KR101423267B1 - 반도체 소자 구조물 성형장치 - Google Patents

반도체 소자 구조물 성형장치 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 봉지제를 포함하는 반도체 소자 구조물 원판이 놓이는 원판 고정 영역 및 원판 고정 영역의 외곽에서 상방으로 연장되는 가이드 봉을 구비하는 원판 고정 테이블; 가이드 봉과 대응하도록 구비되는 가이드 구멍을 통해 원판 고정 테이블과 정렬되며, 정렬시 원판 고정 영역과 대면하는 위치에 구비되어 봉지제 측에서 반도체 소자 구조물 원판을 눌러 성형하는 성형부를 구비하는 성형 플레이트; 및 성형 플레이트를 원판 고정 테이블 측으로 가압하며, 성형 플레이트와 원판 고정 테이블의 정렬상태를 유지하는 그립;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 구조물 성형장치{APPARATUS FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자 구조물 성형장치에 관한 것으로, 특히 렌즈를 구비한 반도체 소자 구조물을 성형하는 장치에 관한 것이다.
여기기, 반도체 소자라 함은 반도체 발광소자(예: 레이저 다이오드), 반도체 수광소자(예: 포토 다이오드), p-n접합 다이오드 전기 소자, 반도체 트랜지스터 등을 포함하며, 대표적으로 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 여기서, 기판(100) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(903) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 열방출 효율의 관점에서, 도 1에 도시된 래터럴 칩(Lateral Chip)보다 도 2에 도시된 플립 칩(Flip Chip) 또는 정션 다운형(Junction Down Type) 칩이 열방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180㎛의 두께를 가지는 사파이어 기판(100)을 통해 열을 외부로 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(400)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(901,902,903)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.
도 3 및 도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 필름 또는 플레이트로 된 장착면(10) 위에, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인다. 다음으로, 격벽(82; Partition)과 개구부(81)가 구비된 스텐실 마스크(80)를, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 장착면(10) 위에 놓는다. 다음으로, 봉지제(40)를 개구부(81)에 투입한 다음, 일정 시간 봉지제(40)를 경화한 후, 스텐실 마스크(80)를 장착면(10)으로부터 분리한다. 스텐실 마스크(80)는 주로 금속 재질로 이루어진다.
도 5는 종래의 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면으로서, LED 패키지는 회로패턴이 형성된 기판(11), LED 칩(12) 및 LED 칩(12)을 덮도록 렌즈형으로 형성되는 봉지부, 즉 렌즈(13)를 구비한다.
도 6은 종래의 렌즈 형성방법을 나타내는 도면으로서, LED 칩(12)이 고정된 기판(11) 위에 렌즈(13)의 형상에 대응하는 캐비티(14)를 구비하는 렌즈 성형용 금형(15)을 배치한 상태에서, 렌즈 성형용 금형(15)에 구비된 주입구(16)를 통해 액상의 봉지제를 주입한 다음, 봉지제를 경화시키는 방식으로 렌즈(13)를 형성한다. 이와 같은 렌즈 형성방법은 고가의 렌즈 성형용 금형(15)을 필요로 함에 따라 제조원가가 비싼 문제점이 있는 실정이다.
한국 등록특허공보 제10-686960호, 한국 공개특허공보 제2010-0128358호 등을 참조하면, 종래기술에 따른 렌즈 성형장치의 구조를 알 수 있을 것이다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 봉지제를 포함하는 반도체 소자 구조물 원판이 놓이는 원판 고정 영역 및 원판 고정 영역의 외곽에서 상방으로 연장되는 가이드 봉을 구비하는 원판 고정 테이블; 가이드 봉과 대응하도록 구비되는 가이드 구멍을 통해 원판 고정 테이블과 정렬되며, 정렬시 원판 고정 영역과 대면하는 위치에 구비되어 봉지제 측에서 반도체 소자 구조물 원판을 눌러 성형하는 성형부를 구비하는 성형 플레이트; 및 성형 플레이트를 원판 고정 테이블 측으로 가압하며, 성형 플레이트와 원판 고정 테이블의 정렬상태를 유지하는 그립;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3 및 도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 종래의 렌즈 형성방법을 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치에서 성형되는 반도체 소자 구조물 원판의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 도 8의 반도체 소자 구조물의 합체 상태를 나타내는 단면도,
도 10은 도 9의 A-A선 단면도,
도 11은 본 개시에 따른 그립의 작동 구조를 나타낸 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치의 다른 일 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 7은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치에서 성형되는 반도체 소자 구조물 원판의 일 예를 나타내는 도면이다.
본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치로 성형되는 반도체 소자 구조물은, 플레이트(1) 위에 반도체 소자(2)를 배치한 상태에서 봉지제(4)를 도포하고, 봉지제를 가압하여 렌즈를 성형하며, 봉지제가 경화된 후 반도체 소자(2)를 플레이트(1)로부터 제거한 다음, 쏘잉(sawing) 등의 공정을 통해 개별화하는 방식으로 형성될 수 있다. 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치는, 쏘잉 및 플레이트(1)로부터 반도체 소자(2)가 분리되기 이전 상태의 반도체 소자 구조물 원판(50)을 성형하게 된다. 따라서, 반도체 소자 구조물 원판(50)은, 도 7에 나타낸 것과 같이, 플레이트(1), 플레이트(1) 위에 배치되는 반도체 소자(2), 반도체 소자를 덮는 봉지제(4)를 포함한다. 반도체 소자 구조물 원판(50)은 다수의 반도체 소자(2)를 포함할 수 있고, 이 경우 반도체 소자(2)는 소정의 배열규칙에 따라 플레이트(1) 위에 배치된다. 반도체 소자 구조물 원판(50)은 예를 들어 직사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 9는 도 8의 반도체 소자 구조물의 합체 상태를 나타내는 단면도이며, 도 10은 도 9의 A-A선 단면도이고, 도 11은 본 개시에 따른 그립의 작동 구조를 나타낸 도면이다.
본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치는, 도 8 내지 도 10에 나타낸 것과 같이, 원판 고정 테이블(150), 성형 플레이트(250) 및 그립(350)을 포함한다.
원판 고정 테이블(150)은 원판 고정 영역(110) 및 원판 고정 영역(110)의 외곽에서 상방으로 연장되는 가이드 봉(130)을 구비한다. 가이드 봉(130)은 2개 이상의 복수로 구비되는 것이 바람직하며, 도 8에는 4개의 가이드 봉(130)이 구비된 예가 도시되었지만, 가이드 봉(130)의 수는 이에 국한되지 않는다. 원판 고정 영역(110)은 성형될 반도체 소자 구조물 원판(50)이 놓이는 영역으로서, 반도체 소자 구조물 원판(50)의 외곽 형상에 대응하는 경계를 갖도록 음각으로 형성될 수 있다. 이와 같이 원판 고정 영역(50)이 주변 영역과 단차를 갖도록 음각으로 형성되면, 원판 고정 테이블(150) 위에 반도체 소자 구조물 원판(50)을 용이하게 정렬시킬 수 있다.
성형 플레이트(250)는 원판 고정 테이블(150)의 위에서 원판 고정 테이블(150)에 놓이는 반도체 소자 구조물 원판(50)을 누르는 방식으로 성형하는 것으로서, 정렬시 원판 고정 영역(110)과 대면하는 위치에 형성되는 성형부(210) 및 원판 고정 테이블(150)에 구비되는 가이드 봉(110)과 대응하는 위치에 형성되는 가이드 구멍(230)을 구비한다. 가이드 구멍(230)은 가이드 봉(130)과 같은 수로 구비된다. 성형 플레이트(250)는 가이드 구멍(230)에 가이드 봉(130)이 삽입되도록 함으로써 원판 고정 테이블(150)과 정렬된다. 구체적으로, 상부에 위치하게 되는 성형 플레이트(250)의 가이드 구멍(230)과 하부에 위치하게 되는 원판 고정 테이블(150)의 가이드 봉(130)의 위치를 일치시킨 상태에서 가이드 봉(130)이 가이드 구멍(230)을 관통하도록 하는 것만으로, 도 9에 나타낸 것과 같이, 성형 플레이트(250)와 원판 고정 테이블(150)은 용이하게 정렬상태에 놓이게 된다. 성형 플레이트(250)는, 예를 들어 스테인리스 스틸, 알루미나 등의 재질로 이루어질 수 있으며, 특별한 제한이 있는 것은 아니다.
그립(350)은 정렬된 상태의 성형 플레이트(250)를 원판 고정 테이블(150) 측으로 가압하며, 성형 플레이트(250)와 원판 고정 테이블(150)의 정렬 및 합체 상태를 유지하는 역할을 수행한다. 구체적으로, 그립(350)은, 도 10 및 도 11에 나타낸 것과 같이, 일단(301)이 수평의 선회축(305)을 통해 원판 고정 테이블(150)에 연결되는 가압 가이드 로드(310), 중공형으로 형성되어 가압 가이드 로드(310)에 구속되며 가압 가이드 로드(310)의 일단(301) 측에 가압면(315)을 구비하는 가압 블록(320), 가압 가이드 로드(310)에 구속된 상태에서 가압 블록(320)을 가압 가이드 로드(310)의 일단 측으로 가압하는 탄성가압부재(330), 및 가압 가이드 로드(310)의 타단(302)에 결합되어 가압 블록(320) 반대측에서 탄성가압부재(330)를 지지하는 리테이너(340)를 포함한다. 탄성가압부재(330)는 코일스프링 형태로 제공될 수 있으며, 리테이너(340)는 탄성가압부재(330)의 이탈을 방지할 수 있는 큰 직경의 헤드를 가지는 볼트 형태로 제공될 수 있다.
이와 같은 그립(350)은, 도 11에 나타낸 것과 같이, 가압 블록(320)에 외력을 가해 가압 가이드 로드(310)의 타단(302) 측으로 후퇴시킨 상태에서 가압 가이드 로드(310)를 선회축(305)을 기준으로 선회시켜 가압 블록(320)의 가압면(315)이 성형 플레이트(250)의 상면과 대면하도록 하고, 가압 블록(320)에 가해지던 외력을 제거하여 가압 블록(320)의 가압면(315)을 통해 탄성가압부재(330)의 탄성력이 성형 플레이트(250)에 전달되도록 함으로써, 성형 플레이트(250)를 원판 고정 테이블(150) 측으로 가압한다. 반대로, 성형 플레이트(250)를 원판 고정 테이블(150)로부터 분리할 경우, 그립(350)은 가압 블록(320)에 외력을 가해 가압 가이드 로드(310)의 타단(302) 측으로 당긴 상태에서 가압 가이드 로드(310)를 선회축(305)을 기준으로 반대 방향으로 선회시켜 성형 플레이트(250) 상부를 개방하는 방식으로 조작될 수 있다.
한편, 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형 장치는, 도 10에 나타낸 것과 같이, 가이드 봉(130)에 의해 구속된 상태에서 원판 고정 테이블(150) 위에서 하강하게 되는, 성형 플레이트(250)의 하강 한도, 즉 원판 고정 테이블 방향으로의 접근 한도를 제한하는 스토퍼(270)를 더 포함할 수 있다. 스토퍼(270)는 원판 고정 테이블(150)과 성형 플레이트(250) 사이에 배치되어 성형 플레이트(250)가 더 이상 하강하는 것을 방지하며, 따라서 반도체 소자 구조물 원판(50)에 대한 성형 플레이트(250)의 가압 한도를 제한하게 된다. 스토퍼(270)는, 이에 국한되는 것은 아니지만, 중공형으로 형성되어 가이드 봉(130)에 구속된 상태에서 가이드 봉(130) 하단부에 배치될 수 있다.
성형 플레이트(250)에 구비되는 성형부(210)는 반도체 소자 구조물 원판(50)을 봉지제(4) 측에서 눌러 성형하는 형태로 성형에 직접 관여하는 부분으로서, 실시될 성형 작업의 종류에 따라 다른 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로, 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치는 봉지제(4)가 경화되지 않은 상태의 반도체 소자 구조물 원판(50)에 렌즈를 성형하거나, 렌즈성형 및 개별화된 반도체 소자 구조물로의 절단을 동시에 수행하는데 사용될 수 있다.
도 10에 나타낸 것과 같이, 렌즈를 성형하기 위한 용도의 성형부(210)는 렌즈성형 홀(225)을 포함한다. 렌즈성형 홀(225)은 다수로 구비될 수 있으며, 이 경우 성형될 반도체 소자 구조물 원판(50)에 구비되는 반도체 소자(2)의 배열형태에 대응하도록 배열된다. 렌즈성형 홀(225)은 형성될 렌즈(4c)의 크기에 따라 다양한 크기를 가질 수 있으며, 예를 들어, 다수로 구비되는 경우에는 수 나노미터에서 수 밀리미터의 크기를 가질 수 있으며, 하나만 형성되는 경우에 수백 마이크로미터에서 수 밀리미터의 크기를 가질 수 있다. 일반적으로 렌즈성형 홀(225)은 원형 단면으로 형성되지만 (그래서 전체로서 돔(dome) 형태인 렌즈(4c)가 형성되지만), 타원형, 사각형, 삼각형 등 다양한 형태의 단면으로 형성될 수도 있다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 성형 플레이트(250)는 렌즈성형과 더불어 개별적인 반도체 소자 구조물로의 절단을 수행할 수 있는 성형부(210')를 구비한다. 렌즈 성형 및 절단을 위한 성형부(210')는 중공형으로 형성되어 하방으로 연장되는 커팅 핀(235)을 포함한다.
커팅 핀(235)은 단면 형상이나 단면적의 변화가 없는 단순한 파이프 형태로 구비될 수 있다. 이때, 커팅 핀(235)의 단면 형상은 원형에 한정되지 않고, 필요에 따라 사각형, 타원형, 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다.
한편, 커팅 핀(235)은, 도 12에 나타낸 것과 같이, 하부의 커팅부(241) 및 커팅부(241) 상부의 렌즈성형부(243)로 구분될 수 있다. 예를 들어, 단면 형상은 동일한 가운데, 커팅부(241)는 좁은 단면적을 가지고 렌즈성형부(243)는 상대적으로 넓은 단면적을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 커팅부(241)의 단면 형상은 렌즈성형부(243)의 단면 형상과 다를 수 있다. 예를 들어, 커팅부(241)는 사각형 단면을 가지고 렌즈 성형부(243)는 원형 단면을 가지도록 형성될 수 있는 등, 단면 형상의 다양한 조합이 가능하다.
이하, 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 성형장치의 사용한 반도체 소자 구조물 성형작업을 설명한다.
우선, 원판 고정 테이블(150)의 원판 고정 영역(110)에 반도체 소자 구조물 원판(50)을 배치한다. 이때, 반도체 소자 구조물 원판(50)을 이루는 봉지제(4)는 완전히 경화되지 않은 상태이어야 할 것이다.
이어서, 성형 플레이트(250)를 원판 고정 테이블(150)과 합체한다. 이때, 가이드 구멍(230)을 구비한 성형 플레이트(250)는 가이드 봉(130)에 의해 구속되어 원판 고정 테이블(150)과 정렬되며 상하이동만 가능한 상태에 놓이게 된다.
이어서, 그립(350)을 조작하여 성형 플레이트(250)를 원판 고정 테이블(150) 측으로 가압하게 된다. 이때, 그립(350)을 구성하는 탄성가압부재(330)는 가압 블록(320)을 가압하며, 가압 블록(320)은 가압면(315)을 통해 성형 플레이트(250)를 원판 고정 테이블(150) 측으로 가압하게 된다. 그리고, 가압되는 성형 플레이트(250)는 가이드 봉(130)에 구속된 상태에서 반도체 소자 구조물 원판(50)을 누르면서 원판 고정 테이블(150) 측으로 점진적으로 접근하게 된다. 이와 같이 성형 플레이트(250)가 원판 고정 테이블(150) 측으로 점진적으로 접근하는 과정에서, 반도체 소자 구조물의 성형이 이루어진다.
좀 더 구체적으로, 성형 플레이트(250)가 렌즈성형 용도의 성형부(210)를 구비하는 경우, 도 10에 나타낸 것과 같이, 성형 플레이트(250)가 원판 고정 테이블(150) 측으로 점진적으로 접근하는 과정에서, 렌즈성형 홈(225)에 의해 렌즈(4c)가 성형된다. 이 경우, 스토퍼(270)에 의해 성형 플레이트(250)의 가압 한도가 제한될 수 있다. 이와 같이 렌즈성형 홀(225)을 구비한 성형 플레이트(250)를 가압하면, 가압된 봉지제(4)가 렌즈성형 홀(225)에 내부로 유입됨과 더불어 봉지제(4) 자체의 표면장력에 의해 렌즈(4c)가 형성된다.
또한, 성형 플레이트(250)가 렌즈성형 및 절단 용도의 성형부(210')를 구비하는 경우, 도 12에 나타낸 것과 같이, 성형 플레이트(250)가 원판 고정 테이블(150) 측으로 점진적으로 접근하는 과정에서, 커팅 핀(235)에 의해 렌즈(4c)가 성형됨은 물론 개별적인 반도체 소자 구조물로의 절단 또한 수행된다. 이 경우, 스토퍼(270)는 필요하지 않다. 커팅 핀(235)이 서로 다른 단면 형상의 커팅부(241)와 렌즈성형부(243)를 구비하는 경우, 절단된 반도체 소자 구조물은 커팅부(241)의 형상에 대응하는 하부 형상과 렌즈성형부(243)의 단면 형상에 따른 상부의 렌즈(4c)를 구비하게 된다.
원판 고정 테이블(150)과 성형 플레이트(250)은, 도 9에 나타낸 것과 같이, 서로 합체됨과 더불어, 그립(350)에 의해 원판 고정 테이블(150)과 성형 플레이트(250)이 더 이상 서로 접근하지 않는 상태에서, 봉지제(4)가 완전히 경화될 때까지 가압 및 합체 상태가 유지된다. 경화에 필요한 시간 동안 단순히 대기 중에서 합체 상태로 유지될 수도 있지만, 합체 상태에서 오븐과 같은 경화에 더 적합한 환경을 제공하는 장치에 투입될 수도 있을 것이다.
경화가 완료되면, 그립(350)을 해제하고, 성형 플레이트(250)와 원판 고정 테이블(150)을 분리한 다음, 성형된 반도체 소자 구조물 원판(50)을 분리하게 된다.
렌즈성형 홀(225)을 구비한 렌즈성형 용도의 성형 플레이트(250)를 사용한 경우, 반도체 소자 구조물 원판(50)은 개별적인 반도체 소자 구조물로 절단되지 않고 렌즈(4c)만을 구비한 상태가 되며, 이 상태에서 쏘잉 및 플레이트 분리 등과 같은 후속 작업을 통해 개별적인 반도체 소자 구조물로 완성된다.
커팅 핀(235)을 구비한 렌즈성형 및 절단 용도의 성형 플레이트(250)를 사용한 경우, 반도체 소자 구조물 원판(250)은 개별적인 반도체 소자 구조물로 절단된 상태가 되며, 이 상태에서 단지 플레이트(1)부터 분리하는 것만으로 개별적인 반도체 소자 구조물로 완성될 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 원판 고정 테이블과 성형 플레이트 사이에 배치되어 성형 플레이트의 가압 한도를 제한하는 스토퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(2) 스토퍼는 중공형으로 형성되어 가이드 봉에 구속된 상태에서 가이드 봉 하단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(3) 원판 고정 영역은 반도체 소자 구조물 원판의 외곽 형상에 대응하는 경계를 갖도록 음각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(4) 그립은, 일단이 수평의 선회축을 통해 원판 고정 테이블에 연결되는 가압 가이드 로드, 중공형으로 형성되어 가압 가이드 로드에 구속되며 가압 가이드 로드의 일단 측에 가압면을 구비하는 가압 블록, 가압 가이드 로드에 구속된 상태에서 가압 블록을 가압 가이드 로드의 일단 측으로 가압하는 탄성가압부재, 및 가압 가이드 로드의 타단에 결합되어 가압 블록 반대측에서 탄성가압부재를 지지하는 리테이너를 포함하며, 가압 블록에 외력을 가해 가압 가이드 봉의 타단 측으로 당긴 상태에서 가압 가이드 봉을 선회축을 기준으로 선회시켜 가압 블록의 가압면이 성형 플레이트의 상면과 대면하도록 하고, 가압 블록에 가해지던 외력을 제거하여 가압 블록의 가압면을 통해 작용하는 탄성가압부재의 탄성력에 의해 성형 플레이트를 원판 고정 테이블 측으로 가압하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(5) 성형부는 렌즈성형 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(6) 렌즈성형 홀은 원형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(7) 성형부는 중공형으로 형성되어 하방으로 연장되는 커팅 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(8) 커팅 핀은 하부의 커팅부 및 커팅부 상부의 렌즈성형부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(9) 커팅부의 단면형상과 렌즈성형부의 단면형상이 다른 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(10) 커팅부는 사각형 단면을 가지고, 렌즈성형부는 원형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
(11) 커팅부의 단면적이 렌즈성형부의 단면적보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
본 개시에 따른 하나의 반도체 소자 구조물 성형장치에 의하면, 렌즈를 구비하는 반도체 소자 구조물의 렌즈를 용이하게 성형할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 소자 구조물 성형장치에 의하면, 렌즈를 구비하는 반도체 소자 구조물을 용이하게 성형할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 소자 구조물 성형장치에 의하면, 렌즈를 구비하는 반도체 소자 구조물의 제조원가를 낮출 수 있게 된다.
150: 원판 고정 테이블 250: 성형 플레이트
350: 그립

Claims (12)

  1. 봉지제를 포함하는 반도체 소자 구조물 원판이 놓이는 원판 고정 영역 및 원판 고정 영역의 외곽에서 상방으로 연장되는 가이드 봉을 구비하는 원판 고정 테이블;
    가이드 봉과 대응하도록 구비되는 가이드 구멍을 통해 원판 고정 테이블과 정렬되며, 정렬시 원판 고정 영역과 대면하는 위치에 구비되어 봉지제 측에서 반도체 소자 구조물 원판을 눌러 성형하는 성형부를 구비하는 성형 플레이트; 및
    성형 플레이트를 원판 고정 테이블 측으로 가압하며, 성형 플레이트와 원판 고정 테이블의 정렬상태를 유지하는 그립;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    원판 고정 테이블과 성형 플레이트 사이에 배치되어 성형 플레이트의 가압 한도를 제한하는 스토퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    스토퍼는 중공형으로 형성되어 가이드 봉에 구속된 상태에서 가이드 봉 하단부에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    원판 고정 영역은 반도체 소자 구조물 원판의 외곽 형상에 대응하는 경계를 갖도록 음각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    그립은, 일단이 수평의 선회축을 통해 원판 고정 테이블에 연결되는 가압 가이드 로드, 중공형으로 형성되어 가압 가이드 로드에 구속되며 가압 가이드 로드의 일단 측에 가압면을 구비하는 가압 블록, 가압 가이드 로드에 구속된 상태에서 가압 블록을 가압 가이드 로드의 일단 측으로 가압하는 탄성가압부재, 및 가압 가이드 로드의 타단에 결합되어 가압 블록 반대측에서 탄성가압부재를 지지하는 리테이너를 포함하며,
    가압 블록에 외력을 가해 가압 가이드 봉의 타단 측으로 당긴 상태에서 가압 가이드 봉을 선회축을 기준으로 선회시켜 가압 블록의 가압면이 성형 플레이트의 상면과 대면하도록 하고, 가압 블록에 가해지던 외력을 제거하여 가압 블록의 가압면을 통해 작용하는 탄성가압부재의 탄성력에 의해 성형 플레이트를 원판 고정 테이블 측으로 가압하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    성형부는 렌즈성형 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    렌즈성형 홀은 원형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    성형부는 중공형으로 형성되어 하방으로 연장되는 커팅 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    커팅 핀은 하부의 커팅부 및 커팅부 상부의 렌즈성형부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    커팅부의 단면형상과 렌즈성형부의 단면형상이 다른 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    커팅부는 사각형 단면을 가지고, 렌즈성형부는 원형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
  12. 청구항 9에 있어서,
    커팅부의 단면적이 렌즈성형부의 단면적보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물 성형장치.
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