KR101694283B1 - 다층 거울 및 리소그래피 장치 - Google Patents
다층 거울 및 리소그래피 장치 Download PDFInfo
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Abstract
다층 거울(1)은 2 내지 8 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된다. 다층 거울은 교번 층들(4, 6)을 갖고, 상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 층들은, U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, La 및 B4C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, C 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층(7)에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리된다.
Description
본 발명은 다층 거울, 및 이러한 다층 거울을 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들의 제조 시 핵심 단계들 중 하나로서 널리 인식되어 있다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 만들어진 피처(feature)들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 더욱 결정적인 인자가 되고 있다.
리소그래피 장치는 통상적으로 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 패터닝 디바이스, 주로 레티클 또는 마스크를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있어, 패터닝된 방사선 빔을 형성함 - ; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및 상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추정은 수학식 (1)로 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
여기서, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NAPS는 패턴을 프린트하는데 사용된 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 (1)에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축시킴으로써, 개구수 NAPS를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축시키고, 이에 따라 프린트가능한 최소 피치를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선 소스들은 약 13.5 nm의 방사선 파장을 출력하도록 구성된다. 따라서, EUV 방사선 소스들은 작은 피처들의 프린팅을 달성하는데 상당히 기여할 수 있다. 이러한 방사선은 극자외선 또는 소프트(soft) x-레이라 칭하며, 가능한 소스들로는 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스들, 방전 플라즈마 소스들, 또는 전자 저장 링들로부터의 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 포함한다.
조명 시스템과 투영 시스템 둘 모두는 패터닝 디바이스 및 기판 상의 원하는 위치들에 각각 방사선을 포커스하기 위해 복수의 광학 요소들을 포함하는 것이 바람직하다. 불행하게도, 저밀도에서의 몇몇 가스들을 제외하고는, EUV 방사선에 대해 투과성인(transmissive) 물질들이 알려져 있지 않다. 그러므로, EUV 방사선을 이용하는 리소그래피 장치는 그 조명 시스템 및 투영 시스템 내에 렌즈들을 채택하지 않는다. 대신, 조명 시스템 및 투영 시스템은 거울들을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같은 이유로, 패터닝 디바이스는 반사 디바이스, 즉 반사면 상에 흡수 물질에 의해 형성된 패턴이 제공되는 반사면을 갖는 거울인 것이 바람직하다.
약 6.9 nm의 파장을 갖는 EUV 방사선을 반사시키기 위해, La, U 또는 Th와 같은 금속, 및 B, 또는 B4C 또는 B9C와 같은 B 화합물로 된 교번 층(alternating layer)들을 갖는 다층 거울들이 제안되었다. 이러한 다층 거울은 브래그 법칙(Bragg's Law)에 따라 EUV 방사선을 반사시킨다. 하지만, 예를 들어 La과 B 층 또는 B 화합물 층의 화학 작용은 층간 확산(interlayer diffusion)을 야기한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 약 6.4 nm 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는, 바람직하게는 6.4 nm 내지 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 거울이 제공된다. 다층 거울은 교번 층들을 갖는다. 상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 층들은, La 및 B4C 층들, U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, 및 U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, C 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, 및 La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층(interlayer)에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리된다. 바람직하게, 복수의 층들의 층들 각각은 내부층에 의해 각각 제 2 층들로부터 분리된다. 상기 내부층은 Sn 층 Mo 층, 및 Cr 층으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
상기 제 1 층은 UF3, UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, UO, UO2, UO3, U3O8, U2O5, U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3, 및 U3N2로 구성된 그룹으로부터 1 이상을 포함하는 U 화합물 층일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 제 1 층은 ThF3, ThF4, ThCl4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2, ThO2, ThSe2, 및 ThN으로 구성된 그룹으로부터 1 이상을 포함하는 Th 화합물 층일 수 있다. 또 다른 가능성은, 상기 제 1 층이 LaH2, LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe, 및 LaTe로 구성된 그룹으로부터 1 이상을 포함하는 La 화합물 층일 수 있는 것이다.
통상적으로, 거울은 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템 내에 구성될 수 있거나, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템 내에 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 투영 시스템 및/또는 조명 시스템은 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있어, 패터닝된 방사선 빔을 형성함 - , 및 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블을 더 포함하는 리소그래피 장치 내에 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템이 제공된다. 상기 투영 시스템은 6.2 내지 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 교번 층들을 갖는다. 상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 층들은 U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리된다. 바람직하게, 복수의 층들의 층들 각각은 내부층에 의해 각각 제 2 층들로부터 분리된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템이 제공된다. 상기 투영 시스템은 약 6.4 nm 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 Ru, Rh, Ta, Ti, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 캡핑 층(capping layer)이 제공된 반사면을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템이 제공된다. 상기 조명 시스템은 약 6.4 nm 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 교번 층들을 갖는다. 상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 층들은 U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리된다. 바람직하게, 복수의 층들의 층들 각각은 내부층에 의해 각각 제 2 층들로부터 분리된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템이 제공된다. 상기 조명 시스템은 약 6.4 nm 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 Ru, Rh, Ta, Ti, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 캡핑 층이 제공된 반사면을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 투영 장치가 제공된다. 상기 리소그래피 장치는 약 6.4 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 교번 층들을 갖는다. 상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 층들은 U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리된다. 바람직하게, 복수의 층들의 층들 각각은 내부층에 의해 각각 제 2 층들로부터 분리된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 투영 장치가 제공된다. 상기 리소그래피 장치는 약 6.4 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 Ru, Rh, Ta, Ti, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 캡핑 층이 제공된 반사면을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템, 및 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있어, 패터닝된 방사선 빔을 형성한다. 또한, 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 상기 조명 시스템 및/또는 투영 시스템은 약 6.4 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 교번 층들을 갖는다. 상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 층들은 U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리된다. 바람직하게, 복수의 층들의 층들 각각은 내부층에 의해 각각 제 2 층들로부터 분리된다.
복수의 제 1 층들 중 각각의 제 1 층은 내부층에 의해 제 2 층으로부터 분리될 수 있다. 상기 내부층은 Sn 층, Mo 층, Cr 층, Sn 화합물 층, Mo 화합물 층, 및 Cr 화합물 층으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
상기 내부층은 Sn 층, Mo 층, Cr 층, Sn 화합물 층, Mo 화합물 층, 및 Cr 화합물 층으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 상기 내부층이 Sn 화합물 층인 경우, Sn 화합물은 SnF2, SnF4, SnCl2, SnCl4, SnI2, SnI4, SnO, SnO2, SnSe, SnSe2, 및 SnTe로 구성된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 내부층이 Cr 화합물 층인 경우, Cr 화합물은 CrF2, CrF3, CrF4, CrCl2, CrCl3, CrCl4, CrI2, CrI3, CrI4, CrO2, CrO3, Cr2O3, Cr3O4, CrN, CrSe, 및 Cr2Te3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 내부층이 Mo 화합물 층인 경우, Mo 화합물은 MoF3, MoF4, MoCl2, MoCl3, MoCl4, MoI2, MoI3, MoI4, MoO, MoO2, MoO3, MoSe2, MoTe2, 및 MoN으로 구성된 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다층 거울의 일 실시예에서, 제 1 층은 Th 화합물 층일 수 있으며, 상기 Th 화합물 층은 ThF3, ThF4, ThCl4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2, ThO2, ThSe2, 및 ThN으로 구성된 그룹으로부터 1 이상을 포함한다. 다층 거울의 또 다른 실시예에서, 제 1 층은 U 화합물 층일 수 있으며, 상기 U 화합물 층은 UF3, UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, UO, UO2, UO3, U3O8, U2O5, U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3, 및 U3N2로 구성된 그룹으로부터 1 이상을 포함한다. 다층 거울의 또 다른 실시예에서, 제 1 층은 La 화합물 층일 수 있으며, 상기 La 화합물 층은 LaH2, LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe, 및 LaTe로 구성된 그룹으로부터 1 이상을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템, 및 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있어, 패터닝된 방사선 빔을 형성한다. 또한, 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 상기 조명 시스템 및/또는 투영 시스템은 2 내지 약 8 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울을 포함한다. 상기 다층 거울은 Ru, Rh, Ta, Ti, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 캡핑 층이 제공된 반사면을 갖는다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 도 1의 리소그래피 투영 장치의 EUV 조명 시스템 및 투영 시스템의 개략적 측면도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울을 개략적으로 도시한 도면;
도 4a, 도 4b 및 도 4c는, 파장의 함수로서, 도 3의 다층 거울의 실시예들의 반사율(reflectance)을 나타낸 도면;
도 5는 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울의 일 실시예를 도시한 도면;
도 6은 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울의 일 실시예를 도시한 도면; 및
도 7은 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 도 1의 리소그래피 투영 장치의 EUV 조명 시스템 및 투영 시스템의 개략적 측면도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울을 개략적으로 도시한 도면;
도 4a, 도 4b 및 도 4c는, 파장의 함수로서, 도 3의 다층 거울의 실시예들의 반사율(reflectance)을 나타낸 도면;
도 5는 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울의 일 실시예를 도시한 도면;
도 6은 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울의 일 실시예를 도시한 도면; 및
도 7은 도 1의 리소그래피 장치의 다층 거울의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 하지만, 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된 광학 구성요소들은 반사 구성요소인 것이 바람직하다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 수 있다.
패터닝 디바이스는 투과형일 수 있으나, 반사형인 것이 바람직하다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
"투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 다른 인자들, 특히 진공의 사용에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄할 수 있다. EUV 또는 전자 빔 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있는데, 이는 다른 가스들이 너무 많은 방사선 또는 전자들을 흡수할 수 있기 때문이다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로, 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블들에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 본질적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 본질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 방사선 시스템(42), 조명 광학기 유닛(44) 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 도 1의 리소그래피 장치를 더 자세히 도시한다. 방사선 시스템(42)은 방전 플라즈마에 의해 형성될 수 있는 방사선 소스(SO)를 포함한다. 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 초고온 플라즈마(very hot plasma)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 EUV 방사선이 생성될 수 있다. 상기 초고온 플라즈마는, 예를 들어 전기 방전에 의해 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 유도함으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 요구될 수 있다. 방사선 소스(SO)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(47) 내의 개구부 내에 또는 그 뒤에 위치되는 가스 방벽(gas barrier) 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 49)을 통해, 소스 챔버(47)로부터 컬렉터 챔버(48) 내로 통과된다. 상기 가스 방벽(49)은 채널 구조체를 포함할 수 있다.
컬렉터 챔버(48)는 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)에 의해 형성될 수 있는 방사선 컬렉터(50)를 포함한다. 방사선 컬렉터(50)는 상류 방사선 컬렉터 측(50a) 및 하류 방사선 컬렉터 측(50b)을 갖는다. 컬렉터(50)에 의해 통과된 방사선은 컬렉터 챔버(48) 내의 어퍼처에서 가상 소스 지점(52)에 포커스되도록 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 51)로부터 반사될 수 있다. 컬렉터 챔버(48)로부터, 방사선 빔(56)은 조명 광학기 유닛(44) 내에서 수직 입사 반사기들(53 및 54)을 통해 레티클 또는 마스크 테이블(MT) 상에 위치된 레티클 또는 마스크 상으로 반사된다. 패터닝된 빔(57)이 형성되며, 이는 투영 시스템(PS)에서 반사 요소들(58 및 59)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT) 상에 이미징된다. 조명 광학기 유닛(44) 및 투영 시스템(PS) 내에는 도시된 것보다 더 많은 요소들이 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(51)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 상기 도면들에 도시된 것보다 더 많은 거울들이 존재할 수 있으며, 예를 들어 58, 59보다 1 내지 4 개 더 많은 반사 요소들이 존재할 수 있다. 방사선 컬렉터들(50)은 종래 기술에 잘 알려져 있다. 컬렉터(50)는 반사기들(142, 143 및 146)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)일 수 있다. 2 개의 반사기들 사이, 예를 들어 반사기들(142 및 143) 사이에 공간(180)이 제공된다.
도 3은 다층 거울(1)의 일 실시예를 도시한다. 상기 다층 거울(1)은 약 6.4 nm 내지 약 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된다. 상기 다층 거울은 기판(8)에 의해 지지되는 교번 층들(4, 6)을 갖는 층형 구조체(layered structure: 2)를 포함한다. 본 발명의 실시예들에서, 다층 거울은 투영 시스템 및 조명 시스템과 같은 리소그래피 장치의 다양한 부분들에 위치될 수 있다.
상기 교번 층들(4, 6)은 La 및 B4C 층들, U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, La 및 B9C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, 및 Th 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
일 실시예에서, 교번 층들(4, 6)은 U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, U 및 B 층들, Th 및 B 층들 U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, La 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, La 화합물 및 B 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 적합한 U 화합물들의 예시들은 UF3, UF4, UF5, UCI3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, UO, UO2, UO3, U3O8, U2O5, U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3, 및 U3N2이다. 적합한 Th 화합물들의 예시들은 ThF3, ThF4, ThCl4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2, ThO2, ThSe2, 및 ThN이다. 적합한 La 화합물들의 예시들은 LaH2, LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe, 및 LaTe이다.
이러한 교번 층들의 잠재적인 장점은, La 층들 대신 U 층들 또는 Th 층들이 파장뿐만 아니라 각도 둘 모두에 대해 넓은 대역폭을 제공할 것이라는 점이다. 넓은 각도 대역폭은, 6.6 nm 파장에서 EUV 리소그래피의 광학기에 유용한 다층 거울을 만드는데 있어서, 상당한(good amount) 설계 자유를 허용할 것이다. 또한, 이는 다층 거울이 포함되는 광학 시스템의 퓨필(pupil)이 세기에 대해 균질하게(homogeneously) 채워지도록 할 수 있으며, 보다 큰 개구수(NA)를 허용한다.
도 3, 도 5, 도 6, 및 도 7에서는, 제 1 층(4), 예를 들어 La 층과 제 2 층, 예를 들어 B4C 층 사이에, 상기 제 1 층(4)과 제 2 층(6) 간의 확산을 방지하도록 구성된 내부층(7)이 제공됨을 알 수 있다. 이러한 내부층은 약 0.2 nm 내지 약 1 nm 사이의 두께를 가질 수 있다. 바람직하게, 각각의 제 1 층들(4)은 이러한 내부층(7)에 의해 각각의 제 2 층들(6)로부터 분리된다.
상기 내부층(7)은 Sn 층, Mo 층, 또는 Cr 층일 수 있다. 대안적으로, 상기 내부층은 SnF2, SnF4, SnCl2, SnCl4, SnI2, SnI4, SnO, SnO2, SnSe, SnSe2, 또는 SnTe와 같은 Sn 화합물, CrF2, CrF3, CrF4, CrCl2, CrCl3, CrCl4, CrI2, CrI3, CrI4, CrO2, CrO3, Cr2O3, Cr3O4, CrN, CrSe, 또는 Cr2Te3와 같은 Cr 화합물, 또는 MoF3, MoF4, MoCl2, MoCl3, MoCl4, MoI2, MoI3, MoI4, MoO, MoO2, MoO3, MoSe2, MoTe2, 또는 MoN과 같은 Mo 화합물일 수 있다.
당업자라면, 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 또는 전자 빔 스퍼터링과 같은 증착 기술들을 이용하여, 도 3, 도 5, 도 6, 및 도 7의 다층 거울(1)의 교번 층들(4, 6) 및 내부층(7)이 제조될 수 있음을 쉽게 이해할 것이다.
도 4a는 La 및 B4C 층들인 교번 층들에 대해 파장(λ)의 함수로서 반사율(R)을 나타낸 그래프이다. 나타낸 피크의, 소위 반치폭(full width half maximum: FWHM)은 0.06 nm이다. 도 4b는 Th 및 B4C 층들(Th/B4C 층들)인 교번 층들에 대해 파장(λ)의 함수로서 반사율을 나타낸다. 여기서, FWHM은 0.09 nm이다. 도 4c는 U 및 B4C 층들(U/B4C 층들)인 교번 층들에 대해 파장(λ)의 함수로서 반사율을 나타낸다. 여기서, FWHM은 0.15 nm이다.
일 실시예에서는, Th/B4C 층들 및 U/B4C 층들 대신, 각각 Th/B9C 층들 및 U/B9C 층들, 또는 심지어는 Th/B 층들 및 U/B 층들조차도 사용될 수 있다. 증가된 B 순도는 더 양호한 반사율을 허용할 수 있음에 따라, 방사선의 흡수로 인한 전력 손실을 잠재적으로 감소시킨다.
일 실시예에서, 교번 층들은 C 및 B4C 층들, C 및 B9C 층들, 또는 C 및 B 층들일 수 있다. C는 La만큼 활성이 아니므로, 이러한 교번 층들에서는 La/B4C 층들에서와 같이 더 많은 내부층 확산이 일어날 수 없다.
제 1 층(4)의 두께와 제 2 층(6) 및 2 개의 확산방지 층(antidiffusion layer: 7)들의 두께의 합일 수 있는 주기는 3 내지 3.5 nm 범위 내에 있을 수 있다. 교번 층들은 제 1 층 또는 제 2 층의 두께의 약 1.7 내지 약 2.5 배 사이인 주기 두께를 가질 수 있다.
다층 거울(1)의 일 실시예가 도 5에 도시되어 있다. 이 실시예는 반사 레티클이다. 도 3의 다층 거울의 특징부들 이외에도, 도 5의 실시예는 그 표면 상에 패턴을 정의하도록 배치된 흡수 물질을 갖는 구조체가 제공될 수 있다. 흡수 물질로서 채택되기에 적합한 물질들은 Cr, Ti, Si, Ru, Mo, Ta, Al, 또는 이의 여하한의 조합일 수 있다.
다층 거울(1)의 다층 구조체(2)는 기계적 취약성(mechanical vulnerability)을 감소시키기 위해 기판(8)에 의해 지지될 수 있다. 또한, 도 3 및 도 5의 점선은 불특정한 개수의 반복되는 교번 층들(4, 6)을 나타냄을 유의한다. 통상적으로, 상기 거울(1)의 다층 구조체(2)는 30 내지 200 주기의 교번 층들의 수, 즉 60 내지 400 개 사이의 전체 층 수에 의해 형성된다. 더욱이, 도면들은 단지 예시로서 개략적으로 제공되며, 축척대로 된 도면(scale drawing)들이 아님을 유의해야 한다.
다층 거울(1)의 또 다른 실시예들이 도 6 및 도 7에 도시된다. 도 6의 실시예는 도 3의 실시예와 유사하다. 하지만, 도 6의 실시예에서는 층형 구조체(2)에 캡핑 층(12)이 제공된다. 상기 캡핑 층(12)은 Ru, Ta, Ti, Rh, 또는 이의 여하한의 조합을 포함할 수 있다. 이러한 캡핑 층은 화학적 침식(chemical attack)에 대항하여 다층 거울(1)의 층형 구조체를 보호하도록 적절히 배치될 수 있다. 캡핑 층의 적절한 두께는 0.5 내지 10 nm 범위 내의 어떤 값일 수 있다.
또 다른 실시예가 도 7에 도시된다. 도 7의 실시예는 도 4의 실시예와 유사하다. 하지만, 도 7의 실시예에서는 층형 구조체(2)에 캡핑 층(12)이 제공된다. 도 6을 참조하면서 언급된 것과 동일하게, 캡핑 층(12)은 Ru 및/또는 Rh를 포함할 수 있으며, 화학적 침식에 대항하여 다층 거울(1)의 층형 구조체를 보호하도록 적절히 배치될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 따른 다층 거울의 일 실시예는 내부층들을 가질 수 있음을 이해하여야 하며, 이때 내부층은 Sn 층이고, 또 다른 내부층은 Mo 층이거나, 또는 내부층은 Cr 내부층이고, 또 다른 내부층은 다른 적합한 물질을 함유한 내부층이다. 또 다른 실시예에서는, Sn 내부층, 또 다른 Mo 내부층, 및 또 다른 Cr 내부층이 제공될 수 있다. 또한, 1 이상의 내부층을 갖는 다층 거울이 제공될 수 있으며, 상기 내부층들은 Sn 합금들, Mo 합금들, 또는 Cr 합금들을 포함한다.
본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD)를 포함한 평판 디스플레이, 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
Claims (15)
- 6.4 nm 내지 7.2 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된 다층 거울에 있어서,
상기 다층 거울은 교번 층(alternating layer)들을 갖고,
상기 교번 층들은 제 1 층 및 제 2 층을 포함하며,
상기 제 1 및 제 2 층들은, U 및 B4C 층들, Th 및 B4C 층들, U 및 B9C 층들, Th 및 B9C 층들, U 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물 및 B4C 층들, Th 화합물 및 B4C 층들, U 화합물 및 B9C 층들, Th 화합물 및 B9C 층들, U 화합물 및 B 층들, 및 Th 화합물 및 B 층들로 구성된 그룹으로부터 선택되고,
상기 제 1 층들 중 적어도 하나는 상기 제 1 층들 중 적어도 하나와 제 2 층 사이에 배치된 내부층(interlayer)에 의해 상기 제 2 층으로부터 분리되는 다층 거울. - 제 1 항에 있어서,
복수의 제 1 층들 중 각각의 제 1 층은 내부층에 의해 제 2 층으로부터 분리되는 다층 거울. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 내부층은 Sn 층, Mo 층, Cr 층, Sn 화합물 층, Mo 화합물 층, 및 Cr 화합물 층으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 다층 거울. - 제 3 항에 있어서,
상기 내부층은 Sn 화합물 층이고, 상기 Sn 화합물 층은 SnF2, SnF4, SnCl2, SnCl4, SnI2, SnI4, SnO, SnO2, SnSe, SnSe2, 및 SnTe로 구성된 그룹 중 적어도 하나를 포함하는 다층 거울. - 제 3 항에 있어서,
상기 내부층은 Cr 화합물 층이고, 상기 Cr 화합물 층은 CrF2, CrF3, CrF4, CrCl2, CrCl3, CrCl4, CrI2, CrI3, CrI4, CrO2, CrO3, Cr2O3, Cr3O4, CrN, CrSe, 및 Cr2Te3으로 구성된 그룹 중 적어도 하나를 포함하는 다층 거울. - 제 3 항에 있어서,
상기 내부층은 Mo 화합물 층이고, 상기 Mo 화합물 층은 MoF3, MoF4, MoCl2, MoCl3, MoCl4, MoI2, MoI3, MoI4, MoO, MoO2, MoO3, MoSe2, MoTe2, 및 MoN으로 구성된 그룹 중 적어도 하나를 포함하는 다층 거울. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 층의 두께와 상기 제 2 층의 두께의 합은 2.2 nm 내지 3.5 nm 범위 내에 있는 다층 거울. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 내부층은 0.2 nm 내지 1.0 nm 범위 내의 두께를 갖는 다층 거울. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 교번 층들은 상기 제 1 층 또는 상기 제 2 층의 두께의 1.7 내지 2.5 배인 두께 주기를 갖는 다층 거울. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 다층 거울은 상기 방사선의 빔의 단면에 패턴을 제공하도록 구성되고 배치된 패터닝 디바이스인 다층 거울. - 제 10 항에 있어서,
상기 패터닝 디바이스는 레티클 또는 마스크인 다층 거울. - 제 11 항에 있어서,
상기 레티클 또는 마스크에는 상기 패턴을 정의하도록 배치된 흡수 물질을 갖는 구조체가 제공되고, 상기 흡수 물질은 Cr, Ta, Ti, Si, Ru, Mo, Al, 또는 이의 여하한의 조합인 다층 거울. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 다층 거울은 Ru, Rh, Ta, Ti, 또는 이의 여하한의 조합을 포함하는 캡핑 층(capping layer)이 제공되는 반사면을 갖는 다층 거울. - 패터닝 디바이스로부터 기판 상으로 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 투영 장치로서, 상기 리소그래피 투영 장치는 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 다층 거울을 포함하는 리소그래피 투영 장치.
- 제 14 항에 있어서,
방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 지지 구조체 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위하여 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있음 -;
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 더 포함하는 리소그래피 투영 장치.
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
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| ‘Multilayered mirrors based on La/B4C(B9C) for X-ray range near anomalous dipersion of boron’* |
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