JP4307218B2 - ウェハ保持部材及びその製造方法 - Google Patents
ウェハ保持部材及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4307218B2 JP4307218B2 JP2003366568A JP2003366568A JP4307218B2 JP 4307218 B2 JP4307218 B2 JP 4307218B2 JP 2003366568 A JP2003366568 A JP 2003366568A JP 2003366568 A JP2003366568 A JP 2003366568A JP 4307218 B2 JP4307218 B2 JP 4307218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- wafer
- ceramic body
- wafer holding
- mounting surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 114
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 114
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 80
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
2:ウェハ保持部
3:金属接合材
4:複合材プレート
4a:流路
5:給電端子
6:ガス導入孔
7:板状セラミックス体
7a:載置面
7b:溝
8:金属層
9:金属層
10:電極
21:スルーホール
22:接合材
23:複合材プレート
34:基台
35:電極
36:絶縁層
37:金属層
Claims (10)
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備えたウェハ保持部と、SiCとアルミニウムとシリコンとを含む複合材プレートとを有し、上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面に金属層を備え、上記複合材プレートの表面に金属層を備え、これら二つの金属層の間に金属接合材を介して上記ウェハ保持部と上記複合材プレートが接合され、上記複合材プレート側の金属層の厚みtmと上記金属接合材の厚みtとの比tm/tが0.01〜1であるとともに、上記板状セラミックス体を貫通する貫通孔と、上記載置面に上記貫通孔に連通した溝とを備え、該溝の深さが10〜500μmであることを特徴とするウェハ保持部材。
- 上記複合材プレートの表面の金属層がアルミニウム、金、銀、銅、ニッケルから選ばれる一種または二種以上を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載のウェハ保持部材。
- 上記金属接合材がアルミニウムまたはインジウムを主成分とするロウ材であることを特徴とする請求項1または2に記載のウェハ保持部材。
- 上記電極が静電吸着電極であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1つに記載のウェハ保持部材。
- 板状セラミックス体の一方の主面をウェハの載置面とし、上記板状セラミックス体の他方の主面または内部に電極を備え、上記板状セラミックス体の体積固有抵抗が108〜1011Ω・cmであって、上記載置面とは反対側の面に導体層を備え、上記導体層の面積が上記載置面の面積の100%以上であるとともに、上記板状セラミックス体を貫通する貫通孔と、上記載置面に上記貫通孔に連通した溝とを備え、該溝の深さが10〜500μmであることを特徴とするウェハ保持部材。
- 上記導体層の面積が上記載置面の面積の115%以上であることを特徴とする請求項5に記載のウェハ保持部材。
- 上記板状セラミックス体の厚みが15mm以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1つに記載のウェハ保持部材。
- 上記溝が上記板状セラミックス体の中心から周辺に放射状に延びる放射溝を備えたことを特徴とする請求項1〜7の何れか1つに記載のウェハ保持部材。
- 上記放射溝の長さが上記板状セラミックス体の半径の1/3以上であることを特徴とする請求項1〜8の何れか1つに記載のウェハ保持部材。
- 上記ウェハ保持部の載置面と反対側の表面と、上記複合部材の表面にそれぞれ金属層を形成し、上記2つの金属層を挟むようにロウ材を設置して、加圧しながら加熱し、ウェハ保持部と上記複合部材とを接合することを特徴とする請求項1〜9の何れか1つに記載のウェハ保持部材の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003366568A JP4307218B2 (ja) | 2003-07-24 | 2003-10-27 | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
CN2008101657890A CN101359589B (zh) | 2003-10-27 | 2004-10-27 | 复合材料和晶片保持部件及其制造方法 |
US10/974,560 US7381673B2 (en) | 2003-10-27 | 2004-10-27 | Composite material, wafer holding member and method for manufacturing the same |
CNB2004100860004A CN100429756C (zh) | 2003-10-27 | 2004-10-27 | 复合材料和晶片保持部件及其制造方法 |
KR1020040086219A KR100841148B1 (ko) | 2003-10-27 | 2004-10-27 | 복합재료와 웨이퍼 유지부재 및 이들의 제조방법 |
KR1020080017324A KR100883725B1 (ko) | 2003-10-27 | 2008-02-26 | 복합재료와 웨이퍼 유지부재 및 이들의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003201421 | 2003-07-24 | ||
JP2003366568A JP4307218B2 (ja) | 2003-07-24 | 2003-10-27 | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005057231A JP2005057231A (ja) | 2005-03-03 |
JP4307218B2 true JP4307218B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=34379801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003366568A Expired - Fee Related JP4307218B2 (ja) | 2003-07-24 | 2003-10-27 | ウェハ保持部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4307218B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4583053B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2010-11-17 | 京セラ株式会社 | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 |
JP4762064B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-08-31 | 京セラ株式会社 | 接合体とこれを用いたウェハ支持部材及びウェハ処理方法 |
JP4936877B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-05-23 | 京セラ株式会社 | 接合体とこれを用いたウェハ支持部材及びウェハの処理方法 |
US9623503B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-04-18 | Semes Co., Ltd. | Support unit and substrate treating device including the same |
KR101543695B1 (ko) | 2013-10-31 | 2015-08-11 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP6667386B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2020-03-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
WO2020067308A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | ダイセルポリマー株式会社 | 窒化物系の非磁性セラミックス成形体とその製造方法 |
US20230311451A1 (en) * | 2020-09-02 | 2023-10-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Joined body, holding device, and electrostatic chuck |
-
2003
- 2003-10-27 JP JP2003366568A patent/JP4307218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005057231A (ja) | 2005-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100883725B1 (ko) | 복합재료와 웨이퍼 유지부재 및 이들의 제조방법 | |
KR101531726B1 (ko) | 정전 척 및 그 제조 방법 | |
JP4482472B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
KR100681253B1 (ko) | 웨이퍼 지지부재 | |
JP3154629U (ja) | 静電チャック | |
JP4744855B2 (ja) | 静電チャック | |
KR100756776B1 (ko) | 질화 알루미늄 접합체 및 그의 제조 방법 | |
JP2011061049A (ja) | 静電チャック | |
KR102329588B1 (ko) | 접합체의 제조 방법 | |
KR20070004429A (ko) | 접합체와 그것을 이용한 웨이퍼 지지부재 및 웨이퍼처리방법 | |
KR100553444B1 (ko) | 서셉터 및 그 제조방법 | |
JP4307218B2 (ja) | ウェハ保持部材及びその製造方法 | |
JP4331983B2 (ja) | ウェハ支持部材およびその製造方法 | |
JP6389802B2 (ja) | 加熱装置及びその製造方法 | |
JP4548928B2 (ja) | 電極内蔵体及びこれを用いたウエハ支持部材 | |
JP4436575B2 (ja) | ウエハ支持部材及びその製造方法 | |
JP5032444B2 (ja) | 基板保持体 | |
JP3728078B2 (ja) | プラズマ発生用部材 | |
JP2000277599A (ja) | 静電チャック | |
JP2004296579A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP4583053B2 (ja) | 接合体とこれを用いたウェハ保持部材及びその製造方法 | |
JP3359582B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4502462B2 (ja) | ウエハ支持部材及びその製造方法 | |
JP3821075B2 (ja) | セラミックスヒータ及びその製造方法 | |
JP4666960B2 (ja) | 静電チャック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090407 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4307218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140515 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |