JP2005123530A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 Au系層からなる金属層を介して発光層部と素子基板とを貼り合せた構造を有する発光素子を製造するために、十分な貼り合せ強度が得られ、かつ、反射面の状態も良好に保つことができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 発光層部24を有した化合物半導体層の光取出面になるのと反対側の主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面にAu含有率が95質量%以上の第一Au系層10aを配置する。また、Si基板7の、発光層部24側に位置することが予定された主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面にAu含有率が95質量%以上の第二Au系層10bを配置する。そして、それら第一Au系層10aと第二Au系層10bとを重ね合わせて積層体50となし、該積層体50を80℃未満の温度域にて積層方向に加圧し、その加圧状態にて積層体50を80℃以上に加熱することにより貼り合わせる。
【選択図】 図2
Description
発光層部を有する化合物半導体層の一方の主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の他方の主表面側に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介してSi基板が結合された発光素子を製造するために、
前記発光層部を有した化合物半導体層の光取出面になるのと反対側の主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面に、前記金属層の一部をなすAu含有率が95質量%以上の第一Au系層を配置し、
前記Si基板の、前記発光層部側に位置することが予定された主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面に、前記金属層の一部をなすAu含有率が95質量%以上の第二Au系層を配置し、
それら第一Au系層と第二Au系層とを重ね合わせて積層体となし、該積層体を80℃未満の温度域にて積層方向に加圧し、その加圧状態にて前記積層体を80℃以上に加熱することにより貼り合わせることを特徴とする。
・黄緑系:550nm以上580nm未満
・黄色系:580nm以上595nm未満
・アンバー系:595nm以上610nm未満
・オレンジ系:610nm以上630nm未満
・赤色系:630nm以上780nm未満
図1は、本発明を用いて製造可能な発光素子100の一形態を示す概念図である。発光素子100は、n型Si(シリコン)単結晶よりなるSi基板7の一方の主表面上に、Auを主成分とするAu系層10を介して発光層部24が貼り合わされた構造を有してなる。Si基板7は、Si単結晶インゴットをスライス・研磨して製造されたものであり、その厚みは例えば100μm以上500μm以下である。
まず、図2の工程1に示すように、発光層成長用基板をなす半導体単結晶基板であるGaAs単結晶基板1の主表面に、p型GaAsバッファ層2を例えば0.5μm、AlAsからなる剥離層3を例えば0.5μm、さらにp型AlGaAsよりなる電流拡散層20を例えば5μm、この順序にてエピタキシャル成長させる。また、その後、発光層部24として、1μmのp型AlGaInPクラッド層6、0.6μmのAlGaInP活性層(ノンドープ)5、及び1μmのn型AlGaInPクラッド層4を、この順序にエピタキシャル成長させる。
4 n型クラッド層(第二導電型クラッド層)
5 活性層
6 p型クラッド層(第一導電型クラッド層)
7 Si基板
9 金属電極
10 Au系層
10a 第一Au系層
10b 第二Au系層
11 反射金属層
RP 反射面
24 発光層部
31 AuSb層(基板側接合層)
32 AuGeNi接合層(発光層部側接合層)
100 発光素子
Claims (8)
- 発光層部を有する化合物半導体層の一方の主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の他方の主表面側に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介してSi基板が結合された発光素子を製造するために、
前記発光層部を有した化合物半導体層の光取出面になるのと反対側の主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面に、前記金属層の一部をなすAu含有率が95質量%以上の第一Au系層を配置し、
前記Si基板の、前記発光層部側に位置することが予定された主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面に、前記金属層の一部をなすAu含有率が95質量%以上の第二Au系層を配置し、
それら第一Au系層と第二Au系層とを重ね合わせて積層体となし、該積層体を80℃未満の温度域にて積層方向に加圧し、その加圧状態にて前記積層体を80℃以上に加熱することにより貼り合わせることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記積層体の加熱を180℃以下にて行なうことを特徴とする請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記第一Au系層により前記反射面を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光層部は、ピーク波長が550nm以上の可視光を発光するものであることを特徴とする請求項3記載の発光素子の製造方法。
- 化合物半導体よりなる発光層成長用基板上に前記発光層部をエピタキシャル成長させ、
前記発光層部の前記貼り合わせ側主表面に前記第一Au系層を形成し、
他方、前記Si基板の前記貼り合わせ側主表面に前記第二Au系層を形成し、
前記第一Au系層と第二Au系層とを密着させて貼り合わせ、
その貼り合わせ後に、前記発光層部から前記発光層成長用基板を化学エッチングにより除去することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記発光層部が(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)よりなり、前記発光層成長用基板がGaAs基板よりなり、
前記化学エッチングを、アンモニア/過酸化水素混合液を用いて前記GaAs基板を溶解する形で行なうことを特徴とする請求項5記載の発光素子の製造方法。 - (AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)よりなる前記発光層部がAlAs剥離層を介して前記発光層成長用基板をなすGaAs基板上に成長され、
前記化学エッチングを、フッ酸を含有した溶液を用いて前記AlAs剥離層を溶解する形で行なうことを特徴とする請求項5記載の発光素子の製造方法。 - 前記第一Au系層と前記発光層部との間に、Au以外の金属元素を主成分とする反射金属層を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光素子の製造方法。
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