JP2005294659A - 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ - Google Patents

抵抗内蔵バイポーラトランジスタ Download PDF

Info

Publication number
JP2005294659A
JP2005294659A JP2004109640A JP2004109640A JP2005294659A JP 2005294659 A JP2005294659 A JP 2005294659A JP 2004109640 A JP2004109640 A JP 2004109640A JP 2004109640 A JP2004109640 A JP 2004109640A JP 2005294659 A JP2005294659 A JP 2005294659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
built
semiconductor substrate
type
bipolar transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004109640A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005294659A5 (ja
Inventor
Taira Matsunaga
平 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Isahaya Electronics Corp
Original Assignee
Isahaya Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Isahaya Electronics Corp filed Critical Isahaya Electronics Corp
Priority to JP2004109640A priority Critical patent/JP2005294659A/ja
Priority to PCT/JP2004/013783 priority patent/WO2005101517A1/ja
Priority to KR1020067018390A priority patent/KR20060129050A/ko
Priority to CNB2004800424732A priority patent/CN100444401C/zh
Publication of JP2005294659A publication Critical patent/JP2005294659A/ja
Publication of JP2005294659A5 publication Critical patent/JP2005294659A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
    • H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0664—Vertical bipolar transistor in combination with diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0761—Vertical bipolar transistor in combination with diodes only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
    • H01L29/7304—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices the device being a resistive element, e.g. ballasting resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】コレクタに抵抗が接続された抵抗内臓バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成可能なバイポーラトランジスタの構造を提供する。
【解決手段】N型半導体基板１１と、上記N型半導体基板上に形成され、且つ、周囲をN型半導体領域で囲むように形成されたP型不純物領域１２と、上記P型不純物領域の一部上に形成された、N型不純物領域１５と、前記N型半導体基板の一部上に絶縁層を介して形成された半導体層とから構成されている。N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。したがって、コレクタに抵抗が接続された抵抗内臓バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成することが可能となる。
【選択図】図７

Description

本発明は、抵抗内蔵バイポーラトランジスタに関するものである。抵抗内蔵バイポーラトランジスタは、主にスイッチング用途として使用され、一般的には図１に示すように、ベースと直列、ベース−エミッタ間に並列に抵抗が接続される構造となっている。この抵抗内蔵バイポーラトランジスタは、電子回路において多量に使用されることも多いため、図２に示すように、同一パッケージに２個のトランジスタが入ったものも生産されているが、この場合、２個のトランジスタチップを同一パッケージに搭載して製造されている。
また、図３に示すミューティング回路においては、トランジスタのコレクタとベースに抵抗が接続されているが、現在この回路は、トランジスタと２個の抵抗を個別の部品で形成するか、あるいは、１個の抵抗と、ベースに抵抗を内蔵したトランジスタを使用して形成されている。
従来の一般的な抵抗内蔵バイポーラトランジスタの構造を図４に示す。同図ではNＰＮ型バイポーラトランジスタの場合を示している。Ｎ型高不純物濃度半導体基板1上にN型のエピタキシャル層2が形成され、このN型のエピタキシャル層2の一部上に、Ｐ型領域3が形成され、このP型領域3の一部上に、N型領域4が形成されている。また、N型エピタキシャル層2の一部上に絶縁膜5を介して、多結晶シリコンによる抵抗6が形成され、配線電極7、8、9により配線されている。
この構造においては、各領域の不純物濃度の関係は、製造プロセスの順序により、N型エピタキシャル層2＜P型領域3＜N型領域4となる。この構造でNPN型トランジスタを構成する場合、（Ａ）N型エピタキシャル層2；コレクタ、P型領域3；ベース、N型領域4；エミッタとする場合と、（Ｂ）N型エピタキシャル層2；エミッタ、P型領域3；ベース、N型領域4；コレクタとする場合があるが、前述した各領域の濃度の関係で、（Ｂ）の構成の場合は直流電流増幅率ｈFEが10程度と低くなるため、一般的には（Ａ）の構成で使用される。
したがって、図１に示すように、ベース、エミッタに抵抗が接続された抵抗内蔵バイポーラトランジスタを構成することは可能であるが、図３に示すミューティング回路のように、コレクタに抵抗が接続された回路を同一チップ上で構成することは、非常に困難である。
また、図２に示すような、同一パッケージに２個のトランジスタチップが入った製品において、この２個のトランジスタを同一チップで形成可能であれば、組立てする上で非常に有利であるが、前記したように従来の構造の場合は、図５に示すようにコレクタが共通となるため実現が困難である。等価回路を図６に示す。
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、コレクタに抵抗が接続された抵抗内臓バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成可能なバイポーラトランジスタの構造を提供するものである。
本発明の構造を、ＮPN型抵抗内蔵バイポーラトランジスタに適用した場合について説明する。本発明においては、N型半導体基板と、上記N型半導体基板上に形成され、且つ、周囲をN型半導体領域で囲むように形成されたP型不純物領域と、上記P型不純物領域の一部上に形成された、N型不純物領域と、前記N型半導体基板の一部上に絶縁層を介して形成された半導体層とから構成されている。１例を図７に示す。
この構造の場合、各領域の不純物濃度は、N型半導体基板＞P型不純物領域＜N型不純物領域とすることが可能であるため、（Ａ）N型半導体基板；コレクタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；エミッタとする場合、（Ｂ）N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合の両方の場合で直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。
したがって、上記（Ｂ）の構成を採用した場合は、コレクタに抵抗が接続された抵抗内臓バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成することが可能となる。
このように本発明にかかる抵抗内蔵バイポーラトランジスタの場合は、図３に示すミューティング回路のように、コレクタに抵抗が接続される場合についても、抵抗とバイポーラトランジスタを同一チップ上に形成可能である。また、複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを同一チップ上に形成可能であるため、図２に示すような同一パッケージに２個のトランジスタが入ったものの生産効率を上げることが可能になる。
本発明による抵抗内臓バイポーラトランジスタの実施の形態を、ＮPN型の場合を例にとり、図７にて説明する。高不純物濃度のN型（以下N＋型と称する）半導体基板11上に、上記半導体基板11より低濃度のＰ型半導体層12が形成され、N＋型不純物領域13が上記低濃度のＰ型半導体層12の周囲を囲むように形成される。上記Ｐ型半導体層12の一部上に、Ｎ＋型不純物領域15が形成される。さらに、前記N＋型半導体基板1の一部上に絶縁層16を介して抵抗となる半導体層17が形成され、配線電極18、19、20が形成されることにより、本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタが形成される。なお、必要に応じて、上記Ｐ型半導体層12の一部上に、P＋型不純物領域14を形成することも可能である。
本構造の場合は、半導体基板1；エミッタ、Ｐ型半導体層2；ベース、Ｎ＋型不純物領域4；コレクタとした構成が可能であり、図８に示す等価回路のように抵抗がコレクタに接続された抵抗内臓バイポーラトランジスタを構成することが可能となる。
次に、本発明による抵抗内臓バイポーラトランジスタの製造方法を説明する。まず、図９に示すようにN＋型のシリコン基板11を用意し、エピタキシャル成長によりＰ型半導体層12を形成する。これらの各領域の具体的な不純物濃度としては、例えば、N＋型半導体基板11；1×1018 cm-3〜1×10 20 cm-3、Ｐ型半導体層12；2×1014cm-3 〜4×1016cm-3等である。
次に、図１０に示すように、リン等のN型不純物を選択的に注入拡散して、Ｐ型半導体層12の周囲を囲むようにN＋型拡散領域13を形成する。なお、N＋型拡散領域13は、N＋型半導体基板11まで到達するように形成し、シート抵抗としては数10Ω/□以下に形成することが望ましい。
次に、図１１に示すように、ホウ素等のP型不純物を選択的に注入拡散して、P＋型領域14を形成する。このP＋型領域14は、Ｐ型半導体層12と配線電極との接触抵抗を低くするために設けるものであり、Ｐ型半導体層12の不純物濃度が十分に高い場合は必要ない。なお、P＋型不純物の濃度としては、表面濃度で1×1017cm-3 〜1×1020cm-3程度とすればよい。
次に、図１２に示すように、リン等のN型不純物を選択的に注入拡散して、N＋型領域15を形成する。N＋型領域の濃度としては、表面濃度で1×1019cm-3 〜1×1020cm-3程度とすればよい。また、本構造のバイポーラトランジスタの直流電流増幅率ｈFEは、N＋型領域15の拡散深さにより決定されるため、必要に応じてコントロールする必要がある。
次に、図１３に示すように、熱酸化、又はＣＶＤ（化学的気相成長法）等により、シリコン酸化膜16を8000Å程度形成し、このシリコン酸化膜16の一部上に多結晶シリコンを5000Å程度堆積し、適当な形状のパターンの形成及び不純物注入を行うことにより、抵抗17を形成する。
次に、図１４に示すように、シリコン酸化膜16の適当な箇所にコンタクト孔を形成し、アルミニウム等による配線電極18、19、20を形成することにより、本発明による抵抗内臓バイポーラトランジスタが完成する。
本発明による実施例１を図７に示す。これは、コレクタに抵抗を接続した場合であり、等価回路を図８に示す。
本発明による実施例２を図１５に示す。これは、コレクタとベースに夫々直列に抵抗を形成したものであり、等価回路は図３に示すようになる。
本発明による実施例３を図１６に示す。これは、エミッタ−ベース間に並列に抵抗を形成した場合であり、等価回路は図１７に示すようになる。
本発明による実施例４を図１８に示す。これは、図１６の場合にさらにベースに直列に抵抗を形成した場合であり、等価回路は図１９に示すようになる。
本発明による実施例５を図２０に示す。これは、図１８に示す抵抗内蔵バイポーラトランジスタを、同一チップ上に２個形成した場合である。
… 抵抗内蔵バイポーラトランジスタの等価回路、 … 同一パッケージ内に抵抗内蔵バイポーラトランジスタを２個搭載した場合、 … ミューティング回路、 … 従来の抵抗内蔵バイポーラトランジスタの構造、 … 従来の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを同一チップ上に２個形成した場合、 … 従来の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを同一チップ上に２個形成した場合の等価回路、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの構造、 … 第７図の抵抗内蔵バイポーラトランジスタの等価回路、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造工程、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造工程、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造工程、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造工程、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造工程、 … 本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造工程、 … 本発明の他の実施例１、 … 本発明の他の実施例２、 … 図１６の構造の等価回路、 … 本発明の他の実施例２、 … 図１８の構造の等価回路 … 本発明の他の実施例３、
符号の説明
１，１１ … N型高不純物濃度半導体基板、
２ … N型エピタキシャル層、
３，３Ａ，３Ｂ … P型領域、
４，４Ａ，４Ｂ … N型領域、
５ … 絶縁膜、
６，６Ａ，６Ｂ … 多結晶シリコン（抵抗）、
７，７Ａ，７Ｂ … エミッタ配線電極、
８，８Ａ，８Ｂ … ベース配線電極１、
９，９Ａ，９Ｂ … ベース配線電極２、
１２ … P型半導体層、
１３ … N＋型不純物領域、
１４ … P＋型不純物領域、
１５ … N＋型不純物領域、
１６ … 絶縁膜、
１７，２１，２３Ａ，２３Ｂ … 多結晶シリコン（抵抗）、
１８，１８Ａ，１８Ｂ … ベース配線電極１、
１９，１９Ａ，１９Ｂ … コレクタ配線電極１、
２０ … コレクタ配線電極２、
２１ … ベース配線電極２。

Claims (5)

  1. 第１導電型半導体基板をエミッタとし、上記第１導電型の半導体基板上に形成され、且つ、周囲を第１導電型半導体領域で囲むように形成された第２導電型不純物領域をベースとし、上記第２導電型ベース領域の一部上に形成された、第１導電型不純物領域をコレクタとし、前記第１導電型半導体基板の一部上に絶縁層を介して形成された半導体層を抵抗としたバイポーラトランジスタにおいて、前記第１導電型コレクタ領域と前記抵抗が接続されていることを特徴とする抵抗内蔵バイポーラトランジスタ。
  2. 第１導電型半導体基板をエミッタとし、上記第１導電型の半導体基板上に形成され、且つ、周囲を第１導電型半導体領域で囲むように形成された第２導電型不純物領域をベースとし、上記第２導電型ベース領域の一部上に形成された、第１導電型不純物領域をコレクタとし、前記第１導電型半導体基板の一部上に絶縁層を介して形成された半導体層を抵抗としたバイポーラトランジスタにおいて、前記第２導電型ベース領域と前記抵抗が接続されていることを特徴とする抵抗内蔵バイポーラトランジスタ。
  3. 第１導電型半導体基板をエミッタとし、上記第１導電型の半導体基板上に形成され、且つ、周囲を第１導電型半導体領域で囲むように形成された第２導電型不純物領域をベースとし、上記第２導電型ベース領域の一部上に形成された、第１導電型不純物領域をコレクタとし、前記第１導電型半導体基板の一部上に絶縁層を介して形成された半導体層を抵抗としたバイポーラトランジスタにおいて、前記第１導電型半導体基板（エミッタ）と前記第２導電型ベース領域との間に並列に前記抵抗が接続されていることを特徴とする抵抗内蔵バイポーラトランジスタ。
  4. 前記請求項３に記載の抵抗内蔵バイポーラトランジスタにおいて、さらに、前記第２導電型ベース領域と直列に抵抗が接続されていることを特徴とする抵抗内蔵バイポーラトランジスタ。
  5. 同一の第１導電型半導体基板上に、上記半導体基板をエミッタとする前記請求項１項、２項、３項、４項に記載の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを複数個配置したことを特徴とする抵抗内蔵バイポーラトランジスタ。
JP2004109640A 2004-04-02 2004-04-02 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ Pending JP2005294659A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004109640A JP2005294659A (ja) 2004-04-02 2004-04-02 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ
PCT/JP2004/013783 WO2005101517A1 (ja) 2004-04-02 2004-09-22 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ
KR1020067018390A KR20060129050A (ko) 2004-04-02 2004-09-22 저항 내장 바이폴라 트랜지스터
CNB2004800424732A CN100444401C (zh) 2004-04-02 2004-09-22 电阻内置型双极晶体管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004109640A JP2005294659A (ja) 2004-04-02 2004-04-02 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005294659A true JP2005294659A (ja) 2005-10-20
JP2005294659A5 JP2005294659A5 (ja) 2007-05-17

Family

ID=35150260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004109640A Pending JP2005294659A (ja) 2004-04-02 2004-04-02 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2005294659A (ja)
KR (1) KR20060129050A (ja)
CN (1) CN100444401C (ja)
WO (1) WO2005101517A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020194850A (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 イサハヤ電子株式会社 多用途抵抗付きトランジスタ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5247392Y2 (ja) * 1972-12-11 1977-10-27
JP2757864B2 (ja) * 1986-07-03 1998-05-25 ローム 株式会社 半導体装置
CN1035849C (zh) * 1992-07-22 1997-09-10 天津大学 一种具有双负阻特性的负阻器件
JPH0722164B2 (ja) * 1992-09-17 1995-03-08 ローム株式会社 抵抗内蔵トランジスタ
JP2648808B2 (ja) * 1992-12-18 1997-09-03 華邦電子股▲ふん▼有限公司 ＢｉＣＭＯＳ用バイポーラトランジスタ製造法
JPH08279561A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Mitsubishi Electric Corp バイポーラトランジスタ並びに該バイポーラトランジスタを用いた増幅器および集積回路
KR100258436B1 (ko) * 1996-10-11 2000-06-01 김덕중 상보형 쌍극성 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN2275248Y (zh) * 1996-10-17 1998-02-25 东南大学 厚膜集成阻抗变换功能模块

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020194850A (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 イサハヤ電子株式会社 多用途抵抗付きトランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005101517A1 (ja) 2005-10-27
CN100444401C (zh) 2008-12-17
KR20060129050A (ko) 2006-12-14
CN1926689A (zh) 2007-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003224253A (ja) 光半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2005294659A (ja) 抵抗内蔵バイポーラトランジスタ
JPH05198584A (ja) バイポーラ集積回路
JP2006303185A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10125692A (ja) バイポーラ・パワー・トランジスタ
JP2003224252A (ja) 光半導体集積回路装置
JP2006237207A (ja) マルチコレクタ型ラテラルｐｎｐトランジスタおよびその製造方法、カレントミラー定電流回路並びに半導体装置
JPS5882562A (ja) 半導体装置
JPH02251174A (ja) 半導体装置
JP2940203B2 (ja) セミカスタム半導体集積回路
JPS59149045A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2558472B2 (ja) 半導体集積回路
JPH01225155A (ja) バイポーラ型半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH04216677A (ja) 定電圧ダイオード及びその製造方法
JPH03203333A (ja) 半導体装置及びその製法
JPH0464178B2 (ja)
JP2010219454A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0574790A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH09283534A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61207067A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH01187868A (ja) 半導体装置
JPH04323832A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH02235344A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03248535A (ja) バイポーラトランジスタ素子
JPH01133346A (ja) 半導体集積回路の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070322

A621 Written request for application examination

Effective date: 20070322

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Effective date: 20080416

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080507

A521 Written amendment

Effective date: 20080702

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080826