JP2005243902A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイパッド露出構造の半導体装置において、アースとなるインナーリードとダイパッドを接続することにより、半導体素子裏面の接地を可能にする。
【解決手段】吊りリード１０に支持されたダイパッド２上に搭載される半導体素子４と、ダイパッド２の側面における半導体素子搭載面側に屈曲したウイング９と、半導体素子４に金属細線５により接続されたインナーリード６と、インナーリード６と一連に設けられたアウターリード７と、半導体素子搭載面と半導体素子４とウイング９と金属細線５とインナーリード６とを樹脂封止する封止樹脂体８とを備え、ダイパッド２における半導体素子搭載面とは反対面を露出させた半導体装置において、ウイング９に形成された突出部９ａと接地用インナーリード６ａを金属細線５ａにより接続する。
【選択図】図４

Description

本発明は、大きな発熱量の半導体素子を搭載するのに適した半導体装置、およびその製造方法に関するものである。

近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置においては、薄型化が進んでいる。そこで、このような薄型の半導体装置では、放熱性を考慮した設計を行う必要があり、特許文献１には、次のようなものが提案されている。

以下、従来の半導体装置について図面を参照しながら説明する。

図８（ａ）は、従来の半導体装置を示す断面図であって、図８（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図８（ｂ）は従来の半導体装置の平面図である。

図８（ａ），（ｂ）に示すように、従来の半導体装置は、ダイパッド２の部分に半導体素子４が接着剤３を介したダイボンディングにより搭載され、半導体素子４のボンディングパッド（図示せず）と、ダイパッド２の周辺にある複数本のインナーリード６の先端とが、金属細線５でワイヤーボンディングされて電気的接続がなされ、所定の形状の金型にて四辺形の平板状に形成された封止樹脂体８でモールドされて、半導体装置を構成したものである。

また、各インナーリード６と一体で連続して設けられたアウターリード７は、封止樹脂体８の４辺からそれぞれ引き出され、リードフォーミング金型にて所定のリード形状に加工されたものであり、ダイパッド２の露出面（半導体素子４を搭載した面と反対の面）は封止樹脂体８から露出している。

次に、従来の半導体装置の製造方法について説明する。

まず、金属薄板をエッチング加工またはプレス加工により所望の電極形状に加工してリードフレーム１を作成する。このようにして得られたリードフレームの一例を図９に示す。図９（ａ）は図９（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図９（ｂ）は平面図である。

図９（ａ），（ｂ）において、リードフレーム１には、半導体素子４が搭載されるダイパッド２と、半導体素子４と結線するためのインナーリード６と、ダイパッド２を支持する吊りリード１０とが形成されている。

吊りリード１０には、階段状にディプレス（ｄｅｐｒｅｓｓ）加工が施され、ダイパッド２をインナーリード６の上面よりも下方に配置されるようにダウンセットされている。この構造は、半導体チップを搭載して半導体装置を構成した際、ダイパッド２の下面を封止樹脂体８の底面に露出させるための構成である。

そして、ダイパッド２は、その周辺部分にウイング９を有しており、半導体装置を構成し、ダイパッド２の下面が封止樹脂体８の底面から露出した際の水分浸入を防止する機能を有している。

また、吊りリード１０のディプレス加工以外に、ダイパッド２のウイング９も曲げ加工が施され、ダイパッド２における半導体素子４の搭載側に屈曲している。

次に、図１０（図１０（ａ）は図１０（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図１０（ｂ）は平面図）に示すように、ダイパッド２に半導体素子４を搭載し、接着剤３を用いて接着し、半導体素子４のボンディングパッド（図示せず）とインナーリード６とを金属細線５で結線する。このとき、ダイパッド２およびインナーリード６の金属細線を結線する面と反対面は、ヒートステージ（図示せず）に固定されている。

次に、図１１（図１１（ａ）は図１１（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図１１（ｂ）は平面図）に示すように、ダイパッド２上に半導体素子４が搭載され、金属細線５で電気的に接続されたリードフレームを封止金型の上金型１７と下金型１８とで密封し、封止樹脂体８を、注入ゲート１５より注入方向１６の方向に注入して、樹脂封止する。このとき、ダイパッド２の底面が封止金型の下金型１８の内壁面に当接している。封止樹脂の硬化後に、封止金型の上金型１７と下金型１８とを開いて半導体装置を得る。
特開２０００−１９６００６号公報 特開平１０−４１７１号公報

しかしながら、従来の半導体装置において、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させることにより、薄型化および放熱性は実現するものの、半導体素子の裏面を接地するような要求があった場合に、下記のような問題があった。

半導体素子４の裏面を接地する場合には、ダイパッド２と、ＧＮＤ端子として使用しているインナーリード６とを金属細線５でワイヤーボンディングして、電気的接続する方法が考えられる。

しかし、そのような方法では、搭載されている半導体素子４が大きい場合、半導体素子４の端から出っ張るダイパッド部分が少ないため、ダイパッド２上に金属細線５をワイヤーボンディングすることができない。

また、ダイパッド２は周辺部分にウイング９を有しており、ダイパッド２とインナーリード６を金属細線５でワイヤーボンディングする際、金属細線５とウイング９との接触が起こるため、問題となる。

さらに、ダイパッド２がインナーリード６よりもダウンセットされているために、ダイパッド２とインナーリード６を金属細線５でワイヤーボンディングすることをより困難にしている。

そこで、ダイパッド２を支持する吊りリード１０と、ＧＮＤ端子として使用しているインナーリード６を金属細線５でワイヤーボンディングして、電気的接続する方法が考えられる。

しかし、この方法では、吊りリード１０と隣接するインナーリード６をＧＮＤ端子にしなければならず、その結果、半導体装置の端子レイアウトに制約が設けられてしまうことが問題となる。

同様に、ダイパッド２を支持する吊りリード１０と、半導体素子４のＧＮＤとして使用するボンディングパッドとを金属細線５でワイヤーボンディングして、電気的に接続する方法が考えられるが、半導体素子４のボンディングパッドにおいてＧＮＤパッドを角部に配置しなければならず、その結果、半導体素子４のボンディングパッドレイアウトに制約が設けられてしまうことが問題とされる。

また、特許文献２には、応力吸収手段を介してダイパッド２とインナーリード６を接続する方法が提案されている。ダイパッド２の周辺にウイング９が接続されている半導体装置に、この方法を採用する場合には、ダイパッド２に直接応力吸収手段を接続することができないため、ウイング９とインナーリード６を応力吸収手段で接続することになる。

この場合、応力吸収手段は、リードフレーム１の加工の際、ウイング９の曲げ加工で、ダイパッド２の半導体素子４の搭載面側に曲げられ、さらに、吊りリード１１のディプレス加工で、ダイパッド２の半導体素子４の搭載面と反対側に曲げられる。これにより、応力吸収手段が強度不足になることが懸念される。つまり、加工の安定性が悪くなる。

本発明は、前記課題を解決するものであり、リードフレームのダイパッドのウイングを改良することにより、半導体素子の裏面を接地することができ、放熱性が良好で、品質の安定した半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、請求項１記載の半導体装置は、複数の吊りリードに支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた前記半導体素子の搭載面側に屈曲した複数のウイングと、前記半導体素子と金属細線で電気的に接続された複数本のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードと、前記搭載面と前記半導体素子と前記複数のウイングと前記金属細線と前記インナーリード群を樹脂封止する四辺形の平板状に成形された封止樹脂体とを備え、前記アウターリード群を封止樹脂体の少なくとも二辺からそれぞれ引き出し、前記ダイパッドの前記半導体素子の搭載面と反対側面を露出させた半導体装置において、前記ウイングの少なくとも一つに、少なくとも一つの突出部を設けたことを特徴とする。

請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、ウイングに設けられた突出部が前記インナーリードの金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲したことを特徴とする。

請求項３記載の半導体装置は、請求項１または２記載の半導体装置において、ウイングに設けられた突出部が金属細線でインナーリードと電気的に接続されていることを特徴とする。

請求項４記載の半導体装置の製造方法は、ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた複数のウイングと、前記ダイパッドの周辺に配置される複数のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードと、ウイングに設けられた突出部とを、金属平板を用いて、一体に形成したリードフレームを用意する工程と、前記ウイングを前記ダイパッドの半導体素子の搭載面側に屈曲させるように前記リードフレームを加工する工程と、前記吊りリードを屈曲して前記ダイパッドを前記インナーリードの高さから下方にダウンセットし、そのダウンセットさせる段差が封止金型の深さより大きくなるように前記リードフレームを加工する工程と、前記ダイパッドに半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記インナーリードを金属細線で電気的に接続する工程と、前記リードフレームのアウターリードを前記封止金型に型締めすることによって、前記ダイパッドの半導体素子の搭載面と反対の面を前記封止金型の内壁面に当接させながら樹脂封止する工程を有することを特徴とする。

請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項４記載の半導体装置の製造方法において、ウイングに設けられた突出部が前記インナーリードの金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲する工程を有することを特徴とする。

請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または５記載の半導体装置の製造方法において、ウイングに設けられた突出部が金属細線でインナーリードと電気的に接続する工程を有することを特徴とする。

請求項７記載の半導体装置は、複数の吊りリードに支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた前記半導体素子の搭載面側に屈曲した複数のウイングと、前記半導体素子と金属細線で電気的に接続された複数本のインナーリードと、各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードと、前記搭載面と前記半導体素子と前記複数のウイングと前記金属細線と前記インナーリード群を樹脂封止する四辺形の平板状に成形された封止樹脂体とを備え、前記アウターリード群を前記封止樹脂体の少なくとも２辺からそれぞれ引き出し、前記ダイパッドの前記半導体素子の搭載面と反対側面を露出させた半導体装置において、少なくとも一つの前記ウイングの先端部分を、前記インナーリードの金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲した屈曲部を設けたことを特徴とする。

請求項８記載の半導体装置は、請求項７記載の半導体装置において、ウイング先端に設けられた屈曲部が金属細線でインナーリードと電気的に接続されていることを特徴とする。

請求項９記載の半導体装置の製造方法は、ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた複数のウイングと、前記ダイパッドの周辺に配置される複数のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードとを、金属平板を用いて、一体に形成したリードフレームを用意する工程と、前記ウイングを前記ダイパッドの半導体素子の搭載面側に屈曲させ、さらに少なくとも一つの前記ウイングの先端部分を、前記インナーリードの金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲した屈曲部を設けるように前記リードフレームを加工する工程と、前記吊りリードを屈曲して前記ダイパッドを前記インナーリードの高さから下方にダウンセットし、そのダウンセットさせる段差が封止金型の深さより大きくなるように前記リードフレームを加工する工程と、前記ダイパッドに半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記インナーリードを金属細線で電気的に接続する工程と、前記リードフレームのアウターリードを前記封止金型に型締めすることによって、前記ダイパッドの半導体素子の搭載面と反対の面を前記封止金型の内壁面に当接させながら樹脂封止する工程を有することを特徴とする。

請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項９記載の半導体装置の製造方法において、ウイング先端に設けられた屈曲部が金属細線でインナーリードと電気的に接続する工程を有することを特徴とする。

請求項１１記載の半導体装置は、請求項１，２，３，７または８記載の半導体装置において、吊りリードがインナーリードの高さからダウンセットされていることを特徴とする。

請求項１２記載の半導体装置は、請求項１，２，３，７，８または１１記載の半導体装置において、ダイパッドの露出面の外周部に窪み部を設けたことを特徴とする。

請求項１３記載の半導体装置の製造方法は、請求項４，５，６，９または１０記載の半導体装置の製造方法において、ダイパッドの露出面の外周部に窪み部を設ける工程を有することを特徴とする。

前記構成によって、本発明の半導体装置およびその製造方法は、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させるタイプの半導体装置において、ダイパッドと一体で設けられたウイングに突出部あるいは屈曲部を設け、ウイングに設けた突出部あるいは屈曲部を金属細線でインナーリードに接続し、接続されたインナーリードと一体で連続して設けられたアウターリードを接地することにより、ダイパッドおよび半導体素子の裏面にＧＮＤ電位を与えることができるものである。また、本半導体装置を実装する際には、ダイパッドの露出面に加えて、ダイパッドと接続されたインナーリードからも放熱が可能となるので、高い放熱効果が期待できるものである。

本発明によれば、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させるタイプの半導体装置において、ダイパッド周辺にあるウイングに設けた突出部あるいは屈曲部を金属細線でインナーリードに接続し、接続したインナーリードと一体に連続して設けたアウターリードを接地することにより、ダイパッドおよび半導体素子の裏面にＧＮＤ電位を与えることが可能になる。

また、ウイングに設けられた突出部あるいは屈曲部は、金属細線でインナーリードに接続しているため、接地用に使用するインナーリードを固定する必要がないため、半導体素子のパッドレイアウト上の制約をなくすことができる。

さらに、本半導体装置を実装する際には、ダイパッドの露出面に加えて、ダイパッドとウイングおよび金属細線を介して接続されたインナーリードからも放熱が可能となるので、高い放熱効果が期待できる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。

（第１の実施の形態）
本実施の形態では、まず、金属薄板をエッチング加工またはプレス加工により所望する電極形状に加工してリードフレーム１を作成する。図１は得られたリードフレームの一例を示した図であり、図１（ａ）は図１（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図１（ｂ）は平面図である。

図１（ａ），（ｂ）において、リードフレーム１には、半導体素子４が搭載されるダイパッド２、半導体素子４と結線するためのインナーリード６、ダイパッド２を支持する吊りリード１０が形成されている。吊りリード１０には、階段状にディプレス（ｄｅｐｒｅｓｓ）加工が施され、ダイパッド２をインナーリード６上面よりも下方に配置されるように、ダウンセットされている。

この構造は、半導体チップを搭載して半導体装置を構成した際、ダイパッド２の下面を封止樹脂体８の底面に露出させるための構成である。

そして、ダイパッド２は、その周辺部分がウイング９を有しており、半導体装置を構成し、ダイパッド２の下面が封止樹脂体８の底面から露出した際の水分浸入を防止する機能を有している。また、吊りリード１０のディプレス加工以外に、ダイパッド２のウイング９も曲げ加工が施され、ダイパッド２の半導体素子４搭載側に屈曲している。

ウイング９の先端には突出部９ａを有し、かつ突出部９ａはインナーリード６の金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲されている。ウイング９に設けられた突出部９ａはインナーリード６上面よりも下方に配置に形成されている。

この構造は、半導体素子４を搭載して半導体装置を構成した際、インナーリード６から半導体素子４への金属細線５に、ウイング９に設けられた突出部９ａ、あるいはウイング９に設けられた突出部９ａと接地用インナーリード６ａを接続する接地用金属細線５ａが接触してショートすることを防止するための構成である。

次に、図２（図２（ａ）は図２（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、図２（ｂ）は平面図）に示すように、ダイパッド２に半導体素子４を接着剤３を用いて接着する。半導体素子４のボンディングパッド（図示せず）とインナーリード６を金属細線５で、またウイング９に設けられた突出部９ａと接地用インナーリード６ａを接地用金属細線５ａで、それぞれ結線する。このとき、ダイパッド２，突出部９ａ，インナーリード６，接地用インナーリード６ａにおける金属細線５および接地用金属細線５ａを結線する面と反対面は、ヒートステージ（図示せず）に固定されている。ここで、接着剤３は導電性のものを使用することにより、ダイパッド２を介して半導体素子４の裏面を接地することが可能となる。

次に、図３（図３（ａ）は、図３（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図３（ｂ）は平面図）に示すように、ダイパッド２上に半導体素子４が搭載され、金属細線５及び接地用金属細線５ａで電気的に接続されたリードフレームを封止金型の上金型１７、下金型１８とで、密封し、封止樹脂体８を注入ゲート１５より注入方向１６の方向に注入して樹脂封止する。このとき、ダイパッド２の底面が封止金型の下金型１８の内壁面に当接している。封止樹脂の硬化後に、封止金型の上金型１７と下金型１８とを開く。

次に、インナーリード６と接地用インナーリード６ａと一体で連続して設けられたアウターリード７と接地用アウターリード７ａは、リードフォーミング金型にて所定のリード形状に加工され、図４（図４（ａ）は、図４（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図４（ｂ）は平面図）に示すような半導体措置を得る。ここで、ダイパッド２の下面は封止樹脂体８の底面から露出している。

また、図５（図５（ａ）は図５（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図５（ｂ）は平面図）に示すように、ダイパッド２の半導体素子４の搭載面と反対側の露出面の外周部には、窪み部１９を形成している。この窪み部１９は樹脂封止時の注入圧力を逃がすと共に、樹脂の流れをせき止めることができ、薄バリを一定範囲内に抑えることができる。従って、露出面の実効的な面積を確保でき、露出面の半田付けを可能にして、放熱効果を高めることができる。

本実施の形態によれば、ダイパッド２の下面を封止樹脂体８から露出させるタイプの半導体装置において、ウイング９に設けられた突出部９ａと接地用インナーリード６ａを接地用金属細線５ａで接続することにより、ダイパッド２と接地用アウターリード７ａを電気的に接続することができる。よって、接地用アウターリード７ａを接地すれば、導電性の接着剤３を介して半導体素子４の裏面を接地することができるため、半導体素子の回路設計において、パッドレイアウト上の制約をなくし、耐熱性を確保した半導体装置を提供することができる。

なお、本実施の形態において、ウイング９に設けられた突出部９ａがインナーリード６上面よりも下方に配置されない場合などでも、接地用インナーリード６ａと接地用金属細線５ａで接続することができ、かつ周囲のインナーリード６および金属細線５に接触しなければ、前記実施の形態の構成に限定されない。また、ウイング９に設けられた突出部９ａ，接地用金属細線５ａ，接地用インナーリード６ａ，接地用アウターリード７ａは、それぞれ複数形成することも可能である。

（第２の実施の形態）
第２の実施の形態では、まず、図９に示す従来の半導体装置と同じリードフレームを作成する。従来の半導体装置と同じ加工についての説明は省略する。

図６（図６（ａ）は図６（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図６（ｂ）は平面図）に示すように、リードフレーム１におけるウイング９の先端を半導体素子４の搭載面と平行になるように屈曲させ、屈曲部９ｂを形成する。屈曲部９ｂはインナーリード６上面よりも下方に配置に形成されている。

この構造は、半導体素子４を搭載して半導体装置を構成した際、インナーリード６から半導体素子４への金属細線５に、屈曲部９ｂ、あるいは屈曲部９ｂと接地用インナーリード６ａを接続する接地用金属細線５ａが接触して、ショートすることを防止するための構成である。

次に、ダイパッド２に半導体素子４を接着剤３を用いて接着する。半導体素子４のボンディングパッド（図示せず）とインナーリード６を金属細線５で、屈曲部９ｂと接地用インナーリード６ａを接地用金属細線５ａでそれぞれ結線する。このとき、ダイパッド２，屈曲部９ｂ，インナーリード６，接地用インナーリード６ａの金属細線５、および接地用金属細線５ａを結線する面と反対面は、ヒートステージに固定されている。ここで、接着剤３は導電性のものを使用することにより、ダイパッド２を介して半導体素子４の裏面を接地することが可能となる。

次に、ダイパッド２上に半導体素子４が搭載され、金属細線５および接地用金属細線５ａで電気的に接続されたリードフレームを、封止金型の上金型１７と下金型１８とで密封し、封止樹脂体８を注入ゲート１５より注入方向１６の方向に注入して樹脂封止する。このとき、ダイパッド２の底面が封止金型の下金型１８の内壁面に当接している。封止樹脂の硬化後に、封止金型の上金型１７と下金型１８とを開く。

次に、インナーリード６と接地用インナーリード６ａと一体で連続して設けられたアウターリード７と接地用アウターリード７ａは、リードフォーミング金型にて所定のリード形状に加工され、図７（図７（ａ）は図７（ｂ）に１点鎖線で示したＡ―Ａ線における断面図、図７（ｂ）は平面図）に示すような半導体装置を得る。ここで、ダイパッド２の下面は封止樹脂体８の底面から露出している。

また、第１の実施の形態の半導体装置と同様に、ダイパッド２の半導体素子４の搭載面と反対側の露出面の外周部に窪み部１９を形成することにより、同様の効果を得ることができる。

本実施の形態によれば、ダイパッド２の下面を封止樹脂体８から露出させるタイプの半導体装置において、ウイング９の屈曲部９ｂと接地用インナーリード６ａを接地用金属細線５ａで接続することにより、ダイパッド２と接地用アウターリード７ａを電気的に接続することができる。よって、接地用アウターリード７ａを接地すれば、導電性の接着剤３を介して半導体素子４の裏面を接地することができるため、半導体素子の回路設計において、パッドレイアウト上の制約をなくし、耐熱性を確保した半導体装置を提供することができる。

なお、本実施の形態において、ウイング９の屈曲部９ｂがインナーリード６の上面よりも下方に配置されない場合などでも、接地用インナーリード６ａと接地用金属細線５ａで接続することでき、かつ周囲のインナーリード６および金属細線５に接触しなければ、前記実施の形態の構成に限定されない。また、ウイング９の屈曲部９ｂは、必ずしも全てのウイング９に形成する必要はない。

本発明は、大きな発熱量の半導体素子を搭載するのに適した半導体装置、およびその製造方法に適用され、特に放熱性が良好で、品質の安定化が要求されるような半導体装置に実施して有効である。

本発明の第１の実施の形態の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 第１の実施の形態の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 第１の実施の形態の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 第１の実施の形態の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 第１の実施の形態の半導体装置に使用されるリードフレーム形状を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 本発明の第２の実施の形態の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 第２の実施の形態の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 従来の半導体装置を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 従来の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 従来の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図 従来の半導体装置における一製造工程を示す図であり、（ａ）は（ｂ）の１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は平面図

符号の説明

１ リードフレーム
２ ダイパッド
３ 接着剤
４ 半導体素子
５ 金属細線
５ａ 接地用金属細線
６ インナーリード
６ａ 接地用インナーリード
７ アウターリード
７ａ 接地用アウターリード
８ 封止樹脂体
９ ウイング
９ａ 突出部
９ｂ 屈曲部
１０ 吊りリード
１５ 注入ゲート
１６ 注入方向
１７ 上金型
１８ 下金型
１９ 窪み部

Claims (13)

1. 複数の吊りリードに支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた前記半導体素子の搭載面側に屈曲した複数のウイングと、前記半導体素子と金属細線で電気的に接続された複数本のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードと、前記搭載面と前記半導体素子と前記複数のウイングと前記金属細線と前記インナーリード群を樹脂封止する四辺形の平板状に成形された封止樹脂体とを備え、前記アウターリード群を封止樹脂体の少なくとも２辺からそれぞれ引き出し、前記ダイパッドの前記半導体素子の搭載面と反対側面を露出させた半導体装置において、
   前記ウイングの少なくとも一つに、少なくとも一つの突出部を設けたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記ウイングに設けられた前記突出部が、前記インナーリードの前記金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ウイングに設けられた前記突出部が、前記金属細線で前記インナーリードと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた複数のウイングと、前記ダイパッドの周辺に配置される複数のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードと、前記ウイングに設けられた突出部とを、金属平板を用いて一体に形成したリードフレームを用意する工程と、
   前記ウイングを前記ダイパッドの半導体素子の搭載面側に屈曲させるように前記リードフレームを加工する工程と、
   前記吊りリードを屈曲して前記ダイパッドを前記インナーリードの高さから下方にダウンセットし、そのダウンセットさせる段差が封止金型の深さより大きくなるように前記リードフレームを加工する工程と、
   前記ダイパッドに半導体素子を搭載する工程と、
   前記半導体素子と前記インナーリードを金属細線で電気的に接続する工程と、
   前記リードフレームのアウターリードを前記封止金型に型締めすることによって、前記ダイパッドの半導体素子の搭載面と反対の面を前記封止金型の内壁面に当接させながら樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記ウイングに設けられた前記突出部が、前記インナーリードの前記金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲する工程を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記ウイングに設けられた前記突出部が、前記金属細線で前記インナーリードと電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
7. 複数の吊りリードに支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた前記半導体素子の搭載面側に屈曲した複数のウイングと、前記半導体素子と金属細線で電気的に接続された複数本のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードと、前記搭載面と前記半導体素子と前記複数のウイングと前記金属細線と前記インナーリード群を樹脂封止する四辺形の平板状に成形された封止樹脂体とを備え、前記アウターリード群を封止樹脂体の少なくとも２辺からそれぞれ引き出し、前記ダイパッドの前記半導体素子の搭載面と反対側面を露出させた半導体装置において、
   少なくとも一つの前記ウイングの先端部分を、前記インナーリードの前記金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲した屈曲部を設けたことを特徴とする半導体装置。
8. 前記ウイングの先端部分に設けられた前記屈曲部が、前記金属細線で前記インナーリードと電気的に接続されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
9. ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドの少なくとも２側面に設けられた複数のウイングと、前記ダイパッドの周辺に配置される複数のインナーリードと、前記各インナーリードとそれぞれ一体で連続して設けられたアウターリードとを、金属平板を用いて一体に形成したリードフレームを用意する工程と、
   前記ウイングを前記ダイパッドの半導体素子の搭載面側に屈曲させ、さらに少なくとも一つの前記ウイングの先端部分を、前記インナーリードの金属細線を接続する部分と平行になるように屈曲した屈曲部を設けるように前記リードフレームを加工する工程と、
   前記吊りリードを屈曲して前記ダイパッドを前記インナーリードの高さから下方にダウンセットし、そのダウンセットさせる段差が封止金型の深さより大きくなるように前記リードフレームを加工する工程と、
   前記ダイパッドに半導体素子を搭載する工程と、
   前記半導体素子と前記インナーリードを金属細線で電気的に接続する工程と、
   前記リードフレームのアウターリードを前記封止金型に型締めすることによって、前記ダイパッドの半導体素子の搭載面と反対の面を前記封止金型の内壁面に当接させながら樹脂封止する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 前記ウイングの先端部分に設けられた屈曲部が、前記金属細線で前記インナーリードと電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記吊りリードが前記インナーリードの高さからダウンセットされていることを特徴とする請求項１，２，３，７または８記載の半導体装置。
12. 前記ダイパッドの露出面の外周部に窪み部を設けたことを特徴とする請求項１，２，３，７，８または１１記載の半導体装置。
13. 前記ダイパッドの露出面の外周部に窪み部を設ける工程を有することを特徴とする請求項４，５，６，９または１０記載の半導体装置の製造方法。

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