JP2006013241A - 半導体装置用パッケージ、および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】金属板の反りが抑制された半導体装置用パッケージ、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子が固定される載置部１０６を含む金属板１０１と、金属板の一方の主面に固定され、載置部に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部１０９を有する樹脂含有成形体１０２と、樹脂含有成形体の金属板側の面の反対面に設けられた配線パターン１０３と、配線パターンに電気接続されたリード端子１０４と、開口部を覆うように樹脂含有成形体に接合された樹脂含有蓋１０５とを含んでいる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置用パッケージ、および半導体装置に関する。

高周波帯で使用される高出力の半導体装置のパッケージ、特に、携帯電話中継基地局や通信衛星等の送信部において、電力増幅用途で使用される半導体装置のパッケージには、高放熱特性かつ高信頼性を有することが求められている。

図８に、従来の半導体装置用パッケージ（例えば、特許文献１参照）の斜視図を示している。図８に示すように、従来の半導体装置用パッケージは、一方の主面に、トランジスタ等の半導体素子を固定するための載置部４０６を備えた金属板４０１を含み、載置部４０６の周囲にはウォール４０２が形成されている。金属板４０１は、銅や銅−タングステン合金等からなり、ウォール４０２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金またはセラミックス等からなる。リード端子４０３は、セラミックス部４０４ａとセラミックス部４０４ｂによって挟まれた状態でウォール４０２に固定され、ウォール４０２と絶縁されている。リード端子４０３は、セラミックス部４０４ａの表面に形成されたメタライズ層４０５に電気接続されているので、リード端子４０３により高周波信号成分をウォール４０２内外へ導くことができる。

また、ウォール４０２の上面には、半導体素子を湿気から保護することが可能なように、蓋体４０７が接合され、ウォール４０２、蓋体４０７、金属板４０１によって囲われる空間の気密性が確保されている。蓋体４０７は、金属またはセラミックスからなる。

このような半導体装置用パッケージは、金属板４０１側をヒートシンクに向けてヒートシンクに実装されるが、上記空間内に配置される半導体素子で生じる熱を、効率良く放散させる必要があるため、金属板４０１の反りはできるだけ小さくする必要がある。
特開２００１―５３１８２号公報

しかし、従来の半導体装置用パッケージでは、その製造過程において、金属とセラミック、または金属と金属とを接合する必要があり、例えば、金属板４０１とウォール４０２との接合には、銀ろう（融点：約７８０℃）等のろう材が用いられている。したがって、上記ろう材を用いた高温プロセスにおいて、金属板４０１の熱膨張係数とウォール４０２の熱膨張係数との差によって生じる金属板４０１の反りを小さくコントロールするために、通炉時の温度プロファイル等に非常に高度な技術的ノウハウが必要であった。

また、半導体素子が載置部４０６に固定された後、金属またはセラミックからなる蓋体４０７は、金−錫合金（融点：約２８０℃）等を用いてウォール４０２へ接着されるが、蓋体４０７の熱膨張係数とウォール４０２の熱膨張係数とが異なると、蓋体４０７とウォール４０２との接着時に金属板４０１に応力が発生し、金属板４０１に大きな反りが生じる。その結果、載置部４０６に半導体素子が固定された半導体装置の放熱特性が劣化するとともに、パッケージ内に配置された半導体素子に過大な応力がかかり、半導体装置の信頼性が低下するという重大な欠点があった。

本発明は、金属板の反りが抑制された半導体装置用パッケージを提供することを第１の目的とする。

本発明は、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性の高い半導体装置を提供することを第２の目的とする。

本発明の半導体装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子が固定される載置部を含む金属板と、前記金属板の前記一方の主面に固定され、前記載置部に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部を有する樹脂含有成形体と、前記樹脂含有成形体の前記金属板側の面の反対面に設けられた配線パターンと、前記配線パターンに電気接続されたリード端子と、前記開口部を覆うように前記樹脂含有成形体に接合された樹脂含有蓋とを含むことを特徴とする。

本発明の半導体装置は、本発明の半導体装置用パッケージの前記載置部に半導体素子が固定され、前記半導体素子と前記配線パターンとがボンディングワイヤを介して電気接続されていることを特徴とする。

本発明の別の半導体装置は、一方の主面に半導体素子が固定される載置部を含む金属板と、前記金属板の前記一方の主面に固定され、前記載置部に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部を有する樹脂含有成形体と、前記載置部に固定された半導体素子と、前記樹脂含有成形体の前記金属板側の面の反対面に設けられた配線パターンと、前記配線パターンに電気接続されたリード端子と、前記半導体素子と前記配線パターンとを電気接続するボンディングワイヤと、少なくとも前記半導体素子を封止する封止樹脂部とを含むことを特徴とする。

本発明では、樹脂含有成形体を用いているので、金属板と樹脂含有成形体との接合に、融点が約７８０℃の銀ろうよりも融点の低い接合材を用いることができる。さらに、半導体素子が載置部に固定された後に、例えば、融点が約２８０℃の金−錫合金を用いなくても、半導体素子を湿気から保護することができる。そのため、本発明では、半導体素子を載置部に固定する前後において、熱によって金属板に加わる応力が小さくなり、金属板の反りが抑制された半導体装置用パッケージを提供できる。また、金属板の反りの抑制により、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性の高い半導体装置を提供できる。

以下、本発明の半導体装置用パッケージの一例、それを用いた半導体装置の一例を、図面を用いて説明する。

（実施形態１）
図１は、本発明の半導体装置用パッケージの一例を示した分解斜視図であり、図２は、図１に示した半導体装置用パッケージの断面図である。

図１に示すように、本実施形態の半導体装置用パッケージでは、一方の主面に半導体素子が固定される載置部１０６を含む金属板１０１と、金属板１０１の一方の主面に固定された樹脂含有成形体１０２と、樹脂含有成形体１０２の金属板１０１側の面の反対面に設けられた配線パターン１０３とを含んでいる。樹脂含有成形体１０２は、載置部１０６に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部１０９を有している。配線パターン１０３には信号の入出力を行うためのリード端子１０４が電気接続されている。図１に示した例では、半導体装置用パッケージは２個のリード端子１０４を備えており、２個のリード端子１０４は、金属板１０１の中心に関し互いに対称に配置されている。

樹脂含有成形体１０２には、開口部１０６を覆うように樹脂含有蓋１０５が接合されており、本実施形態の半導体装置用パッケージは、開口部１０６内に気体を通さない構造となっているので、載置部１０６に固定される半導体素子は、湿気から保護される。

図２に示すように、樹脂含有蓋１０５は、空洞構造を有していると好ましい。樹脂含有蓋１０５が空洞構造を有していると、樹脂含有成形体１０２と樹脂含有蓋１０５とが接合された状態で、開口部１０９内のみならず、図１において樹脂含有成形体１０２の上側にも空間が確保される。そのため、載置部１０６に配置される半導体素子１１０と配線パターン１０３とを電気接続するボンディングワイヤ１１１の折り曲げ等が防止される。

また、本実施形態の半導体装置用パッケージは、金属蓋１０７を備えていると好ましい。金属蓋１０７は、樹脂含有蓋１０５側から樹脂含有成形体１０２を覆うように金属板１０１の一方の主面に固定され、金属板１０１に電気接続されている。そのため、半導体素子に対する不要な発振が抑制されて半導体素子の動作が安定化されると伴に、電磁波の不用輻射が抑制される。

金属蓋１０７は、例えば、空洞構造を有する本体部１０７ａと、本体部１０７ａ部を構成する複数の壁のうちの、互いに向かい合う１対の壁の夫々に連結された鍔部１０７ｂとを有している。本体部１０７ａには、金属蓋１０７を金属板１０１に被せた状態で、金属蓋１０７の外側にリード線１０４を引き出すことができるように、切り欠き部１０７ｃが形成されている。各鍔部１０７ｂには、略凹部１０７ｄが形成されており、略凹部１０７ｄの位置は、金属板１０１に形成された略凹部１０８に対応している。

金属蓋１０７の金属板１０１への固定方法については、金属蓋１０７と金属板１０１とが電気接続されるのであれば特に制限はなく、図１に示すように、金属蓋１０７の略凹部１０７ｄと金属板１０１の略凹部１０８とが一致するように、金属蓋１０７と金属板１０１とを重ねた状態で、これらをネジ等によりヒートシンク等に固定する方法が挙げられる。この場合、金属蓋１０７と金属板１０１とが、ヒートシンクに固定されると伴に、金属板１０１に金属蓋１０７が固定されることとなる。金属板１０１へ金属蓋１０７を固定する他の方法としては、嵌合、ネジ止め、またはハンダ等による接着等が挙げられる。

尚、上記ハンダは、鉛含有ハンダ、鉛フリーハンダのいずれであってもよい。鉛含有ハンダの組成としては、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ、Ｐｂ−Ａｇが、鉛フリーハンダの組成としては、例えば、Ｂｉ−Ｓｎ、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｓｂ等が挙げられる。

金属板１０１の材料としては、例えば、熱伝導性の高い、銅または銅合金を含んでいると好ましい。銅合金としては、例えば、銅−タングステン合金が挙げられる。また、金属板１０１には、３層構造（例えば、銅／モリブデン／銅）の複合材等を用いてもよい。

樹脂含有成形体１０２の材料としては、特に制限はないが、例えば、ガラス不織布や織布にエポキシ樹脂を含浸させたガラス−エポキシ材料や、ポリイミド、紙フェノール等が挙げられる。樹脂含有成形体１０２は、特に、エポキシ樹脂を含んでいると好ましい。

配線パターン１０３の材料としては、例えば、Ｃｕ等が挙げられる。配線パターン１０３は、本実施形態の半導体装置用パッケージを用いた半導体装置が使用される周波数帯や変調方式に応じて、適切なパターンに形成すればいよい。

樹脂含有成形体１０２と配線パターン１０３とを含む構造体１１３は、例えば、プリント基板である。配線パターン１０３は、樹脂含有成形体１０２の金属板１０２側の面の反対面のみならず、樹脂含有成形体１０２の金属板１０１側の面にも設けられていてもよい。

樹脂含有成形体１０２の金属板１０１への固定に用いられる接合材について、特に制限はないが、例えば、金−錫合金、ハンダ、金属粉末がバインダー樹脂に分散された導電性ペースト、または、エポキシ樹脂系接着剤等が好ましい。エポキシ樹脂系接着剤は、一液型、二液型のいずれであってもよい。金−錫合金であれば、約２８０度、鉛含有ハンダであれば、約１８０℃、鉛フリーハンダであれば、約２３０度、上記導電性ペーストであれば、約１５０度で、樹脂含有成形体１０２と金属板１０１とを接合できる。エポキシ樹脂系接着剤では、一液型では約１５０度、二液型では常温で、樹脂含有成形体１０２と金属板１０１とを接合できる。導電性ペーストに含まれる上記金属粉末としては、例えば、銀粉末が、上記バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化製樹脂が挙げられる。ただし、配線パターン１０３が樹脂含有成形体１０２の金属板１０１側の面にも設けられている場合には、上記接合材には、金−錫合金、ハンダ、上記導電性ペーストを用いると好ましい。半導体素子を金属板１０１に接地することができるからである。

リード端子１０４の材料としては、例えば、ＣｕやＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等が好ましい。

リード端子１０４と配線パターン１０３との接合に用いられる接合材としては、導電性の観点、固着強度の観点、コストの観点から、例えば、ハンダ等が好ましい。

樹脂含有蓋１０５の材料としては、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂を含んでいると好ましい。

樹脂含有蓋１０５と樹脂含有成形体１０２との接合に用いられる接合材としては、接着強度が高く、開口部内の耐湿性を保持できるものであれば特に制限はなく、例えば、エポキシ樹脂系接着剤等が用いられる。

金属蓋の材料としては、特に制限はないが、金属板１０１と同様の材料や、洋銀等を用いることができる。

以上のとおり、本実施形態の半導体装置用パッケージでは、樹脂含有成形体１０２を用いているので、金属板１０１と樹脂含有成形体１０２との接合に、融点が約７８０℃の銀ろうよりも融点の低い接合材を用いることができる。さらに、樹脂含有蓋１０５を用いているので、樹脂含有成形体１０２と樹脂含有蓋１０５との接合に、金−錫合金（融点：約２８０℃）よりも融点の低い接合材を用いることができ、従来、載置部１０６に半導体素子を固定した後に、接合材として用いていた上記金−錫合金を用いなくても、半導体素子を湿気から保護することができる。そのため、半導体素子を載置部に固定する前後において、熱によって金属板に加わる応力が小さくなり、金属板の反りが抑制される。したがって、半導体素子にかかる応力を低減でき、放熱性が優れ、信頼性の高い半導体装置の提供が可能な半導体装置用パッケージを提供できる。

セラミックを用いた従来の半導体装置用パッケージでは、その製造過程において、焼成に長時間を要するため、多大なコストを必要としていた。また、セラミックや金属は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂と比較して材料コストが高い。したがって、本実施形態の半導体装置用パッケージでは、上記従来の半導体装置用パッケージと比較して大幅にコストを低減できる。

（実施形態２）
図３は、本発明の半導体装置の一例を示した分解斜視図である。図３に示した半導体装置では、図１および図２に示した半導体装置用パッケージを用いている。図３において、図１および図２に示した半導体装置用パッケージと同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

図３に示すように、本実施形態の半導体装置では、半導体装置用パッケージの金属板１０１の載置部１０６に半導体素子１１０が固定され、半導体素子１１０と配線パターン１０３とが、例えば、Ａｕ、Ａｌ等を含むボンディングワイヤ１１０を介して電気接続されている。配線パターン１０３に電気接続されたリード端子１０４によって、半導体装置への信号の入出力が行われる。

半導体素子１１０としては、例えば、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ系のトランジスタが挙げられる。

半導体素子１１０の載置部１０６への固定に用いられる接合材としては、例えば、樹脂含有成形体１０２と金属板１０１との固定に用いられる接合材と同様のものを用いることができる。

本実施形態の半導体装置では、実施形態１の半導体装置用パッケージを用いているので、金属板の反りが抑制され、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性が高い。

また、本実施形態の半導体装置では、実施形態１の半導体装置用パッケージを用いているので、従来の半導体装置と比較して大幅にコストを低減することも可能となる。

（実施形態３）
図４は、本発明の半導体装置の他の例を示した分解斜視図である。図４に示した半導体装置では、図１に示した半導体装置用パッケージを用いている。図４において、図１に示した半導体装置用パッケージと同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態の半導体装置は、載置部１０９に配置され整合回路を含む回路基板１１２をさらに備えたこと以外は実施形態２の半導体装置と同様の構造をしており、同様の効果を有している。回路基板１１２は、例えば、半導体素子１１０と配線パターン１０３を構成する配線との間に配置され、半導体素子１１０と回路基板１１２、回路基板１１２と配線パターン１０３とが其々、ボンディングワイヤ１１により電気接続されている。回路基板１１２は、例えば、セラミック等からなる絶縁性基板の一方の主面に金属パターンが形成された構造をしており、比誘電率ε_rは、例えば、５以上である。回路基板１１２は、金属板２０１と向かい合う側の面に金属パターンを備えていてもよい。

回路基板１１２の金属板１０１への固定に用いられる接合材について、特に制限はないが、例えば、樹脂含有成形体１０２と金属板１０１との固定に用いられる接合材と同様のものを用いることができる。回路基板１１２が金属板１０１側の面にも金属パターンを備えている場合には、上記接合材には、金−錫合金、ハンダ、導電性ペーストを用いると好ましい。回路基板１１２を金属板１０１に接地することができるからである。

本実施形態の半導体装置では、整合回路を含む回路基板１１２を備えているので、例えば、実施形態２の半導体装置よりも、高周波特性が向上している。

（実施形態４）
図５は、本発明の半導体装置の他の例を示した分解斜視図であり、図６は、図５に示した半導体装置の断面図である。

図５に示すように、本実施形態の半導体装置では、一方の主面に半導体素子２１０が固定される載置部２０６を含む金属板２０１と、載置部２０６に固定された半導体素子２１０と、金属板２０１の一方の主面に固定された樹脂含有成形体２０２と、樹脂含有成形体２０２の金属板１０１側の面の反対面に設けられた配線パターン２０３とを含んでいる。樹脂含有成形体２０２は、載置部２０６に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部２０９を有している。配線パターン２０３には信号の入出力を行うためのリード端子２０４が電気接続されている。半導体素子２１０は、例えば、開口部２０９内に収まっており、ボンディングワイヤ２１１を介して配線パターン２０３と電気接続されている。半導体素子２１０およびボンディングワイヤ２１１は、封止樹脂部２１４によって樹脂封止されている。

本実施形態の半導体装置は、金属蓋２０７を備えていると好ましい。金属蓋２０７は、封止樹脂部２１４側から樹脂含有成形体２０２を覆うように金属板２０１の一方の主面に固定され、金属板２０１に電気接続されている。そのため、半導体素子２１０に対する不要な発振が抑制されて半導体素子２１０の動作が安定化されると伴に、電磁波の不用輻射が抑制される。

上記、金属板２０１、樹脂含有成形体２０２、配線パターン２０３、リード端子２０４、および金属蓋２０７の材料は、其々、実施形態１の半導体装置用パッケージと同様のものを用いることができる。また、金属蓋２０７は、実施形態１の半導体装置用パッケージの金属蓋と同様の構造をしている。樹脂含有成形体２０２と配線パターン２０３とを含む構造体２１３は、例えば、プリント基板である。半導体素子２１０およびボンディングワイヤ２１１は、其々、実施形態２の半導体装置と同様のものを用いることができる。

樹脂含有成形体２０２の金属板２０１への固定に用いられる接合材についても、実施形態２の半導体装置と同様のものを用いることができる。

封止樹脂部２１４に含まれる樹脂としては、特に制限はないが、例えば、熱硬化性樹脂を用いることができる。熱硬化性樹脂のなかでも、耐クラック性等の特性が優れたエポキシ樹脂が好ましい。封止樹脂部２１４は、例えば、低粘度または液状の樹脂を滴下しまたは注入するポッティング等により形成できる。

本実施形態の半導体装置では、樹脂含有成形体２０２を用いているので、金属板２０１と樹脂含有成形体２０２との接合に、銀ろう等よりも融点の低い接合材を用いることができる。さらに、封止樹脂部２１４によって半導体素子２１０を封止しているので、載置部２０６に半導体素子２１０を固定した後に、従来、接合材として用いられていた、融点が約２８０と高い金−錫合金を用いなくても、半導体素子２１０を湿気から保護することができる。そのため、半導体素子を載置部に固定する前後において、熱によって金属板に加わる応力が小さくなり、金属板の反りが抑制される。したがって、本実施形態の半導体装置では、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性が高い。

尚、図５および図６に示した半導体装置では、上記封止樹脂部２１４は、半導体素子２１０のみならずボンディングワイヤ２１１をも封止しており、開口部２０９内には封止樹脂部２１４の樹脂が充填されて、開口部２０９が塞がれているがこれに制限されない。少なくとも半導体素子２１０が封止樹脂部２１４により封止されていれば、例えば、ボンディングワイヤ２１１の一部は封止樹脂部２１４から突き出ていてもよいし、開口部２０９は封止樹脂部２１４の樹脂によって塞がれていなくてもよい。

（実施形態５）
図７は、本発明の半導体装置の他の例を示した分解斜視図である。図７に示した半導体装置は、載置部２０９に配置され整合回路を含む回路基板２１２をさらに備えたこと以外は実施形態４の半導体装置と同様の構造をしており、同様の効果を有している。図７において、図５および図６に示した半導体装置用と同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

回路基板２１２は、例えば、半導体素子２１０と配線パターン２０３を構成する配線との間に配置され、半導体素子２１０と回路基板２１２、回路基板２１２と配線パターン２０３とが其々、ボンディングワイヤ２１１により電気接続されている。

回路基板２１２としては、実施形態３の半導体装置に用いられる回路基板と同様のものであり、回路基板１１２の金属板１０１への固定に用いられる接合材についても、実施形態３の半導体装置の場合と同様の材料を用いることができる。

本実施形態の半導体装置では、整合回路を含む回路基板２１２を備えているので、例えば、実施形態４の半導体装置よりも、高周波特性が向上している。

本発明は、金属板の反りが抑制された半導体装置用パッケージを提供でき、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性の高い半導体装置を提供できるので、本発明の半導体装置用パッケージおよび半導体装置は有用である。

本発明の半導体装置用パッケージの一例を示す分解斜視図 図１に示した半導体装置用パッケージの断面図 本発明の半導体装置の一例を示す分解斜視図 本発明の半導体装置の他の例を示す分解斜視図 本発明の半導体装置の他の例を示す分解斜視図 図５に示した半導体装置の断面図 本発明の半導体装置の他の例を示す分解斜視図 従来の半導体装置の一例を示す分解斜視図

符号の説明

１０１，２０１ 金属板
１０２，２０２ 樹脂含有成形体
１０３，２０３ 配線パターン
１０４，２０４ リード端子
１０５ 樹脂含有蓋
１０６，２０６ 載置部
１０７，２０７ 金属蓋
１０８ 略凹部
１０９，２０９ 開口部
１１０，２１０ 半導体素子
１１１，２１１ ボンディングワイヤ
１１２，２１２ 整合回路を含む回路基板
２１４ 封止樹脂部

Claims (14)

1. 一方の主面に半導体素子が固定される載置部を含む金属板と、
   前記金属板の前記一方の主面に固定され、前記載置部に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部を有する樹脂含有成形体と、
   前記樹脂含有成形体の前記金属板側の面の反対面に設けられた配線パターンと、
   前記配線パターンに電気接続されたリード端子と、
   前記開口部を覆うように前記樹脂含有成形体に接合された樹脂含有蓋とを含むことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
2. 金属蓋をさらに含み、前記金属蓋は、前記樹脂含有成形体を覆うように前記金属板に固定され、前記金属板に電気接続された請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
3. 前記金属板と前記樹脂含有成形体とが、金−錫合金、ハンダ、金属粉末が樹脂に分散された導電性ペースト、またはエポキシ樹脂系接着剤を介して接合された請求項１または２に記載の半導体装置用パッケージ。
4. 前記金属板は、銅または銅合金を含む請求項１〜３のいずれかの項に記載の半導体装置用パッケージ。
5. 前記樹脂含有成形体は、エポキシ樹脂を含む請求項１〜４のいずれかの項に記載の半導体装置用パッケージ。
6. 前記樹脂含有成形体と前記配線パターンとを含む構造体は、プリント基板である請求項１〜５のいずれかの項に記載の半導体装置用パッケージ。
7. 前記リード端子は、ＣｕまたはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる請求項１〜６のいずれかの項に記載の半導体装置用パッケージ。
8. 前記樹脂含有蓋は、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂を含む請求項１〜７のいずれかの項に記載の半導体装置用パッケージ。
9. 請求項１に記載の半導体装置用パッケージの前記載置部に半導体素子が固定され、前記半導体素子と前記配線パターンとがボンディングワイヤを介して電気接続されていることを特徴とする半導体装置。
10. 前記載置部に配置され、整合回路を備えた回路基板をさらに含み、
    前記半導体素子と前記回路基板、前記回路基板と前記配線パターンとが其々、前記ボンディングワイヤを介して電気接続された請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記半導体素子は、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ系のトランジスタである請求項９または１０に記載の半導体装置。
12. 一方の主面に半導体素子が固定される載置部を含む金属板と、
    前記金属板の前記一方の主面に固定され、前記載置部に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部を有する樹脂含有成形体と、
    前記載置部に固定された半導体素子と、
    前記樹脂含有成形体の前記金属板側の面の反対面に設けられた配線パターンと、
    前記配線パターンに電気接続されたリード端子と、
    前記半導体素子と前記配線パターンとを電気接続するボンディングワイヤと、
    少なくとも前記半導体素子を封止する封止樹脂部とを含むことを特徴とする半導体装置。
13. 前記ボンディングワイヤが、前記樹脂封止部に封止されている請求項１２に記載の半導体装置。
14. 金属蓋をさらに含み、前記金属蓋は、前記樹脂含有成形体を覆うように前記金属板に固定され、前記金属板に電気接続された請求項１２または１３に記載の半導体装置。

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