JP2005512320A - キャパシタを備えた構成 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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Abstract
基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備えた構成であって、キャパシタが第一の電極(6)と第二の電極(9)とそしてこれらの間に設けられた誘電体(8)とを有し、コンタクト構造がUBM(バンプ下地金属)層(9)とバンプ・コンタクト(10)とを有し、相互配線層(6)がキャパシタの前記第一の電極を形成し、UBM層(9)がキャパシタの第二の電極を形成する。
Description
この発明は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造を備えた構成であり、キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、コンタクト構造がUBM(バンプ下地金属、under-bump metallization)とバンプ・コンタクトとを有する構成に関する。さらにこの発明は表示装置に関する。
集積回路は、通常、単結晶半導体ウエハ内に形成される多くの半導体素子を備える。半導体ウエハ表面上と多結晶半導体材料の領域上とに薄い誘電体層が堆積又は成長される。比較的厚い誘電体層がそれら半導体素子上に堆積される。この厚い誘電体層を介して、それら半導体素子の端部末端までの経路となる複数のコンタクト・ホール又はコンタクト・バイア(via)がエッチングにより形成される。この厚い誘電体層の上に設けられた複雑なパターンの複数のストリップ導電体によりそれら各種の半導体素子が電気的に相互接続される。これらストリップ導電体は相互接続層とも呼ばれるが、厚い誘電体層内のバイアを介して、それら半導体素子の端部末端とコンタクトをとる。これらコンタクトがとられた後、この接続ストリップ導電体パターン上に保護層が堆積される。保護層内のコンタクト・バイアがこの接続パターンの、コンタクト・パッド(コンタクト・ランド)と呼ばれる複数の正方形部分への経路となる。これらのコンタクト・パッドを介して集積回路に対し電気的接続が行われる。この電気的接続を行うには所謂バンプ・コンタクトが用いられる。これらバンプ・コンタクトは第一の電気的導電層と、非常に厚い第二の電気的導電層とを有する。この第一の電気的導電層はUBM(バンプ下地金属、under-bump metallization)層とも呼ばれ、例えば、Ti/Auを含む。第二の電気的導電層がバンプ・コンタクト本体であり、例えば金を含む。これは電気メッキにより行われる。
集積回路は、例えば、情報を視覚的に表示する装置へ情報データと電力を送るのに用いられる。この目的の為に、集積回路は、さらなる複数素子、例えば、複数のキャパシタを備える。このようなキャパシタは、通常、二つの電極と一つの誘電体層から形成される。通常、これらキャパシタは半導体材料に直接に設けられる。しかし、この方法の問題は、半導体基板の多くの領域をこれらキャパシタが占有するので、半導体素子の製造コストがかさむことである。
米国特許5,741、721は、例えば、集積回路を有するチップに設けられるキャパシタを開示している。
この発明の目的は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備え、低コストで簡単に製造できる構成を提供するものである。
この目的は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備えた構成であって、前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、前記コンタクト構造がUBM(バンプ下地金属)層とバンプ・コンタクトとを有し、前記相互配線層がキャパシタの第一の電極を形成し、前記UBM層がキャパシタの第二の電極を形成する構成により達成される。
この構成の特徴は、集積回路とコンタクト構造を製造するための標準プロセスに一回のみの材料形成工程と、二回のマスキング工程を加えただけで上記キャパシタを形成することができることである。従って、低コストで簡単にこの発明の構成を製造することができる。
従属項2乃至4で限定した各実施形態のさらなる特徴は、複雑な機能、例えば、複数の表示装置を駆動する複数の回路を備えた複数の構成を簡単に且つ低コストで製造できることである。さらに、この発明は、基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを有する構成を備えた表示装置であって、前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、前記コンタクト構造がUBM(バンプ下地金属層とバンプ・コンタクトとを有し、前記相互配線層が前記キャパシタの前記第一の電極を形成し、前記UBM層が前記キャパシタの前記第二の電極を形成する表示装置に関する。
表示装置、例えば、液晶スクリーンは、例えば、このスクリーンを駆動する集積回路として少なくとも一つの構成を備える。この構成は、さらに、複数の能動素子と、例えば、複数のキャパシタ等のさらなる素子を備える。
二つの接続層と一つのキャパシタと一つのコンタクト構造と備えた構成の概略断面図を図1に示す。一つのキャパシタCと二つの接続層を形成する複数の異なる材料層が基板1上に形成される。これら相互接続層の目的は、キャパシタとこの構成内の他の素子を相互接続し、そして、これら素子同士を相互接続することである。この構成の用途と製造方法に応じて、基板1には、絶縁材料、半導体材料、導電材料又は複数層の多重構造を備えてもよい。
基板1が絶縁材料を含む場合は、絶縁材料は、例えば、Al2O3又はAlN等のセラミック材料が好ましい。
基板1が半導体材料を含む場合は、シリコン、ガリウム・ヒ素、リン化インジウム、ガリウム・アルミニウム・ヒ素又はゲルマニウムを含む半導体材料が好ましい。これらの材料をボロン、ヒ素、アンチモン、燐、又はこれらドーパントの組み合わせでドープしてもよい。一つ乃至複数の能動素子、例えば、ダイオード又はトランシスタを基板1上に設けてもよい。これら能動素子により集積回路を形成することができる。
基板1が導電材料を含む場合は、導電材料は、例えば、タングステン又はモリブデン等の耐熱材料が好ましい。
基板1が二層以上の複合構造を有する場合は、LTCC(低温焼結セラミックス)技術を用いて複合構造を形成するのがよい。一つ乃至複数の受動素子、例えば、抵抗、キャパシタ、インダクタ又はストリップ導電体をLTCC複合構造に集積化してもよい。これら受動素子により集積回路を形成することができる。
上記複合構造に代えて、各層が異なる厚みの又は異なるドーパントでド−プされた半導体材料の二層以上の複合構造としてもよい。この実施形態では、個々の層に、再度、例えば、ダイオード又はトランジスタ等の一つ乃至複数の能動素子を設けてもよい。これら能動素子により集積回路を形成することができる。さらに、この二層以上の複合構造を絶縁材料の層と、導電材料又は半導体材料の層とで構成してもよい。
基板1に形成されているのは、好ましくは、絶縁層2であり、この絶縁層2はSiO2を含んでもよい。さらに、SiO2に加えて、ボロン、ヒ素、アンチモン、燐、又はこれらドーパントの組み合わせでドープして絶縁層2としてもよい。絶縁層2に所定のパターンにより第一の相互配線層3が形成される。第一の相互配線層3上と、この相互配線層3により覆われていない絶縁層2の領域上とに第一の誘電体層4が形成される。第一の誘電体層4は、例えば、SiO2、Si3O4又はSixOyNz(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < z < 1)を含む。第一の誘電体層4上に所定のパターンで第二の相互配線層6が堆積される。数カ所で、電気的導電性のコンタクト・バイア5を介して第一の相互配線層3が第二の相互配線層6に電気的に接続される。第一の相互配線層3と第二の相互配線層6とコンタクト・バイア5とは、例えば、Ti/TiN/Al(Cu)を含む。第二の相互配線層6上と、この相互配線層6により覆われていない第一の誘電体層4の領域上とに保護層7が堆積される。保護層7は、例えば、SiO2、Si3N4又はSixOyNz(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < z < 1)等の無機材料、例えば、ポリアミド又はポリシクロベンゾブテン等の有機材料、又は無機、有機合成材料を含でもよい。第二の相互配線層6が保護層7には覆われていない部分が数カ所あり、ここで保護層7が分断されている。後でキャパシタが設けられる第二の相互配線層6の領域上と保護層7上とに、好ましくは、酸化物、窒化物、又はオキシナイトライドを含む第二の誘電体層8が堆積される。好ましくは、第二の誘電体層8は、SiO2、Si3O4又はSixOyNz(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < z < 1)を含む。
第二の誘電体層8により覆われた第二の相互配線層6のそれらの領域が、個々の領域において、キャパシタの第一電極として機能する。第二の相互配線層6上に直接堆積された第二の誘電体層8のそれらの領域が、個々の領域において、キャパシタの誘電体として機能する。第二の誘電体層8上と、この誘電体層8により覆われていない第二の相互配線層6の領域上に、好ましくはAu/TiWを含むUBM(バンプ下地金属、under-bump metallization)層9が堆積される。キャパシタが設けられる領域内で、UBM層9がキャパシタの第二電極として機能する。好ましくは、金を含み、UBM層9上に例えば電気メッキにより堆積されるバンプ・コンタクト10が、この領域内で、UBM層9とコンタクト構造を形成し、基板1内のキャパシタ且つ又は素子、又は集積回路と電気的コンタクトをとる。この接続構造は第二の相互配線層6と電気的コンタクト状態にある。
これに代えて、接続導電体として機能するように、そして、例えば、キャパシタと第二の相互配線層6とを相互接続させるように、又は、複数のコンタクト構造として機能するように、UBM層9を適宜パターンニングしてもよい。
さらにこれに代えて、この構成において一つ乃至複数の素子を形成するように、各種材料層、例えば、第一の相互配線層3と第二の相互配線層6とをパターンニングしてもよい。表示装置を駆動する構成では、そのような素子は、例えば、非揮発性メモリ・アレイの行デコーダ、列デコーダ、入出力ユニット(I/Oユニット)、SRAM(スタティックRAM)セル、ROMセル又は論理素子であってもよい。例えば、これら素子間の電気的接続又はこれら素子とキャパシタ又は接続構造との電気的接続はUBM層9を介して行うとよい。
絶縁層2内に設けた図示しない電気的導電性バイアを介して、基板1内に設けた素子、例えば、集積回路、能動素子又は受動素子を第一の相互配線層3と接続させてもよい。
キャパシタをチャージポンプ・キャパシタ又はデカップリング・キャパシタとして機能させてもよい。
一つのトランジスタ上に二つの相互配線層と、一つのキャパシタと、一つのコンタクト構造とを備える構成の概略断面図を図2に示す。この実施形態では、基板1が半導体材料を含む。基板1内に設けられているのは、二つの半導体領域、即ち、トランジスタのソース領域Sとドレイン領域Dである。絶縁層2は、好ましくはSiO2フィールド酸化膜層である。好ましくはSiO2を含む第一の誘電体層4内にトランジスタのゲート領域Gが設けられている。ゲート領域Gは、例えば、n型又はp型ポリシリコンを含む。電気的導電性バイア13を介して、第一の相互配線層3が、基板1内の半導体領域S、Dと接続されている。
この発明による、ある構成を製造する方法を図3に示す。この発明による、ある構成を製造するには、例えば、図3Aに示すように、基板1と、絶縁層2と、コンタクト・バイア5を介して第二の相互配線層6に接続される第一の相互配線層3と、第一の相互配線層3と第二の相互配線層6との間に設けられた第一の誘電体層4と、そして、保護層7とを備えたウエハを公知のプロセスで形成する。半導体材料を含む基板1内に設けられるのは、集積回路を形成する複数の能動素子である。絶縁層2内の図示しない電気的に導電性の複数のバイアを介して、この集積回路が第一の相互配線層3に接続される。
図3Bに示すように、ウエハ上に最初にフォトレジスト11が堆積され、そして、後でキャパシタが設けられる第二の相互配線層6上の領域がフォトレジスト11に覆われないように、パターンニングされる。このために、例えば、エッチングにより、フォトレジスト11から保護層7にまで達するように開口12が設けられる。そして、図3Cに示すように、フォトレジスト11が除去される。
保護層7上と第二の相互配線層6の露出領域上とに第二の誘電体層8が形成される(図3D)。
第二の誘電体層8上にフォトレジスト11が堆積され、そして、後でコンタクト構造又はキャパシタと電気的コンタクトがとられる第二の誘電体層8の複数の領域が露出するように、パターンニングされる。このために、例えば、エッチングにより、フォトレジスト11の層から、第二の誘電体層8、そして保護層7にまで達するように、それら各領域に開口12が設けられる(図3E)。そして、図3Fに示すように、フォトレジスト11が除去される。
第二の誘電体層8上と第二の相互配線層6の露出領域上とにUBM層9が堆積される(図3G)。
UBM層9上にフォトレジスト11が堆積され、そして、後でコンタクト構造となるUBM層9の複数の領域が露出するように、パターンニングされる(図3H)。そして、例えば、電気メッキによりバンプ・コンタクト10が形成される(図3I)。
さらにUBM層9をパターンニングするために、最終構成においてUBM層9が複数の領域の各々に残らないように、これら各領域に開口12が設けられて、フォトレジスト11が再度パターンニングされる。フォトレジスト11によって覆われていないUBM層9の複数の領域が、例えば、エッチングにより除去される(図3J)。そして、図3Kに示すように、フォトレジスト11が除去される。
このような構成は、例えば、表示装置を駆動するのに用いることができる。
Claims (5)
- 基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを備えた構成であって、
前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、
前記コンタクト構造がUBM(バンプ下地金属)層とバンプ・コンタクトとを有し、
前記相互配線層が前記キャパシタの前記第一の電極を形成し、前記UBM層が前記キャパシタの前記第二の電極を形成する構成。 - 前記基板は少なくとも一つの素子を有することを特徴とする請求項1に記載の構成。
- 前記キャパシタが前記素子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の構成。
- 前記素子は、複数能動素子、複数受動素子そして複数集積回路のグループから選択されることを特徴とする請求項2に記載の構成。
- 基板とキャパシタと相互配線層とそしてコンタクト構造とを有する構成を備えた表示装置であって、
前記キャパシタが第一の電極と第二の電極とそしてこれらの間に設けられた誘電体とを有し、
前記コンタクト構造がUBM(バンプ下地金属)層とバンプ・コンタクトとを有し、
前記相互配線層が前記キャパシタの前記第一の電極を形成し、前記UBM層が前記キャパシタの前記第二の電極を形成する表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10159466A DE10159466A1 (de) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | Anordnung mit Kondensator |
PCT/IB2002/005111 WO2003049158A1 (en) | 2001-12-04 | 2002-12-02 | Arrangement comprising a capacitor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005512320A true JP2005512320A (ja) | 2005-04-28 |
Family
ID=7707951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003550263A Pending JP2005512320A (ja) | 2001-12-04 | 2002-12-02 | キャパシタを備えた構成 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050006688A1 (ja) |
EP (1) | EP1459359A1 (ja) |
JP (1) | JP2005512320A (ja) |
KR (1) | KR20040071158A (ja) |
AU (1) | AU2002365727A1 (ja) |
DE (1) | DE10159466A1 (ja) |
TW (1) | TW200410301A (ja) |
WO (1) | WO2003049158A1 (ja) |
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- 2001-12-04 DE DE10159466A patent/DE10159466A1/de not_active Withdrawn
-
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- 2002-12-02 WO PCT/IB2002/005111 patent/WO2003049158A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-12-02 US US10/497,805 patent/US20050006688A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-02 KR KR10-2004-7008407A patent/KR20040071158A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-12-02 EP EP02804322A patent/EP1459359A1/en not_active Withdrawn
- 2002-12-02 JP JP2003550263A patent/JP2005512320A/ja active Pending
- 2002-12-02 AU AU2002365727A patent/AU2002365727A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-04 TW TW091135156A patent/TW200410301A/zh unknown
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---|---|
EP1459359A1 (en) | 2004-09-22 |
TW200410301A (en) | 2004-06-16 |
DE10159466A1 (de) | 2003-06-12 |
WO2003049158A1 (en) | 2003-06-12 |
US20050006688A1 (en) | 2005-01-13 |
KR20040071158A (ko) | 2004-08-11 |
AU2002365727A1 (en) | 2003-06-17 |
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