JP2017528775A - Euvマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 50
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 46
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 45
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 37
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 25
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 8
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 101100326803 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) fac-2 gene Proteins 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 101000934489 Homo sapiens Nucleosome-remodeling factor subunit BPTF Proteins 0.000 description 5
- 102100025062 Nucleosome-remodeling factor subunit BPTF Human genes 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
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Abstract
Description
この場合に、次式が成り立つ。
Δz’=β2Δz
Δz1=βy 2*Δz
Δz2=βx 2*Δz
M マスク
M1 ミラー
OS 物体平面
PO 投影レンズ
Claims (22)
- ミラー面を有する多数のミラー(M1−M6)であって、該ミラーが、物体平面に配置されたマスク(M)のパターンが該ミラーを用いて像平面内に結像可能であるように該物体平面と該像平面の間の投影ビーム経路に配置される前記多数のミラー(M1−M6)を含み、
走査方向と平行に延びる第1の方向の第1の結像スケールが、該第1の方向に対して垂直な第2の方向の第2の結像スケールよりも絶対値に関して小さい、
投影レンズの物体平面(OS)に配置されたパターンを投影レンズの像平面(IS)内に極紫外範囲(EUV)からの動作波長λを有する電磁放射線を用いて結像するための投影レンズ(PO)であって、
レチクル変位によって引き起こされる非点波面収差部分を補正するための動的波面操作系、
を特徴とする投影レンズ(PO)。 - 前記波面操作系は、レチクル変位によって引き起こされる非点波面収差部分が走査作動中に補正可能であるように動的に構成されることを特徴とする請求項1に記載の投影レンズ。
- 前記波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置された変位可能ミラー(M1からM6)と該ミラーの位置を基準位置に対して可逆に変更するための第1の起動デバイス(DR1からDR6)とを有する第1のマニピュレータを有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影レンズ。
- 前記変位は、以下の群:
前記物体平面に対して直交方向に向く基準軸(AX)と平行な前記ミラーの軸線変位、
前記物体平面に対して直交方向に向く基準軸(AX)に対して垂直な横方向の前記ミラーの横変位、
前記ミラーの傾斜、
回転軸の周りの反射自由曲面を有するミラーの回転、
から選択された少なくとも1つの変位を含む、
ことを特徴とする請求項3に記載の投影レンズ。 - 前記第1のマニピュレータは、前記ミラーの変位が、開始位置から少なくとも1つの中間位置を経て該開始位置に戻る事前定義可能な移動プロファイルに従って1つの方向に実行される走査作動の開始と終了の間の時間間隔に実施されるように動的に設計されることを特徴とする請求項3及び請求項4のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 前記ミラーの複数のもの又は全ての該ミラー(M1からM6)は、該ミラーの前記位置を基準位置に対して可逆に変更するための起動デバイス(DR1からDR6)を各場合に有することを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 前記波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置されてミラー面(MS6)を有する変形可能ミラー(M6)と該ミラー面の面形状を基準面形状に対して可逆に非点収差的に変更するための起動デバイス(DR6’)とを有する第2のマニピュレータを有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 前記物体平面と前記像平面の間に少なくとも1つの瞳面(PF2)を有し、
前記瞳面に光学的に近接して変形可能ミラー(M6)が配置され、非点収差的に変形可能なミラー面を有する該ミラーは、好ましくは、該ミラー面で部分口径比SARが0.5と1の間にあり、特に0.7と1の間の範囲にあるように配置される、
ことを特徴とする請求項7に記載の投影レンズ。 - 前記第1のマニピュレータ及び/又は前記第2のマニピュレータは、前記ミラーの光学効果の前記変更に関連する起動移動が1秒よりも短い短時間スケール内、特に10分の1秒又は10分の数秒の範囲で発生可能であるように動的に設計されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 大きい方の絶対値を有する前記結像スケールと小さい方の絶対値を有する該結像スケールとの間のスケール比が、1.1から2.5の範囲、特に1.5から2の範囲にあることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 前記第2の方向の投影レンズの前側焦点距離が、絶対値に関して3mよりも短く、該前側焦点距離は、好ましくは2mよりも短く、特に1mよりも短いことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 前記走査方向に湾曲したリング視野(RF)を結像するように設計されることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の投影レンズ。
- 前記リング視野の曲率が、像平面内で前記走査方向に遅れる視野縁部での中央視野点と該視野縁部の周辺部での周辺視野点との間で該走査方向に測定した距離が該走査方向に対して垂直に測定した視野幅の5%超、好ましくは15%超、特に25%超に対応するように寸法決めされることを特徴とする請求項12に記載の投影レンズ。
- 1次放射線源(RS)から1次放射線を受光し、かつマスク(M)の上に向けられる照明放射線を発生させるための照明系(ILL)と、
投影レンズの像平面(IS)の領域にパターンの像を発生させるための投影レンズ(PO)と、
前記パターンが、前記投影レンズの物体平面(OS)の領域に配置され、かつ該投影レンズの基準軸(AX)に対して垂直な走査方向に移動可能であるように、前記照明系と該投影レンズの間に前記マスクを保持するためのマスク保持デバイス(RST)と、
基板の感放射線面が、前記物体平面に対して光学的に共役であって前記投影レンズの前記基準軸と垂直に前記マスクと同期して移動可能である該投影レンズの前記像平面(IS)の前記領域に配置されるように該基板を保持するための基板保持デバイス(WST)と、
を含む、感放射線基板(W)をマスク(M)のパターンの少なくとも1つの像を用いて露光するための投影露光装置(WSC)であって、
前記投影レンズは、請求項1から請求項13のいずれか1項に従って設計される、
ことを特徴とする投影露光装置(WSC)。 - 前記マスク保持デバイス(RST)は、前記物体平面(OS)に対して直交方向に延びるz方向に平行な前記マスクの制御式変位のためのz変位デバイスを有することを特徴とする請求項14に記載の投影露光装置。
- 前記z変位デバイスは、前記マスクの変位が事前定義可能な移動プロファイルに従って1つの方向に実行される走査作動の開始と終了の間の時間間隔内に実施されるように動的に設計されることを特徴とする請求項15に記載の投影露光装置。
- パターンが投影レンズの物体平面の領域に配置され、かつ該物体平面に対して光学的に共役である該投影レンズの像平面内に投影レンズを用いて結像可能であるように、照明系と投影露光装置のアナモルフィック投影レンズとの間にマスクを与える段階、
前記パターンの照明領域を前記照明系によって与えられる照明放射線で照明する段階、及び
走査作動中に走査方向に前記マスクを移動する段階、
を含む感放射線基板をマスクのパターンの少なくとも1つの像で露光するための投影露光方法であって、
前記物体平面に対して垂直な変位方向に前記マスクを変位させる段階と、
前記マスクの前記変位によって引き起こされる非点波面収差部分を動的波面操作系を用いて補正する段階と、
を特徴とする方法。 - 前記マスクを変位させる該段階及び非点波面収差部分を補正する前記段階は、前記走査作動中に実行されることを特徴とする請求項17に記載の投影露光方法。
- マスクのパターンの少なくとも1つの像を用いて感放射線基板を露光するための投影露光方法であって、
照明系と投影露光装置のアナモルフィック投影レンズとの間に前記マスクを前記パターンが該投影レンズの物体平面の領域に配置されるように与える段階と、
前記基板を該基板の感放射線面が前記物体平面に対して光学的に共役である前記投影レンズの像平面の領域に配置されるように保持する段階と、
前記照明系によって与えられる照明放射線で前記マスクの照明領域を照明する段階と、
前記照明領域に位置する前記パターンの一部を前記基板での像視野の上に前記投影レンズを用いて投影する段階と、
走査作動中に走査方向に前記マスクを移動する段階と、
前記走査作動中に前記物体平面に対して垂直な変位方向に前記マスクを変位させる段階と、
投影ビーム経路に配置された操作可能ミラーと該操作可能ミラーの光学効果を可逆に変更するための起動デバイスとを有する少なくとも1つのマニピュレータを駆動することにより、前記物体平面から前記像平面に通過する前記投影放射線の波面に非点収差的に影響を及ぼす段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の投影レンズが使用されることを特徴とする請求項17、請求項18、又は請求項17のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 前記操作可能ミラーの光学効果の変更に関連する前記マニピュレータの起動移動が、1秒よりも短い短時間スケール内、特に10分の1秒又は10分の数秒の範囲で実施されることを特徴とする請求項17から請求項20のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 前記波面操作系のマニピュレータの起動デバイスの駆動が、前記マスクの動的変位及び/又は傾斜に依存して実施され、該駆動は、好ましくは、以前に計算された感受性を使用するフィードフォワードモデルに基づいて又は以前に計算されたルックアップテーブルに基づいて実施されることを特徴とする請求項17から請求項21のいずれか1項に記載の投影露光方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014218474.6 | 2014-09-15 | ||
DE102014218474.6A DE102014218474A1 (de) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
PCT/EP2015/070391 WO2016041805A1 (en) | 2014-09-15 | 2015-09-07 | Projection lens, projection exposure apparatus and projection exposure method for euv microlithography |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020098462A Division JP7208953B2 (ja) | 2014-09-15 | 2020-06-05 | Euvマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017528775A true JP2017528775A (ja) | 2017-09-28 |
JP2017528775A5 JP2017528775A5 (ja) | 2020-02-13 |
JP6714595B2 JP6714595B2 (ja) | 2020-06-24 |
Family
ID=54062753
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017533703A Active JP6714595B2 (ja) | 2014-09-15 | 2015-09-07 | Euvマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 |
JP2020098462A Active JP7208953B2 (ja) | 2014-09-15 | 2020-06-05 | Euvマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020098462A Active JP7208953B2 (ja) | 2014-09-15 | 2020-06-05 | Euvマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10048592B2 (ja) |
EP (1) | EP3195060B1 (ja) |
JP (2) | JP6714595B2 (ja) |
KR (1) | KR102469060B1 (ja) |
CN (2) | CN107077074B (ja) |
DE (1) | DE102014218474A1 (ja) |
TW (2) | TWI681258B (ja) |
WO (1) | WO2016041805A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110045483A (zh) * | 2018-01-16 | 2019-07-23 | 佳能株式会社 | 成像光学***、图像投影装置和照相机*** |
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-
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- 2015-09-07 JP JP2017533703A patent/JP6714595B2/ja active Active
- 2015-09-07 CN CN201580049768.0A patent/CN107077074B/zh active Active
- 2015-09-07 KR KR1020177009820A patent/KR102469060B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-07 CN CN202010179331.1A patent/CN111505909A/zh active Pending
- 2015-09-07 EP EP15759468.0A patent/EP3195060B1/en active Active
- 2015-09-07 WO PCT/EP2015/070391 patent/WO2016041805A1/en active Application Filing
- 2015-09-14 TW TW104130274A patent/TWI681258B/zh active
- 2015-09-14 TW TW108134443A patent/TWI714278B/zh active
-
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- 2017-02-24 US US15/441,441 patent/US10048592B2/en active Active
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- 2018-07-31 US US16/050,161 patent/US10591825B2/en active Active
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US20180364583A1 (en) | 2018-12-20 |
US10048592B2 (en) | 2018-08-14 |
US10591825B2 (en) | 2020-03-17 |
US20170168399A1 (en) | 2017-06-15 |
CN107077074B (zh) | 2020-04-10 |
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CN111505909A (zh) | 2020-08-07 |
KR20170053713A (ko) | 2017-05-16 |
TW202004367A (zh) | 2020-01-16 |
JP2020149070A (ja) | 2020-09-17 |
JP6714595B2 (ja) | 2020-06-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180907 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190716 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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