JP2005347757A - かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】かすめ入射ミラーはミラー基質およびミラー表面層を含み、ミラー表面層は第一層および第二層を含み、第一層はミラー基質と第二層との間に位置決めされる。第一層は、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含み、第二層は、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含む。このようなかすめ入射ミラーは、リソグラフィ装置に、およびデバイス製造方法で使用することができ、Ruに基づく最新技術のかすめ入射ミラーより大きい反射率を提供する。
【選択図】図1
Description
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止状態に保たれている。そして、投影ビームに与えたパターン全体が1回の作動(すなわち1回の静止露光)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査する一方、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の非走査方向における幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の走査方向における高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (49)
- かすめ入射ミラーであって、
ミラー基質と、
ミラー表面層とを含み、ミラー表面層は第一層および第二層を有し、第一層はミラー基質と第二層との間に位置決めされ、第一層が、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を有し、第二層が、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせのグループから選択した材料を有するかすめ入射ミラー。 - 第一層が少なくとも約5nmの厚さを有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- 第一層が約10〜100nmの厚さを有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- ミラー基質が第一層を有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- 第二層が0より大きく、約10nm以下の厚さを有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- 第二層が約0.1〜5nmの層厚さを有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- 第二層が約0.5〜3nmの層厚さを有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- 第二層がB4Cを有する、請求項1に記載のかすめ入射ミラー。
- かすめ入射ミラーを有するリソグラフィ装置であって、かすめ入射ミラーがミラー基質およびミラー表面層を有し、ミラー表面層が第一層および第二層を有し、第一層が、ミラー基質と第二層との間に位置決めされ、第一層が、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を有し、第二層が、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせのグループから選択した材料を有するリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置であって、
放射線のビームを供給するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを含み、パターニングデバイスは、ビームの断面にパターンを与えるように構成され、さらに、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成したビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
かすめ入射ミラーとを含み、かすめ入射ミラーがミラー基質およびミラー表面層を含み、ミラー表面層が第一層および第二層を含み、第一層がミラー基質と第二層の間に位置決めされ、第一層が、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含み、第二層が、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含むリソグラフィ装置。 - さらに、
集光ミラーを有し、集光ミラーがかすめ入射ミラーを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。 - 照明システムがかすめ入射ミラーを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 第一層が少なくとも約5nmの厚さを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 第一層が約10〜100nmの厚さを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- ミラー基質が第一層を有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 第二層が0nmより大きく、約10nm以下の厚さを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 第二層が約0.1〜5nmの厚さを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 第二層が約0.5〜3nmの厚さを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 第二層がB4Cを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- かすめ入射ミラーを提供する方法であって、
ミラー基質を提供することと、
ミラー基質上に第一層を提供することとを含み、第一層は、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を有し、さらに、
第一層上に第二層を提供することを含み、第二層は、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせから選択した材料を有する方法。 - 第一および第二層が、電子ビーム蒸着、化学蒸着またはスパッタリングから選択した方法によって提供される、請求項20に記載の方法。
- ミラー基質が第一層を有する、請求項20に記載の方法。
- デバイス製造方法であって、
パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
かすめ入射ミラーを提供することとを含み、かすめ入射ミラーはミラー基質およびミラー表面層を有し、ミラー表面層が第一層および第二層を含み、第一層がミラー基質と第二層の間に位置決めされ、第一層が、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含み、第二層が、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含む方法。 - さらに、
放射線システムを提供することと、
放射線システム内に集光ミラーを提供することとを含み、集光ミラーがかすめ入射ミラーを有する、請求項23に記載の方法。 - 放射線システムが照明システムを有し、照明システムがかすめ入射ミラーを有する、請求項24に記載の方法。
- ミラー基質が第一層を有する、請求項23に記載の方法。
- 第一層が少なくとも約5nmの厚さを有する、請求項23に記載の方法。
- 第一層が約10〜100nmの厚さを有する、請求項23に記載の方法。
- 第二層が0nmより大きく、約10nm以下の厚さを有する、請求項23に記載の方法。
- 第二層が約0.1〜5nmの厚さを有する、請求項23に記載の方法。
- 第二層が約0.5〜3nmの厚さを有する、請求項23に記載の方法。
- 第二層がB4Cを有する、請求項23に記載の方法。
- 放射線のビームが提供され、かすめ入射角度を有するかすめ入射ミラーで反射し、入射角が0°より大きいが約21°以下である、請求項23に記載の方法。
- 第一層がMoを有する、請求項33に記載の方法。
- 放射線のビームが提供され、かすめ入射角度を有するかすめ入射ミラーで反射し、入射角が0°より大きいが、17°以下である、請求項23に記載の方法。
- 第一層がNbを有する、請求項35に記載の方法。
- かすめ入射ミラーのEUV反射を強化する方法であって、
少なくとも1つのかすめ入射ミラーを提供することを含み、かすめ入射ミラーはミラー基質およびミラー表面層を有し、ミラー表面層が第一層および第二層を含み、第一層がミラー基質と第二層の間に位置決めされ、第一層が、Mo、Nbおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含み、第二層が、B、C、B4C、SiCおよびその組み合わせのグループから選択した材料を含む方法。 - ミラー基質が第一層を有する、請求項37に記載の方法。
- 第一層が少なくとも約5nmの厚さを有する、請求項37に記載の方法。
- 第一層が約10〜100nmの厚さを有する、請求項37に記載の方法。
- 第二層が0nmより大きく、約10nm以下の厚さを有する、請求項37に記載の方法。
- 第二層が約0.1〜5nmの厚さを有する、請求項37に記載の方法。
- 第二層が約0.5〜3nmの厚さを有する、請求項37に記載の方法。
- 第二層がB4Cを有する、請求項37に記載の方法。
- 放射線のビームが提供され、かすめ入射角度を有するかすめ入射ミラーで反射し、入射角が0°より大きいが約21°以下である、請求項37に記載の方法。
- 第一層がMoを有する、請求項45に記載の方法。
- 放射線のビームが提供され、かすめ入射角度を有するかすめ入射ミラーで反射し、入射角が0°より大きいが、17°以下である、請求項37に記載の方法。
- 第一層がNbを有する、請求項47に記載の方法。
- 請求項23により製造されたデバイス。
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