JP2005247662A - 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス体と、SiCとAlとSiを含む複合材とを有し、上記セラミックス体及び上記複合材の表面に金属層を備え、該金属層を形成する金属を0.1〜10質量%含有するAl接合材で接合する。
【選択図】図1
Description
2:ウェハ保持部
3:Al接合材
4:複合材プレート
4a:流路
5a:給電端子
5b:給電端子
6:ガス導入孔
7:板状セラミックス体
7a:載置面
8:金属層
9:金属層
10:電極
20a:吸着面
21:スルーホール
22:接合材
23:複合材プレート
34:基台
35:電極
36:絶縁層
37:金属層
Claims (7)
- セラミックス体の表面に金属層を備え、SiCとAlとSiを含む複合材の表面に金属層を備え、これら二つの金属層の間にAlを主成分とする接合材を介して上記セラミックス体と上記複合材とが接合され、上記接合材が少なくとも一方の上記金属層の成分を0.1〜10質量%含有することを特徴とする接合体。
- 少なくとも一方の上記金属層がNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の接合体。
- セラミックス体と、SiCとAlとSiを含む複合材とが、これらの間に介在するAlを主成分とする接合材で接合され、該Alを主成分とする接合材の上記複合材側にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上の金属が偏析していることを特徴とする接合体。
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとAlとSiを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面に金属層を備え、上記複合材プレートの表面に金属層を備え、これら二つの金属層の間にAlを主成分とする接合材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートが接合され、上記接合材が少なくとも一方の上記金属層の成分を0.1〜10質量%含有することを特徴とするウェハ保持部材。
- 上記複合材プレートの表面の金属層がNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上を主成分とすることを特徴とする請求項4に記載のウェハ保持部材。
- 板状セラミックス体と、SiCとAlとSiを含む複合材プレートとが、これらの間に介在するAlを主成分とする接合材で接合され、該Alを主成分とする接合材の上記複合材プレート側にNi、Au、Ag、Mg、Cuから選ばれる一種以上の金属が偏析していることを特徴とするウェハ保持部材。
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとAlとSiを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面に金属層を備え、上記複合材プレートの表面に金属層を備え、これら二つの金属層の間に、少なくとも一方の上記金属層の成分を0.1〜10質量%含有するAlを主成分とするロウ材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートを接合することを特徴とするウェハ保持部材の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015505806A (ja) * | 2011-11-30 | 2015-02-26 | コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド | 材料を接合する方法、プレートアンドシャフトデバイス、及びそれを用いて形成される多層プレート |
US10991616B2 (en) | 2011-11-30 | 2021-04-27 | Watlow Electric Manufacturing Company | High speed low temperature method for manufacturing and repairing semiconductor processing equipment and equipment produced using same |
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US11229968B2 (en) | 2011-11-30 | 2022-01-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Semiconductor substrate support with multiple electrodes and method for making same |
CN115210199A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-10-18 | 日本特殊陶业株式会社 | 接合体、保持装置以及静电卡盘 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1032239A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Toto Ltd | 静電チャックステージ及びその製造方法 |
JP2000219578A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス部材と金属部材との接合体およびその製造方法 |
JP2000243821A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2001048669A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-20 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料とセラミックスとの接合体及びその接合方法 |
JP2004296579A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
JP2005057231A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Kyocera Corp | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
-
2004
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1032239A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Toto Ltd | 静電チャックステージ及びその製造方法 |
JP2000219578A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス部材と金属部材との接合体およびその製造方法 |
JP2000243821A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2001048669A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-20 | Taiheiyo Cement Corp | 金属−セラミックス複合材料とセラミックスとの接合体及びその接合方法 |
JP2004296579A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
JP2005057231A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Kyocera Corp | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015505806A (ja) * | 2011-11-30 | 2015-02-26 | コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド | 材料を接合する方法、プレートアンドシャフトデバイス、及びそれを用いて形成される多層プレート |
JP2016183102A (ja) * | 2011-11-30 | 2016-10-20 | コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド | 材料を接合する方法、プレートアンドシャフトデバイス、及びそれを用いて形成される多層プレート |
JP2018172281A (ja) * | 2011-11-30 | 2018-11-08 | コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド | 材料を接合する方法、プレートアンドシャフトデバイス、及びそれを用いて形成される多層プレート |
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