JP5767160B2 - 光学半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
特に、大量の熱を発生する高出力の光学半導体装置において、高放熱性であると同時に、長時間にわたって高反射率を保持する基板を用いることが重要である。
このようにすれば、所望の深さを有する第1の凹部を容易に形成できる。
このようにすれば、第1の凹部を形成する工程の工程時間を低減できる。
このような製造方法であれば、放熱性により優れ、上面及び下面での電極設計自由度が向上された光学半導体装置用基板を製造できる。この方法により製造した光学半導体装置用基板では、下面金属層により他の基板と接続できる。
このような製造方法であれば、リフレクター構造を形成して高光束な光学半導体装置用基板を製造でき、又は封止材ダム構造を形成して封止材の形状を維持できる高品質な光学半導体装置用基板を製造できる。
このようなものであれば、放熱性により優れ、上面及び下面での電極設計自由度が向上されたものとなる。また、下面金属層により他の基板と接続できるものとなる。
繊維強化材がガラス繊維であれば、更に、良好な耐紫外線性および耐熱性を示す基板となり、繊維強化材とシリコーン樹脂組成物との良好な接着も確保される。さらに、ガラス繊維は、安価で扱いやすい材料であるため、コスト面からも有利である。
このようなものであれば、所望の厚さを有する、より機械的安定性に優れたものとなる。
このようなものであれば、機械的特性、耐熱性、耐変色性に優れ、表面のタックの少ない光学半導体装置用基板となる。
このように、リフレクター構造を有するものであれば高光束なものとなり、封止材ダム構造を有するものであれば封止材の形状を維持できる高品質なものとなる。
このようなものであれば、反りが低減された平坦な表面を有し、機械的安定性が高く、かつ高耐久性、高放熱性なものとなる。
従来より、機械的安定性が高く、かつ高耐久性、高放熱性の光学半導体装置を実現できる光学半導体装置用基板が望まれていた。
本発明者等は、このような課題を達成するため鋭意検討を重ねた。その結果、繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた樹脂層の上下両面に上面金属層及び下面金属層を接合した板状の基台を用いることにより機械的安定性、高耐久性が達成され、特に基板の反りが大幅に低減できること、及び光学半導体素子を搭載する位置に第1の凹部を形成し、その凹部内にメッキ層を積み上げてメッキ層の表面が上面金属層と同一平面になるように露出した平坦な表面を形成することにより高放熱性が達成されることを見出した。
〔基台〕
図1に、本発明の光学半導体装置用基板10の断面概略図を示す。基台1は、3層の繊維強化材2にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた樹脂層1aの上下両面に上面金属層1b及び下面金属層1cがそれぞれ接合されたものである。このように、従来のエポキシ基板(FR−4など)と比較して耐熱性の高いシリコーン樹脂を主体とした樹脂層1aを有する基台とすることで、耐熱性が高く長期環境試験(高温高湿試験等)において基台の黄変も無く、長時間にわたり高反射率を保持する耐久性に優れた光学半導体装置用基板となる。その上、このような基板は機械的安定性が高く、かつ可撓性に優れ、取り扱いが容易である。
このようなものであれば、所望の厚さを有する、より機械的安定性に優れたものとなる。
高出力ダイオード(光出力が高く、したがって大量の廃熱も発生させるもの)の場合や、温度が上昇する環境(例:自動車のエンジン付近のヘッドライト)において光学半導体装置用基板を使用する場合には耐熱性に関して厳しい要件が求められる。本発明の光学半導体装置用基板であれば、これらの要求にも応えることができる。
基台1の厚さはできる限り薄いことが好ましく、例えば自重で湾曲しない程度の十分な機械的安定性を有することが好ましい。基台1の厚さは、1mm以下、好ましくは0.6mm以下、特に好ましくは0.4mm以下である。
メッキ層の露出面積は特に限定されることはないが、例えば、ダイパット又はワイヤーボンドパッドの面積の15%〜100%を占めていることが好ましい。
シリコーン樹脂は、耐熱性が高く、高耐久性であり、誘電率も低いことにより低ノイズ性であるため、基台1の樹脂層1aの構成材料に極めて適している。シリコーン樹脂組成物としては、特に制限されないが、硬化性のシリコーン樹脂組成物であって、付加硬化型や縮合硬化型のシリコーン樹脂組成物が望ましい。このようなシリコーン樹脂組成物であれば、従来の成型装置でも容易に成型可能であり、機械的特性に優れ、表面のタックが少ない基台を容易に得ることができる。ひいては、機械的特性、耐熱性、耐変色性に優れ、表面のタックが少ない光学半導体装置用基板を容易に得ることができる。
繊維強化材としては、炭素繊維、ガラス繊維、石英ガラス繊維、金属繊維などの無機繊維、芳香族ポリアミド繊維、ポリイミド繊維、ポリアミドイミド繊維などの有機繊維、さらには炭化ケイ素繊維、炭化チタン繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維など、製品特性に応じていかなるものも使用することができる。好ましい繊維としてはガラス繊維、石英繊維、炭素繊維などである。中でも絶縁性の高いガラス繊維や石英ガラス繊維が特に好ましい。他の観点からは、繊維強化材としては、シリコーン樹脂組成物への良好な接着性と高い機械的負荷能力とを示す材料が特に好ましい。また、繊維強化材は、少なくともシリコーン樹脂組成物と同程度の耐熱性と、低い熱膨張係数とを有することが好ましい。
また、繊維強化材はシリコーン樹脂により完全に囲まれたものとすることができる。このようなものであれば、繊維強化材がシリコーン樹脂により保護されて金属又は金属イオンが繊維に達しないため、例えば金属イオンが繊維に沿って移動することを防ぐことができる。
図1に示すように、本発明の光学半導体装置用基板10は、基台1の上面に、光学半導体素子と電気的に接続される少なくとも2つの電気的接続部3を有する。それぞれの電気的接続部3は金ワイヤー等を介して光学半導体素子に接続するように設計することができる。或いは、フリップチップ実装方式で光学半導体素子に接続するように設計することもできる。
電気的接続部3は、図1に示すように、基台1に形成された少なくとも上面金属層1b及び樹脂層1aを厚さ方向に貫通した第2の凹部6内にメッキを施して下面金属層1cと電気的に接続したものであることが好ましい。
電気的接続部3の材質は、上記したメッキ層5と同様なものとすることができる。
例えば、電気的接続部3において、最も下に位置する第1の層を銅層とすることが好ましい。第1の層の厚さは、好ましくは8μm以上500μm未満である。更に第1の層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀のうちの少なくとも1つの第2の金属層を形成することができる。これらの層の厚さは、25μm未満が好ましく、5μm未満が特に好ましく、2μm未満が最も好ましい。特にニッケル−金の層を銅層上に形成する場合は500nm未満であることが好ましい。このような第2の層は、費用効果が高く、簡単な工程で形成することができ、さらには効果的に構造化することができる。
図4(A)に示すように、本発明の光学半導体装置用基板20は、基台上に熱硬化性樹脂のリフレクター構造7を有するものとすることができる。リフレクター構造7を有するものであれば高光束なものとなる。リフレクター構造7は光学半導体素子を囲繞し、光学半導体素子からの光を反射する構造であれば特に限定されない。或いは、図4(B)に示す本発明の光学半導体装置用基板30のように、封止材ダム構造8を有するものであっても良い。封止材ダム構造8は光学半導体素子の搭載領域の周囲に形成され、光学半導体素子の封止時に封止材の流れを止め、封止材の形状を維持するためのものである。
[樹脂層作製工程]
樹脂層作製工程では、繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させて樹脂層1aを作製する(図3のA)。樹脂層1aはプリプレグを少なくとも1層以上用いて硬化させて作製することが好ましい。プリプレグは溶剤法又はホットメルト法によって製造できる。シリコーン樹脂組成物、繊維強化材としては、上記光学半導体装置用基板で記載したものと同様のものを用いることができる。
より具体的には、シリコーン樹脂組成物の溶液または分散液に、ガラスクロスを含浸させ、好ましくは50〜150℃、より好ましくは60〜120℃の乾燥炉中で溶剤を除去することにより、シリコーンプリプレグを得ることができる。
このようにして製造したプリプレグを用いて樹脂層1aを作製する。この際、絶縁層の厚みに応じた枚数のプリプレグを重ね、加圧加熱して樹脂層1aとすることができる。
金属層形成工程では、樹脂層1aの上下両面に上面金属層1b及び下面金属層1cをそれぞれ接合して基台1を作製する(図3のB)。この工程は例えば以下のようにして実施できる。
樹脂層1aの上面に8〜200μmの金属箔と、下面に8〜500μmの金属箔を重ねて、5〜50MPaの圧力、70〜180℃の温度の範囲で真空プレス機等を用いて加圧加熱することによって上面金属層1b及び下面金属層1cを接合する。この場合の金属箔としては特に限定されないが、銅、ニッケル、金、パラジウム、又は銀などを用いることができ、電気的、経済的な面から銅箔が好ましく用いられる。ここで、上面金属層1bは後述する基台研磨工程においてその表面を所定の研磨量で研磨するので、最終厚さよりも厚いものを接合しておく。
第1の凹部形成工程では、上記で作製した基台1に第1の凹部4を形成する(図3のC)。この際、第1の凹部4は少なくとも上面金属層1b及び樹脂層1aを厚さ方向に貫通するように形成する。第1の凹部4の深さは特に限定されず、下面金属層1cの内部、例えば下面金属層1cの表面から数十μm以上の深さに到達するように形成しても良い。第1の凹部4はダイパット又はワイヤーボンドパッドの面積の15%〜100%を占めていることが好ましい。第1の凹部4は、例えば、ルータ等によって形成することができる。この際、必要に応じて第2の凹部6も形成することができる。
メッキ層形成工程では、第1の凹部4内に電解メッキを施してメッキ層5を形成する(図3のD)。上記したように、電気的接続部を第2の凹部6内にメッキによって形成する場合には、図3のDに示すように、第2の凹部6内で、下面金属層1c上にもメッキを積み上げる。このとき、メッキ層5は、その上面の高さ位置が少なくとも製造する光学半導体装置用基板の表面の高さ位置以上になるように形成する。例えば、図3のDに示すように、上面金属層1bの表面の高さ位置より高くなるように形成することもできる。
基台研磨工程では、上面金属層1b側の基台1の表面を研磨して平坦な表面を形成する(図3のE)。この際、上記したように、メッキ層5の上面の高さ位置は少なくとも研磨後の光学半導体装置用基板の表面の高さ位置以上になるように形成しているので、基台1の光学半導体素子を搭載する位置でメッキ層5の表面が上面金属層1bと同一平面になるように露出したものとなる。
電気的接続部形成工程では、上面金属層1b及び上記工程で形成したメッキを、光学半導体素子と電気的に接続される少なくとも2つの電気的接続部3に形成する(図4のF)。例えば、基台1をサブトラクト法や穴あけ加工などの通常用いられる方法により加工したり、上面金属層1b及び下面金属層1cをエッチング処理することで電気的接続部3を有する基板(印刷配線板)を得ることができる。例えば、上面金属層1b及び下面金属層1cをエッチング処理する場合、エッチングする金属層上の位置は、図4のFに示すように、上面金属層1bと下面金属層1cで対応する位置でも、対応しない位置でも良い。
上記工程を経て、本発明の光学半導体装置用基板が製造される。
上記した方法では、第1の凹部を形成する工程において、樹脂層の上下両面に上面金属層及び下面金属層を接合した後の基台に第1の凹部を形成したが、これに限定されず、接合する前の上面金属層及び樹脂層に第1の凹部に対応する貫通孔を形成し、その後、樹脂層と上面金属層及び下面金属層とを接合しても良い。第1の凹部を形成する工程において複数の凹部を形成する場合にはルータ等の装置にて律速されてしまうが、このような方法で第1の凹部の形成工程を行うことで工程時間を低減できる。この場合、上面金属層及び樹脂層の貫通孔をカット金型による打ち抜きにより形成することができる。
図5に示すように、本発明の光学半導体装置11は、上記本発明の光学半導体装置用基板10に光学半導体素子12を搭載して封止したものである。本発明の光学半導体装置11は、本発明の光学半導体装置用基板を用いたものであるので、反りが低減された平坦な表面を有し、機械的安定性が高く、かつ高耐久性、高放熱性なものとなる。図5では、フェイスアップ型の光学半導体装置を示しているが、フリップチップ型の光学半導体装置であっても良い。特にフリップチップ型の光学半導体装置の場合は、金バンプによる通電放熱構造となり、更に放熱性に優れたものとなる。
図5に示すように、本発明の光学半導体装置11は、基台上に熱硬化性樹脂のリフレクター構造7を有するものである。リフレクター構造7を有するものであれば高光束なものとなる。リフレクター構造7は光学半導体素子を囲繞し、光学半導体素子からの光を反射する構造であれば特に限定されない。或いは、上記したような封止材ダム構造8を有するものであっても良い。封止材ダム構造8は光学半導体素子の搭載領域の周囲に形成され、光学半導体素子の封止時に封止材の流れを止め、封止材の形状を維持できる。このように、基台の表面に熱硬化性樹脂によるリフレクター構造もしくは封止材ダム構造を形成することで、より耐久性が向上した高機能の光学半導体装置となる。
R1 aSi(OR2)b(OH)c O(4−a−b−c)/2 (1)
(式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜20の有機基、R2は同一又は異種の炭素数1〜4の有機基を示し、0.8≦a≦1.5、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c<2を満たす数である。)
このほかに付加硬化型シリコーン樹脂組成物も使用できる。
上記3)のシリコーン樹脂とエポキシ樹脂のハイブリット樹脂としては、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる共重合体などが挙げられる。
無機質充填材として酸化チタンを含むフェニル系シリコーン樹脂組成物(信越化学製:LPS−AF500)をガラス繊維(♯2116 E−ガラス)に含浸させた1枚当り70μmのシートを3層積層し、この樹脂の上面に35μmの銅層(上面金属層)、下面に100μmの銅層(下面金属層)を、温度150℃、圧力30MPaにて2時間加熱圧着させて基台を作製した。
作製した基台の光学半導体素子を搭載する素子搭載部となる箇所をルータを用いて切削することで、下面金属層を深さ10μmまで切削した直径3mmの第1の凹部を形成した。
無機質充填材として酸化チタンを含むフェニル系シリコーン樹脂組成物(信越化学製:LPS−AF500)をガラス繊維(日東紡製:2116)に含浸させた1枚当り70μmのシートを3層積層し、実施例1と同様に、この樹脂の上面に35μmの銅層(上面金属層)、下面に100μmの銅層(下面金属層)を、温度150℃、圧力30MPaにて2時間加熱圧着させて基台を作製した。
作製した基台の光学半導体素子を搭載する素子搭載部となる箇所に、ドリルを用いて貫通穴(上面金属層、樹脂層、及び下面金属層共に貫通)を形成し、その貫通穴内面に銅メッキを施した。
実施例1作製した光学半導体装置用基板と従来一般的に用いられているFR−4基板、及びAlN基板の反り量を比較した。その結果を表3に示す。表3に示すように、実施例1の光学半導体装置用基板の反りは0.1mmとなり、従来のFR-4基板は0.5mm、AlN基板は0.1mmとなった。これにより、本発明の光学半導体装置用基板は、従来の基板に比べ、反り量を同等以下に低減できることが確認できた。
実施例1と同様に、Cuメッキ層の形成まで行った。但し、Cuメッキ層の表面が上面金属層と樹脂層が接着している面よりも100μm上方に位置するように形成した。その後、そのCuメッキ層にマスクを配置し、上面金属層を選択的にエッチング後、Cuメッキ層の突出部分をダイヤモンドブレードにより研削して基板表面を平坦化した。その後、実施例1と同様に2つの電気的接続部を形成し、さらにその表面にNi/Pd/Auのメッキを施した金属被覆層を形成、光学半導体装置用基板を得た。
リフレクター構造を成型する際に、トランスファー成型にてエポキシ樹脂(実施例2)又は、シリコーン樹脂とエポキシ樹脂のハイブリット樹脂(実施例3)を用いたこと以外は実施例1と同様にして光学半導体装置を作製した。
実施例2〜3にて作製した光学半導体装置に対し、85℃/85%の高温高湿通電試験を実施し、100h、500h、1,000h初期光束値の変動状況を確認した。その結果を表4に示す。基台の耐久性が高いため、2種類とも大きな光束の低下がなく、良好であることが分かった。
2…繊維強化材、 2’、2’’…繊維、 3…電気的接続部、
4…第1の凹部、 5…メッキ層、 6…第2の凹部、
7…リフレクター構造、 8…封止材ダム構造、
10、20、30…光学半導体装置用基板、
11…光学半導体装置、 12…光学半導体素子。
Claims (3)
- 光学半導体素子を搭載する平坦な表面と、前記光学半導体素子と電気的に接続される少なくとも2つの電気的接続部を有する光学半導体装置用基板を製造する方法であって、
繊維強化材にシリコーン樹脂組成物を含浸させ硬化させた樹脂層の上下両面に上面金属層及び下面金属層がそれぞれ接合された板状の基台の前記光学半導体素子を搭載する位置に、少なくとも前記上面金属層及び樹脂層を厚さ方向に貫通した第1の凹部を形成する工程と、
前記第1の凹部内にメッキを施してメッキ層を形成する工程と、
前記上面金属層側の基台の表面を研磨して前記基台の前記光学半導体素子を搭載する位置に前記メッキ層の表面が前記上面金属層と同一平面になるように露出した平坦な表面を形成する工程とを含み、
前記第1の凹部を形成する工程において、接合する前の前記上面金属層及び前記樹脂層に前記第1の凹部に対応する貫通孔を形成し、その後、前記樹脂層と前記上面金属層及び前記下面金属層とを接合することを特徴とする光学半導体装置用基板の製造方法。 - 前記メッキ層が露出した平坦な表面を形成する工程の前に、前記基台に少なくとも前記上面金属層及び樹脂層を厚さ方向に貫通した第2の凹部を形成し、該第2の凹部内にメッキを施して前記下面金属層と電気的に接続した前記電気的接続部を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の光学半導体装置用基板の製造方法。
- 前記メッキ層が露出した平坦な表面を形成する工程の後に、前記基台上に熱硬化性樹脂のリフレクター構造又は封止材ダム構造を形成する工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学半導体装置用基板の製造方法。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
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KR101565675B1 (ko) * | 2014-01-24 | 2015-11-04 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 소자에 장착되는 방열 패키지 및 그 제작 방법 |
JP5875631B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2016-03-02 | 胡文松 | Smdledの放熱構造 |
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JP2008071955A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
DE102008025491A1 (de) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterplatte |
-
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- 2012-05-07 JP JP2012106173A patent/JP5767160B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7164948B2 (ja) | 2014-08-09 | 2022-11-02 | ボーグワーナー インコーポレーテッド | 圧力リリーフ弁調整特徴 |
Also Published As
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