JP2005332895A - 高周波用パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】パッケージの伝送特性の劣化を防止する安価な高周波用パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子を搭載するための載置部を有する基体13と、載置部を囲繞するように接合される枠体11からなり、枠体11の一側壁に穿設された取付部15にアダプター16を有すると共に、アダプター16に枠体11外側で大きい開口径となる段差部20を有する挿通孔21に同軸コネクター19がコネクター芯線支持部22の一方の端面を段差部20に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージ10において、コネクター芯線支持部22の一方の端面から突出するコネクター芯線24の一方の端部を接続するための信号線27を備えた伝送基板25が枠体11内側に露出するアダプター16表面に一側面を当接させて設けられ、信号線27の先端が一側面の稜線まで達しない引き下がり部28を有する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体素子を搭載するための載置部を有する基体13と、載置部を囲繞するように接合される枠体11からなり、枠体11の一側壁に穿設された取付部15にアダプター16を有すると共に、アダプター16に枠体11外側で大きい開口径となる段差部20を有する挿通孔21に同軸コネクター19がコネクター芯線支持部22の一方の端面を段差部20に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージ10において、コネクター芯線支持部22の一方の端面から突出するコネクター芯線24の一方の端部を接続するための信号線27を備えた伝送基板25が枠体11内側に露出するアダプター16表面に一側面を当接させて設けられ、信号線27の先端が一側面の稜線まで達しない引き下がり部28を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信用の半導体素子を収容して高周波信号を流すための高周波用パッケージに係り、より詳細には、高周波信号を流す同軸コネクターを接合して有する高周波用パッケージに関する。
大容量通信が可能となる光通信モジュールでは、パッケージに高周波信号を流すことができる形態のものが必要となる。このような高周波用パッケージには、本体がセラミック製や、金属製からなるのものが必要となる。図7(A)〜(C)を参照しながら、例えば、本体が金属製の従来の高周波用パッケージ50を説明する。ここに、図7(A)は高周波用パッケージ50の平面図、図7(B)はC−C’線拡大縦断面図、図7(C)はD−D’線拡大横断面図である。図7(A)〜(C)に示すように、高周波用パッケージ50は、基体51が放熱性に優れた金属部材で、枠体52がセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材で形成されている。基体51と枠体52とで形成されるキャビティ部53は、例えば、レーザーダイオード等の発光素子からの光波を搬送波として用いるような半導体素子を搭載するために設けられている。また、高周波用パッケージ50は、枠体52の一側壁に穿設された貫通孔に、金属部材からなり光ファイバーの光の入出口となる金属製固定部材54を挿入してろう付け接合している。更に、高周波用パッケージ50は、金属製固定部材54が接合された枠体52の側壁に隣接する側壁に穿設された窓枠状切り欠き部に、アルミナ(Al2O3)等のセラミック材からなるフィードスルー基板56を接合している。このフィードスルー基板56は、キャビティ部53側から枠体52の外側にかけて導通して形成される導体パターン55、55aを備えている。枠体52の外側部分の導体パターン55aには、外部からの電気的接続をするための金属部材からなる外部接続端子57をろう付け接合している。
この高周波用パッケージ50は、フィードスルー基板56を設けた側壁と対向する枠体52の側壁に穿設された取付部に、同軸コネクター58を接合するための挿通孔59を側壁部に備えたアダプター60を接合している。同軸コネクター58は、外周が金属製筒体からなるコネクター芯線支持部61の軸線中心部にコネクター芯線62を絶縁体で固定して有している。挿通孔59には、内部に段差部63を有し、この段差部63にコネクター芯線支持部61の端面を当接させて、コネクター芯線支持部61の外周を覆っている金属製筒体の外表面とアダプター60の挿通孔59の外表面との間にろう材を加熱、溶融させて、アダプター60に同軸コネクター58をろう付け接合している。キャビティ部53の内部に延設する同軸コネクター58のコネクター芯線62の先端部分は、アダプター60の台座部64上に接合されたアルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)等のセラミックや、樹脂等の誘電体部材からなる伝送基板65上に形成された導体配線パターンの信号線66に半田等で接合している。この信号線66は、コネクター芯線62の延設方向に沿って並行に伝送基板65の対向する2辺間上面に設けられている。
また、高周波用パッケージ50は、枠体52の上方に接合し、半導体素子を実装した後、蓋体を接合してキャビティ部53内を気密に封止するための金属製のシールリング67を有している。そして、この高周波用パッケージ50には、キャビティ部53に半導体素子が搭載され、半導体素子とフィードスルー基板56のキャビティ部53側の導体パターン55とボンディングワイヤ等で接続し、外部接続端子57と半導体素子とを導通状態にする。また、半導体素子と伝送基板65の信号線66や、グランドパターン(図示せず)等をボンディングワイヤ等で接続し、同軸コネクター58と半導体素子とを導通状態にする。更に、光ファイバー部材を金属製固定部材54に接続した後、シールリング67の上面に金属板等からなる蓋体をろう付け接合することで光半導体モジュールが形成され、この光半導体モジュールは、固定用孔68を介してねじでボード等にねじ止め固定される。
大量の、例えば、40Gbpsの情報量を流すような光半導体モジュールでは、パッケージに40GHz相当の高周波信号を流す必要があり、このような高周波信号を取り扱う高周波用パッケージ50には、同軸コネクター58と伝送基板65の装着の必要性がより高くなっている。そして、この高周波用パッケージ50は、信号通過時の損失を少なくするために、伝送基板65の1辺をアダプター60壁面に当接して接合すると同時に、アダプター60の段差部63の開口径cを、開口部に比誘電率1の空気等が満たされるいる場合で、通常の特性インピーダンス計算式を用いて、これに必要とする特性インピーダンス値を代入して逆算することで算出している。なお、この開口径cは、例えば、所望する特性インピーダンスが50Ω系、且つ開口部に比誘電率1の空気等が満たされるいる場合で、信号線66端と開口径c端部との距離dに関係なく、通常、同軸コネクター58のコネクター芯線62直径の7/3倍になっている。
高周波用パッケージには、高周波信号の入出力時における伝送効率を向上させるために、反射損失を小さくすることを目的としてアダプターと同軸コネクターとの間に空間部を設けることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、高周波用パッケージには、高周波信号の入出力時における伝送効率を向上させるために、反射損失を小さくすることを目的として同軸コネクターのコネクター芯線先端部の厚さを薄くすることが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2003−100927号公報
特開2003−133455号公報
しかしながら、前述したような従来の高周波用パッケージにおいては、次のような問題がある。
(1)伝送基板の一側面をアダプター壁面に当接し、アダプターの段差部開口径c(図7(C)参照)を特性インピーダンス計算式から求められる直径とし、開口部が比誘電率1の物質で満たされる高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプターの挿通孔の段差部の開口径端部との距離d(図7(C)参照)が近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。
(2)アダプターと同軸コネクターとの間に空間部を設ける場合の高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離の変化はなく、従来のように近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。
(3)同軸コネクターのコネクター芯線先端部の厚さを薄くする場合の高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離の変化はなく、従来のように近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。また、コネクター芯線の先端部を薄く加工したり、薄くなったコネクター芯線先端部を信号線に対して水平に位置合わせして接合させるのが難しく、高周波用パッケージのコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、パッケージの伝送特性の劣化を防止する安価な高周波用パッケージを提供することを目的とする。
(1)伝送基板の一側面をアダプター壁面に当接し、アダプターの段差部開口径c(図7(C)参照)を特性インピーダンス計算式から求められる直径とし、開口部が比誘電率1の物質で満たされる高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプターの挿通孔の段差部の開口径端部との距離d(図7(C)参照)が近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。
(2)アダプターと同軸コネクターとの間に空間部を設ける場合の高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離の変化はなく、従来のように近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。
(3)同軸コネクターのコネクター芯線先端部の厚さを薄くする場合の高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離の変化はなく、従来のように近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。また、コネクター芯線の先端部を薄く加工したり、薄くなったコネクター芯線先端部を信号線に対して水平に位置合わせして接合させるのが難しく、高周波用パッケージのコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、パッケージの伝送特性の劣化を防止する安価な高周波用パッケージを提供することを目的とする。
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、基体に載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、アダプターに枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有する。
ここで、高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するのがよい。
ここで、高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するのがよい。
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、基体に載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、アダプターに枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達すると共に、信号線の先端の角部にパターン欠如部を有する。
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、基体に載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、アダプターに枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、アダプターの段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有する。
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、基体に載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、アダプターに枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有すると共に、アダプターの段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有する。
ここで、高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するのがよい。
ここで、高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するのがよい。
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、基体に載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、アダプターに枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達すると共に、信号線の先端の角部にパターン欠如部を有し、しかもアダプターの段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有する。
請求項1及びこれに従属する請求項2記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整部を信号線上に設けることができ、余分な結合容量を低減して、伝送特性を改善することができる。
特に、請求項2記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整幅を増加することができてアダプター開口部との余分な結合容量を確実に低減して、伝送特性を改善することができる。
特に、請求項2記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整幅を増加することができてアダプター開口部との余分な結合容量を確実に低減して、伝送特性を改善することができる。
請求項3記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達すると共に、信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整部を信号線上に設けることができ、余分な結合容量を低減して、伝送特性を改善することができる。
請求項4記載の高周波用パッケージは、アダプターの段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整部をアダプターに設けることができ、アダプター開口部との余分な結合容量を低減して、伝送特性を改善することができる。
請求項5及びこれに従属する請求項6記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有すると共に、アダプターの段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整部を信号線上及びアダプターに設けることができ、調整幅を増加することができてアダプター開口部との余分な結合容量を確実に低減して、伝送特性を改善することができる。
特に、請求項6記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整幅を増加することができてアダプター開口部との余分な結合容量を確実に低減して、伝送特性を改善することができる。
特に、請求項6記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端の角部にパターン欠如部を有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整幅を増加することができてアダプター開口部との余分な結合容量を確実に低減して、伝送特性を改善することができる。
請求項7記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が枠体内側に露出するアダプター表面に一側面を当接させて設けられ、コネクター芯線を接続する側の信号線の先端が一側面の稜線まで達すると共に、信号線の先端の角部にパターン欠如部を有し、しかもアダプターの段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有するので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整部を信号線上及びアダプターに設けることができ、調整幅を増加することができてアダプター開口部との余分な結合容量を確実に低減して、伝送特性を改善することができる。
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1(A)、(B)はそれぞれ第1〜5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの平面図、A−A’線拡大縦断面図、図2(A)、(B)はそれぞれ第1の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、同高周波用パッケージの変形例のB−B’線拡大横断面図、図3は第2の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、図4は第3の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、図5(A)、(B)はそれぞれ第4の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、同高周波用パッケージの変形例のB−B’線拡大横断面図、図6は第5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図である。
ここに、図1(A)、(B)はそれぞれ第1〜5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの平面図、A−A’線拡大縦断面図、図2(A)、(B)はそれぞれ第1の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、同高周波用パッケージの変形例のB−B’線拡大横断面図、図3は第2の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、図4は第3の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、図5(A)、(B)はそれぞれ第4の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図、同高周波用パッケージの変形例のB−B’線拡大横断面図、図6は第5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージのB−B’線拡大横断面図である。
図1(A)、(B)に示すように、第1〜5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10、10a、10b、10c、10d、10e、10fは、金属製の枠体11と、ボード等に取り付けるための固定用孔12(本実施の形態では4個)を備えた金属製の基体13とを高温ろう材でろう付け接合して、内部の基体13上に高周波用の半導体素子の載置部であるキャビティ部14を有している。枠体11の一側壁には、キャビティ部14に連通し、切り欠いて形成した取付部15が設けられている。この取付部15には、金属部材からなるアダプター16の側壁部17が高温ろう材を用いてろう付け接合されている。このアダプター16には、側壁部17に一体化されてキャビティ部14に配置される台座部18が設けられている。また、側壁部17には、同軸コネクター19を接合するための内部に段差部20を設けた円柱状からなる挿通孔21が設けられている。挿通孔21には、同軸コネクター19が挿入されており、同軸コネクター19のコネクター芯線支持部22の一方の端面を段差部20に当接して位置決め固定されている。コネクター芯線支持部22の金属製筒体23の側面外周部と、挿通孔21の壁面とは、ろう材等で接合されている。
コネクター芯線支持部22の一方の端面から突出するコネクター芯線24のキャビティ部14内に突出する一方の側部は、アダプター16の台座部18上に接合されているセラミックや、樹脂等の誘電体部材製の伝送基板25上での導体配線パターンに接合されている。コネクター芯線支持部22の他方の端面からパッケージ外部に突出するコネクター芯線24の他方は、アダプター16に一体的に形成されている筒体部26内部に露出している。この筒体部26は、コネクター芯線24の他方と接続するリード線との接続時の取付固定用として設けられている。図2(A)に示すように、第1の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10は、伝送基板25上の信号線27がコネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端が伝送基板25の一側面の稜線まで達しない引き下がり部28を有している。また、図2(B)に示すように、第1の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10の変形例の高周波用パッケージ10aは、伝送基板25上の信号線27aがコネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端に引き下がり部28を有すると共に、先端の角部にC面形状や、R面形状や、階段形状等からなるパターン欠如部29を有している。高周波用パッケージ10、10aは、この引き下がり部28や、パターン欠如部29によって、信号線27、27a端と、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a端部との距離bが調整されて余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。
次に、図3を参照しながら、第2の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10bを説明する。図3に示すように、高周波用パッケージ10bは、上記の高周波用パッケージ10、10aと基本的には同様の構成から形成されているが、伝送基板25上の導体配線パターンからなる信号線27bのコネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端が伝送基板25の一側面の稜線まで達する形状をしていると共に、先端の角部にC面形状や、R面形状や、階段形状等からなるパターン欠如部29を有している。高周波用パッケージ10bは、このパターン欠如部29によって、信号線27b端と、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a端部との距離bが調整されて余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。
次に、図4を参照しながら、第3の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10cを説明する。図4に示すように、高周波用パッケージ10cは、上記の高周波用パッケージ10、10a、10bと基本的には同様の構成から形成されているが、伝送基板25上の導体配線パターンからなる信号線27cが従来の高周波用パッケージの信号線の形状であるコネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端が伝送基板25の一側面の稜線まで達する形状をしている。そして、高周波用パッケージ10cは、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有している。この開口径a’の算出方法は、下記の数1で示される特性インピーダンス計算式に所望する特性インピーダンス値を代入して逆算することから算出することができる。この高周波用パッケージ10cは、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさによって、信号線27c端と、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’端部との距離bが調整されて余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。
次に、図5(A)、(B)を参照しながら、それぞれ第4の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10d、変形例の高周波用パッケージ10eを説明する。図5(A)に示すように、高周波用パッケージ10dは、上記の高周波用パッケージ10、10a、10b、10cと基本的には同様の構成から形成されているが、伝送基板25上の導体配線パターンからなる信号線27には、コネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端が伝送基板25の一側面の稜線まで達しない引き下がり部28を有すると共に、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が上記の数1によって所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有している。また、図5(B)に示すように、高周波用パッケージ10dの変形例の高周波用パッケージ10eは、伝送基板25上の信号線27aがコネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端に引き下がり部28を有すると共に、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が上記の数1によって所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有し、しかもコネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端の角部にC面形状や、R面形状や、階段形状等からなるパターン欠如部29を有している。この高周波用パッケージ10d、10eは、引き下がり部28や、パターン欠如部29による信号線27、又は信号線27a端と、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさの開口径a’端部との距離bの調整する幅が拡大でき、更にきめ細かく余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。
次に、図6を参照しながら、第5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10fを説明する。図6に示すように、高周波用パッケージ10fは、上記の高周波用パッケージ10、10a、10b、10c、10d、10eと基本的には同様の構成から形成されているが、伝送基板25上の導体配線パターンからなる信号線27bには、コネクター芯線24の一方の側部を接続する側の先端が伝送基板25の一側面の稜線まで達すると共に、先端の角部にパターン欠如部29を有し、しかも、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が上記の数1で示される特性インピーダンス計算式に所望する特性インピーダンス値を代入して逆算することから算出される設計値上の大きさを超える大きさを有している。この高周波用パッケージ10fは、パターン欠如部29による信号線27b端と、アダプター16の挿通孔21に設けられた段差部20の開口径a’が所望する特性インピーダンス値から算出される設計値上の大きさを超える大きさの開口径a’端部との距離bの調整する幅が拡大でき、更にきめ細かく余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。
なお、高周波用パッケージ10、10a、10b、10c、10d、10e、10fは、アダプター16が接合される枠体11の側壁に対向する側壁に、セラミックからなるフィードスルー基板30を有する。フィードスルー基板30は、パッケージの内、外部を導通する導体配線パターン31、31aを備え、枠体11に設けられたキャビティ部14に連通する窓枠状切り欠き部32に嵌入され、高温ろう材でろう付け接合されている。枠体11の外側の導体配線パターン31aには、外部と電気的接続を行うための外部接続端子33がバタフライ型に高温ろう材でろう付け接合されている。キャビティ部14側の導体配線パターン31は、半導体素子とボンディングワイヤで接続するために用いられている。
また、アダプター16、及びフィードスルー基板30が接合されていない枠体11の一側壁には、キャビティ部14に連通する貫通孔34が設けられており、この貫通孔34に、光ファイバーの光の入出口となる金属製固定部材35が挿入され、高温ろう材でろう付け接合されている。また、枠体11の上方には、高温ろう材でろう付け接合した金属部材からなるシールリング36が設けられている。このシールリング36は、半導体素子を実装した後、蓋体(図示せず)を接合してキャビティ部14内を気密に封止するために用いられている。
この高周波用パッケージ10、10a、10b、10c、10d、10e、10fには、キャビティ部14内に高周波用の半導体素子が実装され、金属製固定部材35に光ファイバー部材が取付けられる。そして、金属部材から形成される蓋体をシールリング36に低温ろう材でろう付け接合し、封止することで光通信用の高周波用半導体モジュールとして使用される。
次いで、第1〜第5の発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ10、10a、10b、10c、10d、10e、10fの製造方法を説明する。枠体11は、セラミックと熱膨張係数が近似するKV(Fe−Ni−Co系合金、商品名「Kovar(コバール)」)や、42アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属塊を切削したり、パイプ状を輪切りにしてから押し曲げて形成する。この枠体11の側壁には、上端部から切り欠いたキャビティ部14に連通する実質的に矩形状の取付部15を形成する。また、取付部15に対向する枠体11の側壁には、上端部から切り欠いたキャビティ部14に連通する実質的に矩形状の窓枠状切り欠き部32を形成する。更に、取付部15、及び窓枠状切り欠き部32が形成されていない枠体11の一側壁には、キャビティ部14に連通する実質的に円形からなる貫通孔34を穿孔して形成する。
キャビティ部14の底部を形成し、ボード等の取付部材にねじで取り付けるための固定用孔12を備えた基体13は、半導体素子からの発熱を放熱するのに優れるCu−W(ポーラス状のタングステンに銅を含浸させたりして形成したもの)や、Cu−Mo−Cu(銅、モリブデン、銅の3層を接合して形成したもの)等の金属板から形成する。
枠体11と基体13は、Niめっきを施した後、接合部に高温ろう材の一例であるAg−Cuろう等を挟んで加熱し、ろう付け接合する。これにより、レーザーダイオード、フォトダイオード等の高周波用の半導体素子を内部に搭載するためのキャビティ部14が形成される。
取付部15には、KVや42アロイ等からなる金属製のアダプター16を、その表面にNiめっきを施した後、Ag−Cuろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、ろう付け接合する。ここで接合されるアダプター16は、金属材を切削加工等によって、側壁部17と台座部18が直角に交わる角部を有するように一体的に形成される。また、側壁部17には、同軸コネクター19を接合するための小径孔と大径孔からなる段差部20を設け、キャビティ部14に連通する挿通孔21が形成される。
一方、窓枠状切り欠き部32には、セラミックからなるフィードスルー基板30との接合面に形成された導体パターンにNiめっきを施した後、Ag−Cuろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、フィードスルー基板30をろう付け接合する。ここで接合されるフィードスルー基板30を形成するセラミックには、セラミックの一例であるアルミナ等を用いることができる。このアルミナセラミックを作製するには、先ず、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度2000〜40000cpsのスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み0.25mmのロール状のシートを形成し、適当な大きさに切断した矩形状の複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。この複数枚のセラミックグリーンシートには、タングステンやモリブデン等の高融点金属からなる導体ペーストを用いてスクリーン印刷して導体配線パターン31、31a等が形成され、複数枚を積層し、約1550℃の還元雰囲気中で、セラミックと高融点金属を同時焼成してフィードスルー基板30が作製される。
また、貫通孔34には、KVや、42アロイ等からなる金属製固定部材35との接合面にNiめっきを施した後、接合部にAg−Cuろう等の高温ろう材を挟んで加熱し、金属製固定部材35をろう付け接合する。ここで接合される金属製固定部材35は、金属塊から切削加工等によって外形部分と空洞孔を形成して作製される。この金属製固定部材35には、キャビティ部14に半導体素子が実装された後、半導体素子と光信号の授受を行う光ファイバー部材(図示せず)がAu−Sn等の低温ろう材で接合されたり、YAG等のレーザー溶接で接合される。
枠体11の上方には、KVや42アロイ等の金属製からなり、プレス加工や、切削加工等で形成されるシールリング36にNiめっきを施した後、Ag−Cuろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、ろう付け接合する。
なお、上記のそれぞれの高温ろう材を用いたろう付け接合は、一度、又は複数回に分けてろう付けすることができる。
なお、上記のそれぞれの高温ろう材を用いたろう付け接合は、一度、又は複数回に分けてろう付けすることができる。
同軸コネクター19は、アダプター16に形成された挿通孔21にAu−Snろうや、Au−Geろう等からなる低温ろう材を介して挿入され、同軸コネクター19のガラスや樹脂等の誘電体からなるコネクター芯線支持部22の一方の端部の端面を小径孔と大径孔からなる段差部20に当接して位置決め固定している。また、同軸コネクター19は、コネクター芯線支持部22の他方の端部をアダプター16の側壁部17の表面から露出させて載置されている。そして、加熱されることで、アダプター16と同軸コネクター19は、アダプター16の挿通孔22の壁面と、同軸コネクター19の金属製筒体23の外周面とでろう付け接合される。
キャビティ部14内に突出しているコネクター芯線支持部22で支持されているコネクター芯線24の一方の端部は、アダプター16の台座部18の上に接合されている伝送基板25に形成された信号線27、27a、27bに、Au−Snろうや、Au−Geろう等からなる低温ろう材でろう付け接合されている。ここで、伝送基板25には、セラミックや、樹脂等の誘電体部材が用いられている。例えば、伝送基板25がアルミナ等のセラミックからなる場合には、フィードスルー基板30を作製するのに用いられるセラミックグリーンシートと同様なセラミックグリーンシートを使用している。そして、伝送基板25上に形成される信号線27、27a、27bは、セラミックグリーンシート上にフィードスルー基板30を作製するのに用いられる高融点金属と同様な高融点金属でスクリーン印刷で引き下がり部28や、パターン欠如部29を形成した導体配線パターンを形成している。そして、セラミックグリーンシートと、導体配線パターンは、同時焼成されて、伝送基板25と、この上に信号線27、27a、27b形成している。なお、伝送基板25と、この上に形成される信号線27、27a、27bは、焼成して形成したセラミック基板上にスパッタ等で薄膜メタライズで引き下がり部28や、パターン欠如部29を有する導体配線パターンを形成する製造方法で作製される場合もある。
本発明者は、信号線がコネクター芯線の一方の側部を接続する側の先端に伝送基板の一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有する実施例1の高周波用パッケージと、信号線が従来と同様の伝送基板の一側面の稜線まで達する形状で、アダプターの挿通孔に設けられた段差部の開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有する実施例2の高周波用パッケージを準備した。併せて、本発明者は、信号線が伝送基板の一側面の稜線まで達し、段差部の開口径が計算値通りの従来例の高周波用パッケージを準備した。そして、本発明者は、それぞれの高周波用パッケージの伝送特性を有限要素法を使用したSパラメーターのシミュレーション解析を行った。その結果のグラフを表1に示す。なお、表1に示すSパラメーターのグラフは、横軸に周波数、縦軸にそれぞれの周波数におけるS11(反射特性)をデシベル(dB)で表示し、30GHz以上の高周波帯域におけるS11のマイナス(−)値が大きいほど反射が小さく、伝送特性が優れていることを示している。
表1に示すように、実施例1のS11は、−21.5dB〜−25.4dB、実施例2のS11は、−18.5dB〜−25.6dBであり、従来例のS11は、−14.3dB〜−16.5dBであるので、実施例1及び実施例2の伝送特性は、従来例の伝送特性より優れていることが判る。
本発明の高周波用パッケージは、高周波の信号を通過させるための高周波用半導体モジュールと用いることができる。
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f:高周波用パッケージ、11:枠体、12:固定用孔、13:基体、14:キャビティ部、15:取付部、16:アダプター、17:側壁部、18:台座部、19:同軸コネクター、20:段差部、21:挿通孔、22:コネクター芯線支持部、23:金属製筒体、24:コネクター芯線、25:伝送基板、26:筒体部、27、27a、27b:信号線、28:引き下がり部、29:パターン欠如部、30:フィードスルー基板、31、31a:導体配線パターン、32:窓枠状切り欠き部、33:外部接続端子、34:貫通孔、35:金属製固定部材、36:シールリング
Claims (7)
- 半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、該基体に前記載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、該枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、該アダプターに前記枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を前記段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、
前記コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が前記枠体内側に露出する前記アダプター表面に一側面を当接させて設けられ、前記コネクター芯線を接続する側の前記信号線の先端が前記一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有することを特徴とする高周波用パッケージ。 - 請求項1記載の高周波用パッケージにおいて、前記コネクター芯線を接続する側の前記信号線の先端の角部にパターン欠如部を有することを特徴とする高周波用パッケージ。
- 半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、該基体に前記載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、該枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、該アダプターに前記枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を前記段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、
前記コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が前記枠体内側に露出する前記アダプター表面に一側面を当接させて設けられ、前記コネクター芯線を接続する側の前記信号線の先端が前記一側面の稜線まで達すると共に、前記信号線の先端の角部にパターン欠如部を有することを特徴とする高周波用パッケージ。 - 半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、該基体に前記載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、該枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、該アダプターに前記枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を前記段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、
前記アダプターの前記段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有することを特徴とする高周波用パッケージ。 - 半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、該基体に前記載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、該枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、該アダプターに前記枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を前記段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、
前記コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が前記枠体内側に露出する前記アダプター表面に一側面を当接させて設けられ、前記コネクター芯線を接続する側の前記信号線の先端が前記一側面の稜線まで達しない引き下がり部を有すると共に、前記アダプターの前記段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有することを特徴とする高周波用パッケージ。 - 請求項5記載の高周波用パッケージにおいて、前記コネクター芯線を接続する側の前記信号線の先端の角部にパターン欠如部を有することを特徴とする高周波用パッケージ。
- 半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、該基体に前記載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、該枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、該アダプターに前記枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を前記段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、
前記コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を備えた誘電体部材製の伝送基板が前記枠体内側に露出する前記アダプター表面に一側面を当接させて設けられ、前記コネクター芯線を接続する側の前記信号線の先端が前記一側面の稜線まで達すると共に、前記信号線の先端の角部にパターン欠如部を有し、しかも前記アダプターの前記段差部における開口径が所望する特性インピーダンス値から算出される値を超える大きさを有することを特徴とする高周波用パッケージ。
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JP2004148487A JP2005332895A (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | 高周波用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011096753A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよびこれを用いた電子装置 |
-
2004
- 2004-05-19 JP JP2004148487A patent/JP2005332895A/ja active Pending
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