JP2005136116A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板19の外周縁には、製造工程で不可避的に形成される外周P型領域17に隣接してチャネルストッパ18が比較的広く設けられている。チャネルストッパ18を構成するN型領域上のポリシリコン膜は、最小限の外周P型領域17が形成される幅でまず外周端部が除去され、この状態でP型不純物拡散を行うことにより最少幅の外周P型領域17と最大幅のチャネルストッパ18とが形成される。その後、第2の凹部26を形成する際にさらにポリシリコン膜の外周端部を除去することにより所定幅のEQR27が形成される。
【選択図】 図1
Description
図5に示す半導体素子110は、比較的不純物濃度の高いN+型半導体領域から構成されるドレイン領域111と、ドレイン領域111の上に形成された比較的不純物濃度の低いN-型半導体領域から構成されるドリフト領域112と、ドリフト領域112内に島状に分散配置されたP型半導体領域から構成されるベース領域113と、ベース領域113内に環状に形成されたソース領域114と、を有する半導体基板119と、半導体基板119の一面上に形成されたゲート電極122およびソース電極125と、半導体基板119の他面上に形成されたドレイン電極120と、を備える。ベース領域113(チャネル領域)は、ドリフト領域112とソース領域114との間に環状に設けられ、ゲート電極122は、ベース領域113の上にゲート絶縁膜を介してこれに対向して設けられている。
最後に、上記のようにして得られた半導体基板119の両面上にアルミニウム等から構成されるソース電極125とドレイン電極120とを形成することにより、図5に示す半導体素子110が完成する。
また、本発明は、チャネルストッパを比較的広い幅で備える半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
半導体基板の一面を構成する第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の端部の表面領域に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面領域に前記第2半導体領域に隣接して形成され、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域の上方に設けられ、その端部側の一端が前記第3半導体領域の絶縁膜を介した上方にあるよう形成された導体膜と、
を備える。
前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域と前記第4半導体領域との界面から形成される空乏層の外周側への広がりを抑制する等のために設けられている。
第1導電型の第1半導体領域を一面に備える半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の一面上に、その端部が第1の幅で露出するように、相対的に厚い第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の一面に、相対的に薄い第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の一面に、前記第1の絶縁膜をマスクとして、選択的に第1導電型の不純物を拡散させ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第1拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の一面上に、少なくとも前記半導体基板の端部を前記第1の幅よりも小さい第2の幅で残して覆う導体膜を形成する工程と、
前記導体膜をマスクとして、前記半導体基板の一面の表面領域に第2導電型の不純物を選択的に拡散させ、前記第1拡散領域よりも深い拡散深さでこれと隣接する第2拡散領域を形成する工程と、
前記第1の幅よりも小さくかつ前記第2の幅よりも大きい幅で、前記半導体基板の一面の端部をその上に形成された前記第2の絶縁膜と前記導体膜とともに除去する除去工程と、
を備える。
また、本発明によれば、チャネルストッパを比較的広い幅で備える半導体素子およびその製造方法が提供される。
ドリフト領域12は、ドレイン領域11の他面上に形成された、後述するN型半導体領域15よりも不純物濃度の低いN-型半導体領域から構成される。ドレイン領域11およびドリフト領域12は、それぞれ、半導体基板19の主面を構成する。
第1の絶縁膜21の内周側は、素子活性領域であるセル形成領域を構成し、その外周側は後述するEQR等が形成される端部を構成する。
ソース領域14は、ベース領域13の表面領域の内側に環状に形成された、後述するN型半導体領域15よりも不純物濃度の高いN+型半導体領域から構成される。
ドリフト領域12とソース領域14との間に露出する環状のベース領域13(チャネル領域)の上方には、ポリシリコン膜から構成されるゲート電極22が、ゲート絶縁膜を構成する第2の絶縁膜23を介して対向するように設けられている。なお、第2の絶縁膜23は、第1の絶縁膜21よりも薄い厚さを有する。
ベース領域13とソース領域14とは単位セル領域を構成し、セル形成領域内に所定数設けられている。
例えば、上記実施の形態に示した半導体素子10において、反対導電型とした構成としてもよい。
11 ドレイン領域
12 ドリフト領域
13 ベース領域
14 ソース領域
15 N型半導体領域
16 P型補助領域
17 外周P型領域
18 チャネルストッパ
18a 第1の領域
18b 第2の領域
19 半導体基板
21 第1の絶縁膜
22 ゲート電極
23 第2の絶縁膜
27 EQR
28 導体膜
Claims (10)
- 半導体基板の一面を構成する第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の端部の表面領域に形成された第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面領域に前記第2半導体領域に隣接して形成され、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域の上方に設けられ、その端部側の一端が前記第3半導体領域の絶縁膜を介した上方にあるよう形成された導体膜と、
を備える、ことを特徴とする半導体素子。 - 前記第1半導体領域の表面領域の、前記第3半導体領域よりも内周側に形成された第2導電型の第4半導体領域をさらに備え、
前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域と前記第4半導体領域との界面から形成される空乏層の外周側への広がりを抑制するために設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記導体膜は等電位リングを構成する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。
- 前記第3半導体領域は、相対的に深い深さを有する第1の領域と、相対的に浅い深さを有する第2の領域と、を備え、その露出面には、前記第1の領域と前記第2の領域とを隔てる段差が形成されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記第2の領域は、前記第2半導体領域と共通の平面を構成する、ことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子。
- 前記絶縁膜は、前記第1の領域を覆いかつ前記第2の領域を覆わないように形成されている、ことを特徴とする請求項4または5に記載の半導体素子。
- 前記導体膜の端部側の一端と、前記絶縁膜の端部側の一端と、前記第3半導体領域の段差と、は、共通の平面を構成する、ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記第2の領域上に形成され、前記導体膜と前記第3半導体領域とを電気的に接続する接続用導体膜をさらに備える、ことを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 第1導電型の第1半導体領域を一面に備える半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の一面上に、その端部が第1の幅で露出するように、相対的に厚い第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の一面に、相対的に薄い第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の一面に、前記第1の絶縁膜をマスクとして、選択的に第1導電型の不純物を拡散させ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第1拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の一面上に、少なくとも前記半導体基板の端部を前記第1の幅よりも小さい第2の幅で残して覆う導体膜を形成する工程と、
前記導体膜をマスクとして、前記半導体基板の一面の表面領域に第2導電型の不純物を選択的に拡散させ、前記第1拡散領域よりも深い拡散深さでこれと隣接する第2拡散領域を形成する工程と、
前記第1の幅よりも小さくかつ前記第2の幅よりも大きい幅で、前記半導体基板の一面の端部をその上に形成された前記第2の絶縁膜と前記導体膜とともに除去する除去工程と、
を備える、ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記端部に露出した前記第1拡散領域上に、前記端部に形成された前記導体膜と電気的に接続された接続用導体膜を形成する工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
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