KR100778039B1 - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 안정된 전기 특성이 얻어지는 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

화소 전극(25)은 상기 발광 영역이 복수 배치된 전극부(25a)와, 배선(12)에 접속되는 접속부(25b)로 구성되고, 제 1 단위 소자(Ur)의 화소 전극(25)은 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 전극층(51, 52, 53)이 적층되어 이루어지며, 제 2 단위 소자(Ug)의 화소 전극(25)은 전극부(25a)에 대응하는 전극층(52, 53)과 접속부(25b)에 대응하는 전극층(51, 52, 53)이 적층되어 이루어지고, 제 1 단위 소자(Ur)의 전극부(25a)에서의 전극층의 적층 수보다도 제 2 단위 소자(Ug)의 전극부(25a)에서의 전극층의 적층 수가 적은 발광 장치로 한다.

하지층, 광반사층, 전극부, 격벽층, 밀봉재

Description

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기{LIGHT EMITTING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 구성을 나타낸 단면도.

도 2는 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 3은 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 4는 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 5는 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 6은 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 7은 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 8은 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 9는 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 10은 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 11은 도 1에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 12는 대비 예에 따른 발광 장치의 구성을 나타낸 단면도.

도 13은 도 12에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 14는 도 12에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 15는 도 12에 나타낸 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도.

도 16은 본 발명에 따른 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 기판 12 : 배선

14 : 하지층(下地層) 21 : 광반사층

23 : 보호막 25 : 제 1 전극(화소 전극)

25a : 전극부 25b : 접속부

31 : 격벽층 33 : 발광체

35 : 제 2 전극(반투과 반사층) 37 : 밀봉재

51, 251 : 제 1 전극층(전극층) 52, 252 : 제 2 전극층(전극층)

53, 253 : 제 3 전극층(전극층) 1004 : EL 장치

D : 단차(段差) 부분

H, Hr, Hg, Hb, HR, HG, HB : 컨택트 홀

U : 단위 소자 Ur : 단위 소자(제 1 단위 소자)

Ug : 단위 소자(제 2 단위 소자) Ub : 단위 소자(제 3 단위 소자)

R, G, B : 발광 영역

본 발명은 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다.

종래부터, 유기 EL(ElectroLuminescent) 재료 등의 발광 재료로 이루어지는 발광층을 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 개재(介在)시킨 소자(이하, 「단위 소자」라고 함)가 기판 위에 배열된 발광 장치가 제안되어 있다. 이러한 발광 장치에서는 발광층에 의한 출사광의 스펙트럼의 피크 폭이 넓고 그 강도도 낮기 때문에, 예를 들어 표시 장치로서 채용되었을 때에 충분한 색재현성의 확보가 곤란하다는 문제가 있다.

이 문제를 해결하기 위해, 예를 들어 특허문헌 1에는 발광층으로부터의 출사광을 공진(共振)시키는 공진기 구조를 각 단위 소자에 형성한 구성이 개시되어 있다. 이 구성에서는, 발광층에 대하여 기판 측에 위치하는 광투과성 제 1 전극과 상기 기판 사이에 광반사층(유전체 미러)이 배치된다. 발광층으로부터의 출사광은 이 발광층을 사이에 두어 서로 대향하는 광반사층과 제 2 전극 사이에서 왕복(往復)한다. 그리고, 광반사층과 제 2 전극의 광학적 거리에 따른 공진 파장의 광이 선택적으로 증폭된 후에 관찰 측에 출사(出射)된다. 따라서, 스펙트럼의 피크 폭이 좁고 강도도 높은 광을 표시에 이용할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 색재현성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 단위 소자마다 광반사층과 제 2 전극의 광학적 거리를 조정함으로써 복수의 색채(예를 들어 적색이나 녹색이나 청색)에 대응한 파장의 광을 취출(取出)할 수도 있다.

또한, 공진기 구조가 각 단위 소자에 형성된 발광 장치로서, 광반사층과 제 2 전극 사이에 RGB(적색, 녹색, 청색) 각각에 대응하는 3종류의 두께의 제 1 전극이 형성된 것이 제안되어 있다. 이러한 발광 장치에서는, 일반적으로 두께가 두꺼운 단위 소자로부터 차례로 제 1 전극으로 되는 막의 성막(成膜)을 행하고, RGB 각 각에 대응하는 소정의 두께로 될 때까지 패터닝을 반복하는 방법에 의해 제 1 전극을 형성하고 있다.

[특허문헌 1] 국제공개 제01/039554호 팸플릿

그러나, 이러한 패터닝을 반복하는 방법에 의해, RGB 각각에 대응하는 소정의 두께를 갖는 제 1 전극을 형성할 경우, 요구되는 제 1 전극의 두께에 따라, 단위 소자 위에 성막된 막을 에칭 제거할지의 여부가 결정된다. 따라서, 제 1 전극의 두께가 얇은 단위 소자를 구성하는 컨택트 홀이 두께가 두꺼운 단위 소자의 제 1 전극의 패터닝 시에 에칭액에 노출되고, 발광 장치의 전기 특성에 지장을 초래하는 경우가 있어 문제시되었다.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 안출된 것으로서, 안정된 전기 특성이 얻어지는 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

이 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 발광 장치는, 기판 위에 광반사층과, 반(半)투과 반사층과, 상기 광반사층과 상기 반투과 반사층 사이에 배치된 발광층과, 상기 광반사층과 상기 반투과 반사층 사이에 배치된 광투과성 화소 전극을 포함하는 복수의 단위 소자를 구비하며, 각 단위 소자의 발광 영역에 공진기 구조가 형성되고, 상기 복수의 단위 소자 중 제 1 단위 소자와, 상기 제 1 단위 소자와 상기 공진기 구조에서의 공진 파장이 상이한 제 2 단위 소자를 구비한 발광 장치에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 발광 영역에 배치된 전극부와, 배선에 접속되는 접 속부로 구성되고, 상기 제 1 단위 소자의 상기 화소 전극은 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 전극층이 복수 적층되어 이루어지며, 상기 제 2 단위 소자의 상기 화소 전극은 적어도 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 전극층과, 상기 접속부에 대응하는 전극층이 적층되어 이루어지고, 상기 제 1 단위 소자의 상기 전극부에서의 상기 전극층의 적층 수보다도 상기 제 2 단위 소자의 상기 전극부에서의 상기 전극층의 적층 수가 적은 것을 특징으로 한다.

이러한 발광 장치에서는 상기 제 1 단위 소자의 상기 전극부에서의 상기 전극층의 적층 수보다도 상기 제 2 단위 소자의 상기 전극부에서의 상기 전극층의 적층 수가 적기 때문에, 제 1 단위 소자의 화소 전극으로 되는 전극층을 형성할 때에서의 최초의 패터닝에 의해, 제 2 단위 소자의 전극부에 대응하는 전극층이 제거된다. 그러나, 본 발명의 발광 장치에서는, 상기 제 2 단위 소자의 상기 화소 전극이 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 전극층과 상기 접속부에 대응하는 전극층이 적층되어 이루어지는 것이기 때문에, 제 1 단위 소자의 화소 전극을 구성하는 전극층을 패터닝할 때에, 제 2 단위 소자의 접속부에 대응하는 전극층을 제거할 필요는 없다. 따라서, 본 발명의 발광 장치를 제조하는 공정에서, 접속부의 기판 측의 면이 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액에 노출되지는 않는다. 예를 들어 접속부의 기판 측의 면에 배선을 노출시키는 컨택트 홀이 형성되어 있을 경우에, 컨택트 홀이 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액에 노출되지는 않는다. 따라서, 본 발명의 발광 장치에서는, 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 발광 장치의 전기 특성에 지장을 초래하는 것이 효과적으로 방지된다.

또한, 본 발명의 발광 장치에서는, 상기 제 2 단위 소자의 상기 화소 전극은, 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 전극층과 상기 접속부에 대응하는 전극층이 적층되어 이루어지는 것이기 때문에, 제 2 단위 소자의 접속부에는 복수의 전극층이 형성되어 있게 된다. 따라서, 접속부와 배선의 전기적인 접속에서의 신뢰성이 높아져, 안정된 전기 특성이 얻어지게 된다.

이것에 대하여, 예를 들어 접속부에 1개의 전극층만이 형성되어 있을 경우, 배선과 화소 전극의 접속 부분에 단선(斷線) 등이 생기기 쉬워, 배선과 화소 전극의 전기적인 접속에서의 신뢰성이 낮아지게 된다.

또한, 본 발명의 발광 장치에서는, 상기 제 1 단위 소자 및 상기 제 2 단위 소자와 상기 전극부에 대응하는 전극층의 적층 수가 상이하고, 상기 공진기 구조에서의 공진 파장이 상이한 제 3 단위 소자를 구비한 것으로 할 수 있다.

이러한 발광 장치로 함으로써, 예를 들어 제 1 단위 소자, 제 2 단위 소자, 제 3 단위 소자를 각각 RGB에 대응한 파장의 광을 취출하는 것으로 할수 있고, 안정된 전기 특성이 얻어져, 색재현성이 우수한 컬러의 발광 장치를 실현할 수 있다.

또한, 본 발명의 발광 장치에서는, 상기 접속부에 대응하는 전극층의 적층 수가 모든 단위 소자에서 동일한 것으로 할 수 있다.

이러한 발광 장치에서는, 상기 접속부에 대응하는 전극층의 적층 수가 상이한 단위 소자가 포함되어 있는 경우와 비교하여 배선과 화소 전극을 전기적으로 접속했을 때의 전기 저항이 균일해져, 발광 장치의 전기 특성을 안정화시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 발광 장치에서는, 상기 화소 전극은 상기 화소 전극의 상기 기판 측에 존재하는 단차 부분을 덮고 있는 것으로 할 수 있다.

이러한 발광 장치로 함으로써, 단차 부분을 덮고 있는 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 상기 전극의 상기 기판 측에 존재하는 단차 부분으로부터 전극층의 기판 측에 침입하여, 발광 장치의 특성에 지장을 초래하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 본 발명의 발광 장치에서는, 상기 광반사층의 상기 기판과 반대측에 상기 광반사층을 덮고, 광투과성을 갖는 보호막이 배치되어 있는 것으로 할 수 있다.

광반사층에 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 부착되면, 광반사층의 표면이 손상(부식)된다. 광반사층의 재료로서는 알루미늄이나 은 등의 재료가 적합하게 채용되지만, 이러한 재료는 내식성(耐蝕性)이 낮기 때문에, 에칭액에 의한 손상이나 열화(劣化)는 특히 현저하게 나타난다. 그리고, 광반사층이 손상됨으로써 광반사층의 반사 특성(예를 들어 반사율)이 열화되면, 공진기 구조에 의한 공진 효율이 저하된다.

이것에 대하여, 상기 광반사층의 상기 기판과 반대측에 상기 광반사층을 덮는 보호막이 배치되어 있는 발광 장치로 함으로써, 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 광반사층에 부착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

본 발명에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 청구항 1에 기재된 발광 장치를 제조하는 방법으로서, 상기 제 1 단위 소자의 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 동시에, 상기 제 2 단위 소자의 상기 접속부에 대응하는 제 1 전극층을 형성 하는 제 1 전극층 형성 공정과, 상기 제 1 단위 소자 및 상기 제 2 단위 소자의 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 제 2 전극층을 형성하는 제 2 전극층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 제 1 전극층 및 제 2 전극층을 패터닝할 때에, 접속부로 되는 전극층이 에칭되지는 않고, 발광 장치를 제조하는 공정에서 접속부의 기판 측의 면이 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액에 노출되지는 않는다.

또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 제 1 전극층 형성 공정 및 제 2 전극층 형성 공정을 행함으로써, 제 1 단위 소자의 전극부에 제 1 전극층과 제 2 전극층의 2층의 전극층이 형성되고, 제 2 단위 소자의 전극부에 제 2 전극층이 형성되는 동시에, 제 1 단위 소자 및 제 2 단위 소자의 접속부에 제 1 전극층과 제 2 전극층의 2층의 전극층이 형성된다. 따라서, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 제 1 단위 소자와 제 2 단위 소자에서 전극부를 구성하는 전극층의 적층 수가 상이한 것을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 제 1 단위 소자 및 제 2 단위 소자에서 접속부에 2층의 전극층이 형성되기 때문에, 전극층의 단선이 생기기 어려워, 배선과 화소 전극의 전기적인 접속에서의 신뢰성이 높아지게 된다.

상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 제 1 전극층 형성 공정에서, 제 1 전극층에 의해, 상기 제 1 단위 소자 및 상기 제 2 단위 소자와 상이한 제 3 단위 소자의 상기 접속부에 대응하는 전극층을 형성하고, 상기 제 2 전극층 형성 공정에 서, 제 2 전극층에 의해, 상기 제 3 단위 소자의 상기 접속부에 대응하는 전극층을 형성하며, 상기 제 2 전극층 형성 공정 후에, 상기 제 1 단위 소자, 상기 제 2 단위 소자, 상기 제 3 단위 소자의 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 제 3 전극층을 형성하는 제 3 전극층 형성 공정을 포함하는 제조 방법으로 할 수 있다.

이러한 제조 방법에 의하면, 제 1 단위 소자의 전극부에 제 1 전극층과 제 2 전극층과 제 3 전극층의 3층의 전극층이 형성되고, 제 2 단위 소자의 전극부에 제 2 전극층과 제 3 전극층의 2층의 전극층이 형성되며, 제 3 단위 소자의 전극부에 제 3 전극층이 형성되는 동시에, 제 1 단위 소자, 제 2 단위 소자, 제 3 단위 소자의 접속부에 제 1 전극층과 제 2 전극층과 제 3 전극층의 3층의 전극층이 형성된다. 따라서, 접속부에서의 전극층 단선이 보다 한층 더 생기기 어려워져, 배선과 화소 전극의 전기적인 접속에서의 신뢰성이 매우 높아지게 된다.

또한, 이러한 제조 방법에 의하면, 예를 들어 제 1 단위 소자, 제 2 단위 소자, 제 3 단위 소자를 각각 RGB에 대응한 파장의 광을 취출하는 것으로 할 수 있고, 안정된 전기 특성이 얻어져, 색재현성이 우수한 컬러의 발광 장치를 제조할 수 있다.

상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 제 1 전극층 형성 공정에서, 상기 제 1 전극층을 형성하는 피(被)형성면 위의 단차 부분을 덮도록 제 1 전극층을 형성하는 제조 방법으로 할 수 있다.

이러한 제조 방법에 의하면, 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 제 1 전극층을 형성하는 피형성면 위에서의 단차 부분으로부터 전극층의 기판 측에 침입하 여, 발광 장치의 특성에 지장을 초래하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 제 1 전극층 위로서, 상기 단차 부분에 대응하는 부분을 덮도록 제 2 전극층을 형성하는 제조 방법으로 할 수 있다.

이러한 제조 방법에 의하면, 피형성면 위에서의 단차 부분을 제 1 전극층만으로 덮는 경우보다도 에칭액의 침입을 효과적으로 방지할 수 있다.

상기 발광 장치의 제조 방법에서는, 상기 전극 형성 공정 전에, 상기 광반사층을 형성하는 공정과, 상기 광반사층을 덮고, 광투과성을 갖는 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함하는 제조 방법으로 할 수 있다.

이러한 제조 방법에 의하면, 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 광반사층에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 전자 기기는 상기 중 어느 하나에 기재된 발광 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.

이러한 전자 기기에 의하면, 배선과 화소 전극의 전기적인 접속에서의 신뢰성이 높고, 안정된 전기 특성이 얻어지는 발광 장치를 구비한 것으로 된다.

이하, 본 발명의 발광 장치를 발광 장치의 일례인 EL 장치에 적용한 경우의 실시예를 예로 들어 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는 도면을 이용하여 각종 구조를 예시하지만, 이들 도면에 도시되는 구조는 특징적인 부분을 알기 쉽게 나타내기 위해 실제 구조에 대하여 치수를 다르게 하여 나타내는 경우가 있다.

<발광 장치>

우선, 발광 장치의 실시예에 따른 EL 장치에 대해서 설명한다.

도 1은 본 실시예에 따른 EL 장치의 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1에 나타낸 EL 장치는 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 단위 소자(U(Ur, Ug, Ub))가 밀봉재(37)에 의해 기판(10)의 면 위에 밀봉된 구성으로 되어 있다. 각 단위 소자(U)는 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나에 대응한 파장의 광을 발생시키는 요소이며, 공진기 구조에서의 공진 파장이 상이하다. 즉, 단위 소자(Ur)(제 1 단위 소자)는 적색광을 출사(出射)하고, 단위 소자(Ug)(제 2 단위 소자)는 녹색광을 출사하며, 단위 소자(Ub)(제 3 단위 소자)는 청색광을 출사한다.

본 실시예에서의 EL 장치는 각 단위 소자(U)에 의해 발생한 광이 기판(10)과는 반대측을 향하여 출사되는 톱 이미션형(top-emission type)이다. 따라서, 기판(10)으로서, 유리 등의 광투과성을 갖는 판재(板材) 이외에, 세라믹스나 금속 시트 등 불투명한 판재를 채용할 수 있다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(10)의 표면에는 복수의 배선(12)이 형성되어 있다. 배선(12)은 각 단위 소자(U)를 구동하기 위한 신호를 전송하는 예를 들어 데이터선이나 주사선이다.

또한, 각 배선(12)이 형성된 기판(10)의 표면은 하지층(14)에 의해 덮여 있다. 하지층(14)은 예를 들어 아크릴계나 에폭시계 등의 수지 재료 또는 산화규소(SiOx)나 질화규소(SiNx) 등의 무기 재료 등의 각종 절연 재료에 의해 형성된 막체(膜體)이다.

하지층(14)의 표면 위에는 각 단위 소자(U)에 대응하도록 광반사층(21)이 형성되어 있다. 본 실시예에서의 광반사층(21)은 각 단위 소자(U)의 배열을 따르도 록 스트라이프 형상으로 형성된다. 각 광반사층(21)은 광반사성을 갖는 재료로 이루어진다. 구체적으로는, 광반사층(21)을 형성하는 재료로서, 알루미늄이나 은 등의 단체(單體) 금속, 또는 알루미늄이나 은을 주성분으로 하는 합금과 같은 다양한 재료가 사용된다.

광반사층(21)이 형성된 하지층(14)의 표면은 복수의 단위 소자(U)에 걸쳐 연속적으로 분포되는 보호층(23)에 의해 피복되어 있다. 보호층(23)은 후술하는 전극층의 패터닝에 사용되는 에칭액이 광반사층(21)에 부착되지 않도록 보호하기 위한 것이며, 예를 들어 산화규소(SiOx)나 질화규소(SiNx)와 같은 광투과성을 갖는 절연 재료에 의해 형성된다.

또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(10)의 표면과 수직인 방향에서 보아 배선(12)과 중첩되는 위치에는 보호층(23)과 하지층(14)을 각각의 두께 방향으로 관통하는 컨택트 홀(H(Hr, Hg, Hb))이 단위 소자(U)마다 형성되어 있다. 즉, 컨택트 홀(Hr)은 적색광을 출사하는 단위 소자(Ur)에, 컨택트 홀(Hg)은 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)에, 컨택트 홀(Hb)은 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)에 설치되어 있다.

보호층(23)이 형성된 기판(10)의 표면 위에는, 발광체(33)와 평면적으로 중첩되는 발광 영역(RGB)에 배치된 전극부(25a)와, 컨택트 홀(H) 위에 배치되고, 컨택트 홀(H)을 통하여 외부와 접속하는 전하를 수수(授受)하기 위한 배선에 접속되는 접속부(25b)로 구성된 제 1 전극(25)(화소 전극)이 형성되어 있다. 제 1 전극(25)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제 1 전극(25)의 기판(10) 측에 존재하는 단 차 부분(D)을 덮도록 형성되어 있는 동시에, 단위 소자(U)마다 서로 이간(離間)되어 형성되어 있다. 본 실시예에서는 단위 소자(U)의 발광색마다 전극부(25a)의 전극층의 적층 수가 상이하다.

보다 상세하게는, 보호층(23)이 형성된 기판(10)의 표면 위에는, 컨택트 홀(H) 위와 단위 소자(U) 중 적색광을 출사하는 단위 소자(Ur)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 1 전극층(51)이 형성되어 있다. 또한, 제 1 전극층(51)이 형성된 제 1 전극층 형성 영역 위와 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 2 전극층(52)이 형성되고, 제 2 전극층(52)이 형성된 제 2 전극층 형성 영역 위와 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 3 전극층(53)이 형성된다. 제 1 전극층(51)과 제 2 전극층(52)과 제 3 전극층(53)의 각각은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 광투과성 도전 재료에 의해 형성되어 있다.

따라서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 적색광을 출사하는 단위 소자(Ur)의 제 1 전극(25)은 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 제 1 전극층(51)과 제 2 전극층(52)과 제 3 전극층(53)의 3층의 전극층이 적층되어 이루어지고, 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)의 제 1 전극(25)은 접속부(25b)에 대응하는 제 1 전극층(51)과 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 제 2 전극층(52) 및 제 3 전극층(53)의 2층의 전극층이 적층되어 이루어지며, 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 제 1 전극(25)은 접속부(25b)에 대응하는 제 1 전극층(51) 및 제 2 전극층(52)과 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 제 3 전극층(53)이 적층되어 이루어지는 것이 다.

또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 각 컨택트 홀(H) 위에는 제 1 전극(25)을 구성하는 모든 전극층인 제 1 전극층(51)과 제 2 전극층(52)과 제 3 전극층(53)이 적층되고, 모든 단위 소자(U)에서 제 1 전극(25)의 접속부(25b)에 대응하는 전극층의 적층 수가 동일하게 되어 있다. 또한, 제 1 전극층(51)이 컨택트 홀(H)에 들어가 배선(12)과 접촉하도록 형성되고, 제 1 전극층(51)과 제 2 전극층(52)과 제 3 전극층(53)이 배선(12)에 전기적으로 접속되어 있다.

제 1 전극(25)이 형성된 기판(10)의 표면 위에는 격벽층(31)이 형성되어 있다. 격벽층(31)은 기판(10) 표면 위의 공간을 단위 소자(U)마다 구획하도록 격자 형상으로 형성된 격벽이다. 격벽층(31)은 예를 들어 아크릴계나 에폭시계와 같은 수지 재료 또는 산화규소나 질화규소와 같은 무기 재료 등 각종 절연 재료에 의해 형성된다.

격벽층(31)의 내벽에 의해 포위되고, 제 1 전극(25)을 저면(底面)으로 하는 공간에는 단위 소자(U)마다 발광체(33)가 형성되어 있다. 발광체(33)는 유기 EL 재료로 이루어지는 발광층을 포함하는 복수의 기능층을 적층한 구조로 되어 있다. 각 단위 소자(U)의 발광체(33)는 그 단위 소자(U)에 대응한 파장의 광을 발광하는 발광층을 포함한다. 각 단위 소자(U)의 제 1 전극(25)은 발광체(33)에 전기 에너지를 부여하기 위한 양극(陽極)으로서 기능한다. 한편, 각 발광체(33)의 표면에는 발광체(33)의 음극(陰極)으로서 기능하는 제 2 전극(35)이 형성되어 있다. 다만, 제 1 전극(25)이 음극으로서 기능하는 동시에 제 2 전극(35)이 양극으로서 기능하 는 구성으로 할 수도 있다.

본 실시예에서의 발광체(33)는 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층이라는 3종류의 기능층을 기판(10) 측으로부터 제 2 전극(35) 측을 향하여 이 순서로 적층한 구조로 되어 있다. 다만, 발광체(33)의 구조는 이 예시에 한정되지 않는다. 예를 들어 정공 수송층과 제 1 전극(25) 사이에 정공 주입층을 개재시킨 구성이나, 전자 수송층과 제 2 전극(35) 사이에 전자 주입층을 개재시킨 구성으로 할 수도 있다. 즉, 제 1 전극(25)과 제 2 전극(35) 사이에 발광층이 개재되는 구성이면 된다.

제 2 전극(35)(반투과 반사층)은, 그 표면에 도달한 광의 일부를 투과시키는 동시에 그 나머지를 반사시키는 성질을 가진 반투과 반사층으로서 기능한다. 본 실시예에서의 제 2 전극(35)은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 광투과성을 갖는 재료에 의해 형성된다. 이와 같이 제 2 전극(35)이 광투과성 재료로 이루어지는 경우일지라도, 제 2 전극(35)보다도 굴절률이 낮은 재료에 의해 밀봉재(37)를 형성하면, 제 2 전극(35)과 밀봉재(37)의 계면에서 광의 일부가 투과되는 동시에 다른 일부가 반사되기 때문에, 제 2 전극(35)을 반투과 반사층으로서 기능시킬 수 있다. 또한, 알루미늄이나 은(또는 이들 금속을 주성분으로 하는 합금)과 같은 광반사성 재료를 얇게 형성하여 제 2 전극(35)으로 한 경우일지라도, 제 2 전극(35)을 반투과 반사층으로서 기능시킬 수 있다.

각 단위 소자(U)는 광반사층(21)과 제 1 전극(25)과 발광체(33)와 제 2 전극(35)을 포함하는 요소이다. 각 단위 소자(U)에서는 광반사층(21)과 제 2 전 극(35) 사이에서 발광층으로부터의 출사광을 공진시키는 공진기 구조가 형성된다. 즉, 발광체(33)의 발광층에 의한 출사광이 광반사층(21)과 제 2 전극(35) 사이에서 왕복하고, 공진기 구조에서의 공진 파장의 성분만이 선택적으로 증폭된 후에 제 2 전극(35)을 투과하여 관찰 측(도 1의 상방(上方))에 출사된다. 따라서, 본 실시예에 의하면, 스펙트럼의 피크 폭이 좁고 강도도 높은 광을 표시에 이용할 수 있다.

예를 들어 발광체(33)의 굴절률 및 막 두께가 각 단위 소자(U)의 발광색에 관계없이 대략 동일하다고 가정하면, 광반사층(21) 중 발광체(33)에 대향하는 표면과 발광체(33) 중 광반사층(21)에 대향하는 표면 사이의 광학적 거리에 따라 공진 파장이 결정된다. 그리고, 본 실시예에서의 광반사층(21)과 발광체(33)의 광학적 거리는, 이하에 설명하는 바와 같이, 제 1 전극(25)의 막 두께(적층 수)에 따라 단위 소자(U)의 발광색마다 개별적으로 결정된다.

도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 적색의 단위 소자(Ur)에서의 광반사층(21)과 발광체(33) 사이에는 제 1 전극(25)의 제 1 전극층(51), 제 2 전극층(52), 제 3 전극층(53)과, 보호막(23)이 개재된다. 또한, 녹색의 단위 소자(Ug)의 광반사층(21)과 발광체(33) 사이에는 제 1 전극(25)의 제 2 전극층(52), 제 3 전극층(53)과, 보호막(23)이 개재된다. 또한, 청색의 단위 소자(Ub)의 광반사층(21)과 발광체(33) 사이에는 제 1 전극(25)의 제 3 전극층(53)과 보호막(23)이 개재된다.

또한, 제 1 전극(25)이 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성되고, 보호막(23)이 제 1 전극(25)과 굴절률이 대략 동일한 질화규소에 의해 형성된 경우를 상정(想 定)하면, 광반사층(21)과 발광체(33)의 광학적 거리는 양자간의 기하학적인 거리에 비례한다. 즉, 본 실시예에서는 단위 소자(Ur)의 공진 파장이 단위 소자(Ug)의 공진 파장보다도 길고, 단위 소자(Ug)의 공진 파장이 단위 소자(Ub)의 공진 파장보다도 길다는 상태로, 각 단위 소자(U)의 공진기 구조가 제 1 전극(25)의 막 두께와 보호막(23)의 막 두께에 따라 결정된다.

<발광 장치의 제조 방법>

다음으로, 도 2 내지 도 11을 참조하면서 도 1에 나타낸 본 실시예의 EL 장치를 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 나타낸 각 층은 스퍼터링이나 CVD(Chemical Vapour Deposition)나 증착 등 공지의 다양한 성막 기술에 의해 형성된다. 또한, 각 층의 패터닝에는 예를 들어 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술이 이용된다.

우선, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(10) 표면 위의 소정 위치에 복수의 배선(12)을 형성한다. 이어서, 기판(10) 표면 위의 전면(全面)에 걸쳐 하지층(14)으로 되는 막이 형성되고, 패터닝됨으로써 도 3에 나타낸 바와 같이 하지층(14)이 형성된다. 다음으로, 기판(10)의 전면에 걸쳐 광반사성 도전막이 형성되고, 이 도전막이 패터닝됨으로써 도 4에 나타낸 바와 같이 광반사층(21)이 형성된다.

또한, 기판(10)의 전면에 걸쳐 광투과성을 갖는 절연막이 형성되고, 이 절연막이 패터닝됨으로써 도 5에 나타낸 바와 같이 광반사층(21)을 덮는 보호막(23)이 형성된다(보호막 형성 공정). 얻어진 보호막(23) 위에는 광반사층(21)의 에지(edge)를 피복하는 영역에 광반사층(21)의 두께에 기인하는 단차 부분(D)이 형성 된다. 또한, 본 실시예에서는 이 보호막 형성 공정에서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 절연막 중 배선(12)과 중첩되는 부분이 제거되어 컨택트 홀(H)로 되는 배선이 노출된 구멍(h)이 형성된다.

다음으로, 광반사층 위에 제 1 전극(25)(화소 전극)을 형성한다. 우선, 제 1 전극(25)의 제 1 전극층(51)으로 되는 도전막이 기판(10)의 전면에 걸쳐 형성된다. 이 도전막의 재료가 모든 컨택트 홀(H)로 되는 구멍(h) 내부에 충전됨으로써, 제 1 전극층(51)과 배선(12)이 도통(導通)하는 컨택트 홀(H)이 형성된다. 그리고, 제 1 전극층(51)으로 되는 도전막이 패터닝됨으로써, 도 6에 나타낸 바와 같이, 컨택트 홀(H) 위의 전부와, 단위 소자(U) 중 적색광을 출사하는 단위 소자(Ur)의 광반사층(21) 위와 제 1 전극층(51)의 하층으로 되는 보호막(23)(피형성면) 위에 존재하는 단차 부분(D)을 덮도록 제 1 전극층(51)이 형성된다(제 1 전극층 형성 공정). 따라서, 제 1 전극층 형성 공정에서는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 단위 소자(U) 중 적색광을 출사하는 단위 소자(Ur)의 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 동시에, 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug) 및 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 접속부(25b)에 대응하는 제 1 전극층(51)이 형성된다.

다음으로, 제 1 전극(25)의 제 2 전극층(52)으로 되는 도전막이 기판(10)의 전면에 걸쳐 형성되고, 이 도전막이 패터닝됨으로써, 도 7에 나타낸 바와 같이, 제 1 전극층(51)이 형성된 제 1 전극층 형성 영역 위와 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 2 전극층(52)이 형성된다(제 2 전극층 형성 공정). 따라서, 제 2 전극층 형성 공정에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 적색광 을 출사하는 단위 소자(Ur) 및 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)의 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 동시에, 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 접속부(25b) 및 단차부(D)에 대응하는 제 1 전극층(51) 위에 제 2 전극층(52)이 형성된다.

이어서, 제 1 전극(25)의 제 3 전극층(53)으로 되는 도전막이 기판(10)의 전면에 걸쳐 형성되고, 이 도전막이 패터닝됨으로써, 도 8에 나타낸 바와 같이, 제 2 전극층(52)이 형성된 제 2 전극층 형성 영역 위와 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 3 전극층(53)이 형성된다(제 3 전극층 형성 공정). 따라서, 제 3 전극층 형성 공정에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 모든 단위 소자(U)의 전극부(25a) 및 접속부(25b)에 대응하는 제 3 전극층(53)이 형성된다.

이어서, 수지막의 형성 및 그 패터닝에 의해, 도 9에 나타낸 바와 같이, 격벽층(31)이 형성된다. 또한, 이 격벽층(31)에 의해 구획된 단위 소자(U)마다의 공간에, 도 10에 나타낸 바와 같이, 상기 단위 소자(U)에 대응한 발광색의 발광층을 포함하는 발광체(33)가 차례로 형성된다. 이어서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 각 발광체(33)를 사이에 두어 제 1 전극(25)과 대향하도록 반투과 반사성 제 2 전극(35)이 형성되고, 기판(10)의 전면을 덮도록 밀봉재(37)가 설치된다(도 1 참조).

여기서, 상술한 본 실시예의 EL 장치의 효과에 대해서 이하에 대비 예를 들어 상세하게 설명한다.

도 12는 대비 예에 따른 EL 장치이며, 도 13 내지 도 15는 도 12에 나타낸 EL 장치의 제조 방법의 공정도이다. 도 12에 나타낸 EL 장치는, 도 1에 나타낸 EL 장치와 동일하게, 단일 보호막(23)에 의해 모든 단위 소자(U)의 광반사층(21)을 피복한 후에, 제 1 전극(25)의 막 두께(적층 수)를 단위 소자(U)의 발광색마다 개별적으로 선정하는 것이다.

도 12에 나타낸 EL 장치가 도 1에 나타낸 EL 장치와 상이한 점은, 도 1에 나타낸 EL 장치에서는 모든 컨택트 홀(H) 위에 제 1 전극(25)을 구성하는 모든 전극층이 형성되어 있는 것에 대하여, 도 12에 나타낸 EL 장치에서는 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug) 및 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 컨택트 홀(HG, HB) 위에 제 1 전극을 구성하는 전극층 중의 일부만이 적층되어 있는 것이다. 구체적으로는, 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)의 컨택트 홀(HG) 위에는 제 1 전극의 제 1 전극층(251), 제 2 전극층(252), 제 3 전극층(253)의 3층의 전극층 중 광반사층(21) 위와 동일하게 제 2 전극층(252), 제 3 전극층(253)의 2층만이 형성되어 있다. 또한, 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 컨택트 홀(HB) 위에는 광반사층(21) 위와 동일하게 제 3 전극층(253)의 1층만이 형성되어 있다.

그리고, 도 12에 나타낸 EL 장치를 제조하는 방법에 있어서, 도 1에 나타낸 EL 장치를 제조하는 방법과 상이한 공정은 제 1 전극을 형성하는 공정뿐이기 때문에, 제 1 전극을 형성하는 공정에 대해서만 이하에 설명한다.

우선, 도 5에 나타낸 기판(10)의 전면에 걸쳐 제 1 전극의 제 1 전극층(251)으로 되는 도전막이 형성된다. 이 도전막의 재료는 모든 컨택트 홀(H)로 되는 구멍(h) 내부에 충전된다. 그리고, 제 1 전극층(251)으로 되는 도전막이 패터닝됨으로써, 도 13에 나타낸 바와 같이, 적색광을 출사하는 단위 소자(Ur)의 컨택트 홀(HR) 위와 단위 소자(Ur)의 광반사층(21) 위만 덮도록 제 1 전극층(251)이 형성된다.

다음으로, 제 1 전극의 제 2 전극층(252)으로 되는 도전막이 기판(10)의 전면에 걸쳐 형성된다. 이 도전막의 재료는 컨택트 홀(HG) 및 컨택트 홀(HB)로 되는 구멍(h) 내부에 충전된다. 이 도전막이 패터닝됨으로써, 도 14에 나타낸 바와 같이, 제 1 전극층(251)이 형성된 제 1 전극층 형성 영역 위와, 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)의 컨택트 홀(HG) 위와, 단위 소자(Ug)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 2 전극층(252)이 형성된다.

이어서, 제 1 전극의 제 3 전극층(253)으로 되는 도전막이 기판(10)의 전면에 걸쳐 형성되고, 이 도전막이 패터닝됨으로써, 도 15에 나타낸 바와 같이, 제 2 전극층(252)이 형성된 제 2 전극층 형성 영역 위와, 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 컨택트 홀(HB) 위와, 단위 소자(Ub)의 광반사층(21) 위를 덮도록 제 3 전극층(253)이 형성된다.

상술한 방법에 의해 도 12에 나타낸 EL 장치를 제조할 경우에는, 제 1 전극층(251)을 형성하는 공정에서, 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug) 및 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 컨택트 홀(H)로 되는 구멍(h) 내부에 일단 충전된 제 1 전극층(251)으로 되는 도전막이 패터닝에 의해 제거된다. 따라서, 컨택트 홀(HG) 및 컨택트 홀(HB)로 되는 구멍(h) 내부는 제 1 전극층(251)으로 되는 도전막의 패터닝에 사용되는 에칭액(etchant)에 노출된다.

또한, 제 2 전극층(252)을 형성하는 공정에서, 청색광을 출사하는 단위 소 자(Ub)의 컨택트 홀(HB)로 되는 구멍(h)에 일단 충전된 제 2 전극층(252)으로 되는 도전막이 패터닝에 의해 제거된다. 따라서, 컨택트 홀(HB)로 되는 구멍(h) 내부는 제 2 전극층(252)으로 되는 도전막의 패터닝에 사용되는 에칭액에도 노출된다.

이것에 대하여, 도 1에 나타낸 EL 장치를 제조할 경우에는, 상술한 제 1 전극층 형성 공정에서, 컨택트 홀(H) 위에 형성된 제 1 전극층(51)으로 되는 도전막은 패터닝에 의해 제거되지 않는다. 그 때문에, 제 1 전극층(51)으로 되는 도전막의 패터닝에 사용되는 에칭액에 컨택트 홀(H)로 되는 구멍(h)이 노출되지는 않는다.

또한, 도 1에 나타낸 EL 장치를 제조할 경우에는, 제 1 전극층 형성 공정에서, 모든 단위 소자(U)의 접속부(25b)에 대응하는 제 1 전극층(51)이 형성되고, 모든 컨택트 홀(H)의 내부에 제 1 전극층(51)으로 되는 도전막의 재료가 충전되기 때문에, 제 1 전극층 형성 공정에서뿐만 아니라 제 2 전극층 형성 공정 및 제 3 전극층 형성 공정에서도, 패터닝에 사용되는 에칭액에 컨택트 홀(H)로 되는 구멍(h)이 노출되지는 않는다. 따라서, 본 실시예에 의하면, 제 1 전극(25)을 형성할 때에 사용되는 에칭액의 부착에 기인한 컨택트 홀(H)의 열화(劣化)를 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 본 실시예의 EL 장치에서는 컨택트 홀(H) 위에 제 1 전극(25)을 구성하는 모든 전극층이 적층되어 있기 때문에, 도 12에 나타낸 EL 장치와 같이, 각 컨택트 홀 위에 발광 영역과 동일한 적층 수의 전극층이 적층되어 있는 경우 등, 발광 장치의 단위 소자 중에 컨택트 홀 위에 형성되는 전극층의 적층 수가 상이한 단 위 소자가 포함되어 있는 경우와 비교하여 배선(12)과 제 1 전극(25)을 전기적으로 접속했을 때의 전기 저항이 균일해져, EL 장치의 전기 특성을 안정화시킬 수 있다.

또한, 도 12에 나타낸 EL 장치와 같이, 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 컨택트 홀(HB) 위에 제 3 전극층(253)으로 이루어지는 1개의 전극층만이 형성되어 있을 경우, 도 1에 나타낸 EL 장치에서의 단위 소자(U)의 컨택트 홀(H)과 비교하여 컨택트 홀(H) 위에서의 전극층 단선 등이 생기기 쉬워, 컨택트 홀(H)을 통한 배선(12)과 제 1 전극의 전기적인 접속에서의 신뢰성이 낮아지게 된다.

또한, 본 실시예에서는, 제 1 전극층 형성 공정을 행할 때에는 광반사층(21)이 보호막(23)에 의해 피복되어 있기 때문에, 녹색광을 출사하는 단위 소자(Ug)나 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 광반사층(21)과 평면적으로 중첩되는 제 1 전극층(51)으로 되는 도전막을 제거할 때에, 에칭액이 단위 소자(Ug)나 단위 소자(Ub)의 광반사층(21)에 부착되지는 않는다. 또한, 본 실시예에서는 광반사층(21)이 보호막(23)에 의해 피복되어 있기 때문에, 제 2 전극층 형성 공정을 행할 때에, 청색광을 출사하는 단위 소자(Ub)의 광반사층(21)과 평면적으로 중첩되는 제 2 전극층(52)으로 되는 도전막을 제거할 때에도, 에칭액이 단위 소자(Ub)의 광반사층(21)에 부착되지는 않는다. 따라서, 제 1 전극층 형성 공정 및 제 2 전극층 형성 공정에서 사용되는 에칭액의 부착에 기인한 각 광반사층(21)의 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 광반사층(21)을 덮는 보호막(23)이 배치되어 있을 경우일지라도, 보호막(23) 위에 형성되는 단차 부분(D)은 결함이 생기기 쉽고, 단차 부분(D)으로부터 제 1 전극(25)의 패터닝에 사용되는 에칭액이 침입하여 광반사층(21)을 열화시킬 우려가 있다. 이것에 대하여, 본 실시예에서는 보호막(23) 위에 존재하는 단차 부분(D)을 덮도록 제 1 전극층(51)이 형성되어 있기 때문에, 보호막(23)의 단차에 기인하는 결함을 방지할 수 있고, EL 장치의 특성에 지장을 초래하는 것을 보다 한층 더 효과적으로 방지할 수 있다.

<변형예>

또한, 상술한 실시예에는 다양한 변형을 가할 수 있다. 구체적인 실시예를 예시하면 다음과 같다. 또한, 이하의 각 형태를 적절히 조합시킬 수도 있다.

(1) 상술한 실시예에서는 광반사층(21)을 덮는 보호막(23)이 형성된 것을 예로 들어 설명했지만, 보호막(23)은 없을 수도 있다.

(2) 상술한 실시예에서는 각 발광색의 단위 소자(U)를 구성하는 요소가 서로 이간되어 형성된 구성을 예시했지만, 각 요소는 각 발광색의 단위 소자(U)에 걸쳐 연속되어 있을 수도 있다. 예를 들어 발광체(33) 중 적어도 하나의 기능층이나 제 2 전극(35)이 모든 단위 소자(U)에 걸쳐 연속적으로 분포되는 구성으로 할 수도 있다. 발광층이 모든 단위 소자(U)에 걸쳐 연속되는 구성일지라도, 각 단위 소자의 공진 파장을 적절히 선정함으로써 각 단위 소자(U)의 발광색을 상이하게 하는 것이 가능하다. 또한, 제 1 실시예에서의 광반사층(21)이 모든 단위 소자(U)에 걸쳐 연속적으로 분포되는 구성으로 할 수도 있다.

(3) 상술한 실시예에서는 제 2 전극(35)이 공진기 구조의 반투과 반사층으로서 겸용되는 구성을 예시했지만, 반투과 반사층이 제 2 전극(35)과는 별개로 형성 된 구성으로 할 수도 있다. 이 구성에서의 반투과 반사층은 제 2 전극(35)에 대하여 발광체(33) 측에 설치될 수도 있고, 이것과는 반대측(관찰 측)에 배치될 수도 있다.

(4) 상술한 실시예에 있어서, 각 단위 소자(U)의 발광색에 대응한 색채(적색·녹색 및 청색)의 컬러 필터가 설치된 구성으로 할 수도 있다. 컬러 필터로서는, 광투과성을 갖는 판재 표면에 각색의 컬러 필터가 형성된 것을 예시할 수 있다. 각 단위 소자(U)에 대응하는 컬러 필터는, 그 단위 소자(U)의 공진 파장에 대응하는 파장의 광을 선택적으로 투과시키는 수단이다. 예를 들어 적색의 단위 소자(Ur)의 관찰 측에는 적색에 대응한 광을 투과시키는 컬러 필터가 설치된다. 이 구성에 의하면, 각 단위 소자(U)로부터의 출사광 중 컬러 필터를 투과한 성분만이 관찰 측에 출사되기 때문에, 컬러 필터가 설치되지 않는 구성보다도 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 각 컬러 필터에 의해 외광(外光)이 흡수되기 때문에, 외광의 반사가 저감된다는 이점(利點)도 있다.

(5) 발광 장치를 구성하는 각부(各部)의 재료나 각각을 제조하는 방법은 임의로 변경된다. 예를 들어 상술한 실시예에서는 유기 EL 재료로 이루어지는 발광층을 예시했지만, 예를 들어 무기 EL 재료로 이루어지는 발광층을 포함하는 발광 장치나, 발광 다이오드를 발광체로서 이용한 발광 장치에도 본 발명을 동일하게 적용할 수 있다.

<전자 기기>

다음으로, 본 발명에 따른 발광 장치를 이용한 전자 기기에 대해서 설명한 다.

도 16은 도 1에 나타낸 EL 장치를 표시 장치로서 적용한 휴대 전화기의 구성을 나타낸다. 휴대 전화기(1000)는 복수의 조작 버튼(1001) 및 스크롤 버튼(1002), 표시 장치로서의 EL 장치(1004)를 구비한다.

또한, 본 발명에 따른 발광 장치가 적용되는 전자 기기로서는, 도 16에 나타낸 것 이외에, 퍼스널 컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, 텔레비전, 비디오 카메라, 카 네비게이션 장치, 소형 무선 호출기(pager), 전자수첩, 전자종이, 전자계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 프린터, 스캐너, 복사기, 비디오 플레이어, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 발광 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들어 액정 패널의 백라이트로서 본 발명의 발광 장치를 이용하는 것도 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 안정된 전기 특성이 얻어지는 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (11)

1. 기판 위에 광반사층과, 반(半)투과 반사층과, 상기 광반사층과 상기 반투과 반사층 사이에 배치된 발광층과, 상기 광반사층과 상기 반투과 반사층 사이에 배치된 광투과성 화소 전극을 포함하는 복수의 단위 소자를 구비하며,

   각 단위 소자의 발광 영역에 공진기 구조가 형성되고, 상기 복수의 단위 소자 중 제 1 단위 소자와, 상기 제 1 단위 소자와 상기 공진기 구조에서의 공진 파장이 상이한 제 2 단위 소자를 구비한 발광 장치에 있어서,

   상기 화소 전극은 상기 발광 영역에 배치된 전극부와, 배선에 접속되는 접속부로 구성되고,

   상기 제 1 단위 소자의 상기 화소 전극은 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 전극층이 복수 적층되어 이루어지며,

   상기 제 2 단위 소자의 상기 화소 전극은 적어도 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 전극층과, 상기 접속부에 대응하는 전극층이 적층되어 이루어지고,

   상기 제 1 단위 소자의 상기 전극부에서의 상기 전극층의 적층 수보다도 상기 제 2 단위 소자의 상기 전극부에서의 상기 전극층의 적층 수가 적은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 단위 소자 및 상기 제 2 단위 소자와 상기 전극부에 대응하는 전 극층의 적층 수가 상이하고, 상기 공진기 구조에서의 공진 파장이 상이한 제 3 단위 소자를 구비한 것임을 특징으로 하는 발광 장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 접속부에 대응하는 전극층의 적층 수가 모든 단위 소자에서 동일한 것을 특징으로 하는 발광 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 화소 전극은 상기 화소 전극의 상기 기판 측에 존재하는 단차(段差) 부분을 덮고 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 광반사층의 상기 기판과 반대측에 상기 광반사층을 덮고, 광투과성을 갖는 보호막이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
6. 제 1 항에 기재된 발광 장치를 제조하는 방법으로서,

   상기 제 1 단위 소자의 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 동시에, 상기 제 2 단위 소자의 상기 접속부에 대응하는 제 1 전극층을 형성하는 제 1 전극층 형성 공정과,

   상기 제 1 단위 소자 및 상기 제 2 단위 소자의 상기 전극부 및 상기 접속부 에 대응하는 제 2 전극층을 형성하는 제 2 전극층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 1 전극층 형성 공정에서, 제 1 전극층에 의해, 상기 제 1 단위 소자 및 상기 제 2 단위 소자와 상이한 제 3 단위 소자의 상기 접속부에 대응하는 전극층을 형성하고,

   상기 제 2 전극층 형성 공정에서, 제 2 전극층에 의해, 상기 제 3 단위 소자의 상기 접속부에 대응하는 전극층을 형성하며,

   상기 제 2 전극층 형성 공정 후에, 상기 제 1 단위 소자, 상기 제 2 단위 소자, 상기 제 3 단위 소자의 상기 전극부 및 상기 접속부에 대응하는 제 3 전극층을 형성하는 제 3 전극층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

   상기 제 1 전극층 형성 공정에서, 상기 제 1 전극층을 형성하는 피(被)형성면 위의 단차 부분을 덮도록 제 1 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 제 1 전극층 위로서, 상기 단차 부분에 대응하는 부분을 덮도록 제 2 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
10. 제 6 항에 있어서,

    상기 전극 형성 공정 전에, 상기 광반사층을 형성하는 공정과, 상기 광반사층을 덮고, 광투과성을 갖는 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
11. 제 1 항에 기재된 발광 장치를 구비하는 전자 기기.

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