JP2005159045A - 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】 特に窓枠が、これまでよりさらに加工性のよい材料で形成されているためより一層の低コスト化が可能である上、放熱性能にも優れており、しかも窓枠や基体の表面に、電極層、反射層などを微細な形状に精度良くパターン形成したり、特に短波長の光の反射効率にすぐれたＡｌ膜などを形成したりすることができる新規な半導体発光素子搭載部材と、それを用いた発光ダイオードとを提供する。
【解決手段】 半導体発光素子搭載部材ＢＬは、第１の高放熱部材１１を含む基体１と、窓枠に相当する耐熱樹脂部材２とを、接合層ＡＬ２を介して接合、一体化した。発光ダイオードＬＥ２は、上記半導体発光素子搭載部材ＢＬの、第１の高放熱部材１１上に半導体発光素子ＬＥ１を搭載し、かつ蛍光体および／または保護樹脂ＦＲによって封止するとともに、半導体発光素子ＬＥ１からの光の取り出し方向にレンズＬＳを配設した。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体発光素子を用いて発光ダイオードを形成するために用いる新規な半導体発光素子搭載部材と、当該半導体発光素子搭載部材に半導体発光素子を搭載した発光ダイオードとに関するものである。

半導体基板上に発光層や電極層などを形成したチップ状の半導体発光素子を用いて発光ダイオードを形成する場合は、例えば開口と対向する底面を、当該半導体発光素子を搭載するための搭載部とした凹部を有するパッケージなどを用いるのが一般的である（例えば特許文献１参照）。また発光ダイオードの発光効率を向上するために、特許文献１記載の発明では、上記凹部を、底面側から開口側へ向けて外方に拡がった形状（すり鉢状）に形成するとともに、その内面を、半導体発光素子からの光を反射しうる金属膜にて被覆している。

かかるパッケージの搭載部に半導体発光素子を搭載し、次いで凹部に蛍光体および／または保護樹脂を充てんして、搭載した半導体発光素子を封止するとともに、光の取り出し方向である開口を、必要に応じて封止キャップやレンズなどで閉じることによって発光ダイオードが製造される。
特開２００２−２３２０１７号公報（請求項１、第０００３欄〜第０００４欄、第００１２欄〜第００２３欄、図１、図４）

上記特許文献１に記載のパッケージは、半導体発光素子を搭載するためのセラミック基体上に、上記凹部を形成するための部材（セラミック窓枠）を積層して構成される。また、かかるセラミック基体、およびセラミック窓枠のもとになるセラミックスとして従来は、アルミナが一般的であった。しかしアルミナは熱伝導率が低いため、特に最近の、半導体発光素子の高出力化に十分に対応する放熱性能が得られないという問題があった。

そこで、熱伝導率が高く放熱性能に優れた窒化アルミニウムなどを用いて上記のパッケージを形成することが検討されたが、かかる放熱性能に優れたセラミックスの多くは加工性が良好でなく、特に前記のようにすり鉢状の凹部などの複雑な形状を有するセラミック窓枠を形成するのが困難であって製造コストが極めて高くつくという問題があった。

また上記特許文献１では、セラミック基体とセラミック窓枠、さらにはこの両者の表面に設けた、半導体発光素子搭載のための電極層や、半導体発光素子からの光を反射するための反射層などとして機能する金属膜の下地層となるＭｏ層やＷ層を、セラミックグリーンシートとメタライズペーストとを用いて高温で焼成、一体化する積層コファイア法によって形成している。

ところがかかる方法では、Ｍｏ層やＷ層のもとになるメタライズペーストを、精度の低い印刷法によってセラミックグリーンシートの表面に印刷しなければならない上、焼成時に高温の熱履歴を受けてこれらの部材が熱変形を生じやすいため、上記Ｍｏ層やＷ層の上にめっき法などによって形成する電極層や反射層を微細な形状に、精度良くパターン形成するのが難しいという問題があった。また電極層や反射層は、上記のようにＭｏ層やＷ層の上にめっき法などによって形成されるため、特に短波長の光の反射率に優れるものの、めっき法による膜化が困難なＡｌ膜などを形成するのが難しいという問題もあった。

加工性を向上するために、放熱性能に優れたセラミック基体と、金属製の窓枠とを組み合わせることも検討された。しかし金属であっても、窓枠に対応した複雑な形状に形成するためには様々な加工を施す必要があることから、加工性の改善効果はさほど顕著ではなく、依然として製造コストが高くつくという問題があった。

この発明の目的は、特に窓枠が、これまでよりさらに加工性のよい材料で形成されているためより一層の低コスト化が可能である上、放熱性能にも優れており、しかも窓枠や基体の表面に、電極層、反射層などを微細な形状に精度良くパターン形成したり、特に短波長の光の反射効率にすぐれたＡｌ膜などを形成したりすることができる新規な半導体発光素子搭載部材と、それを用いた発光ダイオードとを提供することにある。

請求項１記載の発明は、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が１５×１０^−６／℃以下であり、半導体発光素子を搭載するための第１の高放熱部材を含む基体と、この基体に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化した、半導体発光素子からの光を反射するための反射部を有する耐熱樹脂部材とを備えることを特徴とする半導体発光素子搭載部材である。

請求項２記載の発明は、基体が、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が５０×１０^−６／℃以下である第２の高放熱部材をも有しており、耐熱樹脂部材を、この第２の高放熱部材に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項３記載の発明は、基体が第１の高放熱部材のみからなり、耐熱樹脂部材を、この第１の高放熱部材に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項４記載の発明は、基体を構成する第１および第２の高放熱部材のうちの少なくとも一方に、半導体発光素子搭載のための電極層、および半導体発光素子からの光を反射するための反射層のうちの少なくとも一方として機能する金属膜を設けるとともに、この金属膜の最表面の少なくとも一部を、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成した請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項５記載の発明は、耐熱樹脂部材の反射部を、当該耐熱樹脂部材の表面に形成した金属膜にて形成するとともに、この金属膜の最表面の少なくとも一部を、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項６記載の発明は、耐熱樹脂部材の反射部を、当該耐熱樹脂部材の表面に形成した金属膜にて形成するとともに、この金属膜の、最表面の中心線平均粗さＲａを１μｍ未満とした請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項７記載の発明は、インサート成形により、耐熱樹脂部材と、当該耐熱樹脂部材を貫通する、半導体発光素子への配線用の金属リードとを一体化した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項８記載の発明は、金属リードの最表面の少なくとも一部を、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成した請求項７記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項９記載の発明は、第１の高放熱部材を、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｗ、およびＭｏからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む材料にて形成した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項１０記載の発明は、第２の高放熱部材を、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｍｏ、およびＣｕ−Ｍｏからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む材料にて形成した請求項２記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項１１記載の発明は、耐熱樹脂部材の、２６０℃で６０秒間の加熱後の寸法変化率が１％以下である請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項１２記載の発明は、耐熱樹脂部材が平均粒径１〜１０μｍの無機フィラーを含んでおり、当該耐熱樹脂部材の熱膨張係数が３０×１０^−６／℃以下である請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項１３記載の発明は、耐熱樹脂部材を、電離放射線の照射によって架橋させた架橋ポリエステル樹脂にて形成した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材である。

請求項１４記載の発明は、請求項１記載の半導体発光素子搭載部材のうち第１の高放熱部材に半導体発光素子を搭載し、かつ搭載した半導体発光素子を蛍光体および保護樹脂のうちの少なくとも一方によって封止するとともに、半導体発光素子からの光の取り出し方向にレンズを配設したことを特徴とする発光ダイオードである。

請求項１記載の発明によれば、半導体発光素子からの光を反射するための反射部を有する窓枠等の部材を耐熱樹脂部材にて形成しており、かかる耐熱樹脂部材は加工性に優れ、射出成形法などの種々の成形方法によって任意の形状に形成することが容易である上、射出成形法などによれば同じ形状のものを大量に製造することもできるため、半導体発光素子搭載部材の、より一層の低コスト化が可能となる。

また請求項１記載の発明によれば、上記の耐熱樹脂部材を、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が１５×１０^−６／℃以下という、放熱性能に優れ、かつ半導体発光素子との熱膨張差の小さい材料からなる第１の高放熱部材を含む基体と組み合わせているため、半導体発光素子搭載部材は、放熱性能や信頼性にも優れたものとなる。

しかも請求項１記載の発明では、上記耐熱樹脂部材と基体とを、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化しているため、あらかじめ焼結した第１の高放熱部材や、あらかじめ成形した耐熱樹脂部材の表面などに、その後、耐熱樹脂部材と基体とを上記接合層を介して接合、一体化する前後いずれかの任意の工程で、電極層や反射層となる金属膜を、例えばフォトリソグラフィーなどを利用して精度良く形成することができる。このため当該電極層、反射層などを、例えば１００μｍ以下の微細な形状にパターン形成することができる。詳しくはパターン間の間隔やパターン幅、パターンの平面形状などの最小値を１００μｍ以下、特に５０μｍ未満の高い精度で微細形成することができる。このため半導体発光素子のフリップチップ実装などが可能となる。また、前記のように特に短波長の光の反射率に優れるものの、めっきなどによる膜化が困難なＡｌ膜などを形成することもできる。

また請求項２記載の発明によれば、基体を、上記第１の高放熱部材と、それよりも安価な、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が５０×１０^−６／℃以下である第２の高放熱部材とで形成するとともに、耐熱樹脂部材を、当該第２の高放熱部材に対して接合、一体化しており、第１の高放熱部材は、少なくとも半導体発光素子を搭載しうる大きさがあればよく、できる限り小型化することができるため、半導体発光素子搭載部材の、より一層の低コスト化が可能となる。

一方、請求項３記載の発明によれば、基体を、第１の高放熱部材のみで形成して、耐熱樹脂部材を、この第１の高放熱部材に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化しており、半導体発光素子搭載部材の構造や組み立て工程を簡略化できるため、やはりより一層の低コスト化が可能となる。

請求項４記載の発明によれば、基体を構成する第１および第２の高放熱部材のうちの少なくとも一方に金属膜を設けるとともに、その最表面の少なくとも一部を、半導体発光素子からの光、中でも波長６００ｎｍ以下の短波長の光を高い反射率で反射することができる、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成しているため、半導体発光素子の発光効率、特に蛍光体と組み合わせて白色発光させるために用いる短波長の半導体発光素子の発光効率を向上できるという利点がある。

また請求項５記載の発明によれば、耐熱樹脂部材の反射部を金属膜にて形成するとともに、この金属膜の最表面の少なくとも一部を、上記Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成しているため、同様に半導体発光素子の発光効率、特に短波長の半導体発光素子の発光効率を向上することができる。

さらに請求項６記載の発明によれば、上記反射部としての金属膜の、最表面の中心線平均粗さＲａを１μｍ未満として光沢度を向上しているため、やはり半導体発光素子の発光効率を、この場合は発光波長にかかわらず、向上することができる。

請求項７記載の発明によれば、耐熱樹脂部材と、当該耐熱樹脂部材を貫通する金属リードとを、インサート成形によって１工程で一体形成できるため、かかる金属リードを有する半導体発光素子搭載部材のさらなる低コスト化が可能である。

また請求項８記載の発明では、上記金属リードの表面を、前記Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成しているため、この場合もやはり半導体発光素子の発光効率、特に短波長の半導体発光素子の発光効率を向上することができる。

第１の高放熱部材を形成する、前述した、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が１５×１０^−６／℃以下という放熱性能を満足する材料としては、請求項９に記載したように、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｗ、およびＭｏからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む材料を用いるのが好ましい。

また第２の高放熱部材を形成する、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が５０×１０^−６／℃以下という放熱性能を満足する材料としては、請求項１０に記載したように、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｍｏ、およびＣｕ−Ｍｏからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む材料を用いるのが好ましい。

さらに耐熱樹脂部材としては、例えば鉛フリーのはんだリフローによる、半導体発光素子搭載部材の、配線基板等への実装などを可能とする耐熱性を確保するため、請求項１１に記載したように、２６０℃で６０秒間の加熱後の寸法変化率が１％以下であるものを用いるのが好ましい。

また、かかる耐熱樹脂部材としては、その熱膨張係数を第１および／または第２の高放熱部材の熱膨張係数に近づけることによって、上記はんだリフローによる半導体発光素子搭載部材の実装時や、高出力の半導体発光素子を発光させる使用時などの熱履歴による熱応力を低減するため、請求項１２に記載したように、平均粒径１〜１０μｍの無機フィラーを含んでおり、熱膨張係数が３０×１０^−６／℃以下であるものを用いるのが好ましい。

また上記の耐熱樹脂部材としては、所定の形状に成形するための加工性と、成形後の耐熱性とを考慮すると、架橋性を有する未架橋のポリエステル樹脂を、耐熱樹脂部材の形状に成形後、電離放射線の照射によって架橋させた、請求項１３記載の架橋ポリエステル樹脂が好ましい。

さらに請求項１４記載の発光ダイオードは、上記の半導体発光素子搭載部材を使用したものゆえ、低コスト化が可能である上、当該半導体発光素子搭載部材が放熱性能に優れるため、特に高出力の半導体発光素子を組み込んだ場合に、発光効率等を向上するとともに、長寿命化が可能となる。

図１(a)は、この発明の半導体発光素子搭載部材ＢＬの、実施の形態の一例を示す断面図である。また図２は、上記例の半導体発光素子搭載部材ＢＬを基材１と耐熱樹脂部材２とに分解した状態を示す一部切り欠き斜視図である。

これらの図に見るように、この例の半導体発光素子搭載部材ＢＬのうち基材１は、平面形状が矩形状である平板状の第２の高放熱部材１２と、当該第２の高放熱部材１２の、図において上面１２０の面方向中央に、接合層ＡＬ１を介して接合、一体化された、上面１１０を半導体発光素子〔図１(b)中のＬＥ１〕の搭載面とした、同様に平面形状が矩形状である平板状で、かつ上記第２の高放熱部材１２よりも面方向の大きさが小さい第１の高放熱部材１１とを備えている。

上記のうち第１の高放熱部材１１は、前記のように熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が１５×１０^−６／℃以下である必要がある。熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ未満では放熱性が不十分であるため、搭載した半導体発光素子ＬＥ１が、発光時の自身の発熱によって早期に劣化、損傷してしまう。

また熱膨張係数が１５×１０^−６／℃を超える場合には、半導体発光素子ＬＥ１との熱膨張係数の差が大きくなりすぎる。そして第１の高放熱部材１１の上面１１０に半導体発光素子ＬＥ１を実装する際の熱履歴や、半導体発光素子搭載部材ＢＬを配線基板等に実装する際の、前述したはんだリフローなどによる熱履歴、あるいは半導体発光素子ＬＥ１の発光時の発熱などによって第１の高放熱部材１１が膨張収縮した際に過大な応力が加わるなどして、半導体発光素子ＬＥ１が破損したり、両者間の接合が外れたりするおそれがある。

上記の条件を満足する第１の高放熱部材１１を形成しうる材料としては、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏなどを含む材料を挙げることができる。

なお機械的強度などの、第１の高放熱部材１１の他の物性との兼ね合いや、あるいは製造コストなどを考慮すると、当該第１の高放熱部材１１の熱伝導率は、上記の範囲内でも特に３００Ｗ／ｍＫ以下とするのが好ましい。また第１の高放熱部材１１の熱膨張係数は、半導体発光素子ＬＥ１との熱膨張差をできるだけ小さくすることを考慮すると、上記の範囲内でも特に４×１０^−６〜７×１０^−６／℃とするのが好ましい。

また第１の高放熱部材１１の、面方向の大きさは、搭載する半導体発光素子ＬＥ１の、面方向の大きさの４倍以下であるのが好ましい。第１の高放熱部材１１の、面方向の大きさが上記の範囲を超える場合には、基材１を第１および第２の高放熱部材１１、１２で構成して、第１の高放熱部材１１を小型化したことによるコストダウンの効果が不十分になるおそれがある。なお第１の高放熱部材１１の、面方向の大きさは、半導体発光素子ＬＥ１を搭載する際の作業性を向上することを考慮すると、当該半導体発光素子ＬＥ１の、面方向の大きさの１．０５倍以上であるのが好ましい。

また第２の高放熱部材１２は、これも前記のように熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が５０×１０^−６／℃以下であるのが好ましい。熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ未満では放熱性が不十分であるため、第１の高放熱部材１１上に搭載した半導体発光素子ＬＥ１が、発光時の自身の発熱によって早期に劣化、損傷してしまうおそれがある。

また熱膨張係数が５０×１０^−６／℃を超える場合には、第１の高放熱部材１１との熱膨張係数の差が大きくなりすぎる。そして第１の高放熱部材１１の上面１１０に半導体発光素子ＬＥ１を実装する際の熱履歴や、半導体発光素子搭載部材ＢＬを配線基板等に実装する際の、はんだリフローなどによる熱履歴、あるいは半導体発光素子ＬＥ１の発光時の発熱などによって第２の高放熱部材１２が膨張収縮した際に過大な応力が加わるなどして、半導体発光素子ＬＥ１や第１の高放熱部材１１が破損したり、上記３者間の、いずれかの接合が外れたりするおそれがある。

上記の条件を満足する第２の高放熱部材１２を形成しうる材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｍｏなどの金属を挙げることができる。なお基材１を第１および第２の高放熱部材１１、１２に分けたことによる、前述したコストダウンの効果をより一層、効果的なものとするためには、第１の高放熱部材１１をＷ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｍｏなどの金属で形成する場合、第２の高放熱部材１２は、上記例示のうちＷ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｍｏ以外の他の金属にて形成するのが好ましい。

また機械的強度などの、第２の高放熱部材１２の他の物性との兼ね合いや、あるいは製造コストなどを考慮すると、当該第２の高放熱部材１２の熱伝導率は、上記の範囲内でも特に４００Ｗ／ｍＫ以下とするのが好ましく、熱膨張係数は、上記の範囲内でも特に１５×１０^−６〜２５×１０^−６／℃とするのが好ましい。

耐熱樹脂部材２は、外形が、上記第２の高放熱部材１２の平面形状と一致する矩形状に形成され、当該第２の高放熱部材１２の上面１２０に、接合層ＡＬ２を介して接合、一体化されたものであって、中央に、第２の高放熱部材１２と接合、一体化した状態で、第１の高放熱部材１１と、その上面１１０に搭載される半導体発光素子ＬＥ１とを収容する凹部を構成するための通孔２１を有している。

また通孔２１は、そのうち下部内周面２１ａが、第１の高放熱部材１１を囲む矩形状とされ、上部内周面２１ｂが、半導体発光素子ＬＥ１からの光を上部開口２１ｃを通して図において上方に反射させるために、凹部の底面（第２の高放熱部材１２の上面１２０）側から開口２１ｃ側へ向けて外方に拡がったすり鉢状とされている。また、上記通孔２１のうちすり鉢状の上部内周面２１ｂと、それに続く耐熱樹脂部材２の上面２０には、反射部としての金属膜２２を形成してある。なお耐熱樹脂部材２の上面２０には、後述するようにレンズＬＳや封止キャップが接着される場合があり、その場合には接着強度を高めるために、当該上面２０上に金属膜２２を形成しないこともある。

金属膜２２は単層構造でも、複数層の積層構造でも良いが、その最表面の少なくとも一部は、前記のようにＡｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成するのが好ましい。中でもＡｌは、特に４５０ｎｍ以下の短波長の光の反射率に優れており、蛍光体と組み合わせて白色発光させるために用いる、短波長の半導体発光素子ＬＥ１の発光効率を向上できる点で好ましい。

また金属膜２２は、これも前記のように、最表面の中心線平均粗さＲａを１μｍ未満の光沢面に仕上げるのが好ましい。中心線平均粗さが１μｍを超える場合には、金属膜２２の光沢度が低下して、半導体発光素子ＬＥ１の発光効率を向上する効果が得られないおそれがある。金属膜２２の、最表面の中心線平均粗さを上記の範囲内とするには、従来公知の種々の方法を採用することができるが、特にＭＩＤ（Molded Interconnect Device：３次元射出成形回路部品）の製造方法を採用するのが好ましい。詳細は後述する。

また通孔２１の下部内周面２１ａと上部内周面２１ｂとの境界部分には、耐熱樹脂部材２を貫通させて、当該耐熱樹脂部材２の外部と通孔２１内とを繋ぐように、半導体発光素子ＬＥ１への配線用の金属リード３を２本配設してある。かかる金属リード３は、前記のようにインサート成形によって耐熱樹脂部材２と一体化するのが、製造工程を簡略化できる点で好ましい。

詳しくは、耐熱樹脂部材２の外形に対応した型窩を有するとともに、その所定の位置に金属リード３を保持する保持部を設けた金型を使用し、かかる保持部に金属リード３を保持した状態で、型窩内に、耐熱樹脂部材２のもとになる加熱溶融状態の樹脂を注入して冷却、固化させたのち、型から取り出した耐熱樹脂部材２を必要に応じてさらに架橋させることによって、金属リード３が所定の位置に一体化された耐熱樹脂部材２を製造することができる。

また金属リード３は、これも前記のように、その最表面の少なくとも一部、具体的には図において上面側の、耐熱樹脂部材２から通孔２内へ突出した部分の表面などを、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成するのが好ましい。また金属リード３の、耐熱樹脂部材２から外方へ突出した部分のうち配線が接続される接続部の表面などは、接続の信頼性を向上するためにＡｕなどで形成してもよい。

金属リード３の最表面を上記の金属で形成するには、その全体を上記いずれかの金属で形成してもよいし、表面に上記いずれかの金属をめっきしてもよいし、この両方を組み合わせてもよい。

耐熱樹脂部材２は、インサート成形などの成形が可能で、なおかつ成形後に、前記のように２６０℃で６０秒間の加熱後の寸法変化率が１％以下である耐熱樹脂部材２を形成しうる種々の樹脂によって形成することができるが、特に電離放射線の照射によって架橋させた架橋ポリエステル樹脂にて形成するのが好ましい。

また、かかる架橋ポリエステル樹脂のもとになる、電離放射線の照射によって架橋可能なポリエステル樹脂としては、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリシクロヘキシレンテレフタレート（ＰＣＴ）、ポリシクロへキシレンテレフタレート・ポリエチレンテレフタレート共重合体（ＰＣＴ−ＰＥＴ）、ポリシクロへキシレンジメチレンテレフタレート・イソフタレート共重合体（ＰＣＴＡ）、ポリブチレンサクシネート（ＰＢＳ）等を挙げることができる。

上記ポリエステル樹脂はそれぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。ポリエステル樹脂は、例えば以下のような方法により、電離放射線の照射により架橋可能な状態とすることができる。
(1) 多官能性モノマーを配合する方法

ポリエステル樹脂に多官能性モノマーを配合することにより、電離放射線の照射によって架橋可能な状態とすることができる。多官能性モノマーとしては、例えばジエチレングリコールジアクリレートなどのジアクリレート類；エチレングリコールジメタクリレート、ジプロヒレングリコールジメタクリレードなどのジメタクリレート類；トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレートなどのトリアクリレート類；トリメチロールエタントリメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレートなどのトリメタクリレート類；トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレートなどの(イソ)シアヌレート類などを挙げることができる。中でも特にトリアリルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリメタクリレートが好ましい。

多官能性モノマーの配合量は、ポリエステル樹脂１００重量部に対して０．１〜２０重量部、中でも０．５〜１５重量部、特に１〜１０重量部とするのが好ましい。多官能性モノマーの配合量が少なすぎると、電離放射線を照射してもポリエステル樹脂の架橋の程度が不十分となることがある。そして架橋が不十分であると、前記の寸法変化率を維持することができず、耐はんだリフロー性を満足することが困難になる。逆に多官能性モノマーの配合量が多すぎると、ポリエステル樹脂との溶融混合が困難となり、さらには成形時のバリが多くなるため好ましくない。
(2) 重合性官能基を導入する方法

ポリエステル樹脂と多官能性有機化合物とを反応させて、ポリエステル樹脂中に重合性官能基を導入することにより、電離放射線の照射によって架橋可能な状態とすることができる。多官能性有機化合物としては、同一分子内にビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基などの重合性官能基と、アミノ基、ヒドロキシル基、エポキシ基(グリシジル基)、カルボキシル酸基、酸無水物基などの官能基とを有する有機化合物を使用する。

このような多官能性有機化合物としては、例えばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、ｐ−グリシジルスチレン、ｏ−、ｍ−またはｐ−アリルフェノールのグリシジルエーテル、３，４−エポキシ−1−ブテン、３，４−エポキシ−３−メチル−1−ブテン、３，４−エポキシ−1−ペンテン、５，６−エポキシ−１−ヘキセン、クロトン酸、無水マレイン酸、無水クロトン酸、ウンデシレン酸、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、３−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、プロピレングリコールモノアクリレート、プロピレングリコールモノメタクリレート、アリルアルコール、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、メ夕クリル酸ｔｅｒｔ−ブチルアミノエチルなどを挙げることができる。

これらの多官能性有機化合物は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。中でも特にグリシジルメタクリレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネートが好ましい。ポリエステル樹脂と多官能性有機化合物とを反応させるには、両者を溶融混合する方法が好ましい。溶融混合に除し、他の添加剤成分を一緒に混合することもできる。

多官能性有機化合物の使用量は、ポリエステル樹脂１００重量部に対して０．１〜２０重量部、中でも０．５〜１５重量部、特に１〜１０重量部とするのが好ましい。多官能性有機化合物の使用量が少なすぎると、電離放射線の照射による架橋の程度が不十分となることがある。逆に多官能性有機化合物の使用量が多すぎると、ポリエステル樹脂との溶融混合が困難となり、さらには成形時のバリが多くなるため好ましくない。
(3) 主鎖に炭素−炭素二重結合を導入する方法

ポリエステル樹脂の重合段階において、不飽和ジオールまたは不飽和ジカルボン酸を共重合して、主鎖に炭素−炭素二重結合を有するポリエステル樹脂を合成することにより、電離放射線の照射によって架橋可能な状態とすることができる。不飽和ジオールとしては、例えば２−ブテン−１，４−ジオール等を挙げることができる。また不飽和カルボン酸としては、例えばフマル酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸などの不飽和脂肪族ジカルボン酸やこれらのアルキルエステル、これらの酸無水物などを挙げることができる。

不飽和ジオールまたは不能和ジカルボン酸の共重合割合は、ジオール成分またはジカルボン酸成分を基準として１〜２０モル％、特に１〜１０モル％とするのが好ましい。不飽和ジオールまたは不飽和ジカルボン酸の共重合割合が小さすぎると、電離放射線の照射による架橋の程度が不十分となって、十分な耐熱性を得ることが難しくなり、逆に大きすぎると、ポリエステル樹脂の融点が低下して耐熱性が低下することがある。不飽和ジオールと不飽和ジカルボン酸は、両者を併用してもよい。
(4) 前記方法の組み合わせ

上記(1)〜(3)の方法を組み合わせた方法も採用することができる。好ましい方法としては、前記(2)または(3)の方法と(1)の方法とを組み合わせる方法が挙げられる。中でも(1)(2)の方法を組み合わせて、重合性官能基を導入したポリエステル樹脂に、多官能性モノマーを配合する方法が好ましい。

また耐熱樹脂部材２は、平均粒径１〜１０μｍの無機フィラーを含んでおり、熱膨張係数が３０×１０^−６／℃以下であるのが好ましい。耐熱樹脂部材２の熱膨張係数が３０×１０^−６／℃を超える場合には、第２の高放熱部材１２との熱膨張係数の差が大きくなりすぎる。そして第１の高放熱部材１１の上面１１０に半導体発光素子ＬＥ１を実装する際の、はんだリフローなどによる熱履歴や、あるいは半導体発光素子ＬＥ１の発光時の発熱などによって耐熱樹脂部材２が膨張収縮した際に過大な応力が加わるなどして、耐熱樹脂部材２が破損したり、第２の高放熱部材１２との間の接合が外れたりするおそれがある。

耐熱樹脂部材２の熱膨張係数を調整するには、無機フィラーの使用量を調整すればよい。なお耐熱樹脂部材２の熱膨張係数は、上記の範囲内でも特に４×１０^−６〜２０×１０^−６／℃とするのが好ましい。

無機フィラーとしては、例えばピロリン酸カルシウム、破砕シリカ、真球シリカ、クレー、タルク、マイカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化チタン等を挙げることができる。中でも特にピロリン酸カルシウム、破砕シリカ、真球シリカが、成形時の樹脂の溶融流動性や、成形品の機械的強度などの観点から好ましい。無機フィラーはそれぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
耐熱樹脂部材２を難燃化するためには難燃剤を配合すればよい。特に比較的少量の添加で高度の難燃性を得るためには臭素系難燃剤を使用するのが好ましい。

臭素系難燃剤としては、例えばエチレンビステトラブロモフタルイミド、エチレンビスペンタブロモジフェニル、テトラブロモ無水フ夕ル酸、テトラブロモフ夕ルイミド、テトラブロモビスフェノールＡ、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（ヒドロキシエチルエーテル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（２，３−ジブロモブロピルエーテル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（ブロモエチルエーテル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（アリルエーテル）、テトラブロモビスフェノールＡカーボネートオリゴマー、テトラブロモビスフェノールＡエポキシオリゴマー、テトラブロモビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェノールＳ−ビス（ヒドロキシエチルエーテル）、テトラブロモビスフェノールＳ−ビス（２，３−ジブロモプロピルエーテル）、臭素化ポリスチレン、臭素化ポリフェニレンエーテル、臭素化ポリカーポネ一ト、臭素化エポキシ樹脂、臭素化ポリエステル、臭素化アクリル樹脂、臭素化フェノキシ樹脂、ヘキサブロモベンゼン、ペンタブロモエチルベンゼン、デカブロモジフェニル、ヘキサブロモジフェニルオキサイド、オクタブロモジフェニルオキサイド、デカブロモジフェニルオキサイド、ポリペンタブロモベンジルアクリレート、オクタブロモナフタレン、ヘキサブロモシクロドデカン、ビス（ペンタブロモフェニル）エタン、ビス（トリブロモフェニル）フマルイミド、Ｎ−メチルヘキサブロモジフェニルアミンなどを挙げることができる。

臭素系難燃剤はそれぞれ単独で,あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。中でもエチレンビステトラブロモフタルイミド、ビス(ペンタブロモフェニル)エタン、テトラビスフェノールＡカーボネートオリゴマー、臭素化ポリスチレン、臭素化ポリフェニレンエーテル等が好ましく、特にエチレンビステトラブロモフタルイミドが、射出成形時の溶融粘度の経時変化が少ない点で特に好ましい。

臭素系難燃剤の配合量は、ポリエステル樹脂１００重量部に対して１０〜５０重量部、特に１５〜４５重量部とするのが好ましい。臭素系難燃剤を上記範囲内で配合することにより、ＵＬ−９４試験において規格値Ｖ−０を満足する難燃性を達成することができる。臭素系難燃剤の配合量が少なすぎると、かかる規格値Ｖ−０を満足する難燃性を達成することが困難である。逆に臭素系難燃剤の配合量が多すぎると、射出成形品にバリ等の不良が生じ易くなる。

上記臭素系難燃剤とともに、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、錫酸亜鉛、ヒドロキシ錫酸亜鉛、ホウ酸亜鉛等の無機系の難燃剤または難燃助剤；赤リン、リン酸エステル等のリン系難燃剤；パークロロペンタシクロデカンのような塩素系難燃剤などを、必要に応じて適宜配合することも可能である。

耐熱樹脂部材２は、前述したＭＩＤの製造方法など、種々の製造方法によって製造することができる。このうちＭＩＤの製造方法としては、
・ 樹脂基材上に、無電解めっきや真空プロセス（スパッタ、真空蒸着等）によって銅めっき層を形成後、回路としない部分にレーザー光を照射することでアブレーションして回路を形成するレーザー法や、
・ 樹脂基板上の回路を形成しない部分に、フォトレジストを用いて無電解めっきのマスクを形成してからめっきを行うワンショット法、あるいは
・ 回路を形成しない部分に、レジスト樹脂を射出成形法等によって形成してから無電解めっきを行い、さらにレジスト樹脂を除去するツーショット法
等があり、回路の形状等によってこれらの方法を適宜、使い分けることができる。

例えばツーショット法によって耐熱樹脂部材２を製造する場合は、まずインサート成形によって金属リード３と一体に形成した耐熱樹脂部材２の表面をエッチング処理する。このエッチング処理は、耐熱樹脂部材２の表面に存在する無機フィラーをエッチング除去することで、当該耐熱樹脂部材２の表面に凹部を形成して、いわゆるアンカー効果により、金属膜２２の密着性を向上するためである。

またこの際、樹脂として、前述した電離放射線の照射によって架橋可能なポリエステル樹脂を用いるとともに、当該ポリエステル樹脂中に、先に述べた、平均粒径が１〜１０μｍの無機フィラーを配合したものを成形材料として使用すると、成形後の耐熱樹脂部材２の表面をエッチング処理成形した際に、十分なアンカー効果を有しながら、なおかつ表面平滑性にも優れた表面を得ることができる。そしてその結果として次工程で、最表面の中心線平均粗さＲａが１μｍ未満である金属膜２２を形成することができる。

これは、
・ ポリエステル樹脂が、成形のための加熱溶融時に適度な溶融粘度を維持しており、例えば液晶ポリマーのように溶融粘度が急激に低下しないため、混合のせん断力を無機フィラーに良好に伝達して、その凝集を防止する効果を有すること、
・ 無機フィラーの平均粒径を１μｍ以上として、凝集しやすい小粒径の成分を排除したこと、さらには
・ 無機フィラーの平均粒径を１０μｍ以下として、大粒径の成分を排除したこと、
が主な要因である。

つまり多数の無機フィラーが凝集した状態でエッチング除去されたり、粒径が大きすぎる無機フィラーがエッチング除去されたりすると、その後には大きな凹部を生じるため、エッチング後の耐熱樹脂部材２の表面平滑性が低下して、その上に形成した金属膜２２の表面平滑性も低下してしまう。

ところが上記のように平均粒径を１μｍ以上として凝集しやすい成分を排除した無機フィラーとポリエステル樹脂とを組み合わせた場合には、当該無機フィラーを、凝集を生じることなくポリエステル樹脂中に均一に分散させることができるため、平均粒径を１０μｍ以下として大粒径の成分を排除したことと相まって、エッチング後の耐熱樹脂部材２の表面は、個々の無機フィラーの大きさに相当する微小な凹部が均一に分散しており、前記のように十分なアンカー効果を有しながら、なおかつ表面平滑性にも優れた状態となる。

なお無機フィラーの平均粒径は、上述した効果をより一層、効果的なものとすることを考慮すると、前記の範囲内でも２〜８μｍ、特に２〜６μｍとするのが好ましい。
また、エッチング後の耐熱樹脂部材２の表面粗さＲａは、金属膜２２の表面平滑性を向上することを考慮すると１μｍ未満、特に０．６μｍ未満とするのが好ましい。

また無機フィラーの添加量は、前記のように耐熱樹脂部材２の熱膨張係数も勘案しなければならないものの、上述した効果を効果的なものとし、なおかつアンカー効果を高めることを考慮すると、全樹脂組成物を基準として５〜２０体積％、中でも７〜１８体積％、特に１０〜１５体積％とするのが好ましい。この範囲より無機フィラーの添加量が少なすぎると、十分なアンカー効果が得られないため、金属膜２２の耐熱樹脂部材２に対する密着性が低下するおそれがある。また逆に多すぎると、エッチング処理後の表面粗さが上記の範囲よりも大きくなって、上述した、金属膜２２の表面平滑性を向上する効果が得られないおそれがある。

次に、上記耐熱樹脂部材２の表面のうち金属膜２２を形成しない面や、あるいは金属リード３の表面などを、耐熱樹脂部材２を溶解しない溶媒に可溶性のレジスト樹脂からなる二次成形部分によって被覆した状態で無電解めっきなどを施す。そうすると上記のように、最表面の中心線平均粗さＲａが１μｍ未満である、光沢度の高い金属膜２２を形成することができる。

これに対し、例えば液晶ポリマー等の他の耐熱樹脂は、前記のように成形のための加熱溶融時に、溶融粘度が急激に低下して無機フィラーが凝集しやすいため、光沢に優れた金属膜２２を形成しにくく、当該金属膜２２の、最表面の中心線平均粗さＲａを１μｍ未満とするためには、めっきを２０〜３０μｍ程度まで厚付けてレべリングする必要があり、コストや生産効率の点で不利である。

このあと、上記二次成形部分を溶媒を用いて溶解して除去し、さらに電子線などの電離放射線を照射してポリエステル樹脂を架橋させると、上記所定の面にのみ選択的に金属膜２２が形成された、前述した所定の特性を満足する耐熱樹脂部材２を製造することができる。電離放射線としては、上記電子線や、あるいはガンマ線などを例示することができる。電子線の場合は、照射する耐熱樹脂部材２の厚みに応じて、その加速電圧を適宜、設定すればよい。また照射線量は、ポリエステル樹脂を架橋させて耐熱樹脂部材２に十分な耐熱性を付与することを考慮すると、５０〜１００ｋＧｙであるのが好ましく、１５０〜５００ｋＧｙであるのがさらに好ましい。

前記第１および第２の高放熱部材１１、１２を、接合層ＡＬ１を介して接合、一体化するためには種々の接合方法を採用することができる。すなわち接着剤による接着の他、はんだ接合、ろう接合、金−金圧着等を採用することができるが、特に製造コストの点で接着剤による接着が好ましい。また第２の高放熱部材１２と耐熱樹脂部材２とを、接合層ＡＬ２を介して接合、一体化するためにも接着剤による接着が好ましい。

ただし接着剤は、第１の高放熱部材１１の上面１１０に半導体発光素子ＬＥ１を実装する際の熱履歴や、半導体発光素子搭載部材ＢＬを配線基板等に実装する際の、はんだリフローなどによる熱履歴、あるいは半導体発光素子ＬＥ１の発光時の発熱などに対して十分な耐熱性を有している必要があり、かかる高耐熱性の接着剤としては、例えばエポキシ系、ポリイミド系、ポリアミドイミド系、ポリエーテルイミド系、ポリエーテルスルホン系、液晶ポリマー系などの接着剤を挙げることができる。

中でも、上述した熱履歴などに十分に耐え得ることを考慮すると、ガラス転移温度が２００℃以上、または熱分解温度が２６０℃以上の接着剤を用いるのが好ましい。また取り扱い上の観点から、基本的にポットライフのない熱可塑性樹脂系の接着剤、具体的にはポリアミドイミド系接着剤等を用いるのが好ましい。

これら樹脂系の接着剤を用いて上記各部を接合するためには、例えば適当な溶剤に溶解または分散させてペースト化したものを、スクリーン印刷などによって、少なくとも一方の接合面に塗布して乾燥固化させるか、もしくはシート状に形成したものを接合面の間に挟んだ状態で加圧、加熱すればよい。

図１(b)は、上記例の半導体発光素子搭載部材ＢＬを用いた、この発明の発光ダイオードＬＥ２の、実施の形態の一例を示す断面図である。図に見るようにこの例においては、半導体発光素子搭載部材ＢＬのうち、第１の高放熱部材１１の上面１１０に半導体発光素子ＬＥ１を実装するとともに、当該半導体発光素子ＬＥ１の、図示しない一対の電極と、通孔２１内に突出させた一対の金属リード３とを、ワイヤーボンドＷＢ、ＷＢを介して電気的に結線することによって、上記半導体発光素子ＬＥ１を、半導体発光素子搭載部材ＢＬに搭載している。

そしてこの状態で、通孔２１内に蛍光体および／または保護樹脂ＦＲを充てんして半導体発光素子ＬＥ１を封止するとともに、通孔２１の開口２１ｃを、半導体発光素子ＬＥ１からの光を透過し得る材料にて形成したレンズＬＳ、または封止キャップで閉じると、図に示した発光ダイオードＬＥ２を得ることができる。

図３(a)は、この発明の半導体発光素子搭載部材ＢＬの、実施の形態の他の例を示す断面図である。また図４は、上記例の半導体発光素子搭載部材ＢＬを基材１と耐熱樹脂部材２とに分解した状態を示す一部切り欠き斜視図である。

図に見るようにこの例の半導体発光素子搭載部材ＢＬは、基材１の全体を、平面形状が矩形状である平板状の第１の高放熱部材１１のみで形成するとともに、この第１の高放熱部材１１の上面１１０に、外形が、上記第１の高放熱部材１１の平面形状より僅かに小さい矩形状に形成された耐熱樹脂部材２を、接合層ＡＬ３を介して接合、一体化した点が、先の例と相違している。

またこの例では、上記第１の高放熱部材１１の上面１１０に、面方向の中央に狭いギャップを設けて互いに絶縁した状態で、半導体発光素子〔図３(b)中のＬＥ１〕を搭載するための電極層、および／または半導体発光素子ＬＥ１からの光を反射するための反射層として機能する２つの金属膜１３を形成してある。また金属膜１３は、上記上面１１０の、ギャップ以外の全面、つまり通孔２１内だけでなく、耐熱樹脂部材２の外側にも及ぶように形成してあり、それによって耐熱樹脂部材２の外部と通孔２１内とを繋ぐ、前記金属リード３と同様の機能をも有している。

上記金属膜１３は、前記のようにフォトリソグラフィーなどを利用することで、例えば１００μｍ以下の微細な形状にパターン形成することができる。詳しくはパターン間の間隔やパターン幅、パターンの平面形状などの最小値を１００μｍ以下、特に５０μｍ未満の高い精度で微細形成することができる。このため半導体発光素子ＬＥ１のフリップチップ実装が可能となる。

なお、外部と接続する電極を高放熱部材１１の裏面に形成するとともに、高放熱部材１１にビアやスルーホール、サイドメタライズを形成して金属膜１３と接続しても良い。この場合、高放熱部材１１の面方向の外形は、耐熱樹脂部材２の同方向の外形と同等であってもよいし、小さくても構わない。

高放熱部材１１それ自体としては、先の例と同じ材料からなり、同じ特性を有するものを用いるのが好ましい。また金属膜１３は単層構造でも、複数層の積層構造でも良いが、その最表面の少なくとも一部、具体的には耐熱樹脂部材２の中央の通孔２１に対応する領域などを、前記のようにＡｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成するのが好ましい。また金属膜１３は、上記領域のうち、図３(b)に示す半導体発光素子ＬＥ１の搭載状態において、接続のための金バンプＢＰが接続される部分の最表面と、耐熱樹脂部材２の外側の部分の最表面とを、接続の信頼性を向上するために、Ａｕにて形成してもよい。

耐熱樹脂部材２は、中央に、第１の高放熱部材１１と接合、一体化した状態で、その上面１１０に搭載される半導体発光素子ＬＥ１を収容する凹部を構成するための通孔２１を有している。また通孔２１の内周面２１ｄは、半導体発光素子ＬＥ１からの光を上部開口２１ｅを通して図において上方に反射させるために、凹部の底面（第１の高放熱部材１１の上面１１０）側から開口２１ｅ側へ向けて外方に拡がったすり鉢状とされている。

また、上記通孔２１のうちすり鉢状の内周面２１ｄと、それに続く耐熱樹脂部材２の上面２０には、反射部としての金属膜２２を形成してある。かかる耐熱樹脂部材２および金属膜２２は、先の例と同様の構成とすることができる。また両部材は、先の例と同様にＭＩＤの製造方法によって製造することができる。さらに耐熱樹脂部材２と第１の高放熱部材１１とを接合、一体化するための接合層ＡＬ３も、先の例と同様の構成とすることができる。

図３(b)は、上記例の半導体発光素子搭載部材ＢＬを用いた、この発明の発光ダイオードＬＥ２の、実施の形態の他の例を示す断面図である。図に見るようにこの例においては、半導体発光素子搭載部材ＢＬのうち、第１の高放熱部材１１の上面１１０に設けた一対の金属膜１３と、半導体発光素子ＬＥ１の、図示しない一対の電極とを、金バンプＢＰ、ＢＰを介してを介して電気的に結線するとともに物理的に固定することによって、上記半導体発光素子ＬＥ１を、半導体発光素子搭載部材ＢＬに搭載している。

そしてこの状態で、通孔２１内に蛍光体および／または保護樹脂ＦＲを充てんして半導体発光素子ＬＥ１を封止するとともに、通孔２１の開口２１ｅを、半導体発光素子ＬＥ１からの光を透過し得る材料にて形成したレンズＬＳ、または封止キャップで閉じると、図に示した発光ダイオードＬＥ２を得ることができる。

なお本発明の構成は、以上で説明した各図の例のものには限定されず、この発明の要旨を変更しない範囲で、種々の設計変更を施すことができる。

同図(a)は、この発明の半導体発光素子搭載部材の、実施の形態の一例を示す断面図、同図(b)は、上記例の半導体発光素子搭載部材を用いた、この発明の発光ダイオードの、実施の形態の一例を示す断面図である。 上記例の半導体発光素子搭載部材を基材と耐熱樹脂部材とに分解した状態を示す、一部切り欠き斜視図である。 同図(a)は、この発明の半導体発光素子搭載部材の、実施の形態の他の例を示す断面図、同図(b)は、上記例の半導体発光素子搭載部材を用いた、この発明の発光ダイオードの、実施の形態の他の例を示す断面図である。 上記例の半導体発光素子搭載部材を基材と耐熱樹脂部材とに分解した状態を示す、一部切り欠き斜視図である。

符号の説明

ＢＬ 半導体発光素子搭載部材
１ 基体
１１ 第１の高放熱部材
１２ 第２の高放熱部材
２ 耐熱樹脂部材
２２ 金属膜（反射部）
ＡＬ１〜ＡＬ３ 接合層
ＬＥ１ 半導体発光素子
ＬＥ２ 発光ダイオード

Claims (14)

1. 熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が１５×１０^−６／℃以下であり、半導体発光素子を搭載するための第１の高放熱部材を含む基体と、この基体に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化した、半導体発光素子からの光を反射するための反射部を有する耐熱樹脂部材とを備えることを特徴とする半導体発光素子搭載部材。
2. 基体が、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以上で、かつ熱膨張係数が５０×１０^−６／℃以下である第２の高放熱部材をも有しており、耐熱樹脂部材を、この第２の高放熱部材に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
3. 基体が第１の高放熱部材のみからなり、耐熱樹脂部材を、この第１の高放熱部材に対して、少なくとも１層の接合層を介して接合、一体化した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
4. 基体を構成する第１および第２の高放熱部材のうちの少なくとも一方に、半導体発光素子搭載のための電極層、および半導体発光素子からの光を反射するための反射層のうちの少なくとも一方として機能する金属膜を設けるとともに、この金属膜の最表面の少なくとも一部を、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成した請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子搭載部材。
5. 耐熱樹脂部材の反射部を、当該耐熱樹脂部材の表面に形成した金属膜にて形成するとともに、この金属膜の最表面の少なくとも一部を、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
6. 耐熱樹脂部材の反射部を、当該耐熱樹脂部材の表面に形成した金属膜にて形成するとともに、この金属膜の、最表面の中心線平均粗さＲａを１μｍ未満とした請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
7. インサート成形により、耐熱樹脂部材と、当該耐熱樹脂部材を貫通する、半導体発光素子への配線用の金属リードとを一体化した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
8. 金属リードの最表面の少なくとも一部を、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金にて形成した請求項７記載の半導体発光素子搭載部材。
9. 第１の高放熱部材を、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｗ、およびＭｏからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む材料にて形成した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
10. 第２の高放熱部材を、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｍｏ、およびＣｕ−Ｍｏからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む材料にて形成した請求項２記載の半導体発光素子搭載部材。
11. 耐熱樹脂部材の、２６０℃で６０秒間の加熱後の寸法変化率が１％以下である請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
12. 耐熱樹脂部材が平均粒径１〜１０μｍの無機フィラーを含んでおり、当該耐熱樹脂部材の熱膨張係数が３０×１０^−６／℃以下である請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
13. 耐熱樹脂部材を、電離放射線の照射によって架橋させた架橋ポリエステル樹脂にて形成した請求項１記載の半導体発光素子搭載部材。
14. 請求項１記載の半導体発光素子搭載部材のうち第１の高放熱部材に半導体発光素子を搭載し、かつ搭載した半導体発光素子を蛍光体および保護樹脂のうちの少なくとも一方によって封止するとともに、半導体発光素子からの光の取り出し方向にレンズを配設したことを特徴とする発光ダイオード。

Images