成とすることにより、第１の金属磁性体層５と中間層６の密着力を高めることができる。その作用について説明する。例えば、第１の金属磁性体層５にＦｅ−Ｎｉ合金を製膜したとき、この第１の金属磁性体層５の表面には極微量の鉄の酸化物が析出し、この鉄の酸化物の発生によりこの第１の金属磁性体層５の上に形成する中間層６との密着力が低下するときがある。これに対して、ニッケルなどを第３の金属層１３としてめっき法で形成したとき、鉄の酸化物は還元されて金属鉄となり第１の金属磁性体層５と第３の金属層１３との密着力が高まり、その上に形成する中間層６との密着力も高めることができるものである。

また、第３の金属層１３と中間層６と第２の金属磁性体層７の積層体を２層以上に積層形成することにより、よりインダクタンス値を大きくすることができる。

以上のように構成したインダクタンス部品について、以下にその製造方法を説明する。

本実施の形態３におけるインダクタンス部品の製造方法は基本的な工程は実施の形態２とほぼ同様であり、異なっている内容についてのみ説明する。

実施の形態２におけるシート状のコイル１１を形成した後、コイル１１の芯部にパンチャーあるいはレーザー加工などの方法により孔あけ加工によってスルホール部１６を設けた後、コイル１１の上下面に多層磁性体層２３を設けるときに前記スルホール部１６の内壁にも多層磁性体層２３を設けることである。このスルホール部１６の内壁に多層磁性体層２３を形成することによって、コイル１１の上下面と一体となる多層磁性体層２３とすることができる。

また、本実施の形態３における多層磁性体層２３は第１の金属磁性体層５の上に第３の金属層１３を設けていることであり、製造方法としては第１の金属磁性体層５の上に銅、またはニッケルなどをめっきにより製膜することによって実現することができる。それ以外の製造方法は実施の形態２と同じである。

以上のように、本実施の形態３におけるインダクタンス部品およびその製造方法はより密着力に優れた小型低背型のインダクタンス部品を実現することができる。

（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４におけるインダクタンス部品について、図面を参照にしながら説明する。

図８は本発明の実施の形態４におけるインダクタンス部品の多層磁性体層２４の拡大断面図である。本実施の形態４におけるインダクタンス部品の基本的な構成は実施の形態３のインダクタンス部品とほぼ同様であるが、多層磁性体層２４の積層構造に違いがある。

図８において、図７の多層磁性体層２３と異なっている点は中間層６の上に第２の金属層９をさらに設けていることであり、このような構成とすることにより第１の金属磁性体層５と中間層６と第２の金属磁性体層７の密着力に優れた多層磁性体層２４とすることができ、より信頼性に優れた小型低背型のインダクタンス部品を実現することができる。

また、第３の金属層１３と中間層６と第２の金属層９と第２の金属磁性体層７の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層２４とすることにより、よりインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができる。

以上のように構成したインダクタンス部品の製造方法については実施の形態２と実施の形態３で説明してきた製造プロセスを組み合わせることによって製造することができる。

以上説明してきたように、本実施の形態４に示した多層磁性体層２４とすることにより、第１および第２の金属磁性体層５，７と中間層６との間の密着性を高めるとともに、第１の金属磁性体層５と中間層６との間に第３の金属層１３を設けることで、第１の金属磁性体層５の表層の密着性を下げる要因である酸化皮膜を除去できることにより、密着性をさらに高めた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を実現することができる。

以上のように、本発明にかかるインダクタンス部品およびその製造方法は、高周波領域で動作させる場合でも渦電流による損失が少なく、多層磁性体層における磁性体層と中間層の間の密着性を高めることで信頼性に優れ、小型低背化しても十分なインダクタンスを得ることができ、量産性に優れているため、例えば携帯電話等の電話回路に用いられるインダクタンス部品の用途にも適用できる。

本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の斜視図 同多層磁性体層の拡大断面図 本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の斜視図 同インダクタンス部品の断面図 同多層磁性体層の拡大断面図 本発明の実施の形態３におけるインダクタンス部品の断面図 同多層磁性体層の拡大断面図 本発明の実施の形態４における多層磁性体層の拡大断面図 従来のインダクタンス部品の分解斜視図

符号の説明

１，１１ コイル
２ 多層磁性体層
３ 基材
４ 第１の金属層
５ 第１の金属磁性体層
６ 中間層
７ 第２の金属磁性体層
８ 絶縁層
９ 第２の金属層
１０ａ 端子部
１０ｂ 端子部
１１ コイル
１２ コイル絶縁部
１３ 第３の金属層
１５ スルホール電極
１６ スルホール部
２２ 多層磁性体層
２３ 多層磁性体層
２４ 多層磁性体層

Claims (25)

1. コイルと、少なくとも基材の片面に第１の金属層と第１の金属磁性体層と銅酸化物を含む中間層と第２の金属磁性体層を積層した多層磁性体層とからなるインダクタンス部品であり、前記第１および第２の金属磁性体層にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層を第１および第２の金属磁性体層より比抵抗の大きい材料で構成したインダクタンス部品。
2. 中間層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
3. 第１の金属層をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含んだ構成とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
4. 中間層と第２の金属磁性体層との間に第２の金属層を設けた多層磁性体層とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
5. 中間層と第２の金属層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層とした請求項４に記載のインダクタンス部品。
6. 第１の金属層と第２の金属層をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含んだ構成とした請求項４に記載のインダクタンス部品。
7. 第１の金属磁性体層と中間層の間に第３の金属層を設けた多層磁性体層とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
8. 第３の金属層と中間層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層とした請求項７に記載のインダクタンス部品。
9. 中間層と第２の金属磁性体層との間に第２の金属層を設けた多層磁性体層とした請求項７に記載のインダクタンス部品。
10. 第３の金属層と中間層と第２の金属層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層とした請求項９に記載のインダクタンス部品。
11. 第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含んだ構成とした請求項７〜１０のいずれか一つに記載のインダクタンス部品。
12. コイルと、このコイルの芯部に形成したスルホール部と、多層磁性体層を備え、この多層磁性体層を前記スルホール部の内壁とコイルの上面及び下面とに連続して配置した請求項１〜１１のいずれか一つに記載のインダクタンス部品。
13. 銅酸化物をＣｕ₂Ｏとした請求項１〜１１のいずれか一つに記載のインダクタンス部品。
14. 多層磁性体層の最表面を絶縁層にて被覆した構成とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載のインダクタンス部品。
15. 基材と第１の金属層とを同一の金属で構成した請求項１〜１１のいずれか一つに記載のインダクタンス部品。
16. 少なくともコイルを形成する工程と、少なくとも基材の片面に第１の金属層と第１の金属磁性体層と銅酸化物を含む中間層と第２の金属磁性体層とを積層しながら多層磁性体層を形成する工程とを含むインダクタンス部品の製造方法であり、前記第１および第２の金属磁性体層を主組成をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つから形成するとともに前記中間層を前記第１および第２の金属磁性体層より比抵抗の大きい材料を用いて形成するインダクタンス部品の製造方法。
17. 第１の金属磁性体層の上に、中間層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層することを含む請求項１６に記載のインダクタンス部品。
18. 中間層と第２の金属磁性体層の間に第２の金属層を形成することを含む請求項１６に記載のインダクタンス部品の製造方法。
19. 第１の金属磁性体層の上に、中間層と第２の金属層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層することを含む請求項１８に記載のインダクタンス部品の製造方法。
20. 第１の金属磁性体層と中間層の間に第３の金属層を形成することを含む請求項１６に記載のインダクタンス部品の製造方法。
21. 第１の金属磁性体層の上に、第３の金属層と中間層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層することを含む請求項２０に記載のインダクタンス部品の製造方法。
22. 中間層と第２の金属磁性体層の間に第２の金属層を形成することを含む請求項２０に記載のインダクタンス部品の製造方法。
23. 第１の金属磁性体層の上に、第３の金属層と中間層と第２の金属層と第２の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層することを含む請求項２２に記載のインダクタンス部品の製造方法。
24. 多層磁性体層を形成する方法がめっき法である請求項１６〜２３のいずれか一つに記載のインダクタンス部品の製造方法。
25. 中間層を還元することで第２の金属層を形成する請求項１８、１９、２２、２３のいずれか一つに記載のインダクタンス部品の製造方法。

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