JP2006024601A - 電界効果型mosトランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 多結晶シリコン中に作製したダイオード及び半導体基板中に作製したダイオードで双方向ダイオードを形成し、この双方向ダイオードを金属配線でデプレッション型電界効果型MOSトランジスタのゲート電極と半導体基板間に接続する。
【選択図】 図1
Description
共立出版 VLSI設計入門 松山泰男、富沢孝共著 (第48頁)
P型半導体基板と、
半導体基板上に形成されたN型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜上に形成された第1の多結晶シリコンからなるゲート電極と、
半導体基板上に形成された第2の多結晶シリコンと、
第1の多結晶シリコンからなるゲート電極及び前記第2の多結晶シリコン上に形成する中間絶縁膜と、
第1の多結晶シリコンからなるゲート電極と第2の多結晶シリコンを接続する第1の金属電極配線と、
第2の多結晶シリコンと半導体基板とを接続する第2の金属電極配線と、
これらの金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とする電界効果型MOSトランジスタとした。
2 ゲート絶縁膜
3 ゲート電極
4 N型高濃度ソース領域
5 N型高濃度ドレイン領域
6 P型高濃度基板コンタクト領域
7 第2のN型高濃度領域
8 N型デプレッションチャネル領域
9 多結晶シリコン
10 P型多結晶シリコン領域
11 N型多結晶シリコン領域
12 保護ダイオード1
13 保護ダイオード2
14 第2のP型高濃度領域
15 中間絶縁膜
16 保護膜
17 保護膜窓
18 フィールド絶縁膜
3a ゲート電極端子
4a ソース電極端子
5a ドレイン電極端子
6a 基板コンタクト端子
Claims (8)
- P型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたN型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第1の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第2の多結晶シリコンと、
前記第1の多結晶シリコンからなるゲート電極及び前記第2の多結晶シリコン上に形成する中間絶縁膜と、
前記第1の多結晶シリコンからなるゲート電極と前記第2の多結晶シリコンを接続する第1の金属電極配線と、
前記第2の多結晶シリコンと前記半導体基板とを接続する第2の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とする電界効果型MOSトランジスタ。 - 前記第2の多結晶シリコン中にP型領域及びN型領域からなるダイオードを有し、前記第1の金属配線を前記多結晶シリコン中のP型領域に接続し、前記第2の金属配線を前記多結晶シリコン中のN型領域に接続する事を特徴とする請求項1記載の電界効果型MOSトランジスタ。
- 前記第2の多結晶シリコン中に2つのP型領域とその間に挟まれた1つのN型領域からなる双方向ダイオードを有し、前記第1の金属配線を前記多結晶シリコン中の1つのP型領域に接続し、前記第2の金属配線を前記多結晶シリコン中の別のP型領域に接続する事を特徴とする請求項1記載の電界効果型MOSトランジスタ。
- 前記第2の多結晶シリコン中に2つのN型領域とその間に挟まれた1つのP型領域からなる双方向ダイオードを有し、前記第1の金属配線を前記多結晶シリコン中の1つのN型領域に接続し、前記第2の金属配線を前記多結晶シリコン中の別のN型領域に接続する事を特徴とする請求項1記載の電界効果型MOSトランジスタ。
- 前記第2の多結晶シリコン中に3つ以上の奇数のP型領域とそのおのおののP型領域の間に挟まれた偶数のN型領域からなる双方向ダイオードを有し、前記第1の金属配線を前記多結晶シリコン中の一方の端のP型領域に接続し、前記第2の金属配線を前記多結晶シリコン中の別の端のP型領域に接続する事を特徴とする請求項1記載の電界効果型MOSトランジスタ。
- 前記第2の多結晶シリコン中に3つ以上の奇数のN型領域とそのおのおののN型領域の間に挟まれた偶数のP型領域からなる双方向ダイオードを有し、前記第1の金属配線を前記多結晶シリコン中の一方の端のN型領域に接続し、前記第2の金属配線を前記多結晶シリコン中の別の端のN型領域に接続する事を特徴とする請求項1記載の電界効果型MOSトランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜下のP半導体基板上にN型領域が存在する請求項1から6記載のデプレッション型電界効果型MOSトランジスタ。
- 前記窒化膜からなる保護膜が、前記第2の多結晶シリコン上のみ形成されていない事を特徴とする、請求項1から7記載の電界効果型MOSトランジスタ。
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