JP2005197011A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197011A JP2005197011A JP2003435823A JP2003435823A JP2005197011A JP 2005197011 A JP2005197011 A JP 2005197011A JP 2003435823 A JP2003435823 A JP 2003435823A JP 2003435823 A JP2003435823 A JP 2003435823A JP 2005197011 A JP2005197011 A JP 2005197011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display device
- spacer layer
- reflective film
- ito
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 121
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 104
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 501
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 113
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】複数の画素を備え、2種類以上の波長の射出光によりカラー表示を行う表示装置で、各画素は、基板側に形成された下部反射膜110と、下部反射膜110の上方に間に有機発光素子層120を挟んで形成された上部反射膜240と、の間に構成された微小共振器構造を備える。下部反射膜110は金属薄膜より構成され、有機発光素子層120との間に第1電極200として機能する導電性共振スペーサ層を備える。導電性共振スペーサ層はITOの透明導電性金属酸化物層とSiNx等の光透過層210の積層数又は残存数を射出波長に応じて変えて厚さを変える。この厚さは下層の多結晶ITOをエッチングストッパとし、上層の非晶質ITO層又はSiNx層を多結晶ITO上から選択的に除去し、成膜し残存させるITO層及びSiNx層の厚さに応じて厚さを変え、発光光は上記微小共振器構造で増強される。
【選択図】図7
Description
2nL=(m+ 1/2)λ ・・・(1)
の関係を示すように設計することで、波長λを選択的に増強して外部に射出することが可能となる。なお、ここでnは、屈折率、mは、整数(0,1,2,3・・・)である。
Claims (14)
- 複数の画素を備え、少なくとも2種類の波長の射出光によりカラー表示を行う表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、基板側に形成された下部反射膜と、前記下部反射膜の上方に間に少なくとも1層の有機発光素子層を挟んで形成された上部反射膜と、の間に構成された微小共振器構造を有し、
前記下部反射膜と前記有機発光素子層との間には、画素毎に個別パターンを有する導電性共振スペーサ層を備え、
前記複数の画素のうち少なくとも一部の画素に設けられる前記導電性共振スペーサ層は、複数の透明導電性金属酸化物層と、該透明導電性金属酸化物層の層間に、該酸化物層の屈折率との差が±25%以内の屈折率を有する光透過層と、を備え、
前記有機発光素子層で得られ、前記下部反射膜と前記上部反射膜との間に構成された前記微小共振器構造によって増強された光が外部に射出されることを特徴とする表示装置。 - 複数の画素を備え、少なくとも2種類の波長の射出光によりカラー表示を行う表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、基板側に形成された下部反射膜と、前記下部反射膜の上方に間に少なくとも1層の有機発光素子層を挟んで形成された上部反射膜と、の間に構成された微小共振器構造を有し、
前記下部反射膜と前記有機発光素子層との間には、画素毎に個別パターンを有する導電性共振スペーサ層を備え、
前記複数の画素のうち少なくとも一部の画素に設けられる前記導電性共振スペーサ層は、透明導電性金属酸化物の単層又は多層を備え、
前記一部の画素と射出波長の異なる他の画素に設けられる前記導電性共振スペーサ層は、複数の透明導電性金属酸化物層と、該透明導電性金属酸化物層の層間に、該酸化物層の屈折率との差が±25%以内の屈折率を有する光透過層と、を備え、
前記有機発光素子層で得られ、前記下部反射膜と前記上部反射膜との間に構成された前記微小共振器構造によって増強された光が外部に射出されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の表示装置において、
前記導電性共振スペーサ層に用いられる前記透明導電性金属酸化物は、
非晶質の前記透明導電性金属酸化物用エッチング剤に対する多結晶の前記透明導電性金属酸化物のエッチングレートが、前記非晶質の透明導電性金属酸化物のエッチングレートの10分の1未満であり、
かつ、前記光透過層の材料用エッチング剤に対する前記多結晶の前記透明導電性金属酸化物のエッチングレートが、該光透過層のエッチングレートの10分の1未満を満たす材料であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記導電性共振スペーサ層の前記透明導電性金属酸化物層は、インジウムスズ酸化物で形成され、前記光透過層は、シリコン窒化物で形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記下部反射膜は、銀、金、白金、アルミニウム又はこれらのいずれかの合金を含むことを特徴とする表示装置。 - 複数の画素を備え、各画素は、下部反射膜と、該下部反射膜の上方に、間に少なくとも1層の有機発光素子層を挟んで形成された上部反射膜と、の間に構成された微小共振器を備え、該微小共振器の前記下部反射膜と前記上部反射膜との層間距離に応じた光学長が、射出波長に応じて画素間で異なり、少なくとも2種類の波長の射出光によりカラー表示を行う表示装置の製造方法であって、
前記下部反射膜の形成後、前記有機発光素子層の形成前に、前記画素毎に、透明導電性金属酸化物を含み、前記光学長を調整する導電性共振スペーサ層を形成し、
該導電性共振スペーサ層の形成に際し、
前記下部反射膜の形成後、各画素領域に、非晶質の透明導電性金属酸化物からなる所定厚さの非晶質スペーサ層を形成し、
前記非晶質スペーサ層を多結晶化アニールして多結晶スペーサ層を形成し、
前記多結晶スペーサ層形成後、少なくとも一部の画素領域において、シリコン窒化層を形成し、
前記シリコン窒化層形成後、非晶質の透明導電性金属酸化物からなる所定厚さの非晶質スペーサ層を形成し、
前記複数の画素のうち少なくとも一部の画素領域において、前記多結晶スペーサ層をエッチングストッパとして、前記非晶質スペーサ層をエッチング除去し、
少なくとも前記非晶質スペーサ層の除去された画素領域と、前記多結晶スペーサ層及び前記シリコン窒化層を有し、さらに該シリコン窒化層上に前記非晶質スペーサ層を残した画素領域と、で最終的な前記導電性共振スペーサ層の合計厚を変えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6に記載の表示装置の製造方法において、
前記非晶質の各スペーサ層は、積層後、フォトリソグラフィによって画素毎の形状にパターニングすることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6又は請求項7に記載の表示装置の製造方法において、
前記透明導電性金属酸化物は、インジウムスズ酸化物であることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6〜請求項8のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記導電性共振スペーサ層の形成時において、前記非晶質スペーサ層用のエッチング剤に対する該非晶質スペーサ層のエッチングレート及び前記シリコン窒化層用のエッチング剤に対する該シリコン窒化層のエッチングレートが、前記多結晶スペーサ層の各エッチング剤に対するエッチングレートの10倍以上であることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6〜請求項9のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記多結晶スペーサ層をエッチングストッパとした前記非晶質スペーサ層のエッチングは、塩酸及び硝酸を含む水溶液を用いたウエットエッチングであることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6〜請求項9のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記多結晶スペーサ層をエッチングストッパとした前記シリコン窒化層のエッチングは、フッ酸及び硝酸及び酢酸を含む水溶液を用いたウエットエッチングであることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6〜請求項11のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記下部反射膜を形成した後、大気に曝すことなく、前記下部反射膜上に第1層目のスペーサ層として、非晶質状態の導電性金属酸化物層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項12に記載の表示装置の製造方法において、
前記下部反射膜は、銀、金、白金、アルミニウム又はこれらのいずれかの合金を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項6〜請求項13のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法において、
前記導電性共振スペーサ層は、前記下部反射膜と前記有機発光素子層との間に設けられ、前記有機発光素子層に電荷を供給する電極であることを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003435823A JP4475942B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 表示装置及びその製造方法 |
TW093137590A TWI300670B (en) | 2003-12-26 | 2004-12-06 | Display device and manufacturing method therefor |
US11/020,815 US7166959B2 (en) | 2003-12-26 | 2004-12-22 | Display device having microresonator structure |
KR1020040112074A KR100684243B1 (ko) | 2003-12-26 | 2004-12-24 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CNB2004101034162A CN100431165C (zh) | 2003-12-26 | 2004-12-27 | 显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003435823A JP4475942B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197011A true JP2005197011A (ja) | 2005-07-21 |
JP4475942B2 JP4475942B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=34697831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003435823A Expired - Lifetime JP4475942B2 (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7166959B2 (ja) |
JP (1) | JP4475942B2 (ja) |
KR (1) | KR100684243B1 (ja) |
CN (1) | CN100431165C (ja) |
TW (1) | TWI300670B (ja) |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042535A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器 |
JP2007188751A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007250306A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
KR100778039B1 (ko) | 2005-09-27 | 2007-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
JP2007317451A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el素子 |
JP2008210665A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Canon Inc | 有機発光素子及びそれを用いた表示装置 |
JP2009032540A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Canon Inc | 有機発光素子 |
US7741640B2 (en) | 2004-03-11 | 2010-06-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Top-emission organic light-emitting display device |
JP2010244693A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | 有機el装置および有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 |
US7923920B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting elements of LED with light reflection layers in each spaced on opposite sides of transparent conductive layer |
JP2011124212A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
US8193695B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
US8314542B2 (en) | 2010-08-26 | 2012-11-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic electroluminescence device |
JP2012248517A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
WO2013047457A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
WO2013047331A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
US8646405B2 (en) | 2009-08-21 | 2014-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition mask and method of fabricating the same |
US8653729B2 (en) | 2008-10-13 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
US8716931B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-05-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode (OLED) display |
KR20150074367A (ko) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
US9231154B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2017107887A (ja) * | 2017-03-27 | 2017-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US10115778B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-10-30 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
JP2019021642A (ja) * | 2018-10-30 | 2019-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
JP2019530976A (ja) * | 2016-09-27 | 2019-10-24 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 狭く可変のスペクトル応答の有機マイクロキャビティ光検出器 |
WO2019220948A1 (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
WO2021240621A1 (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | シャープ株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
WO2022172981A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
WO2022209588A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器、ならびに表示装置の製造方法 |
WO2023095662A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7316784B2 (en) * | 2003-02-10 | 2008-01-08 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of patterning transparent conductive film, thin film transistor substrate using the same and fabricating method thereof |
KR101106920B1 (ko) * | 2004-03-05 | 2012-01-25 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
JP4507718B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-07-21 | 京セラ株式会社 | カラー有機elディスプレイ及びその製造方法 |
KR100683711B1 (ko) * | 2004-11-22 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
JP4557289B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-10-06 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
KR100852111B1 (ko) * | 2005-07-13 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US8102111B2 (en) * | 2005-07-15 | 2012-01-24 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus |
US7635947B2 (en) * | 2005-08-29 | 2009-12-22 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Organic electro-luminescence device comprising uniform thickness light-emitting layer |
KR20070030620A (ko) * | 2005-09-13 | 2007-03-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 증착방법 및 이로써 제조된 유기 발광 표시장치 |
US7843134B2 (en) * | 2005-10-31 | 2010-11-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL emission devices connected in series |
FR2893215A1 (fr) * | 2005-11-04 | 2007-05-11 | Thomson Licensing Sa | Diode organique electroluminescente a cavite optique de resonnance et a extracteur servant de filtre spatial de lumiere |
KR100708855B1 (ko) * | 2005-11-24 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100741100B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
US7576354B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
JP2007273446A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
JP4402069B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 多色有機elディスプレイ |
CN101017884B (zh) * | 2007-02-28 | 2013-08-14 | 友达光电股份有限公司 | 自发光显示装置 |
KR100810640B1 (ko) * | 2007-03-07 | 2008-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR100853545B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2008-08-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
JP5329062B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-10-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20090112088A (ko) * | 2008-04-23 | 2009-10-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20090112090A (ko) * | 2008-04-23 | 2009-10-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100932940B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101574130B1 (ko) * | 2008-09-01 | 2015-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
DE102008054435A1 (de) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Universität Zu Köln | Organische Leuchtdiode mit optischem Resonator nebst Herstellungsverfahren |
EP2267818B1 (en) * | 2009-06-22 | 2017-03-22 | Novaled GmbH | Organic lighting device |
KR101232736B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2013-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
KR101117737B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2012-02-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101689336B1 (ko) | 2010-06-30 | 2016-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
JP5132739B2 (ja) | 2010-09-06 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
KR101695376B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR20120042143A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JPWO2012102269A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2014-06-30 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 |
JP5617700B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR101971102B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 장치 |
KR20120139386A (ko) * | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101880721B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터, 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101810047B1 (ko) | 2011-07-28 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102108572B1 (ko) | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5998626B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR20140016111A (ko) * | 2012-07-30 | 2014-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101953822B1 (ko) * | 2012-08-14 | 2019-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101990116B1 (ko) * | 2012-10-22 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광장치 및 그것의 제조방법 |
CN103000580A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN103000640B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN103022049B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR20150111005A (ko) * | 2014-03-24 | 2015-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP2015216072A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el装置及びその製造方法 |
WO2016031757A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置 |
KR102373436B1 (ko) * | 2015-03-30 | 2022-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
CN105206651B (zh) | 2015-10-12 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
WO2018225183A1 (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
CN111201628A (zh) * | 2017-12-20 | 2020-05-26 | 深圳市柔宇科技有限公司 | Oled显示面板的像素的共振腔结构和oled显示面板 |
KR102468318B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 캐비티 구조를 갖는 고 개구율 마이크로 표시장치 |
KR102461138B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2022-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
US11997863B2 (en) * | 2018-11-20 | 2024-05-28 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device, method for manufacturing display device, and electronic device |
CN110165070B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-04-23 | 合肥视涯显示科技有限公司 | Oled阳极的制作方法及oled显示装置的制作方法 |
CN110459564A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其显示装置 |
CN110767670B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-11-15 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
KR20220030361A (ko) * | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
CN112599703B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-08-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275381A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 多色発光素子とその基板 |
WO1997046054A1 (fr) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif organique electroluminescent |
JPH1148387A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-23 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電膜 |
JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
JP2001183685A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002299057A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-10-11 | Agilent Technol Inc | 有機発光装置 |
JP2003031374A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2004253389A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Eastman Kodak Co | 多色有機発光表示装置 |
JP2005093401A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sony Corp | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
JP2005116516A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3274527B2 (ja) | 1992-09-22 | 2002-04-15 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子とその基板 |
US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US6111270A (en) | 1998-04-27 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Light-emitting apparatus and method of fabrication |
JP4001692B2 (ja) | 1999-02-18 | 2007-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
GB2351840A (en) * | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
GB2353400B (en) | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
TW516244B (en) | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
US6710541B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-03-23 | Reveo, Inc. | Polarized light sources and methods for making the same |
US6576351B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
JP2003109775A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP4164251B2 (ja) | 2001-10-31 | 2008-10-15 | 東北パイオニア株式会社 | 有機elカラーディスプレイ及びその製造方法 |
KR100490535B1 (ko) | 2001-12-17 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 소자 |
JP3748406B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-02-22 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP2003187975A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
CN1666579A (zh) * | 2002-05-08 | 2005-09-07 | 泽奥勒克斯公司 | 使用反馈增强型发光二极管的照明器件 |
US6670772B1 (en) | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
US6905457B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-06-14 | Datex-Ohmeda, Inc. | Radiant field management for infant care apparatus |
US7030553B2 (en) | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
JP4497881B2 (ja) | 2003-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 有機el素子および有機elパネル |
JP4428979B2 (ja) | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4895490B2 (ja) | 2003-09-30 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003435823A patent/JP4475942B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-06 TW TW093137590A patent/TWI300670B/zh active
- 2004-12-22 US US11/020,815 patent/US7166959B2/en active Active
- 2004-12-24 KR KR1020040112074A patent/KR100684243B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 CN CNB2004101034162A patent/CN100431165C/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275381A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 多色発光素子とその基板 |
WO1997046054A1 (fr) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif organique electroluminescent |
JPH1148387A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-23 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電膜 |
JP2001071558A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
JP2001183685A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002299057A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-10-11 | Agilent Technol Inc | 有機発光装置 |
JP2003031374A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2004253389A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Eastman Kodak Co | 多色有機発光表示装置 |
JP2005093401A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sony Corp | 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置 |
JP2005116516A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7741640B2 (en) | 2004-03-11 | 2010-06-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Top-emission organic light-emitting display device |
JP4710475B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器 |
JP2007042535A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器 |
KR100778039B1 (ko) | 2005-09-27 | 2007-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
JP4582004B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2010-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2007188751A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007250306A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP4678319B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2007317451A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el素子 |
US7923920B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting elements of LED with light reflection layers in each spaced on opposite sides of transparent conductive layer |
JP2008210665A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Canon Inc | 有機発光素子及びそれを用いた表示装置 |
JP2009032540A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Canon Inc | 有機発光素子 |
US8193695B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
US8653729B2 (en) | 2008-10-13 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
US8951083B2 (en) | 2008-10-13 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for manufacturing an organic light emitting diode display |
JP2010244693A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | 有機el装置および有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 |
US8646405B2 (en) | 2009-08-21 | 2014-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition mask and method of fabricating the same |
JP2011124212A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
US8716931B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-05-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode (OLED) display |
US8314542B2 (en) | 2010-08-26 | 2012-11-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic electroluminescence device |
JP2012248517A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
WO2013047331A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JPWO2013047331A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2015-03-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
WO2013047457A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
US9231154B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US10991779B2 (en) | 2013-06-05 | 2021-04-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US10541289B2 (en) | 2013-06-05 | 2020-01-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
US10115778B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-10-30 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device |
KR102283853B1 (ko) | 2013-12-24 | 2021-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20150074367A (ko) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP2019530976A (ja) * | 2016-09-27 | 2019-10-24 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 狭く可変のスペクトル応答の有機マイクロキャビティ光検出器 |
JP2017107887A (ja) * | 2017-03-27 | 2017-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
WO2019220948A1 (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JPWO2019220948A1 (ja) * | 2018-05-15 | 2021-05-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP7289831B2 (ja) | 2018-05-15 | 2023-06-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2019021642A (ja) * | 2018-10-30 | 2019-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
WO2021240621A1 (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | シャープ株式会社 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
WO2022172981A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
WO2022209588A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器、ならびに表示装置の製造方法 |
WO2023095662A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050067067A (ko) | 2005-06-30 |
US20050140277A1 (en) | 2005-06-30 |
TWI300670B (en) | 2008-09-01 |
KR100684243B1 (ko) | 2007-02-20 |
CN1638580A (zh) | 2005-07-13 |
TW200522782A (en) | 2005-07-01 |
US7166959B2 (en) | 2007-01-23 |
CN100431165C (zh) | 2008-11-05 |
JP4475942B2 (ja) | 2010-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4475942B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP4439260B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
KR102037850B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US9159948B2 (en) | Display device including light-emitting element and electronic device | |
KR101354303B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR101415794B1 (ko) | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2005197009A (ja) | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 | |
JP2016081562A (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 | |
US8716931B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
JP2005340197A (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
KR101972169B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
JP2010244693A (ja) | 有機el装置および有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 | |
JP4637831B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 | |
US9660219B2 (en) | Methods of manufacturing display devices | |
KR100731753B1 (ko) | 양면 발광 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
WO2019184346A1 (zh) | 有机发光二极管及其制备方法、显示面板 | |
KR20080047782A (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
JP2010272447A (ja) | 有機el装置、有機el装置の製造方法、および電子機器 | |
JP2009129604A (ja) | 表示装置及び有機el装置の製造方法、有機el装置及び電子機器 | |
KR20100137272A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2008091223A (ja) | 表示装置 | |
WO2021035549A1 (zh) | 显示基板及其制备方法,电子设备 | |
WO2021249312A1 (zh) | 显示面板、透明显示面板及其制作方法 | |
KR102113609B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
JP2006154494A (ja) | 表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100309 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4475942 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 4 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |