JP2005507436A - 洗浄組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 65
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims abstract description 14
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 14
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims abstract description 14
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 8
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 8
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 235000015847 Hesperis matronalis Nutrition 0.000 description 4
- 240000004533 Hesperis matronalis Species 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 3
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000996 L-ascorbic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- ZSJHIZJESFFXAU-UHFFFAOYSA-N boric acid;phosphoric acid Chemical compound OB(O)O.OP(O)(O)=O ZSJHIZJESFFXAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
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Abstract
アルカノールアミン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、非金属フッ化物化合物の塩、腐食防止剤、アスコルビン酸またははその誘導体単独またはその組合せ、バランスの水を含有する水性洗浄組成物。このような洗浄組成物は、プラズマ処理で生成された有機物、金属−有機物質、無機塩、酸化物、水酸化物または錯体由来の残留物を、有機フォトレジストフィルムとともにまたは有機フォトレジストフィルムを除外して、低温で、ほとんど銅の腐食および誘電基板への攻撃なしに、除去するのに有効である。
Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機アミン、特に、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、フッ化物を含む塩、腐食防止剤(例えば、アスコルビン酸)、界面活性剤、および水を含む、改良された洗浄組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
本発明は、半導体デバイスの製造の間のラインのバックエンド(Back End of The Line)(BEOL)製造工程に使用される半導体基板表面のための洗浄組成物に関する。特に、これらの半導体デバイスは、銅が半導体として用いられ、ダブルダマスク模様(double damascene)として公知の処理に関して相互接続される。最新の半導体および半導体集積回路の製造に使用されるBEOL製造工程の間に、銅(Cu)を用いて、最新の高密度デバイスを製造する。種々の基板の表面エッチングは、半導体デバイスの製造の間に回路を構築するために用いられる一つの工程である。これらのエッチング処理の後、残っているフォトレジスト(エッチングされる基板上に沈着された有機コーティングを含む)は、ウェットストリッピング(wet stripping)またはドライストリッピング(dry stripping)法(一般的に、アッシング(ashing)と呼ばれる)により除去される。引き続いて、残っている任意の残余の有機または無機の汚染物(一般に、サイドウォールポリマー(sidewall polymer)(SWP)と呼ばれる)を除去することが必要である。このSWPは、代表的に、エッチングの後の残留物およびアッシングの後の残留物(例えば、ポリマー、塩、金属汚染物および粒子)からなる。金属回路を腐食することも、金属回路を溶解することも、金属回路の抵抗を増加させることもなく、かつウェーハ表面上の曝露された基板を化学的に変化させることもなしに、SWPを除去する、改良された洗浄組成物を開発することが望ましい。
【0003】
これらの残留物を除去するために現在用いられているアミン溶媒は、銅基板を腐食し、そして意図したデバイスの劣化または故障を引き起こす。従って、これらの組成物が、種々の型の残留物を、デバイスを劣化も破壊もすることなく、銅基板および誘電体から除去するために使用され得るような、腐食防止剤を含む溶液を提供することが望ましい。
【0004】
Sizenskyに対する米国特許第4,617,251号は、選抜きのアミンおよび有機極性溶媒を用いて調製される洗浄組成物を開示する。この組成物は、約2重量%〜約98重量%のアミン化合物および約98〜2重量%の有機極性溶媒を利用して形成される。
【0005】
Wardに対する米国特許第4,770,713号は、アルキルアミンおよびアルカノールアミンを含む洗浄組成物を開示する。
【0006】
Wardに対する米国特許第5,419,779号は、約62重量%のモノエタノールアミン、約19重量%のヒドロキシルアミン、没食子酸および没食子酸エステルを含む腐食防止剤、ならびに水からなる組成物を塗布することにより、基板から有機コーティングを除去するためのプロセスを開示する。
【0007】
Petersらに対する米国特許第5,997,658号は、水、アルカノールアミン、ならびにベンゾトリアゾール、没食子酸および没食子酸エステルの1つである腐食防止剤を含む、洗浄組成物を開示する。
【0008】
Wardに対する米国特許第5,597,420号は、本質的に、モノエタノールアミンおよび水、ならびに腐食防止剤からなる、ヒドロキシルアミン化合物を含まない洗浄組成物を開示する。好ましい防止剤としては、没食子酸およびそのエステルが挙げられる。
【0009】
Schwartzkopfらに対する欧州特許番号0647884A1は、金属腐食を減少させるための還元剤を含むフォトレジストストリッパーを開示する。この特許は、とりわけ、アルカリ含有構成要素における金属腐食の制御のための、アスコルビン酸、没食子酸、ピロガロールの使用を教示する。
【0010】
Satohらに対する米国特許第5,143,648号は、酸化防止剤として、新規のアスコルビン酸誘導体を開示する。
【0011】
Toriiらに対する米国特許第5,972,862号は、第四級アンモニウム塩、水溶性有機溶媒もしくは水混和性有機溶媒、無機酸もしくは有機酸、および界面活性剤を有する、フッ素含有化合物の使用を開示する。
【0012】
Griegerらに対する米国特許第6,044,851号は、フッ化第四級アンモニウム、水溶性有機溶媒もしくは水混和性有機溶媒、および界面活性剤を有する、フッ素含有化合物の使用を開示する。
【0013】
さらに、これまでに利用可能な洗浄組成物は、特定の残留物を除去するために、過度に長い滞留時間、または繰返しの塗布を必要とする。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0014】
(発明の要旨)
従来の洗浄組成物において見られる、(特に銅の)腐食または基板攻撃の不利益または欠点を、排除するかまたは実質的に減少させる適切な水性洗浄組成物を発見した。
【0015】
従来の組成物が、多くの欠点を有することを考慮して、本発明に従う洗浄組成物は、水混和性かつ生分解性である。本発明に従う洗浄組成物は、実質的に不燃性、非腐食性であり、蒸発する傾向が(あるとしても)比較的低いことを証明し、そして一般に不活性である。
【0016】
本発明に従う組成物は、残留物を除去するのみならず、特に、従来の洗浄組成物で一般に必要とされる温度よりも、より低い温度において、高い程度の効果を有する。
【0017】
本発明に従う組成物は、基板、特に、銅、誘電体、またはシリコンを含有するもの、に対する腐食効果を実質的に示さない。
【0018】
さらに、本発明に従う洗浄組成物は、望ましくない塩素化成分またはフェノール類成分(例えば、没食子酸、ピロガロール、およびカテコール)が無いか、または熱い高腐食性成分の使用を必要とせず、特に、洗浄組成物およびその使用が、半導体の製造および使用を監視する管理機関により望ましくないと判断されない場合、半導体製造に歓迎される。
【0019】
本発明に従う殆どの組成物は、残留物の完全な除去を提供するが、このような結果は、サイドウォール有機金属残留物およびサイドウォール金属酸化物残留物の除去のための個々の成分を用いて、銅基板の実質的な腐食なしに常に得られるとは限らない。本発明に従う組成物は、フェノール型防止剤に関連するエージング問題を克服する組成物の成分またはプロセスを有する。
【0020】
従って、本発明の1つの局面では、約4〜14重量%のモノエタノールアミン、約2〜6.0重量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、0.3から3.5重量%のフッ化物イオン、有効量のアスコルビン酸である腐食防止剤;バランスの脱イオン水を含む洗浄組成物である。
【0021】
別の局面において本発明は、フィルムまたは残留物として、有機物、金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物、および/またはこれらの錯体もしくは組み合わせを有する、半導体デバイスを洗浄する方法であって、この方法は、以下の工程を包含する:半導体デバイスと、4〜14重量%のモノエタノールアミン、約0.2〜6重量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、約0.3〜3.5重量%のフッ化物イオン、有効量のアスコルビン酸腐食防止剤、バランスの水を含む洗浄組成物とを、25℃と50℃との間の温度にて、5分と60分との間の時間で接触させる工程、脱イオン水中で半導体デバイスを洗浄する工程、および半導体デバイスを乾燥する工程。
【0022】
(好ましい実施形態の詳細な説明)
本発明に従って、水、有機アミン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、非金属性質のフッ化物を含有する塩、および界面活性剤からなる洗浄組成物は、これらと、有効量の腐食防止剤(アスコルビン酸またはその誘導体の1つである)を混合することにより有意に改良される。
【0023】
防止剤の好ましい量は、約0.5〜10重量%である。
【0024】
好ましい有機アミンは、アルカノールアミンであり、そして最も好ましくは、モノエタノールアミン(MEA)である。アミンの好ましい量は、約4〜14重量%である。
【0025】
好ましいテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの好ましい量は、約2〜6重量%である。
【0026】
必要に応じて、非イオン界面活性剤を、表面張力の低下を亢進する量で添加して、残留物の除去を補助し得る。
【0027】
好ましいフッ化物を含む塩は、テトラアルキルアンモニウムフルオリド、アンモニウムフルオリド、フッ化水素アンモニウム、最も好ましくは、テトラメチルアンモニウムフルオリド(TMAF)である。フッ化物濃度の好ましい量は、フッ化物として0.3〜3.5重量%である。
【0028】
処方物のバランス(balance)は、水、好ましくは、脱イオン水である。水の好ましい量は、約65〜90重量%である。
【0029】
本発明の新規の洗浄組成物は、低い温度で、相乗的に増大した腐食防止作用および洗浄能力、防止剤が存在しない場合、個々の成分または他の洗浄組成物と組み合わせての使用では可能ではない特性を示す。
【0030】
本発明の洗浄組成物は、有効な洗浄作用ならびに優れた銅腐食保護、および誘電体(例えば、TEOS(テトラエチルオルトシリケート)(商品名SiLK Dow Chemicalの下で販売されるDow Chemical Companyの誘電性組成物))、またはBPSG(ホウ酸添加リン酸ケイ酸ガラス))のほとんどないか、または全くない攻撃を提供する。
【0031】
本発明の水性洗浄組成物は、約2.5〜6%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、約0.3〜3.5重量%のフッ化物イオン、約0.5〜10重量%の腐食防止剤(好ましくは、アスコルビン酸)、バランスの水と組合わせた、約4〜14重量%のモノエタノールアミンからなる。好ましい組成物は、1〜5重量%のアスコルビン酸を使用する。必要に応じて、非イオン性界面活性剤をまた用いて、残留物の除去を補助する。
【0032】
本発明の洗浄組成物は、とりわけ、以下の、多数の理由により、特に有用かつ有利である:
(1) 広範な種々のコーティングおよび基板について、低い温度でのより高い洗浄効果
(2) 集積回路の製造に用いられるプラズマ処理からの、フォトレジスト残留物の除去
(3) 室温で成分を単に混合することによる、調製の容易さ。
【0033】
本発明の方法は、フィルムまたは残留物(すなわち、サイドウォールポリマー(SWP))として、有機ポリマーもしくは金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物、またはこれらの錯体もしくは組み合わせを含む基板を、記載したストリッピング組成物と接触させ、次いで、基板を洗浄および乾燥することにより実行される。実際の条件(すなわち、温度、時間など)は、除去されるべき錯体(フォトレジスト残留物および/またはサイドウォールポリマー)物質の性質および厚さ、ならびに当業者に公知の他の因子に依存する。一般に、フォトレジスト洗浄について、このフォトレジストは、25〜50℃の間の温度で、代表的には、約5〜60分の時間、洗浄組成物を含む容器に接触されるか、またはコーティングされたデバイスは、洗浄組成物を含む容器に浸漬され、水で洗浄され、次いで、不活性ガスで乾燥されるか、または「遠心脱水される(spin dried)」。
【0034】
有機ポリマー材料の例としては、フォトレジスト、電子ビームレジスト、X線レジスト、イオンビームレジストなどが挙げられる。有機ポリマー材料の特定の例としては、フェノールホルムアルデヒド型樹脂またはポリ(p−ビニルフェノール)を含むポジティブレジスト(positive resist)、ポリメチルメタクリレート含有レジストなどが挙げられる。プラズマ処理残留物(サイドウォールポリマー)の例としては、とりわけ、以下が挙げられる:金属−有機錯体および/または無機塩、酸化物、水酸化物あるいは錯体、これらは、単独か、またはフォトレジストの有機ポリマー樹脂との組み合わせのいずれかで、フィルムまたは残留物を形成する。有機材料および/またはSWPは、当業者に公知の従来の基板(シリコン、二酸化ケイ素、フルオロケイ酸塩ガラス(FSG)、ホウ酸添加リン酸ケイ酸ガラス(BPSG)、銅、銅、タングステン、金属窒化物など)から除去され得る。
【0035】
本発明の洗浄組成物の有効性および予期しない性質は、以下の実施例に提示されるデータにより例示されるが、これによって限定されない。特に指定しない限り、全ての部およびパーセンテージは、重量である。
【実施例】
【0036】
(実施例1)
洗浄効力および腐食防止を実証するために、異なるレベルのフッ化物を、洗浄組成物中で使用した。以下の処方物を調製し、そして二重ダマスク模様銅処理ウェーハおよび部分平坦化電気化学的堆積銅ウェーハの腐食保護について試験した。時間および温度は、それぞれ、10分および50℃であった。
【0037】
【表1】
表1のデータは、示されるフッ化物のレベルの全てにおいて、この組成物が、パターン化されたウェーハを洗浄すること、および銅表面にほとんど変化がないことを示す。処理無しのコントロールとして同定されるわずかに機械的に平坦化された、電気化学的に堆積された(ECD)ウェーハ表面と、表1の処方物Bで22℃、10分間処理された類似のウェーハとの原子間力顕微鏡AFM走査の比較が、図1に示される。図1は、本発明に従って処理されたウェーハが、わずかな表面粗さを有することを示す。
【0038】
(実施例2)
本発明に従う組成物の洗浄効力を実証するために、溶液の効力に対する構成物の組合せの効果を決定するために試験を行った。二重ダマスク模様銅構築物ウェーハ(アッシュエッチング後残留物(post ash etch residue)を含む)を、ビーカー中で、50℃、5分間、低速度で混合しながら、本発明に従う洗浄処方物中に浸した。次いで、ウェーハを、洗浄効力について、走査電子顕微鏡(SEM)画像を用いて評価した。
【0039】
【表2】
表2のデータは、界面活性剤を除いて、この混合物の全ての成分を有するOとして同定される組成物のみが、適切な洗浄を与えたという、驚くべき結果を示す。
【0040】
(実施例3)
異なる誘電基板との本発明の組成物の適合性を実証するために、種々のウェーハを処理した。洗浄組成物(表3に示される処方物を有する)を調製し、そしてBPSG作製された誘電堆積物、TEOS作製された誘電堆積物、およびSiLK作製された誘電堆積物を有するウェーハで試験した。時間および温度は、それぞれ、60分および25℃であった。
【0041】
【表3】
表3のデータは、驚くべき結果、すなわち、表面に対する攻撃がなかったことを明らかに示す。フッ化物含有洗浄組成物は、一般的に、シリコン含有材料を攻撃する。
【0042】
(実施例4)
異なるレベルの成分に伴う洗浄能力の効力を実証するために、表4に要約される一連の処方物を調製した。アッシュエッチング後残留物を含む二重ダマスク模様ウェーハを、これらの洗浄処方物中に浸し、ビーカー中で、50℃、5分間、低速度で混合して処理した。次いで、ウェーハを、洗浄効力および表面損傷について、走査電子顕微鏡(SEM)画像を用いて評価した。
【0043】
【表4】
表4から、処方物E、F、I、KおよびLが、基板表面の腐食の視覚的な徴候なしにウェーハを洗浄するが、G、H、J、MおよびNは、基板表面を洗浄せず、そして溶液Nは、基板表面を視覚的に攻撃したことに、注目するべきである。図2は、未処理ウェーハおよび表4の溶液K中での処理後のウェーハのSEM画像の比較である。
【0044】
従って、本発明の目的;低温での残留物、ポリマーおよび汚染物の除去に効果的な製造半導体デバイスに使用される非腐食性洗浄組成物を提供することは、本明細書中に開示される組成物を用いて達成される。
【0045】
本発明の組成物は、無視し得るシリコンエッチング速度を示す洗浄組成物を提供する。
【0046】
さらに、本発明の組成物は、カテコール、ピロガロール、没食子酸またはそのエステル単独またはその組合せよりも、高価ではなく、腐食防止剤としてより効果的である防止剤を提供する。
【0047】
本発明の別の目的;金属イオンの再堆積を引き起こさない低温で達成され得る、コーティングされた基板を洗浄するための方法を提供することが、達成された。
【0048】
本発明者らの発明をこのように記載しているが、米国の特許証により保証されることが望まれるものは、添付の特許請求の範囲に記載され、この特許請求の範囲は、制限することなく読まれるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0049】
【図1】図1は、わずかな化学的、機械的平面化(slight chemical mechanical planarization)(CMP)を用いて電気化学的に堆積した(electrochemically deposited)(ECD)銅ウェーハと、本発明に従う洗浄組成物で処理した同一のウェーハとの原子間力顕微鏡(AFM)比較である。
【図2】図2は、未処理のダマスク文様のウェーハと、本発明に従う洗浄組成物で処理した同一のウェーハとの走査電子顕微鏡(SEM)比較画像である。
【0001】
本発明は、有機アミン、特に、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、フッ化物を含む塩、腐食防止剤(例えば、アスコルビン酸)、界面活性剤、および水を含む、改良された洗浄組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
本発明は、半導体デバイスの製造の間のラインのバックエンド(Back End of The Line)(BEOL)製造工程に使用される半導体基板表面のための洗浄組成物に関する。特に、これらの半導体デバイスは、銅が半導体として用いられ、ダブルダマスク模様(double damascene)として公知の処理に関して相互接続される。最新の半導体および半導体集積回路の製造に使用されるBEOL製造工程の間に、銅(Cu)を用いて、最新の高密度デバイスを製造する。種々の基板の表面エッチングは、半導体デバイスの製造の間に回路を構築するために用いられる一つの工程である。これらのエッチング処理の後、残っているフォトレジスト(エッチングされる基板上に沈着された有機コーティングを含む)は、ウェットストリッピング(wet stripping)またはドライストリッピング(dry stripping)法(一般的に、アッシング(ashing)と呼ばれる)により除去される。引き続いて、残っている任意の残余の有機または無機の汚染物(一般に、サイドウォールポリマー(sidewall polymer)(SWP)と呼ばれる)を除去することが必要である。このSWPは、代表的に、エッチングの後の残留物およびアッシングの後の残留物(例えば、ポリマー、塩、金属汚染物および粒子)からなる。金属回路を腐食することも、金属回路を溶解することも、金属回路の抵抗を増加させることもなく、かつウェーハ表面上の曝露された基板を化学的に変化させることもなしに、SWPを除去する、改良された洗浄組成物を開発することが望ましい。
【0003】
これらの残留物を除去するために現在用いられているアミン溶媒は、銅基板を腐食し、そして意図したデバイスの劣化または故障を引き起こす。従って、これらの組成物が、種々の型の残留物を、デバイスを劣化も破壊もすることなく、銅基板および誘電体から除去するために使用され得るような、腐食防止剤を含む溶液を提供することが望ましい。
【0004】
Sizenskyに対する米国特許第4,617,251号は、選抜きのアミンおよび有機極性溶媒を用いて調製される洗浄組成物を開示する。この組成物は、約2重量%〜約98重量%のアミン化合物および約98〜2重量%の有機極性溶媒を利用して形成される。
【0005】
Wardに対する米国特許第4,770,713号は、アルキルアミンおよびアルカノールアミンを含む洗浄組成物を開示する。
【0006】
Wardに対する米国特許第5,419,779号は、約62重量%のモノエタノールアミン、約19重量%のヒドロキシルアミン、没食子酸および没食子酸エステルを含む腐食防止剤、ならびに水からなる組成物を塗布することにより、基板から有機コーティングを除去するためのプロセスを開示する。
【0007】
Petersらに対する米国特許第5,997,658号は、水、アルカノールアミン、ならびにベンゾトリアゾール、没食子酸および没食子酸エステルの1つである腐食防止剤を含む、洗浄組成物を開示する。
【0008】
Wardに対する米国特許第5,597,420号は、本質的に、モノエタノールアミンおよび水、ならびに腐食防止剤からなる、ヒドロキシルアミン化合物を含まない洗浄組成物を開示する。好ましい防止剤としては、没食子酸およびそのエステルが挙げられる。
【0009】
Schwartzkopfらに対する欧州特許番号0647884A1は、金属腐食を減少させるための還元剤を含むフォトレジストストリッパーを開示する。この特許は、とりわけ、アルカリ含有構成要素における金属腐食の制御のための、アスコルビン酸、没食子酸、ピロガロールの使用を教示する。
【0010】
Satohらに対する米国特許第5,143,648号は、酸化防止剤として、新規のアスコルビン酸誘導体を開示する。
【0011】
Toriiらに対する米国特許第5,972,862号は、第四級アンモニウム塩、水溶性有機溶媒もしくは水混和性有機溶媒、無機酸もしくは有機酸、および界面活性剤を有する、フッ素含有化合物の使用を開示する。
【0012】
Griegerらに対する米国特許第6,044,851号は、フッ化第四級アンモニウム、水溶性有機溶媒もしくは水混和性有機溶媒、および界面活性剤を有する、フッ素含有化合物の使用を開示する。
【0013】
さらに、これまでに利用可能な洗浄組成物は、特定の残留物を除去するために、過度に長い滞留時間、または繰返しの塗布を必要とする。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0014】
(発明の要旨)
従来の洗浄組成物において見られる、(特に銅の)腐食または基板攻撃の不利益または欠点を、排除するかまたは実質的に減少させる適切な水性洗浄組成物を発見した。
【0015】
従来の組成物が、多くの欠点を有することを考慮して、本発明に従う洗浄組成物は、水混和性かつ生分解性である。本発明に従う洗浄組成物は、実質的に不燃性、非腐食性であり、蒸発する傾向が(あるとしても)比較的低いことを証明し、そして一般に不活性である。
【0016】
本発明に従う組成物は、残留物を除去するのみならず、特に、従来の洗浄組成物で一般に必要とされる温度よりも、より低い温度において、高い程度の効果を有する。
【0017】
本発明に従う組成物は、基板、特に、銅、誘電体、またはシリコンを含有するもの、に対する腐食効果を実質的に示さない。
【0018】
さらに、本発明に従う洗浄組成物は、望ましくない塩素化成分またはフェノール類成分(例えば、没食子酸、ピロガロール、およびカテコール)が無いか、または熱い高腐食性成分の使用を必要とせず、特に、洗浄組成物およびその使用が、半導体の製造および使用を監視する管理機関により望ましくないと判断されない場合、半導体製造に歓迎される。
【0019】
本発明に従う殆どの組成物は、残留物の完全な除去を提供するが、このような結果は、サイドウォール有機金属残留物およびサイドウォール金属酸化物残留物の除去のための個々の成分を用いて、銅基板の実質的な腐食なしに常に得られるとは限らない。本発明に従う組成物は、フェノール型防止剤に関連するエージング問題を克服する組成物の成分またはプロセスを有する。
【0020】
従って、本発明の1つの局面では、約4〜14重量%のモノエタノールアミン、約2〜6.0重量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、0.3から3.5重量%のフッ化物イオン、有効量のアスコルビン酸である腐食防止剤;バランスの脱イオン水を含む洗浄組成物である。
【0021】
別の局面において本発明は、フィルムまたは残留物として、有機物、金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物、および/またはこれらの錯体もしくは組み合わせを有する、半導体デバイスを洗浄する方法であって、この方法は、以下の工程を包含する:半導体デバイスと、4〜14重量%のモノエタノールアミン、約0.2〜6重量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、約0.3〜3.5重量%のフッ化物イオン、有効量のアスコルビン酸腐食防止剤、バランスの水を含む洗浄組成物とを、25℃と50℃との間の温度にて、5分と60分との間の時間で接触させる工程、脱イオン水中で半導体デバイスを洗浄する工程、および半導体デバイスを乾燥する工程。
【0022】
(好ましい実施形態の詳細な説明)
本発明に従って、水、有機アミン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、非金属性質のフッ化物を含有する塩、および界面活性剤からなる洗浄組成物は、これらと、有効量の腐食防止剤(アスコルビン酸またはその誘導体の1つである)を混合することにより有意に改良される。
【0023】
防止剤の好ましい量は、約0.5〜10重量%である。
【0024】
好ましい有機アミンは、アルカノールアミンであり、そして最も好ましくは、モノエタノールアミン(MEA)である。アミンの好ましい量は、約4〜14重量%である。
【0025】
好ましいテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの好ましい量は、約2〜6重量%である。
【0026】
必要に応じて、非イオン界面活性剤を、表面張力の低下を亢進する量で添加して、残留物の除去を補助し得る。
【0027】
好ましいフッ化物を含む塩は、テトラアルキルアンモニウムフルオリド、アンモニウムフルオリド、フッ化水素アンモニウム、最も好ましくは、テトラメチルアンモニウムフルオリド(TMAF)である。フッ化物濃度の好ましい量は、フッ化物として0.3〜3.5重量%である。
【0028】
処方物のバランス(balance)は、水、好ましくは、脱イオン水である。水の好ましい量は、約65〜90重量%である。
【0029】
本発明の新規の洗浄組成物は、低い温度で、相乗的に増大した腐食防止作用および洗浄能力、防止剤が存在しない場合、個々の成分または他の洗浄組成物と組み合わせての使用では可能ではない特性を示す。
【0030】
本発明の洗浄組成物は、有効な洗浄作用ならびに優れた銅腐食保護、および誘電体(例えば、TEOS(テトラエチルオルトシリケート)(商品名SiLK Dow Chemicalの下で販売されるDow Chemical Companyの誘電性組成物))、またはBPSG(ホウ酸添加リン酸ケイ酸ガラス))のほとんどないか、または全くない攻撃を提供する。
【0031】
本発明の水性洗浄組成物は、約2.5〜6%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、約0.3〜3.5重量%のフッ化物イオン、約0.5〜10重量%の腐食防止剤(好ましくは、アスコルビン酸)、バランスの水と組合わせた、約4〜14重量%のモノエタノールアミンからなる。好ましい組成物は、1〜5重量%のアスコルビン酸を使用する。必要に応じて、非イオン性界面活性剤をまた用いて、残留物の除去を補助する。
【0032】
本発明の洗浄組成物は、とりわけ、以下の、多数の理由により、特に有用かつ有利である:
(1) 広範な種々のコーティングおよび基板について、低い温度でのより高い洗浄効果
(2) 集積回路の製造に用いられるプラズマ処理からの、フォトレジスト残留物の除去
(3) 室温で成分を単に混合することによる、調製の容易さ。
【0033】
本発明の方法は、フィルムまたは残留物(すなわち、サイドウォールポリマー(SWP))として、有機ポリマーもしくは金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物、またはこれらの錯体もしくは組み合わせを含む基板を、記載したストリッピング組成物と接触させ、次いで、基板を洗浄および乾燥することにより実行される。実際の条件(すなわち、温度、時間など)は、除去されるべき錯体(フォトレジスト残留物および/またはサイドウォールポリマー)物質の性質および厚さ、ならびに当業者に公知の他の因子に依存する。一般に、フォトレジスト洗浄について、このフォトレジストは、25〜50℃の間の温度で、代表的には、約5〜60分の時間、洗浄組成物を含む容器に接触されるか、またはコーティングされたデバイスは、洗浄組成物を含む容器に浸漬され、水で洗浄され、次いで、不活性ガスで乾燥されるか、または「遠心脱水される(spin dried)」。
【0034】
有機ポリマー材料の例としては、フォトレジスト、電子ビームレジスト、X線レジスト、イオンビームレジストなどが挙げられる。有機ポリマー材料の特定の例としては、フェノールホルムアルデヒド型樹脂またはポリ(p−ビニルフェノール)を含むポジティブレジスト(positive resist)、ポリメチルメタクリレート含有レジストなどが挙げられる。プラズマ処理残留物(サイドウォールポリマー)の例としては、とりわけ、以下が挙げられる:金属−有機錯体および/または無機塩、酸化物、水酸化物あるいは錯体、これらは、単独か、またはフォトレジストの有機ポリマー樹脂との組み合わせのいずれかで、フィルムまたは残留物を形成する。有機材料および/またはSWPは、当業者に公知の従来の基板(シリコン、二酸化ケイ素、フルオロケイ酸塩ガラス(FSG)、ホウ酸添加リン酸ケイ酸ガラス(BPSG)、銅、銅、タングステン、金属窒化物など)から除去され得る。
【0035】
本発明の洗浄組成物の有効性および予期しない性質は、以下の実施例に提示されるデータにより例示されるが、これによって限定されない。特に指定しない限り、全ての部およびパーセンテージは、重量である。
【実施例】
【0036】
(実施例1)
洗浄効力および腐食防止を実証するために、異なるレベルのフッ化物を、洗浄組成物中で使用した。以下の処方物を調製し、そして二重ダマスク模様銅処理ウェーハおよび部分平坦化電気化学的堆積銅ウェーハの腐食保護について試験した。時間および温度は、それぞれ、10分および50℃であった。
【0037】
【表1】
表1のデータは、示されるフッ化物のレベルの全てにおいて、この組成物が、パターン化されたウェーハを洗浄すること、および銅表面にほとんど変化がないことを示す。処理無しのコントロールとして同定されるわずかに機械的に平坦化された、電気化学的に堆積された(ECD)ウェーハ表面と、表1の処方物Bで22℃、10分間処理された類似のウェーハとの原子間力顕微鏡AFM走査の比較が、図1に示される。図1は、本発明に従って処理されたウェーハが、わずかな表面粗さを有することを示す。
【0038】
(実施例2)
本発明に従う組成物の洗浄効力を実証するために、溶液の効力に対する構成物の組合せの効果を決定するために試験を行った。二重ダマスク模様銅構築物ウェーハ(アッシュエッチング後残留物(post ash etch residue)を含む)を、ビーカー中で、50℃、5分間、低速度で混合しながら、本発明に従う洗浄処方物中に浸した。次いで、ウェーハを、洗浄効力について、走査電子顕微鏡(SEM)画像を用いて評価した。
【0039】
【表2】
表2のデータは、界面活性剤を除いて、この混合物の全ての成分を有するOとして同定される組成物のみが、適切な洗浄を与えたという、驚くべき結果を示す。
【0040】
(実施例3)
異なる誘電基板との本発明の組成物の適合性を実証するために、種々のウェーハを処理した。洗浄組成物(表3に示される処方物を有する)を調製し、そしてBPSG作製された誘電堆積物、TEOS作製された誘電堆積物、およびSiLK作製された誘電堆積物を有するウェーハで試験した。時間および温度は、それぞれ、60分および25℃であった。
【0041】
【表3】
表3のデータは、驚くべき結果、すなわち、表面に対する攻撃がなかったことを明らかに示す。フッ化物含有洗浄組成物は、一般的に、シリコン含有材料を攻撃する。
【0042】
(実施例4)
異なるレベルの成分に伴う洗浄能力の効力を実証するために、表4に要約される一連の処方物を調製した。アッシュエッチング後残留物を含む二重ダマスク模様ウェーハを、これらの洗浄処方物中に浸し、ビーカー中で、50℃、5分間、低速度で混合して処理した。次いで、ウェーハを、洗浄効力および表面損傷について、走査電子顕微鏡(SEM)画像を用いて評価した。
【0043】
【表4】
表4から、処方物E、F、I、KおよびLが、基板表面の腐食の視覚的な徴候なしにウェーハを洗浄するが、G、H、J、MおよびNは、基板表面を洗浄せず、そして溶液Nは、基板表面を視覚的に攻撃したことに、注目するべきである。図2は、未処理ウェーハおよび表4の溶液K中での処理後のウェーハのSEM画像の比較である。
【0044】
従って、本発明の目的;低温での残留物、ポリマーおよび汚染物の除去に効果的な製造半導体デバイスに使用される非腐食性洗浄組成物を提供することは、本明細書中に開示される組成物を用いて達成される。
【0045】
本発明の組成物は、無視し得るシリコンエッチング速度を示す洗浄組成物を提供する。
【0046】
さらに、本発明の組成物は、カテコール、ピロガロール、没食子酸またはそのエステル単独またはその組合せよりも、高価ではなく、腐食防止剤としてより効果的である防止剤を提供する。
【0047】
本発明の別の目的;金属イオンの再堆積を引き起こさない低温で達成され得る、コーティングされた基板を洗浄するための方法を提供することが、達成された。
【0048】
本発明者らの発明をこのように記載しているが、米国の特許証により保証されることが望まれるものは、添付の特許請求の範囲に記載され、この特許請求の範囲は、制限することなく読まれるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0049】
【図1】図1は、わずかな化学的、機械的平面化(slight chemical mechanical planarization)(CMP)を用いて電気化学的に堆積した(electrochemically deposited)(ECD)銅ウェーハと、本発明に従う洗浄組成物で処理した同一のウェーハとの原子間力顕微鏡(AFM)比較である。
【図2】図2は、未処理のダマスク文様のウェーハと、本発明に従う洗浄組成物で処理した同一のウェーハとの走査電子顕微鏡(SEM)比較画像である。
Claims (10)
- 洗浄組成物であって、該組成物が、以下:
約4〜14重量%のモノエタノールアミン、
約2〜約6.0重量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
約0.3〜3.5重量%のフッ化物イオン、
腐食防止剤であって、該腐食防止剤が、有効量のアスコルビン酸である、腐食防止剤、
バランスの脱イオン水、
を含有する、洗浄組成物。 - 請求項1に記載の洗浄組成物であって、前記アスコルビン酸が、0.5〜10重量%の量で存在する、洗浄組成物。
- 請求項2に記載の洗浄組成物であって、前記アスコルビン酸が、1〜5重量%の量で存在する、洗浄組成物。
- 請求項1に記載の洗浄組成物であって、有効量の非イオン性界面活性剤を含有する、洗浄組成物。
- 請求項1に記載の洗浄組成物であって、前記フッ化物が、該組成物中の非金属フッ化物化合物の塩のイオン化から生じる、洗浄組成物。
- 請求項5に記載の洗浄組成物であって、前記フッ化物イオンが、アンモニウムビフルオリド、アンモニウムフルオリド、基(R)4NFのテトラアルキルアンモニウムフルオリドのうちの1つまたはこれらの混合物から生成され、ここで、Rが、C1〜C5を有するアルカンであり得る、洗浄組成物。
- 請求項1に記載の洗浄組成物であって、前記フッ化物イオンが、該組成物中のフッ化水素酸を使用することによって提供される、洗浄組成物。
- 半導体デバイスを洗浄する方法であって、該半導体デバイスが、有機物、金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物、および/または錯体あるいはこれらの混合物を、フィルムまたは残留物として有し、該方法が、以下の工程:
該半導体デバイスを、洗浄組成物と、25℃と50℃との間の温度で、5分と60分との間の時間の間、接触させる工程であって、該洗浄組成物が、約4〜14重量%のモノエタノールアミン、約0.2〜約6.0重量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、約0.3〜3.5重量%のフッ化物イオン、有効量のアスコルビン酸腐食防止剤、バランスの水を含有する、工程;
該半導体デバイスを脱イオン水で洗浄する工程;ならびに
該半導体デバイスを乾燥する工程、
を包含する、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、前記洗浄組成物中に、0.5〜10重量%のアスコルビン酸を含む工程を包含する、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記洗浄組成物中に、1〜5重量%のアスコルビン酸を含む工程を包含する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/839,475 US6627587B2 (en) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | Cleaning compositions |
PCT/US2002/011739 WO2002086045A1 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-12 | Cleaning compositions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005507436A true JP2005507436A (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=25279816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002583561A Withdrawn JP2005507436A (ja) | 2001-04-19 | 2002-04-12 | 洗浄組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6627587B2 (ja) |
EP (1) | EP1381663B1 (ja) |
JP (1) | JP2005507436A (ja) |
KR (1) | KR20040022422A (ja) |
CN (1) | CN1503838A (ja) |
AT (1) | ATE329997T1 (ja) |
DE (1) | DE60212366T2 (ja) |
WO (1) | WO2002086045A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009227792A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコーンレンズ成型用金型洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
JP2012505293A (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-01 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ, インコーポレイテッド | 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物 |
JP2016138282A (ja) * | 2007-05-17 | 2016-08-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | Cmp後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤 |
JP2019112498A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離洗浄方法 |
WO2022025161A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液、並びに該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法およびシリコン基板の処理方法 |
Families Citing this family (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
US20030022800A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-30 | Peters Darryl W. | Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners |
MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
MY131912A (en) * | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
US20030171239A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-09-11 | Patel Bakul P. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
JP4252758B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2009-04-08 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣除去液組成物 |
KR20050017142A (ko) * | 2003-08-08 | 2005-02-22 | 삼성전자주식회사 | 린스 용액 및 이를 이용한 반도체 소자 세정 방법 |
KR100651366B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2006-11-28 | 삼성전기주식회사 | 세정력과 폴리이미드면 접착력을 지닌 브라운 옥사이드전처리제 조성물 및 브라운 옥사이드 공정을 통한폴리이미드면 접착력 향상 방법 |
US7192910B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-03-20 | Sachem, Inc. | Cleaning solutions and etchants and methods for using same |
US7276402B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
EP1715510B2 (en) * | 2004-02-09 | 2016-02-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Substrate cleaning liquid for semiconductor device and cleaning method |
US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
DE602005000732T2 (de) * | 2004-06-25 | 2007-12-06 | Jsr Corp. | Reinigungszusammensetzung für Halbleiterkomponente und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergeräts |
US7819981B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for cleaning ion implanter components |
US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
WO2006081406A1 (en) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
KR101324497B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2013-11-01 | 로버트 제이 스몰 | 반도체 세정 방법 |
US7923424B2 (en) | 2005-02-14 | 2011-04-12 | Advanced Process Technologies, Llc | Semiconductor cleaning using superacids |
US7365045B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-04-29 | Advanced Tehnology Materials, Inc. | Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide |
CN102981377B (zh) * | 2005-06-07 | 2014-11-12 | 高级技术材料公司 | 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物 |
KR20080015027A (ko) * | 2005-06-13 | 2008-02-15 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 금속 규화물 형성 후 금속 또는 금속 합금의 선택적인제거를 위한 조성물 및 방법 |
CN101421386B (zh) * | 2005-10-13 | 2011-08-10 | 高级技术材料公司 | 金属相容的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层去除组合物 |
US8772214B2 (en) * | 2005-10-14 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same |
EP1946358A4 (en) * | 2005-11-09 | 2009-03-04 | Advanced Tech Materials | COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH LOW DIELECTRICITY CONSTANT MATERIALS |
US7534753B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
TW200734448A (en) * | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
US20070225186A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-09-27 | Matthew Fisher | Alkaline solutions for post CMP cleaning processes |
US20070232511A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Matthew Fisher | Cleaning solutions including preservative compounds for post CMP cleaning processes |
CN101473073B (zh) * | 2006-04-26 | 2012-08-08 | 高级技术材料公司 | 半导体加工***的清洁 |
CN102083313A (zh) * | 2006-07-11 | 2011-06-01 | 拜奥科特企业有限公司 | 用于减少或防止微生物在水环境中生长或存活的组合物和方法 |
US8685909B2 (en) * | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
US20080076688A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Barnes Jeffrey A | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
WO2008039730A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application |
US20080142039A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Removal of nitride deposits |
US20100112728A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
US8968583B2 (en) * | 2007-07-25 | 2015-03-03 | International Business Machines Corporation | Cleaning process for microelectronic dielectric and metal structures |
US8084406B2 (en) * | 2007-12-14 | 2011-12-27 | Lam Research Corporation | Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media |
KR20110005683A (ko) | 2008-02-11 | 2011-01-18 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 반도체 가공 시스템에서의 이온 공급원 세정법 |
JP2008205490A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-09-04 | Nec Corp | デバイス基板用の洗浄組成物及び該洗浄組成物を用いた洗浄方法並びに洗浄装置 |
US20100018550A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Cleaning compositions with very low dielectric etch rates |
WO2010048139A2 (en) | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper cleaning and protection formulations |
US20100178887A1 (en) | 2009-01-13 | 2010-07-15 | Millam Michael J | Blast shield for use in wireless transmission system |
US8765653B2 (en) | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
US8110535B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-02-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same |
US8101561B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
SG182789A1 (en) | 2010-01-29 | 2012-09-27 | Advanced Tech Materials | Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring |
JP2013521646A (ja) * | 2010-03-05 | 2013-06-10 | ラム リサーチ コーポレーション | ダマシン処理によるサイドウォールポリマー用の洗浄溶液 |
SG189292A1 (en) | 2010-10-06 | 2013-05-31 | Advanced Tech Materials | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
JP5933950B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
KR102105381B1 (ko) | 2012-02-15 | 2020-04-29 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 조성물을 이용한 cmp-후 제거 방법 및 그의 이용 방법 |
CN104487900B (zh) | 2012-05-18 | 2019-07-23 | 恩特格里斯公司 | 用于从包括氮化钛的表面剥离光致抗蚀剂的组合物和方法 |
US9765288B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-09-19 | Entegris, Inc. | Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same |
US20150315712A1 (en) * | 2012-12-13 | 2015-11-05 | Parker-Hannifin Corporation | Cleaning composition for metal articles |
TWI655273B (zh) | 2013-03-04 | 2019-04-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 選擇性蝕刻氮化鈦之組成物及方法 |
US20160122696A1 (en) * | 2013-05-17 | 2016-05-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for removing ceria particles from a surface |
CN105683336A (zh) | 2013-06-06 | 2016-06-15 | 高级技术材料公司 | 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法 |
CN112442374A (zh) | 2013-07-31 | 2021-03-05 | 恩特格里斯公司 | 用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂 |
CN103441129A (zh) * | 2013-08-23 | 2013-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
US9735177B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, method for manufacturing the same and display device |
KR102340516B1 (ko) | 2013-08-30 | 2021-12-21 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 티타늄 니트라이드를 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법 |
CN105873691B (zh) | 2013-12-06 | 2018-04-20 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 用于去除表面上的残余物的清洗调配物 |
WO2015095175A1 (en) | 2013-12-16 | 2015-06-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same |
US20160322232A1 (en) | 2013-12-20 | 2016-11-03 | Entegris, Inc. | Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist |
WO2015103146A1 (en) | 2013-12-31 | 2015-07-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations to selectively etch silicon and germanium |
US20160340620A1 (en) | 2014-01-29 | 2016-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical mechanical polishing formulations and method of use |
US11127587B2 (en) | 2014-02-05 | 2021-09-21 | Entegris, Inc. | Non-amine post-CMP compositions and method of use |
CN104031771A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-09-10 | 滁州斯迈特复合材料有限公司 | 胃镜清洁剂 |
TWI649454B (zh) * | 2017-11-10 | 2019-02-01 | 關東鑫林科技股份有限公司 | 蝕刻液組成物及使用該蝕刻液組成物之蝕刻方法 |
US10761423B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical composition for tri-layer removal |
US10752867B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-08-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning compositions |
CN114318353B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-12-05 | 广东红日星实业有限公司 | 一种除灰剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617251A (en) | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
US4770713A (en) | 1986-12-10 | 1988-09-13 | Advanced Chemical Technologies, Inc. | Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof |
US5143648A (en) | 1989-07-20 | 1992-09-01 | Nippon Hypox Laboratories Incorporated | Ascorbic acid derivative and use as antioxidant |
US5981454A (en) | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
US6326130B1 (en) | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
US5419779A (en) | 1993-12-02 | 1995-05-30 | Ashland Inc. | Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine |
US5597420A (en) | 1995-01-17 | 1997-01-28 | Ashland Inc. | Stripping composition having monoethanolamine |
CN1096703C (zh) | 1995-11-15 | 2002-12-18 | 大金工业株式会社 | 晶片处理液及其制造方法 |
JPH1055993A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
US5855811A (en) | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
WO1998030667A1 (en) | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Semiconductor wafer cleaning composition and method with aqueous ammonium fluoride and amine |
US5997658A (en) | 1998-01-09 | 1999-12-07 | Ashland Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
US6453914B2 (en) * | 1999-06-29 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
US6492308B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6194366B1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6723691B2 (en) * | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6486108B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
US6645930B1 (en) * | 2000-07-10 | 2003-11-11 | Ekc Technology, Inc. | Clean room wipes for neutralizing caustic chemicals |
US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
-
2001
- 2001-04-19 US US09/839,475 patent/US6627587B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-12 DE DE60212366T patent/DE60212366T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-12 CN CNA028084098A patent/CN1503838A/zh active Pending
- 2002-04-12 JP JP2002583561A patent/JP2005507436A/ja not_active Withdrawn
- 2002-04-12 WO PCT/US2002/011739 patent/WO2002086045A1/en active IP Right Grant
- 2002-04-12 AT AT02723854T patent/ATE329997T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-04-12 KR KR10-2003-7013654A patent/KR20040022422A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-04-12 EP EP02723854A patent/EP1381663B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-16 US US10/414,898 patent/US6851432B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016138282A (ja) * | 2007-05-17 | 2016-08-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | Cmp後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤 |
JP2009227792A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコーンレンズ成型用金型洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
JP2012505293A (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-01 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ, インコーポレイテッド | 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物 |
JP2019112498A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離洗浄方法 |
WO2022025161A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液、並びに該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法およびシリコン基板の処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040022422A (ko) | 2004-03-12 |
CN1503838A (zh) | 2004-06-09 |
US6627587B2 (en) | 2003-09-30 |
WO2002086045A1 (en) | 2002-10-31 |
US20030017962A1 (en) | 2003-01-23 |
DE60212366T2 (de) | 2006-10-12 |
US6851432B2 (en) | 2005-02-08 |
EP1381663A1 (en) | 2004-01-21 |
EP1381663B1 (en) | 2006-06-14 |
ATE329997T1 (de) | 2006-07-15 |
DE60212366D1 (de) | 2006-07-27 |
US20030207777A1 (en) | 2003-11-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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