JP2005167092A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents

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一郎 末廣
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祐治 堀田
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直樹 貞瀬
Taku Kamata
卓 釜田
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Abstract

【課題】光半導体素子の樹脂封止を簡便に、かつ均一に行うことができる光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体装置の製造方法であって、
（１） 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び
（２） 工程（１）で形成した樹脂層を加圧成型する工程
を有する、光半導体装置の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、光半導体装置の製造方法に関する。
光半導体装置の光取り出し効率の向上させるために、複数の樹脂層で光半導体素子が封止され、樹脂層の屈折率を光半導体素子側から最外層に向けて順次小さくした光半導体装置が知られている（特許文献１参照）。
特開平１０−６５２２０号公報（請求項１）
従来、光半導体素子に直接接する第１の封止樹脂は、ディッピングまたはポッティングにより形成されている。しかしながら、ディッピング及びポッティングにより樹脂封止では、液状樹脂を個々の光半導体素子に所定量滴下する手間がかかる、また、個々の封止形状が不均一であると、発光にばらつきが生じやすいという欠点を有する。
本発明の目的は、光半導体素子の樹脂封止を簡便に、かつ均一に行うことができる光半導体素子の製造方法を提供することにある。
本発明は、光半導体装置の製造方法であって、
（１） 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び
（２） 工程（１）で形成した樹脂層を加圧成型する工程
を有する、光半導体装置の製造方法に関する。
本発明により、光半導体素子の樹脂封止を簡便に、かつ均一に行うことができ、光取り出し効率のばらつきのない、高品質な光半導体装置を得ることができる。
本発明の光半導体装置の製造方法は、
（１） 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び
（２） 工程（１）で形成した樹脂層を加圧成型する工程
を有する。
工程（１）において、光半導体素子は、通常、光半導体装置に用いられるものであれば特に限定されず、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ、屈折率：２．５）、ガリウムリン（ＧａＰ、屈折率：２．９）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ、屈折率：３．５）等が挙げられ、これらの中では、青色発光し、蛍光体を介して白色ＬＥＤの製造ができるという観点から、ＧａＮが好ましい。
光半導体素子を搭載する導体は、通常、光半導体装置に用いられるものであれば特に限定されないが、所定の形状を有するリードフレームが導体として用いられていても、エッチングにより所定形状に形成された導体であってもよい。
光半導体素子及び導体を実装する基材も特に限定されないが、本発明では、その効果がより顕著に発揮される観点から、１つの基板上に複数の導体及び光半導体素子が搭載されていることが好ましい。
工程（１）における樹脂層を構成する樹脂の屈折率は、光半導体素子からの光取り出し効率を高める観点から、１．６以上が好ましく、１．７〜２．１がより好ましい。
光半導体素子を封止する樹脂としては、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリカルボジイミド、エポキシ樹脂等が挙げられる。
これらの中で、工程（１）における樹脂層を構成する樹脂としては、低温、低圧での加工が容易であるという観点から、ポリカルボジイミドが好ましく、式（１）：
Figure 2005167092
（式中、Ｒはジイソシアネート残基を、Ｒ1 はモノイソシアネート残基を表し、ｎは１〜１００の整数である）
で表されるポリカルボジイミドがより好ましい。
本発明において、前記式（１）で表されるポリカルボジイミドは、１種若しくは２種以上のジイソシアネートを縮合反応させ、モノイソシアネートで末端封鎖することにより得られる。
前記式（１）中、Ｒは、原料として用いられるジイソシアネートの残基を、Ｒ1 は、同様に原料として用いられるモノイソシアネートの残基を表す。また、ｎは１〜１００の整数である。
原料であるジイソシアネート及びモノイソシアネートは芳香族系又は脂肪族系のいずれであってもよく、それぞれ芳香族系又は脂肪族系のものを単独で若しくは両者を共に用いることができる。本発明においては、ポリカルボジイミドの屈折率をより高くする観点からは、芳香族系のものが好適に使用される。即ち、ジイソシアネート及びモノイソシアネートの少なくとも一方が芳香族系のものを含むか若しくは芳香族系であるか、又はいずれも芳香族系のものであるのが好ましい。中でも、ジイソシアネートが脂肪族系及び芳香族系のものであり、かつモノイソシアネートが芳香族系のものであるのがより好ましく、ジイソシアネート及びモノイソシアネートのいずれもが芳香族系のものであるのが特に好ましい。
本発明において用いられるジイソシアネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート、リジンジイソシアネート、メチルシクロヘキサン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、１−メトキシフェニル−２，４−ジイソシアネート、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、３，３’−ジメチル−４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２，２−ビス［４−（４−イソシアネートフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−イソシアネートフェノキシ）フェニル］プロパンなどが挙げられる。
中でも、高屈折率の発現とその制御の容易性の観点から、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート及びナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びドデカメチレンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも１種が好適に使用され、ナフタレンジイソシアネートがより好適に使用される。
これらのジイソシアネートは単独で若しくは２種以上を混合して用いることができるが、耐熱性の観点からは、２〜３種を混合して用いることが好ましい。
原料であるジイソシアネートとしては、用いられる全ジイソシアネート中、芳香族ジイソシアネートが、好ましくは１０モル％以上（上限は１００モル％）含まれるものが好適である。当該ジイソシアネートとしては、前記好適なものを用いるのが望ましい。
本発明において用いられるモノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、フェニルイソシアネート、ｐ−ニトロフェニルイソシアネート、ｐ−及びｍ−トリルイソシアネート、ｐ−ホルミルフェニルイソシアネート、ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート、１−ナフチルイソシアネートなどが挙げられる。
モノイソシアネートとしては、モノイソシアネート同士間での反応が生じず、かつ効率よくポリカルボジイミドの末端封鎖が進行するという観点から、芳香族モノイソシアネートが好適に使用され、１−ナフチルイソシアネートがより好適に使用される。
これらのモノイソシアネートは単独で若しくは２種以上を混合して用いることができる。
末端封鎖に使用されるモノイソシアネートは、保存安定性の観点から、使用するジイソシアネート成分１００モルに対して１〜１０モルの範囲で用いるのが好ましい。
本発明のポリカルボジイミドの製造は、所定の溶媒中、カルボジイミド化触媒の存在下、原料としてのジイソシアネートを縮合反応によりカルボジイミド化させ、モノイソシアネートにより末端封鎖することにより行う。
ジイソシアネートの縮合反応の反応温度としては、通常、０〜１５０℃であり、好ましくは１０〜１２０℃である。
原料のジイソシアネートに脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとを併用する場合は低温で反応させるのが好ましい。反応温度としては、０〜５０℃が好ましく、１０〜４０℃がより好ましい。反応温度がかかる範囲内であれば、脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとの縮合反応が充分に進行するので好ましい。
脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとからなるポリカルボジイミドに対し、反応溶液中に過剰に存在する芳香族ジイソシアネートを、さらに反応させることを所望する場合、反応温度は４０〜１５０℃が好ましく、５０〜１２０℃がより好ましい。反応温度がかかる範囲内であれば、任意の溶媒を用いて反応を円滑に進行させることができるので好ましい。
反応溶液中のジイソシアネート濃度は５〜８０重量％であるのが好適である。ジイソシアネート濃度がかかる範囲内にあれば、カルボジイミド化が充分に進行し、また、反応の制御が容易であるので好ましい。
モノイソシアネートによる末端封鎖は、ジイソシアネートのカルボジイミド化の初期、中期、末期又は全般にわたり、モノイソシアネートを反応溶液中に加えることにより行うことができる。当該モノイソシアネートとしては芳香族モノイソシアネートが好ましい。
カルボジイミド化触媒としては、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられる。例えば、１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−２−ホスホレン−１−オキシド、１−エチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシド、或いはこれらの３−ホスホレン異性体などのホスホレンオキシドが挙げられる。
ポリカルボジイミドの製造に用いられる溶媒（有機溶媒）としては、公知のものが使用される。具体的には、テトラクロロエチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。これらの溶媒は単独で若しくは２種以上を混合して用いることができる。また、これらの溶媒は、得られたポリカルボジイミドを溶解する場合にも用いられる。
なお、反応の終点は、赤外分光分析（ＩＲ測定）によるカルボジイミド構造（Ｎ＝Ｃ＝Ｎ）由来の吸収（２１４０ｃｍ-1）の観測及びイソシアネート由来の吸収（２２８０ｃｍ-1）の消失により確認することができる。
カルボジイミド化反応の終了後、通常、ポリカルボジイミドは溶液として得られるが、さらにメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサンなどの貧溶媒に得られた溶液を投入し、ポリカルボジイミドを沈澱として析出させ、未反応のモノマーや触媒を取り除いてもよい。
また、一旦、沈澱として回収されたポリカルボジイミドの溶液を調製するには、当該沈澱を所定の操作により洗浄し、乾燥を行い、再度有機溶媒に溶解する。このような操作を行うことにより、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性を向上させることができる。
さらに、ポリカルボジイミド溶液中に副生成物が含まれる場合には、例えば、適当な吸着剤を用い、副生成物を吸着除去して、精製してもよい。吸着剤としては、例えば、アルミナゲル、シリカゲル、活性炭、ゼオライト、活性酸化マグネシウム、活性ボーキサイト、フラースアース、活性白土、分子ふるいカーボンなどが挙げられ、それらの吸着剤は単独で若しくは２種以上を併用することができる。
以上より、本発明におけるポリカルボジイミドが得られる。工程（１）における樹脂層を構成するポリカルボジイミドとしては、屈折率をより高くする観点から、主鎖構造が芳香族及び脂肪族ジイソシアネートから構成され、かつ末端封鎖が芳香族モノイソシアネートよりなるものが好適であり、主鎖構造が芳香族ジイソシアネートから構成され、かつ末端封鎖が芳香族モノイソシアネートよりなるものがさらに好適である。
具体的には、ポリカルボジイミドとしては、前記式（１）のＲで表されるジイソシアネート残基中、１０モル％以上（上限は１００モル％）が芳香族ジイソシアネート残基であるものが好ましく、前記式（１）のＲ1 で表されるモノイソシアネート残基が芳香族モノイソシアネート残基であるものが好ましい。また、ジイソシアネート残基としては、トリレンジイソシアネート残基、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート残基、ナフタレンジイソシアネート残基、ヘキサメチレンジイソシアネート残基及びドデカメチレンジイソシアネート残基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナフタレンジイソシアネート残基がより好ましく、該芳香族モノイソシアネート残基としては、１−ナフチルイソシアネート残基が好ましい。
第１樹脂からなる樹脂層を光半導体素子の上に形成する工程としては、例えば、図１に示すように、シート状の樹脂１を、光半導体素子２を搭載した基板３上にラミネータ４等を用いて貼り合わせる方法や、図２に示すように、樹脂１を光半導体素子２を搭載した基板３上にキャスティング５等を用いて塗布した後、硬化させる方法が挙げられる。図１、２のいずれにおいても、光半導体素子２は、それぞれ常法により、ワイヤ６により導体７と結線されている。
図１に示す方法において、シート状の樹脂は、例えば、樹脂を溶媒中に溶解させた樹脂溶液をキャスティング、スピンコート、ロールコーティング等の方法により、適当な厚さに製膜し、さらに、硬化反応を進行させず、溶媒の除去が可能な程度の温度で乾燥させて得られる。製膜した樹脂溶液を乾燥させる温度は、樹脂や溶媒の種類のよって異なるため一概には決定できないが、２０〜３５０℃が好ましく、５０〜２００℃がより好ましい。また、加熱乾燥後のシート状の樹脂の厚さは、光半導体素子の高さやスタンパによる成型を考慮すると、１５０〜４００μｍ程度が好ましい。また、シート状の樹脂を複数枚重ね合わせて使用してもよい。
また、ラミネータ等を用いて加熱圧着によりシート状の樹脂を溶融し、基板に張り合わせる場合、好ましくは７０〜２５０℃、より好ましくは１００〜２００℃で加熱し、好ましくは０．１〜１０ＭＰａ、より好ましくは０．５〜５ＭＰａで加圧することが好ましい。ラミネータを用いる場合の回転数は、１００〜２０００ｒ／ｍｉｎが好ましく、５００〜１０００ｒ／ｍｉｎがより好ましい。
図２に示す方法において、キャスティングのダイの条件において、加熱温度は好ましくは３０〜８０℃、より好ましくは５０〜６０℃であり、ラインスピードは０．５〜８ｍ／分が好ましい。塗布後の乾燥温度は、好ましくは２０〜３５０℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、乾燥時間は１０〜６０分が好ましい。
続いて、工程（２）に供する。本発明は、工程（２）に大きな特徴を有する。工程（１）で形成した樹脂層を加圧成型することにより、光半導体素子を簡便に、均一な樹脂層で封止することができ、光取り出し効率のない光半導体装置を得ることができる。
樹脂層の加圧成型は、スタンパ等を用いて行うことができる。本発明においては、スタンパとして、例えば、ポリイミドシートやポリカーボネートシートをレーザー加工により所定の型に加工したもの、又は、そのような型をマスター（原盤）として、ニッケルめっき等の金属めっきを行い作製したもの等を使用することができる。
スタンパによる樹脂層の加圧成型は、例えば、図３に示すように、スタンパ８を光半導体素子２上に凹形状又は凸形状に形成できるようにアライメントを行い、さらに、熱プレス板ともう一方の熱プレス板の間に挿入し、加熱・加圧を行うことにより、工程（１）で形成した樹脂層を熱硬化させて、成型させることができる。スタンパにより、一度に多数の光半導体素子を、均一な形状を有する樹脂層で封止することができる。
加熱・加圧の条件としては、好ましくは７０〜２５０℃、より好ましくは１００〜２００℃での加熱及び好ましくは０．１〜１０ＭＰａ、より好ましくは０．５〜５ＭＰａでの加圧を好ましくは５秒〜３分間、より好ましくは１０秒〜１分間行う条件が挙げられる。
光半導体素子上の樹脂層を凹形状又は凸形状に成型することにより、レンズによる光の制御と取り出し効率の向上を図ることができる。
本発明では、工程（２）の後、さらに、
（３） 工程（２）で加圧成型した樹脂層（第１樹脂層）の上に、第１樹脂層を構成する第１樹脂よりも屈折率の小さい第２樹脂からなる第２樹脂層を形成する工程
を設けることが好ましい。
第２樹脂としては、その屈折率を考慮して、第２樹脂が第１樹脂よりも屈折率が小さくなるように、選択されていれば特に限定されないが、第１樹脂と第２樹脂の比屈折率差〔（第１樹脂の屈折率−第２樹脂の屈折率）／第１樹脂の屈折率×１００〕は、樹脂層界面での光取り出し効率を高くするという観点から、５〜３５％が好ましい。
第２樹脂としては、第１樹脂と同様の樹脂を例示できるが、成型の容易性及び低コストの観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
第１樹脂層及び第２樹脂層には、シリカ等の光散乱性フィラー、蛍光発光剤等の添加剤が適宜含有されていてもよい。
第２樹脂層の形成は、射出成型法、キャスティング法、トランスファー成型法、浸漬法、ディスペンサ等によるポッティング法等の公知に方法を適宜選択し、行うことができる。
さらに、必要に応じて、第２樹脂層の外側に複数の樹脂層を形成してもよく、その場合、複数の樹脂層の樹脂の屈折率は最外の樹脂層に向かって、順次小さくすることが好ましい。
本発明のように、スタンパを用いて、光半導体素子上の樹脂層を加圧成型することにより、光半導体素子の樹脂封止を簡便に、かつ均一に行うことができ、光取り出し効率のばらつきのない、高品質な光半導体装置を得ることができる。従って、本発明により製造する光半導体装置としては、基板上に複数の光半導体素子を搭載した光半導体装置、特に発光ダイオードアレイが好ましい。本発明により得られる発光ダイオードアレイの一例を図４に示す。図４において、ＬＥＤアレイ９上のＬＥＤチップ１０及び導体７は、スタンパにより加圧成型された第１樹脂層１１により封止され、該第１樹脂層１１は、さらに第２樹脂層１２により封止されている。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は当該実施例のみに限定されるものではない。
なお、以下において、合成反応は全て窒素気流下で行った。ＩＲ測定は、ＦＴ／ＩＲ−２３０（日本分光製）を用いて行った。
ポリカルボジイミドの製造例
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコにトリレンジイソシアネート（異性体混合物：三井武田ケミカル製Ｔ−８０）を２９．８９ｇ（１７１．６ｍｍｏｌ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを９４．４８ｇ（３７７．５２ｍｍｏｌ）、ナフタレンジイソシアネートを６４．９２ｇ（３０８．８８ｍｍｏｌ）、トルエンを１８４．５９ｇ入れ、混合した。
さらに、１−ナフチルイソシアネートを８．７１ｇ（５１．４８ｍｍｏｌ）と３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシドを０．８２ｇ（４．２９ｍｍｏｌ）添加し、攪拌しながら１００℃に昇温し、２時間保持した。
反応の進行はＩＲ測定により確認した。具体的にはイソシアネートのＮ−Ｃ−Ｏ伸縮振動（２２８０ｃｍ-1）の吸収の減少とカルボジイミドのＮ＝Ｃ＝Ｎ伸縮振動（２１４０ｃｍ-1）の吸収の増加を観測した。ＩＲ測定にて反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することにより、ポリカルボジイミド溶液（比較例１にて使用）を得た。なお、ポリカルボジイミドのジイソシアネート残基の１００モル％が芳香族ジイソシアネート残基であった。また、前記一般式（１）におけるｎは１５〜７７で分布していた。
次いで、ポリカルボジイミド溶液を剥離剤（フッ素化シリコーン）で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ（厚さ５０μｍ）〔東レ（株）製〕の上に塗布した。これを、１３０℃にて１分間加熱した後、１５０℃で１分間加熱し、セパレータを外して、仮硬化したシート状のポリカルボジイミド（厚さ５０μｍ）を得た。
得られたシート状のポリカルボジイミドを１５０℃のキュア炉にて硬化させ、その屈折率を多波長アッベ屈折率計（ＡＴＡＧＯ社製ＤＲ−Ｍ４）で波長５８９ｎｍにて２５℃で測定した。該硬化体の屈折率は１．７４８であった。
実施例１
上記製造例にて得られた、仮硬化したシート状のポリカルボジイミドを４枚重ね合わせて、５０ｍｍ×３０ｍｍで厚さ２００μｍのシートを作製した。かかるシートを、ＧａＮからなるＬＥＤチップが７×１８個（２．５×２．２ｍｍピッチ）で搭載された、５０ｍｍ×３０ｍｍの基板に、ラミネーターを用い、回転速度５００ｒ／ｍｉｎ、ロール温度１００℃、ロール圧０．５ＭＰａにて貼り合わせ、第１樹脂層を形成した。
ついで、０．７４ｍｍΦ、２．５×２．２ｍｍピッチ、４×４個配列、深さ０．１７ｍｍのスタンパ（ポリイミド製）を重ね合わせ、２００℃、１．５ＭＰａで１分間加圧成型を行った。
ついで、低屈折率樹脂層（第２樹脂層）として、エポキシ樹脂（ＮＴ−８００６：日東電工（株）製、屈折率１．５６０）を積層し、１２０℃で５時間硬化し、表面実装型の発光ダイオードアレイを得た。
凸部高屈折率樹脂層の厚さは１７５μｍ、総樹脂層厚さは３００μｍであった。高屈折率樹脂層の屈折率は１．７４８であるので、低屈折率樹脂層との屈折率差は０．１８８であった。
そして、得られた発光ダイオードアレイにおいて、各発光ダイオードの正面の光量（絶対エネルギー）の平均値は、０．１３μＷ／ｃｍ2 ／ｎｍ、標準偏差は０．０２５μＷ／ｃｍ2 ／ｎｍであった。
比較例１
前記カルボジイミド溶液を、各ＬＥＤチップ毎に滴下して、第１樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様にして、発光ダイオードアレイを作製した。
得られた発光ダイオードアレイにおいて、各発光ダイオードの正面の光量の平均値は、０．０８μＷ／ｃｍ2 ／ｎｍ、標準偏差は０．０１９μＷ／ｃｍ2 ／ｎｍであった。
以上の結果より、実施例１では、比較例１のように各ＬＥＤチップ毎に所定量の樹脂を滴下する必要がないので、製造工程が簡易であり、さらに、各ＬＥＤチップの光取り出し効率のばらつきも小さいことが分かる。
本発明の光半導体装置は、パソコン、携帯電話等の面光源等に用いられるものである。
本発明の工程（１）において、光半導体素子上に樹脂層を形成する際の一実施態様である。 本発明の工程（１）において、光半導体素子上に樹脂層を形成する際の一実施態様である。 本発明の工程（２）において、スタンパにより樹脂層を加圧成型する際の一実施態様である。 本発明により得られる発光ダイオードアレイの一実施態様の断面図である。
符号の説明
１ 樹脂
２ 光半導体素子
３ 基板
４ ラミネータ
５ キャスティング
６ ワイヤ
７ 導体
８ スタンパ
９ ＬＥＤアレイ
１０ ＬＥＤチップ
１１ 第１樹脂層
１２ 第２樹脂層

Claims (5)

  1. 光半導体装置の製造方法であって、
    （１） 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び
    （２） 工程（１）で形成した樹脂層を加圧成型する工程
    を有する、光半導体装置の製造方法。
  2. 工程（２）において、工程（１）で形成した樹脂層の加圧成型をスタンパにより行う請求項１記載の製造方法。
  3. 工程（２）の後、さらに、
    （３） 工程（２）で加圧成型した樹脂層（第１樹脂層）の上に、第１樹脂層を構成する第１樹脂よりも屈折率の小さい第２樹脂からなる第２樹脂層を形成する工程
    を有する、請求項１又は２記載の製造方法。
  4. 工程（１）で形成した樹脂層が、式（１）：
    Figure 2005167092
     （式中、Ｒはジイソシアネート残基を、Ｒ1 はモノイソシアネート残基を表し、ｎは１〜１００の整数である）
    で表されるポリカルボジイミドからなる、請求項１〜３いずれか記載の製造方法。
  5. 光半導体装置が発光ダイオードアレイである、請求項１〜４いずれか記載の製造方法。
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